Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10719) > Сторінка 136 з 179
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
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DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 3.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMNH15H110SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 1172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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B240A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B240A-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 500 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 500mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: B240A productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 81803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3018SFV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP3018SFV-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN4008LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT3006LFV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT3006LFV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 2880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN4008LFG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 14.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 940 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BAS40-05-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS40-05-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 1 V, 600 mA, 125 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 Durchlassstoßstrom: 600mA rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 1V Sperrverzögerungszeit: 5ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BAS40 productTraceability: No Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 4524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2103MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 70ns Ausgabeverzögerung: 35ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| BCP5616TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCP5616TA - SINGLE BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, 1AtariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: TBA productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
товару немає в наявності |
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MURS140-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MURS140-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 35 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 35A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MURS1 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZX84C2V7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZX84C2V7 - Zener-Diode, 2.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BZX84C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 2.7V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3338 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC847CT-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC847CT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 520hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-523 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 8053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZVN4206A | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 700mW Bauform - Transistor: TO-226AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138DWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138DWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138DWQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 702 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BSS138DWQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: 200mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 200mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 9271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG3415UFY4Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV euEccn: NLR Verlustleistung: 650mW Bauform - Transistor: X2-DFN2015 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN3025LFV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN3025LFV-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 900mW Bauform - Transistor: PowerDI 3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMCJ33CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 40.6V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 53.3V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMCJ33CA-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 36.7V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 40.6V isCanonical: N usEccn: EAR99 Sperrspannung: 33V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SMCJ Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 53.3V SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
на замовлення 3265 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D2LDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohmtariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 400mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 280mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-353 Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 280mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D2LFB4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D4SDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D2LFB4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 300mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1075 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN32D4SDW-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG6601LVT-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP7215-33YG-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP7215-33YG-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.1A -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 Ausgang: Fest rohsCompliant: YES Ausgangsspannung, min.: - IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89 MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Polarität: Positiver Ausgang Eingangsspannung, min.: 3.3V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators Ausgangsspannung, nom.: 3.3V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Ausgangsstrom, max.: 600mA Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG6968UDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG6968UDM-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohmtariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm Verlustleistung, p-Kanal: 850mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 850mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG6968UQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMG6968UQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI3A3899ZTAEX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16tariffCode: 85423390 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: DPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PI3A3899ZTAEX | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16tariffCode: 85423390 IC-Funktion: Analogschalter rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: UQFN MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: - Schalterkonfiguration: DPDT euEccn: NLR Stromversorgung: Einfache Versorgung Anzahl der Pins: 16Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Schnittstellen: - Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP5727WG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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AP5727WG-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°CtariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage Ausgangsspannung, max.: 30V hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Eingangsspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Ausgangsstrom, max.: - Eingangsspannung, min.: 2.7V Topologie: Boost Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No LED-Treiber: - Betriebstemperatur, max.: 85°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C8V2S-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C8V2S-7-F - Zener-Diode, 8.2 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Bauform - Diode: SOD-323 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 8.2V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BC807-16 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM4040B50FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040B50FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, Baureihe