Продукція > DIODES INC. > Всі товари виробника DIODES INC. (11046) > Сторінка 162 з 185

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ADTC114YUAQ-7 ADTC114YUAQ-7 DIODES INC. ADTC114YUAQ.pdf Description: DIODES INC. - ADTC114YUAQ-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+11.73 грн
105+7.88 грн
205+4.02 грн
500+3.12 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114YUAQ-7 ADTC114YUAQ-7 DIODES INC. ADTC114YUAQ.pdf Description: DIODES INC. - ADTC114YUAQ-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.12 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AH1913-FA-7 AH1913-FA-7 DIODES INC. AH1913.pdf Description: DIODES INC. - AH1913-FA-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC, 18 G, 11 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 11G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: X1-DFN1216
Bauform - Sensor: X1-DFN1216
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 18G
Anzahl der Pins: 4 Pins
Sensorausgang: Open-Drain
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.73 грн
500+19.05 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AH1913-FA-7 AH1913-FA-7 DIODES INC. AH1913.pdf Description: DIODES INC. - AH1913-FA-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC, 18 G, 11 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 11G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: X1-DFN1216
Bauform - Sensor: X1-DFN1216
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 18G
Anzahl der Pins: 4 Pins
Sensorausgang: Open-Drain
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.55 грн
33+25.19 грн
100+22.73 грн
500+19.05 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13 DMC4029SSD-13 DIODES INC. DIODS21284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+87.79 грн
15+54.89 грн
100+36.02 грн
500+26.89 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.56 грн
500+12.27 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DMG3414UQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.14 грн
33+25.27 грн
100+17.56 грн
500+12.27 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DM8W22AQ-13 DM8W22AQ-13 DIODES INC. DM8W18AQ-DM8W43AQ.pdf Description: DIODES INC. - DM8W22AQ-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-218, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 26.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.07 грн
10+114.87 грн
100+101.74 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40TW-7-F BAS40TW-7-F DIODES INC. DIODS11029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAS40TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 40 V, 40 mA, 1 V, 800 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+54.56 грн
24+35.12 грн
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40TW-7-F BAS40TW-7-F DIODES INC. DIODS11029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAS40TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 40 V, 40 mA, 1 V, 800 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40W-06-7-F BAS40W-06-7-F DIODES INC. DIODS21243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAS40W-06-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Zweifach, gemeinsame Anode, SOT-323, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+9.93 грн
118+7.01 грн
132+6.23 грн
500+5.26 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25020DFLTA ZXTP25020DFLTA DIODES INC. DIODS12383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - ZXTP25020DFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Verstärkung, PNP, 20 V, 4 A, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.41 грн
500+10.51 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3012LPS-13 DMP3012LPS-13 DIODES INC. DIODS21402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DMP34M4SPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+57.51 грн
500+42.21 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DMTH6009LPS-13 DIODES INC. DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+37.41 грн
500+27.88 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13 DMTH6005LPSQ-13 DIODES INC. DIOD-S-A0004395494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+67.03 грн
500+54.70 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPSQ-13 DMPH4015SPSQ-13 DIODES INC. DMPH4015SPSQ.pdf Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+53.74 грн
500+45.33 грн
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DMT67M8LPSW-13 DIODES INC. DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.52 грн
15+55.14 грн
100+40.61 грн
500+31.69 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2DA1774R-7-F 2DA1774R-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.83 грн
115+7.19 грн
500+5.49 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DA1774R-7-F 2DA1774R-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+16.90 грн
76+10.83 грн
115+7.19 грн
500+5.49 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ-7 DIODES INC. DMN2710UTQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.31 грн
48+17.15 грн
100+9.19 грн
500+7.53 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7 DMP2900UT-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.61 грн
36+23.22 грн
100+16.90 грн
500+12.80 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT-13 DIODES INC. DMN2710UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.00 грн
47+17.56 грн
100+11.98 грн
500+8.30 грн
1000+6.10 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UT-13 DMN2991UT-13 DIODES INC. DMN2991UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.13 грн
51+16.16 грн
100+10.91 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7 DMP2900UT-7 DIODES INC. Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.90 грн
