Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (10634) > Сторінка 144 з 178
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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B340LB-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 70A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 450mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: B340L productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BCV49TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1W euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - HF-Transistor: SOT-89 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BAS16T-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-523 Durchlassstoßstrom: 4A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.25V Sperrverzögerungszeit: 4ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 85V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5239B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2181MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2181MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 2.3A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 1.9A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 180ns Ausgabeverzögerung: 220ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2136MS28-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2190MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2106MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2190MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 4.5A Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 4.5A Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 140ns Ausgabeverzögerung: 140ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13766 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2106MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 100ns Ausgabeverzögerung: 100ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2136MS28-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: 350mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Logik MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 1Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 200mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 330ns Ausgabeverzögerung: 330ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT585B3V6TQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT585B3V6TQ-7 - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT585BxxT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 3.6V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5239B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 9.1V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1369 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMSZ5233B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMSZ5233B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: MMSZxxxT1G productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1625 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH10H010SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH10H010SPSQ-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 166W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP4047SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBR1A40S3Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP4047SK3-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SBR1A40S3Q-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-323 Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: AEC-Q101 Durchlassspannung, max.: 550mV usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SBR productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D15V0X1B2LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16.5V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D15V0X1B2LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16.5V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: - usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: - TVS-Polarität: Bidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 30V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6030 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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D15V0H1U2LP-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - D15V0H1U2LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 27 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 16V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 19V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 15V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 300W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 27V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 18050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AZ23C11-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Produktreihe AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5241B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MMBZ5241B-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Produktreihe MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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AZ23C11-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 PinstariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Produktreihe AZ23C productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 11V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXMP10A18GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXMP10A18GTA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SDM02U30LP3-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X3DFN Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 370mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 30V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 13474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SDM02U30LP3-7B | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °CtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X3DFN Durchlassstoßstrom: 2A rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 370mV Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 9555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMCJ75A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 83.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 92.1V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 75V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 121V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SMCJ75A-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AB (SMC) rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 83.3V Qualifikation: - Durchbruchspannung, max.: 92.1V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 75V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe SMCJ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 121V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN2040U-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN2040U-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP2035UVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN2040U-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 7470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMN2040U-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2810 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMP2035UVTQ-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.2W Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8 - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-123 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 500mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 3317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8TQ-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8TQ-7-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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BZT52C6V8T-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-523 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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BZT52C6V8LP-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Bauform - Diode: X1-DFN1006 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: Produktreihe BZT52 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Zener-Spannung, nom.: 6.8V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
