Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74732) > Сторінка 606 з 1246

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 620 744 868 992 1116 1240 1246  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
FY1800001Q FY1800001Q Diodes Incorporated FY.pdf Description: CRYSTAL 18.0800MHZ 12PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Frequency Stability: ±50ppm
Frequency Tolerance: ±15ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 18.08 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G17FZ4-7 74AUP1G17FZ4-7 Diodes Incorporated 74AUP1G17.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: X2-DFN1410-6
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+12.39 грн
10000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G17FZ4-7 74AUP1G17FZ4-7 Diodes Incorporated 74AUP1G17.pdf Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: X2-DFN1410-6
на замовлення 99850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.40 грн
10+39.72 грн
25+33.22 грн
100+24.24 грн
250+20.83 грн
500+18.74 грн
1000+16.72 грн
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10200CTFP-JT SBR10200CTFP-JT Diodes Incorporated Description: DIODE ARR SBR 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CDW-7-F-2477 BAT54CDW-7-F-2477 Diodes Incorporated Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1ME_HF-07 FS1ME_HF-07 Diodes Incorporated Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+3.12 грн
5000+2.69 грн
7500+2.52 грн
12500+2.19 грн
17500+2.09 грн
25000+1.99 грн
62500+1.74 грн
125000+1.61 грн
250000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13 RDBF254-13 Diodes Incorporated Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13 RDBF254-13 Diodes Incorporated Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±8.33%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.37 грн
6000+1.99 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±8.33%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.60 грн
34+9.59 грн
100+3.76 грн
500+3.32 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V7WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.41%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.29 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
15000+2.32 грн
21000+2.21 грн
30000+2.11 грн
75000+1.85 грн
150000+1.71 грн
300000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V7WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.41%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 359990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+15.77 грн
34+9.59 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC33WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC33WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.79 грн
45+7.19 грн
100+3.47 грн
500+3.18 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC39WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.99 грн
6000+1.81 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC39WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+10.79 грн
45+7.19 грн
100+3.39 грн
500+3.15 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ5.0CAQ-13-F SMBJ5.0CAQ-13-F Diodes Incorporated ds40740.pdf Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.14 грн
12+28.61 грн
100+18.39 грн
500+13.09 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP63201QWU-EVM AP63201QWU-EVM Diodes Incorporated AP63201QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63201Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63201Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63200QWU-EVM Diodes Incorporated AP63200QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63200Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63200Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63203QWU-EVM AP63203QWU-EVM Diodes Incorporated AP63203QWU-EVM-User-Guide.pdf Description: EVAL BOARD FOR AP63203Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 1.1MHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63203Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW-7 Diodes Incorporated DMTH46M7SFVW.pdf Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.83 грн
10+50.27 грн
100+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPSQ.pdf Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+78.85 грн
10+53.71 грн
100+35.90 грн
500+26.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH4008LPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.32 грн
10+52.11 грн
100+34.34 грн
500+25.03 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T SB550-T Diodes Incorporated ds23024.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1200+19.19 грн
2400+18.29 грн
3600+18.12 грн
6000+16.45 грн
8400+15.48 грн
12000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T SB550-T Diodes Incorporated ds23024.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+62.25 грн
10+38.68 грн
100+31.36 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ-7 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.05 грн
19+17.10 грн
100+10.73 грн
500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13 DMC2710UDW-13 Diodes Incorporated DMC2710UDW.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.65 грн
20000+4.09 грн
30000+3.89 грн
50000+3.44 грн
70000+3.32 грн
100000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13 DMC2710UDWQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UDWQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.65 грн
20000+4.09 грн
30000+3.89 грн
50000+3.44 грн
70000+3.32 грн
100000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13 DMC2710UVQ-13 Diodes Incorporated DMC2710UVQ.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13 DMC2710UV-13 Diodes Incorporated DMC2710UV.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.60 грн
20000+5.85 грн
30000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13 DMC2710UVT-13 Diodes Incorporated DMC2710UVT.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-7-F Diodes Incorporated BAT64W-AW-CW-SW.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
6000+2.10 грн
9000+1.80 грн
15000+1.64 грн
21000+1.63 грн
30000+1.51 грн