500+12.80 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UT-13 DMN2991UT-13 DIODES INC. DMN2991UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 430mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.91 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT-13 DIODES INC. DMN2710UT.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 520mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.98 грн
500+8.30 грн
1000+6.10 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ-7 DIODES INC. DMN2710UTQ.pdf Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.19 грн
500+7.53 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 DMN2004TK-7 DIODES INC. DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D6UT-7 DMP22D6UT-7 DIODES INC. DIODS10428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP22D6UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.17 грн
500+8.76 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40T-7-F BAS40T-7-F DIODES INC. DIODS10982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - BAS40T-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Einfach, SOT-523, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.09 грн
59+13.95 грн
100+9.11 грн
500+6.47 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7 DMP2004TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0006644031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+29.04 грн
37+22.40 грн
100+12.39 грн
500+10.44 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
D5V0L2B3T-7 D5V0L2B3T-7 DIODES INC. DIODS14469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - D5V0L2B3T-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-523, 3 Pin(s), 5 V, 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.49 грн
76+10.91 грн
148+5.58 грн
500+4.34 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7 DMN601TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.93 грн
500+7.92 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 DMN2004TK-7 DIODES INC. DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7 DMN601TK-7 DIODES INC. DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.22 грн
43+19.20 грн
100+9.93 грн
500+7.92 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7 DMC2700UDMQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0003551420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.60 грн
40+20.59 грн
100+10.83 грн
500+8.61 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F MMBZ5242BS-7-F DIODES INC. DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.17 грн
59+14.03 грн
134+6.15 грн
500+4.88 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.88 грн
173+4.76 грн
323+2.54 грн
500+1.98 грн
1000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F MMBZ5242B-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.98 грн
1000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F MMBZ5242BS-7-F DIODES INC. DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.88 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.37 грн
89+9.27 грн
179+4.59 грн
500+3.81 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F MMBZ5242BW-7-F DIODES INC. DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.81 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.89 грн
13+66.79 грн
50+60.47 грн
100+49.60 грн
250+42.90 грн
500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ-13 DIODES INC. ZXMS82090S14PQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.88 грн
250+65.19 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ-13 DIODES INC. ZXMS81045SPQ.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.60 грн
250+42.90 грн
500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.12 грн
250+45.50 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 ZXMS81200SPQ-13 DIODES INC. 4425881.pdf Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+123.89 грн
11+81.80 грн
50+76.47 грн
100+51.12 грн
250+45.50 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6TA DIODES INC. ZXTD6717E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
15+56.28 грн
100+39.63 грн
500+29.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. ZXM62P03E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.08 грн
500+23.77 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6TA DIODES INC. ZXMN10A08E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.63 грн
500+29.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6TA DIODES INC. ZXM62P03E6.pdf Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.88 грн
18+46.52 грн
100+32.08 грн
500+23.77 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DMT6007LFG-7 DIODES INC. DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+60.22 грн
500+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.95 грн
500+34.89 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DMT6007LFGQ-7 DIODES INC. DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.51 грн
12+73.27 грн
100+49.56 грн
500+36.95 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.31 грн
500+10.51 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DMN2075UDW-7 DIODES INC. DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+35.20 грн
32+26.09 грн
100+12.31 грн
500+10.51 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 DMN2040LTS-13 DIODES INC. ds31941.pdf Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.22 грн
500+16.99 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114YUAQ-7 ADTC114YUAQ.pdf
ADTC114YUAQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ADTC114YUAQ-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
70+11.73 грн
105+7.88 грн
205+4.02 грн
500+3.12 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 70
В кошику  од. на суму  грн.