AEC-Q100 LM4040, 5V, SOT-23-3tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q100 Referenzspannung, max.: 5.01V isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 4.99V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 30ppm/°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LM4040 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 0.2% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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LM4040C25FTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - LM4040C25FTA - Präzise Spannungsreferenz, Micropower, Shunt - fest, 2.5V, SOT-23-3, Baureihe LM4040tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Referenzspannung, max.: 2.512V isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23 Referenzspannung, min.: 2.488V MSL: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C Eingangsspannung, max.: - euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: LM4040 productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 125°C Spannungsreferenz: Shunt, fest Anfangsgenauigkeit: 0.5% SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMC3021LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMC3021LSDQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohmtariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DESD32VS2SO-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DESD32VS2SO-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mWtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 300mW euEccn: NLR Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Betriebsspannung: 32V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22916CCA4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.054ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22653AW6-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22653AW6-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, 0.065 Ohm, SOT26-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.065ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2.665A IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26 MSL: - usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22966DC8-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°CtariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.017ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22653AFDZ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.065ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2.665A IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22966DC8-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°CtariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.017ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5V Anzahl der Pins: 14Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22916BCA4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.054ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22916CCA4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.054ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22916BCA4-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.054ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: - IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808 usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: - euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 1715 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22653AFDZ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.065ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2.665A IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 22444 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AP22653FDZ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AP22653FDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6tariffCode: 85423990 Durchlasswiderstand: 0.065ohm rohsCompliant: YES Überhitzungsschutz: Ja hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Strombegrenzung: 2.665A IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High Leistungsschaltertyp: High-Side euEccn: NLR Eingangsspannung: 5.5V Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 85°C Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DMNH15H110SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.07ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 47.67 грн |
| 500+ | 37.50 грн |
| DMNH15H110SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
Description: DIODES INC. - DMNH15H110SK3-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 18 A, 0.07 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 84.85 грн |
| 14+ | 66.17 грн |
| 100+ | 47.67 грн |
| 500+ | 37.50 грн |
| B240A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B240A-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B240A
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - B240A-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 2 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 500 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 500mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B240A
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 81803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.41 грн |
| 500+ | 9.33 грн |
| 1000+ | 7.93 грн |
| 5000+ | 5.82 грн |
| DMP3018SFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.65 грн |
| 50+ | 35.04 грн |
| 100+ | 23.12 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| DMP3018SFV-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP3018SFV-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11 A, 0.012 ohm, PowerDI3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.12 грн |
| 500+ | 17.51 грн |
| DMN4008LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 40.47 грн |
| 500+ | 29.81 грн |
| DMT3006LFV-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.53 грн |
| 500+ | 22.88 грн |
| 1000+ | 19.14 грн |
| DMT3006LFV-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMT3006LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 5600 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 75.96 грн |
| 18+ | 49.98 грн |
| 100+ | 33.53 грн |
| 500+ | 22.88 грн |
| 1000+ | 19.14 грн |
| DMN4008LFG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN4008LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 14.4 A, 5500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 89.83 грн |
| 15+ | 60.21 грн |
| 100+ | 40.47 грн |
| 500+ | 29.81 грн |
| BAS40-05-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40-05-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BAS40-05-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Zweifach, gemeinsame Kathode, 40 V, 1 V, 600 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.91 грн |
| 1000+ | 4.15 грн |
| DGD2103MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2103MS8-13 - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 0.6Aout, 35ns Verzögerung, SOIC-8
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 600mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Invertierend, nicht invertierend
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 290mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 70ns
Ausgabeverzögerung: 35ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 85.65 грн |
| 15+ | 61.73 грн |
| 50+ | 55.68 грн |
| 100+ | 45.59 грн |
| 250+ | 39.41 грн |
| BCP5616TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCP5616TA - SINGLE BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: TBA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: DIODES INC. - BCP5616TA - SINGLE BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 80V, 1A
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: TBA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
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| MURS140-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MURS140-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MURS140-13-F - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 400 V, 1 A, Einfach, 1.25 V, 50 ns, 35 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 35A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 50ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: MURS1
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.48 грн |
| 500+ | 11.48 грн |
| 1000+ | 9.22 грн |
| BZX84C2V7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZX84C2V7 - Zener-Diode, 2.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZX84C2V7 - Zener-Diode, 2.7 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BZX84C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 2.7V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.01 грн |