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DMT6012LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT6013LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 10.8W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT6013LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 10.8W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMT6012LFDF-7 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 11W Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 2922 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2J-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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S2J-13-F | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AA (SMB) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.15V Sperrverzögerungszeit: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 2520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MSB25MH-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: MSBL usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MSB25MH-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1.1V Bauform - Brückengleichrichter: MSBL usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1761 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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HD06-T | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - HD06-T - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 600 V, 800 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 VtariffCode: 85411000 Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchlassspannung, max.: 1V Bauform - Brückengleichrichter: SMD usEccn: EAR99 Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage Anzahl der Phasen: Eine Phase Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA euEccn: NLR Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HD06 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Periodische Spitzensperrspannung: 600V Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) |
на замовлення 1532 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2101MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 601 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DGD2101MS8-13 | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOICtariffCode: 85423990 Sinkstrom: - Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: - Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Bauform - Treiber: SOIC Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 160ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXMN2A01E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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ZXMN2A01E6TA | DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 1.1W Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| B340LB-13-F |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - B340LB-13-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AA (SMB), 2 Pin(s), 450 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 70A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 450mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: B340L
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.94 грн |
| 500+ | 13.73 грн |
| 1000+ | 11.50 грн |
| BCV49TA |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BCV49TA - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 60 V, 1 W, 500 mA, SOT-89, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 10000hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1W
Bauform - HF-Transistor: SOT-89
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BAS16T-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BAS16T-7-F - Kleinsignaldiode, Einfach, 85 V, 155 mA, 1.25 V, 4 ns, 4 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 4A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.25V
Sperrverzögerungszeit: 4ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 155mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 85V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 20.00 грн |
| 65+ | 13.25 грн |
| 100+ | 8.72 грн |
| 500+ | 6.15 грн |
| 1000+ | 5.33 грн |
| MMSZ5239B |
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Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 81+ | 10.60 грн |
| 118+ | 7.26 грн |
| 239+ | 3.59 грн |
| 500+ | 3.22 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| DGD2181MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.54 грн |
| 250+ | 54.36 грн |
| 500+ | 53.77 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| DGD2181MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2181MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 2.3A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 1.9A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 180ns
Ausgabeverzögerung: 220ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.92 грн |
| 10+ | 90.59 грн |
| 50+ | 82.82 грн |
| 100+ | 62.54 грн |
| 250+ | 54.36 грн |
| 500+ | 53.77 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| DGD2136MS28-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 224.77 грн |
| 10+ | 169.22 грн |
| 25+ | 160.67 грн |
| 50+ | 141.26 грн |
| 100+ | 123.07 грн |
| 250+ | 115.74 грн |
| 500+ | 101.83 грн |
| 1000+ | 96.70 грн |
| DGD2190MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 118.80 грн |
| 10+ | 87.17 грн |
| 50+ | 79.40 грн |
| 100+ | 59.76 грн |
| 250+ | 51.87 грн |
| 500+ | 51.72 грн |
| 1000+ | 51.50 грн |
| 2500+ | 51.35 грн |
| DGD2106MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 123.92 грн |
| 10+ | 90.59 грн |
| 50+ | 82.82 грн |
| 100+ | 62.54 грн |
| 250+ | 57.43 грн |
| 500+ | 57.14 грн |
| 1000+ | 56.77 грн |
| 2500+ | 56.48 грн |
| DGD2190MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2190MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 4.5A
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 4.5A
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 140ns
Ausgabeverzögerung: 140ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 59.76 грн |
| 250+ | 51.87 грн |
| 500+ | 51.72 грн |
| 1000+ | 51.50 грн |
| 2500+ | 51.35 грн |
| DGD2106MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2106MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 100ns
Ausgabeverzögerung: 100ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 62.54 грн |
| 250+ | 57.43 грн |
| 500+ | 57.14 грн |
| 1000+ | 56.77 грн |
| 2500+ | 56.48 грн |
| DGD2136MS28-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2136MS28-13 - Gate-Treiber, 1 Kanäle, Halbbrücke, MOSFET, 28 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: 350mA
Treiberkonfiguration: Halbbrücke
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: Logik
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: 200mA
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 330ns
Ausgabeverzögerung: 330ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 123.07 грн |