75000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-7-F Diodes Incorporated BAT64W-AW-CW-SW.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+9.13 грн
54+5.99 грн
100+3.96 грн
500+3.03 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-7-F Diodes Incorporated BAT64-A-C-S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.65 грн
6000+2.49 грн
9000+2.33 грн
15000+2.09 грн
21000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-7-F Diodes Incorporated BAT64-A-C-S.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+12.45 грн
38+8.55 грн
100+5.39 грн
500+4.28 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-13-F BAT64Q-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.38 грн
20000+4.72 грн
30000+4.49 грн
50000+3.96 грн
70000+3.81 грн
100000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-13-F BAT64SQ-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-13-F BAT64AQ-13-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.51 грн
20000+4.84 грн
30000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-7-F BAT64Q-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-7-F BAT64SQ-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-7-F BAT64AQ-7-F Diodes Incorporated DS45354.pdf Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.76 грн
5000+29.29 грн
7500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6065SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13 DMNH6065SSD-13 Diodes Incorporated DMNH6065SSD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13 DMNH6065SSDQ-13 Diodes Incorporated DMNH6065SSDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPD.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.90 грн
5000+36.60 грн
12500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.28 грн
10+76.01 грн
100+59.11 грн
500+47.03 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13 Diodes Incorporated DMTH6016LPDWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.53 грн
5000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDW.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.42 грн
10+88.72 грн
100+59.79 грн
500+44.44 грн
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13 DMNH6035SPDWQ-13 Diodes Incorporated DMNH6035SPDWQ.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0TA BZX84C3V0TA Diodes Incorporated ds18001.pdf Description: ZENER SOT23 3V 0.3W 5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7B DMN2004VK-7B Diodes Incorporated ds30865.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+24.90 грн
22+14.95 грн
100+9.39 грн
500+6.54 грн
1000+5.80 грн
2000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF-7 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF-7 Diodes Incorporated DMT35M4LFDF.pdf Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FY1800001Q FY.pdf
FY1800001Q
Виробник: Diodes Incorporated
Description: CRYSTAL 18.0800MHZ 12PF SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Load Capacitance: 12pF
Size / Dimension: 0.197" L x 0.126" W (5.00mm x 3.20mm)
Mounting Type: Surface Mount
Type: MHz Crystal
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Frequency Stability: ±50ppm
Frequency Tolerance: ±15ppm
Operating Mode: Fundamental
Height - Seated (Max): 0.043" (1.10mm)
ESR (Equivalent Series Resistance): 50 Ohms
Frequency: 18.08 MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G17FZ4-7 74AUP1G17.pdf
74AUP1G17FZ4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: X2-DFN1410-6
на замовлення 95000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+12.39 грн
10000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
74AUP1G17FZ4-7 74AUP1G17.pdf
74AUP1G17FZ4-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: IC BUFFER NON-INVERT 3.6V 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN
Output Type: Push-Pull
Mounting Type: Surface Mount
Number of Elements: 1
Logic Type: Buffer, Non-Inverting
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 0.8V ~ 3.6V
Input Type: Schmitt Trigger
Number of Bits per Element: 1
Current - Output High, Low: 4mA, 4mA
Supplier Device Package: X2-DFN1410-6
на замовлення 99850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+66.40 грн
10+39.72 грн
25+33.22 грн
100+24.24 грн
250+20.83 грн
500+18.74 грн
1000+16.72 грн
2500+14.88 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SBR10200CTFP-JT
SBR10200CTFP-JT
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SBR 200V 10A ITO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Super Barrier
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: ITO-220AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT54CDW-7-F-2477
BAT54CDW-7-F-2477
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOT 30V 200MA SOT363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Reverse Recovery Time (trr): 5 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 2 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 200mA
Supplier Device Package: SOT-363
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FS1ME_HF-07
FS1ME_HF-07
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 1000V 1A DO219AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-219AA
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 1.6 µs
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7.6pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-219AA
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 680000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+3.12 грн
5000+2.69 грн
7500+2.52 грн
12500+2.19 грн
17500+2.09 грн
25000+1.99 грн
62500+1.74 грн
125000+1.61 грн
250000+1.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13
RDBF254-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RDBF254-13
RDBF254-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECTIFIER DBF T&R 3K
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Flat Leads
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: DBF
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 2.5 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 2.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V4WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±8.33%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.37 грн