| 1000+ | 1.70 грн |
| BC847CT-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC847CT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 520hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BC847CT-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 45 V, 100 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 520hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 4.41 грн |
| 1500+ | 3.56 грн |
| ZVN4206A |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZVN4206A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 600 mA, 1 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 700mW
Bauform - Transistor: TO-226AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 87.78 грн |
| 15+ | 61.81 грн |
| 100+ | 36.64 грн |
| 500+ | 28.99 грн |
| 1000+ | 24.24 грн |
| 5000+ | 24.17 грн |
| BSS138DWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.34 грн |
| 500+ | 9.17 грн |
| 1000+ | 6.78 грн |
| 5000+ | 5.87 грн |
| BSS138DWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 40.91 грн |
| 36+ | 25.08 грн |
| 100+ | 15.92 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| BSS138DWQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.92 грн |
| 500+ | 11.07 грн |
| BSS138DWQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BSS138DWQ-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 50 V, 200 mA, 200 mA, 3.5 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 200mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 50V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 200mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: 200mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 50V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3.5ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 200mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 36.82 грн |
| 40+ | 22.59 грн |
| 100+ | 13.34 грн |
| 500+ | 9.17 грн |
| 1000+ | 6.78 грн |
| 5000+ | 5.87 грн |
| DMG3415UFY4Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.81 грн |
| DMG3415UFY4Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG3415UFY4Q-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 16 V, 2.5 A, 0.031 ohm, X2-DFN2015, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 550mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: X2-DFN2015
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.031ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 49.81 грн |
| 27+ | 33.09 грн |
| 100+ | 20.81 грн |
| DMN3025LFV-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 35.75 грн |
| 38+ | 23.93 грн |
| 100+ | 12.63 грн |
| 500+ | 11.23 грн |
| 1000+ | 9.83 грн |
| DMN3025LFV-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN3025LFV-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 25 A, 0.013 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 900mW
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.63 грн |
| 500+ | 11.23 грн |
| 1000+ | 9.83 грн |
| SMCJ33CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 66.97 грн |
| 22+ | 41.62 грн |
| 100+ | 26.77 грн |
| 500+ | 19.00 грн |
| 1000+ | 15.78 грн |
| SMCJ33CA-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - SMCJ33CA-13-F - TVS-Diode, SMCJ Series, Bidirektional, 33 V, 53.3 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 36.7V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 40.6V
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 33V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SMCJ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 53.3V
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3265 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.77 грн |
| 500+ | 19.00 грн |
| 1000+ | 15.78 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 34.95 грн |
| 50+ | 21.43 грн |
| 100+ | 13.61 грн |
| 500+ | 9.42 грн |
| 1500+ | 7.45 грн |
| DMN32D2LDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMN32D2LDF-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 400 mA, 400 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 400mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 400mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 400mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-353
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.61 грн |
| 500+ | 9.42 грн |
| 1500+ | 7.45 грн |
| DMN32D2LFB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.30 грн |
| 500+ | 13.96 грн |
| 1000+ | 8.77 грн |
| DMN32D4SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 39.85 грн |
| 34+ | 26.68 грн |
| 100+ | 10.94 грн |
| 500+ | 7.56 грн |
| 1000+ | 4.57 грн |
| DMN32D2LFB4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN32D2LFB4-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 300 mA, 1.2 ohm, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.2ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 41.71 грн |
| 32+ | 28.37 грн |
| 100+ | 19.30 грн |
| 500+ | 13.96 грн |
| 1000+ | 8.77 грн |
| DMN32D4SDW-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMN32D4SDW-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 650 mA, 650 mA, 0.2 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 650mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 650mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.94 грн |
| 500+ | 7.56 грн |
| 1000+ | 4.57 грн |
| DMG6601LVT-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6601LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 3.8 A, 3.8 A, 0.034 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.28 грн |
| 1500+ | 6.09 грн |
| AP7215-33YG-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP7215-33YG-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.1A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 600mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP7215-33YG-13 - LDO-FESTSP.REGL 3.3V 0.1A -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
Ausgang: Fest
rohsCompliant: YES
Ausgangsspannung, min.: -
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-89
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Polarität: Positiver Ausgang
Eingangsspannung, min.: 3.3V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: 3.3V 100mA LDO Voltage Regulators
Ausgangsspannung, nom.: 3.3V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Ausgangsstrom, max.: 600mA
Dropout-Spannung, typ., bei Strom: 100mV
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 74.44 грн |
| 20+ | 44.92 грн |
| DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.39 грн |
| 500+ | 17.67 грн |
| 1000+ | 14.71 грн |
| DMG6968UDM-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6968UDM-7 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.5 A, 6.5 A, 0.017 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.017ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 850mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.017ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 850mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 45.80 грн |
| 26+ | 35.13 грн |
| 100+ | 23.39 грн |
| 500+ | 17.67 грн |
| 1000+ | 14.71 грн |
| DMG6968UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 24+ | 38.16 грн |
| 30+ | 29.88 грн |
| 100+ | 19.12 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 10.52 грн |
| DMG6968UQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMG6968UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6.5 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.12 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 10.52 грн |
| PI3A3899ZTAEX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16
tariffCode: 85423390
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: DPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16
tariffCode: 85423390
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: DPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 36.64 грн |
| 500+ | 30.39 грн |
| 1000+ | 26.53 грн |
| PI3A3899ZTAEX |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16
tariffCode: 85423390
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: DPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - PI3A3899ZTAEX - Analogschalter, DPDT, 2 Kanäle, 1.65V bis 4.3V, UQFN-16
tariffCode: 85423390
IC-Funktion: Analogschalter
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 1.65V bis 4.3V