ADTC114YUAQ-7 ADTC114YUAQ.pdf
ADTC114YUAQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ADTC114YUAQ-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 330mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2920 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.12 грн
1000+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
AH1913-FA-7 AH1913.pdf
AH1913-FA-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AH1913-FA-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC, 18 G, 11 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 11G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: X1-DFN1216
Bauform - Sensor: X1-DFN1216
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 18G
Anzahl der Pins: 4 Pins
Sensorausgang: Open-Drain
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+22.73 грн
500+19.05 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
AH1913-FA-7 AH1913.pdf
AH1913-FA-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - AH1913-FA-7 - Hall-Effekt-Schalter, Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC, 18 G, 11 G, 1.6 V, 5.5 V
tariffCode: 85423990
Hall-Effekt-Typ: Allpoliger Schalter
rohsCompliant: YES
Schaltertyp: Omnipolarer Hall-Effekt-Schalt-IC
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Ausschaltpunkt, typ.: 11G
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 1.6V
Sensorgehäuse/-bauform: X1-DFN1216
Bauform - Sensor: X1-DFN1216
euEccn: NLR
Schaltpunkt, typ.: 18G
Anzahl der Pins: 4 Pins
Sensorausgang: Open-Drain
Produktpalette: -
Hysterese, typ.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Ausgangsschnittstelle: -
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.55 грн
33+25.19 грн
100+22.73 грн
500+19.05 грн
1000+16.88 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMC4029SSD-13 DIODS21284-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC4029SSD-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC4029SSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 40 V, 40 V, 7 A, 7 A, 0.015 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.015ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.015ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+87.79 грн
15+54.89 грн
100+36.02 грн
500+26.89 грн
1000+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+17.56 грн
500+12.27 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMG3414UQ-7 DIOD-S-A0011708472-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMG3414UQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMG3414UQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.019 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 780mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.14 грн
33+25.27 грн
100+17.56 грн
500+12.27 грн
1000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
DM8W22AQ-13 DM8W18AQ-DM8W43AQ.pdf
DM8W22AQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DM8W22AQ-13 - TVS-Diode, Unidirektional, 22 V, 35.5 V, DO-218, 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-218
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 24.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 26.9V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 22V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 6.6kW
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Klemmspannung, max.: 35.5V
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.07 грн
10+114.87 грн
100+101.74 грн
500+82.28 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40TW-7-F DIODS11029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40TW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 40 V, 40 mA, 1 V, 800 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+54.56 грн
24+35.12 грн
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40TW-7-F DIODS11029-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40TW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40TW-7-F - Kleinsignal-Schottky-Diode, Dreifach, isoliert, 40 V, 40 mA, 1 V, 800 mA, 125 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
Durchlassstoßstrom: 800mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Dreifach, isoliert
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1V
Sperrverzögerungszeit: 5ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 40mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: BAS40
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.70 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40W-06-7-F DIODS21243-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40W-06-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40W-06-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Zweifach, gemeinsame Anode, SOT-323, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Anode
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 4845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
83+9.93 грн
118+7.01 грн
132+6.23 грн
500+5.26 грн
1000+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTP25020DFLTA DIODS12383-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
ZXTP25020DFLTA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTP25020DFLTA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), hohe Verstärkung, PNP, 20 V, 4 A, 350 mW, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 450hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 4A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 290MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+21.41 грн
500+10.51 грн
1000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMP3012LPS-13 DIODS21402-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP3012LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP3012LPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 13.2 A, 7500 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.29W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP34M4SPS-13 DIOD-S-A0007713677-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP34M4SPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP34M4SPS-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 87 A, 2900 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2900µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+57.51 грн
500+42.21 грн
1000+35.30 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6009LPS-13 DIOD-S-A0007771163-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6009LPS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6009LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89.5 A, 7200 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.41 грн
500+27.88 грн
1000+23.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6005LPSQ-13 DIOD-S-A0004395494-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMTH6005LPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6005LPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+67.03 грн
500+54.70 грн
1000+43.53 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMPH4015SPSQ-13 DMPH4015SPSQ.pdf