| 250+ | 115.74 грн |
| 500+ | 101.83 грн |
| 1000+ | 96.70 грн |
| BZT585B3V6TQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT585B3V6TQ-7 - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT585BxxT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - BZT585B3V6TQ-7 - Zener-Diode, 3.6 V, 350 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT585BxxT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 3.6V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.03 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| 2000+ | 2.71 грн |
| MMSZ5239B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5239B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 9.1 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 9.1V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.22 грн |
| 1000+ | 2.86 грн |
| MMSZ5233B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMSZ5233B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - MMSZ5233B - Zener-Diode, Baureihe MMSZ52, 6 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: MMSZxxxT1G
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1625 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.17 грн |
| 1000+ | 2.64 грн |
| DMTH10H010SPSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 159.82 грн |
| 10+ | 110.25 грн |
| 100+ | 78.03 грн |
| 500+ | 64.12 грн |
| 1000+ | 57.95 грн |
| DMTH10H010SPSQ-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMTH10H010SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 100 A, 6600 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 166W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6600µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2455 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 78.03 грн |
| 500+ | 64.12 грн |
| 1000+ | 57.95 грн |
| DMP4047SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 45.30 грн |
| 100+ | 28.46 грн |
| 500+ | 22.14 грн |
| 1000+ | 15.38 грн |
| SBR1A40S3Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 34.19 грн |
| 38+ | 22.82 грн |
| 100+ | 18.63 грн |
| 500+ | 12.06 грн |
| 1000+ | 9.30 грн |
| DMP4047SK3-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - DMP4047SK3-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 20 A, 0.033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 28.46 грн |
| 500+ | 22.14 грн |
| 1000+ | 15.38 грн |
| SBR1A40S3Q-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SBR1A40S3Q-7 - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 A, Einfach, SOD-323, 2 Pin(s), 550 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-323
Durchlassstoßstrom: 20A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 550mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SBR
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.63 грн |
| 500+ | 12.06 грн |
| 1000+ | 9.30 грн |
| D15V0X1B2LP-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 15.47 грн |
| 80+ | 10.77 грн |
| 185+ | 4.64 грн |
| 500+ | 3.75 грн |
| 1000+ | 3.14 грн |
| 5000+ | 3.08 грн |
| D15V0X1B2LP-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D15V0X1B2LP-7B - TVS-Diode, Bidirektional, 15 V, 30 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.5V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: -
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: -
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 30V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.75 грн |
| 1000+ | 3.14 грн |
| 5000+ | 3.08 грн |
| D15V0H1U2LP-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D15V0H1U2LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 27 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - D15V0H1U2LP-7B - TVS-Diode, Unidirektional, 15 V, 27 V, X1-DFN1006, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 19V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 300W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 27V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.92 грн |
| 1000+ | 3.33 грн |
| 5000+ | 3.27 грн |
| AZ23C11-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 26.58 грн |
| 47+ | 18.29 грн |
| 118+ | 7.26 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 3.69 грн |
| MMBZ5241B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 123+ | 6.97 грн |
| 220+ | 3.90 грн |
| 362+ | 2.37 грн |
| 500+ | 1.87 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| MMBZ5241B-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MMBZ5241B-7-F - Zener-Diode, 11 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.87 грн |
| 1000+ | 1.67 грн |
| AZ23C11-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - AZ23C11-7-F - Zener-Diodenarray, 11 V, Zweifach, gemeinsame Anode, 300 mW, 150 °C, SOT-23, 3 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: Produktreihe AZ23C
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 11V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 18.29 грн |
| 118+ | 7.26 грн |
| 500+ | 5.37 грн |
| 1000+ | 3.69 грн |
| ZXMP10A18GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 202.55 грн |
| 10+ | 138.45 грн |
| 100+ | 94.87 грн |
| 500+ | 70.87 грн |
| ZXMP10A18GTA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMP10A18GTA - Leistungs-MOSFET, Anreicherungstyp, p-Kanal, 100 V, 2.6 A, 0.15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 94.87 грн |
| 500+ | 70.87 грн |
| SDM02U30LP3-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X3DFN
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X3DFN
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 30V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 14.19 грн |
| 73+ | 11.79 грн |
| 250+ | 9.23 грн |
| 1000+ | 6.13 грн |
| 5000+ | 5.30 грн |
| SDM02U30LP3-7B |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X3DFN
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - SDM02U30LP3-7B - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 100 mA, 370 mV, 2 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X3DFN
Durchlassstoßstrom: 2A
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 370mV
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 100mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 7.66 грн |
| 1000+ | 5.56 грн |
| 5000+ | 5.07 грн |
| SMCJ75A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 83.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 92.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 75V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 121V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 83.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 92.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 75V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 121V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.78 грн |
| 21+ | 42.48 грн |
| 100+ | 41.02 грн |
| 500+ | 36.82 грн |
| 1000+ | 32.75 грн |
| SMCJ75A-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 83.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 92.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 75V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 121V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - SMCJ75A-13-F - TVS-Diode, Produktreihe SMCJ, Unidirektional, 75 V, 121 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 83.3V
Qualifikation: -
Durchbruchspannung, max.: 92.1V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 75V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 121V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 41.02 грн |
| 500+ | 36.82 грн |
| 1000+ | 32.75 грн |