Einschaltwiderstand, max.: 3.6ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 1.6ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: UQFN
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: -
Schalterkonfiguration: DPDT
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache Versorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 3.6ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2477 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 65.02 грн |
| 20+ | 46.43 грн |
| 100+ | 36.64 грн |
| 500+ | 30.39 грн |
| 1000+ | 26.53 грн |
| AP5727WG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AP5727WG-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP5727WG-7 - LED-TREIBER, 1.2MHZ, -40 BIS 85°C
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Ausgangsspannung, max.: 30V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-25
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Schaltfrequenz, typ.: 1.2MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Eingangsspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Ausgangsstrom, max.: -
Eingangsspannung, min.: 2.7V
Topologie: Boost
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
LED-Treiber: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.07 грн |
| 28+ | 32.64 грн |
| BZT52C8V2S-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C8V2S-7-F - Zener-Diode, 8.2 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C8V2S-7-F - Zener-Diode, 8.2 V, 200 mW, SOD-323, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Bauform - Diode: SOD-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 8.2V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 9.34 грн |
| 122+ | 7.30 грн |
| 223+ | 3.99 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
| BC807-16 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - BC807-16 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 500 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 310mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.78 грн |
| LM4040B50FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040B50FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, Baureihe AEC-Q100 LM4040, 5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 5.01V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 4.99V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 30ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - LM4040B50FTA - Spannungsreferenz, hohe Genauigkeit, Micropower, Shunt, fest, Baureihe AEC-Q100 LM4040, 5V, SOT-23-3
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Referenzspannung, max.: 5.01V
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 4.99V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 30ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.2%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 63.59 грн |
| 20+ | 45.18 грн |
| 100+ | 35.58 грн |
| 500+ | 29.48 грн |
| 1000+ | 26.15 грн |
| 2500+ | 25.62 грн |
| LM4040C25FTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - LM4040C25FTA - Präzise Spannungsreferenz, Micropower, Shunt - fest, 2.5V, SOT-23-3, Baureihe LM4040
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 2.512V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.488V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - LM4040C25FTA - Präzise Spannungsreferenz, Micropower, Shunt - fest, 2.5V, SOT-23-3, Baureihe LM4040
tariffCode: 85423990
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Referenzspannung, max.: 2.512V
isCanonical: N
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-23
Referenzspannung, min.: 2.488V
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Temperaturkoeffizient: ± 20ppm/°C
Eingangsspannung, max.: -
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: LM4040
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Spannungsreferenz: Shunt, fest
Anfangsgenauigkeit: 0.5%
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 24.01 грн |
| 500+ | 19.74 грн |
| 1000+ | 17.46 грн |
| 2500+ | 17.00 грн |
| DMC3021LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.35 грн |
| 500+ | 23.87 грн |
| 1000+ | 19.90 грн |
| DMC3021LSDQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: DIODES INC. - DMC3021LSDQ-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.021 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.5A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.039ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2.5W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.021ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 82.27 грн |
| 18+ | 51.14 грн |
| 100+ | 33.35 грн |
| 500+ | 23.87 грн |
| 1000+ | 19.90 грн |
| DESD32VS2SO-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 62+ | 14.50 грн |
| 90+ | 9.96 грн |
| 100+ | 9.87 грн |
| 500+ | 9.08 грн |
| 1000+ | 7.59 грн |
| DESD32VS2SO-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DESD32VS2SO-7 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-23, 3 Pin(s), 32 V, 300 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 300mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 32V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 9.87 грн |
| 500+ | 9.08 грн |
| 1000+ | 7.59 грн |
| AP22916CCA4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.65 грн |
| 35+ | 25.70 грн |
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| 1000+ | 11.21 грн |
| AP22653AW6-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22653AW6-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, 0.065 Ohm, SOT26-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP22653AW6-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, 0.065 Ohm, SOT26-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: SOT-26
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.19 грн |
| 500+ | 13.13 грн |
| 1000+ | 11.59 грн |
| AP22966DC8-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.017ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.017ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 69.64 грн |
| 22+ | 42.34 грн |
| 100+ | 26.68 грн |
| 500+ | 18.50 грн |
| AP22653AFDZ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 23+ | 39.13 грн |
| 29+ | 31.49 грн |
| 100+ | 21.70 грн |
| 500+ | 16.02 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| 5000+ | 8.46 грн |
| 10000+ | 8.31 грн |
| AP22966DC8-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.017ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22966DC8-7 - LEISTUNGSSCHALTER, HIGH-SIDE, 85°C
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.017ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: VDFN3020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.68 грн |
| 500+ | 18.50 грн |
| AP22916BCA4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17+ | 52.65 грн |
| 35+ | 25.70 грн |
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 12.88 грн |
| 1000+ | 11.13 грн |
| AP22916CCA4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22916CCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 12.97 грн |
| 1000+ | 11.21 грн |
| AP22916BCA4-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22916BCA4-7 - Leistungsverteilungsschalter, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 0.054 Ohm, X1-WLB0808-4
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.054ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: -
IC-Gehäuse / Bauform: X1-WLB0808
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: -
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 14.76 грн |
| 500+ | 12.88 грн |
| 1000+ | 11.13 грн |
| AP22653AFDZ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - AP22653AFDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 21.70 грн |
| 500+ | 16.02 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| 5000+ | 8.46 грн |
| 10000+ | 8.31 грн |
| AP22653FDZ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AP22653FDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - AP22653FDZ-7 - Leistungsverteilungsschalter, High-Side, Active-High, 1 Ausgang, 5.5V, 2.665A, W-DFN2020-EP-6
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.065ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Strombegrenzung: 2.665A
IC-Gehäuse / Bauform: W-DFN2020-EP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 5.5V
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 22.06 грн |
| 500+ | 18.09 грн |
| 1000+ | 15.09 грн |

