DMPH4015SPSQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMPH4015SPSQ-13 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 8000 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1.5W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+53.74 грн
500+45.33 грн
1000+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT67M8LPSW-13 DIOD-S-A0009150503-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT67M8LPSW-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT67M8LPSW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 82 A, 4400 µohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 82A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.64V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+67.52 грн
15+55.14 грн
100+40.61 грн
500+31.69 грн
1000+26.86 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
2DA1774R-7-F DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DA1774R-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.83 грн
115+7.19 грн
500+5.49 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
2DA1774R-7-F DIOD-S-A0013043636-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
2DA1774R-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - 2DA1774R-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 150 mW, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 140MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
49+16.90 грн
76+10.83 грн
115+7.19 грн
500+5.49 грн
1000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ.pdf
DMN2710UTQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.31 грн
48+17.15 грн
100+9.19 грн
500+7.53 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7
DMP2900UT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.61 грн
36+23.22 грн
100+16.90 грн
500+12.80 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
26+32.00 грн
47+17.56 грн
100+11.98 грн
500+8.30 грн
1000+6.10 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UT-13 DMN2991UT.pdf
DMN2991UT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.13 грн
51+16.16 грн
100+10.91 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2900UT-7
DMP2900UT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2900UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 500 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 250mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+16.90 грн
500+12.80 грн
1000+9.85 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2991UT-13 DMN2991UT.pdf
DMN2991UT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2991UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 300 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 430mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 430mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 9570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.91 грн
500+7.43 грн
1000+4.65 грн
5000+4.56 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UT-13 DMN2710UT.pdf
DMN2710UT-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UT-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 520mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.98 грн
500+8.30 грн
1000+6.10 грн
5000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2710UTQ-7 DMN2710UTQ.pdf
DMN2710UTQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2710UTQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 870 mA, 0.14 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 870mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 520mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.19 грн
500+7.53 грн
1000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004TK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMP22D6UT-7 DIODS10428-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP22D6UT-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP22D6UT-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.17 грн
500+8.76 грн
1000+7.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BAS40T-7-F DIODS10982-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
BAS40T-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - BAS40T-7-F - Schottky-Gleichrichterdiode, 40 V, 1 mA, Einfach, SOT-523, 3 Pin(s), 380 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
Durchlassstoßstrom: 600mA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 380mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 40V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.09 грн
59+13.95 грн
100+9.11 грн
500+6.47 грн
1000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
DMP2004TK-7 DIOD-S-A0006644031-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMP2004TK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMP2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.7 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+29.04 грн
37+22.40 грн
100+12.39 грн
500+10.44 грн
1000+8.65 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
D5V0L2B3T-7 DIODS14469-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
D5V0L2B3T-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - D5V0L2B3T-7 - ESD-Schutzbaustein, 14 V, SOT-523, 3 Pin(s), 5 V, 200 mW
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-523
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 14V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.49 грн
76+10.91 грн
148+5.58 грн
500+4.34 грн
1000+3.31 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7 DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601TK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.93 грн
500+7.92 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004TK-7 DIODS13321-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2004TK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2004TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.4ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN601TK-7 DIOD-S-A0009831180-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN601TK-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN601TK-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 300 mA, 1.3 ohm, SOT-523, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-523
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+28.22 грн
43+19.20 грн
100+9.93 грн
500+7.92 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7 DIOD-S-A0003551420-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMC2700UDMQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+30.60 грн
40+20.59 грн
100+10.83 грн
500+8.61 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BS-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
39+21.17 грн
59+14.03 грн
134+6.15 грн
500+4.88 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.88 грн
173+4.76 грн
323+2.54 грн
500+1.98 грн
1000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242B-7-F DIOD-S-A0013889917-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242B-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242B-7-F - Zener-Diode, 12 V, 350 mW, SOT-23, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Produktreihe MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.98 грн