| DMN2040U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 26+ | 33.42 грн |
| 42+ | 20.60 грн |
| 100+ | 12.99 грн |
| 500+ | 9.05 грн |
| 1000+ | 6.86 грн |
| DMN2040U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 23.67 грн |
| 53+ | 16.32 грн |
| 117+ | 7.34 грн |
| 500+ | 6.29 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| 5000+ | 4.55 грн |
| DMP2035UVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 40.77 грн |
| 28+ | 31.19 грн |
| 100+ | 15.04 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.77 грн |
| DMN2040U-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN2040U-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.29 грн |
| 1000+ | 4.69 грн |
| 5000+ | 4.55 грн |
| DMN2040U-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMN2040U-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 6 A, 0.021 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 800mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.021ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 12.99 грн |
| 500+ | 9.05 грн |
| 1000+ | 6.86 грн |
| DMP2035UVTQ-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMP2035UVTQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 6 A, 0.023 ohm, TSOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.2W
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 15.04 грн |
| 500+ | 12.62 грн |
| 1000+ | 10.77 грн |
| BZT52C6V8 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8 - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8 - Zener-Diode, 6.8 V, 500 mW, SOD-123, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-123
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.69 грн |
| 1000+ | 2.34 грн |
| BZT52C6V8LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 39+ | 22.05 грн |
| 59+ | 14.61 грн |
| BZT52C6V8TQ-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 82+ | 10.43 грн |
| 119+ | 7.20 грн |
| 247+ | 3.46 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 2.84 грн |
| BZT52C6V8T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 96+ | 8.97 грн |
| 131+ | 6.53 грн |
| 276+ | 3.10 грн |
| BZT52C6V8TQ-7-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8TQ-7-F - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 2.84 грн |
| BZT52C6V8T-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8T-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 300 mW, SOD-523, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-523
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| BZT52C6V8LP-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - BZT52C6V8LP-7 - Zener-Diode, 6.8 V, 250 mW, X1-DFN1006, 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: X1-DFN1006
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe BZT52
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 6.8V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| DMT6012LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.33 грн |
| 500+ | 22.70 грн |
| 1000+ | 19.34 грн |
| DMT6013LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 31.45 грн |
| 500+ | 28.89 грн |
| 1000+ | 26.30 грн |
| DMT6013LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT6013LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.0122 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 10.8W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0122ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 31.88 грн |
| 100+ | 31.45 грн |
| 500+ | 28.89 грн |
| 1000+ | 26.30 грн |
| DMT6012LFDF-7 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DMT6012LFDF-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 9.5 A, 0.0107 ohm, U-DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11W
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0107ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 74.01 грн |
| 18+ | 49.83 грн |
| 100+ | 33.33 грн |
| 500+ | 22.70 грн |
| 1000+ | 19.34 грн |
| S2J-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 106+ | 8.14 грн |
| 135+ | 6.36 грн |
| 141+ | 6.10 грн |
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| S2J-13-F |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - S2J-13-F - Diode mit Standard-Erholzeit, 600 V, 1.5 A, Einfach, 1.15 V, 50 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AA (SMB)
Durchlassstoßstrom: 50A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.15V
Sperrverzögerungszeit: -
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 5.43 грн |
| 1000+ | 4.84 грн |
| MSB25MH-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MSBL
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MSBL
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 57.26 грн |
| 23+ | 37.78 грн |
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 21.98 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| MSB25MH-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MSBL
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - MSB25MH-13 - Brückengleichrichter, Eine Phase, 1 kV, 2.5 A, MSBL, 4 Pin(s), 1.1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 80A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1.1V
Bauform - Brückengleichrichter: MSBL
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 2.5A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.77 грн |
| 500+ | 21.98 грн |
| 1000+ | 18.02 грн |
| HD06-T |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - HD06-T - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 600 V, 800 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HD06
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - HD06-T - Brückengleichrichter, glaspassiviert, Eine Phase, 600 V, 800 mA, SMD, 4 Pin(s), 1 V
tariffCode: 85411000
Durchlassstoßstrom: 30A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchlassspannung, max.: 1V
Bauform - Brückengleichrichter: SMD
usEccn: EAR99
Montage des Brückengleichrichters: Oberflächenmontage
Anzahl der Phasen: Eine Phase
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HD06
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.68 грн |
| 500+ | 14.60 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| DGD2101MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 601 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 136.74 грн |
| 11+ | 84.01 грн |
| 50+ | 70.42 грн |
| 100+ | 52.77 грн |
| 250+ | 46.44 грн |
| 500+ | 44.10 грн |
| DGD2101MS8-13 |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: DIODES INC. - DGD2101MS8-13 - Gate-Treiber, 2 Kanäle, High-Side und Low-Side, IGBT, MOSFET, 8 Pin(s), SOIC
tariffCode: 85423990
Sinkstrom: -
Treiberkonfiguration: High-Side und Low-Side
rohsCompliant: YES
Leistungsschalter: IGBT, MOSFET
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Eingang: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Quellstrom: -
Versorgungsspannung, min.: 10V
euEccn: NLR
Bauform - Treiber: SOIC
Gate-Treiber: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 20V
Eingabeverzögerung: 160ns
Ausgabeverzögerung: 150ns
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 48.65 грн |
| 250+ | 44.10 грн |
| 500+ | 43.22 грн |
| ZXMN2A01E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 27+ | 32.82 грн |
| 30+ | 28.72 грн |
| 100+ | 20.00 грн |
| 500+ | 18.09 грн |
| 1000+ | 16.26 грн |
| ZXMN2A01E6TA |
![]() |
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: DIODES INC. - ZXMN2A01E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.5 A, 0.12 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.00 грн |
| 500+ | 18.09 грн |
| 1000+ | 16.26 грн |





