1000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BS-7-F DIODS09919-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BS-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BS-7-F - Zener-Diodenarray, 12 V, Zweifach, isoliert, 200 mW, 150 °C, SOT-363, 6 Pins
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-363
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Zweifach, isoliert
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.88 грн
1000+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.37 грн
89+9.27 грн
179+4.59 грн
500+3.81 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
MMBZ5242BW-7-F DIODS21246-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBZ5242BW-7-F
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBZ5242BW-7-F - Zener-Diode, 12 V, 200 mW, SOT-323, 3 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 12V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.81 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 32A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+91.89 грн
13+66.79 грн
50+60.47 грн
100+49.60 грн
250+42.90 грн
500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS82090S14PQ-13 ZXMS82090S14PQ.pdf
ZXMS82090S14PQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS82090S14PQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 2 Ausgänge, 18V, 25A, 0.075 Ohm, SOIC-EP-14
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.075ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 25A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 14Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 2Ausgänge
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.88 грн
250+65.19 грн
500+60.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81045SPQ-13 ZXMS81045SPQ.pdf
ZXMS81045SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81045SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 32A, 0.045 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.045ohm
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 32A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 1099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+49.60 грн
250+42.90 грн
500+41.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Strombegrenzung: 9A
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.12 грн
250+45.50 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMS81200SPQ-13 4425881.pdf
ZXMS81200SPQ-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMS81200SPQ-13 - Leistungsverteilungsschalter, high-aktiv, 1 Ausgang, 18V, 9A, 0.2 Ohm, SOIC-EP-8
tariffCode: 85423990
Durchlasswiderstand: 0.2ohm
rohsCompliant: YES
Überhitzungsschutz: Ja
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
Strombegrenzung: 9A
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC-EP
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Polarität der Eingänge On / Enable: Aktiv-High
Leistungsschaltertyp: High-Side
euEccn: NLR
Eingangsspannung: 18V
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Anzahl der Ausgänge: 1Ausgänge
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+123.89 грн
11+81.80 грн
50+76.47 грн
100+51.12 грн
250+45.50 грн
500+37.20 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXTD6717E6TA ZXTD6717E6.pdf
ZXTD6717E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXTD6717E6TA - Bipolares Transistor-Array, Komplementär NPN und PNP, 15 V, 15 V, 1.5 A, 1.5 A, 1.1 W
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 75hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 180MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung, PNP: 1.1W
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 1.5A
Übergangsfrequenz, PNP: 220MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 15V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 75hFE
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 1.1W
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 15V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 1.5A
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2903 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+19.12 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.51 грн
15+56.28 грн
100+39.63 грн
500+29.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+32.08 грн
500+23.77 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN10A08E6TA ZXMN10A08E6.pdf
ZXMN10A08E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXMN10A08E6TA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.25 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+39.63 грн
500+29.48 грн
1000+24.97 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P03E6TA ZXM62P03E6.pdf
ZXM62P03E6TA
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - ZXM62P03E6TA - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 1.5 A, 0.15 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.88 грн
18+46.52 грн
100+32.08 грн
500+23.77 грн
1000+21.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFG-7 DIOD-S-A0002833186-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFG-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFG-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0045ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+60.22 грн
500+47.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 4500 µohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.95 грн
500+34.89 грн
1000+31.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMT6007LFGQ-7 DIOD-S-A0005815012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMT6007LFGQ-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMT6007LFGQ-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 0.0045 ohm, PowerDI 3333, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62.5W
Bauform - Transistor: PowerDI 3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0045ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+116.51 грн
12+73.27 грн
100+49.56 грн
500+36.95 грн
1000+32.77 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+12.31 грн
500+10.51 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2075UDW-7 DIODS13901-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DMN2075UDW-7
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2075UDW-7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-363, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+35.20 грн
32+26.09 грн
100+12.31 грн
500+10.51 грн
1000+8.09 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2040LTS-13 ds31941.pdf
DMN2040LTS-13
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMN2040LTS-13 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 6.7 A, 6.7 A, 0.019 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.019ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 890mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSSOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.019ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 890mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+23.22 грн
500+16.99 грн
1000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 18 36 54 72 90 108 126 144 157 158 159 160 161 162 163 164 165 166 167 180 185  [ Наступна Сторінка >> ]