6000+1.99 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V4WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V4WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.4V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±8.33%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.4 V
Impedance (Max) (Zzt): 85 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.60 грн
34+9.59 грн
100+3.76 грн
500+3.32 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V7WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±7.41%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 357000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.29 грн
6000+2.83 грн
9000+2.66 грн
15000+2.32 грн
21000+2.21 грн
30000+2.11 грн
75000+1.85 грн
150000+1.71 грн
300000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC2V7WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC2V7WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 2.7V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±7.41%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 2.7 V
Impedance (Max) (Zzt): 83 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 359990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.77 грн
34+9.59 грн
100+5.94 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC33WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC33WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC33WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 33V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±6.06%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Impedance (Max) (Zzt): 40 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 23.1 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.79 грн
45+7.19 грн
100+3.47 грн
500+3.18 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC39WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.99 грн
6000+1.81 грн
9000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BZT52HC39WF-7 BZT52HC2V4WF%20-%20BZT52HC47WF.pdf
BZT52HC39WF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ZENER 39V 375MW SOD123F
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±5.13%
Package / Case: SOD-123F
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 39 V
Impedance (Max) (Zzt): 75 Ohms
Supplier Device Package: SOD-123F
Grade: Automotive
Power - Max: 375 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 27.3 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 59777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.79 грн
45+7.19 грн
100+3.39 грн
500+3.15 грн
1000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
SMBJ5.0CAQ-13-F ds40740.pdf
SMBJ5.0CAQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TVS DIODE 5VWM 9.2VC SMB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 65.2A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 5V
Supplier Device Package: SMB
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 6.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 9.2V
Power - Peak Pulse: 600W
Power Line Protection: No
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+48.14 грн
12+28.61 грн
100+18.39 грн
500+13.09 грн
1000+11.74 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
AP63201QWU-EVM AP63201QWU-EVM-User-Guide.pdf
AP63201QWU-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63201Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63201Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63200QWU-EVM AP63200QWU-EVM-User-Guide.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63200Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 5V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 500kHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63200Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AP63203QWU-EVM AP63203QWU-EVM-User-Guide.pdf
AP63203QWU-EVM
Виробник: Diodes Incorporated
Description: EVAL BOARD FOR AP63203Q
Packaging: Bulk
Voltage - Output: 3.3V
Voltage - Input: 3.8V ~ 32V
Current - Output: 2A
Frequency - Switching: 1.1MHz
Regulator Topology: Buck
Board Type: Fully Populated
Supplied Contents: Board(s)
Main Purpose: DC/DC, Step Down
Outputs and Type: 1 Non-Isolated Output
Utilized IC / Part: AP63203Q
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW.pdf
DMTH46M7SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH46M7SFVW-7 DMTH46M7SFVW.pdf
DMTH46M7SFVW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.3A (Ta), 67.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 54.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1315 pF @ 20 V
на замовлення 304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+83.83 грн
10+50.27 грн
100+32.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ.pdf
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPSQ-13 DMTH4008LPSQ.pdf
DMTH4008LPSQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 40V PWRDI5060
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.4A (Ta), 64.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.99W (Ta), 55.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1088 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+78.85 грн
10+53.71 грн
100+35.90 грн
500+26.22 грн
1000+23.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ.pdf
DMTH4008LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH4008LPDWQ-13 DMTH4008LPDWQ.pdf
DMTH4008LPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 40V 10A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.67W (Ta), 39.4W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 881pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 20A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type UXD)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+86.32 грн
10+52.11 грн
100+34.34 грн
500+25.03 грн
1000+22.72 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T ds23024.pdf
SB550-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 19200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1200+19.19 грн
2400+18.29 грн
3600+18.12 грн
6000+16.45 грн
8400+15.48 грн
12000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 1200
В кошику  од. на суму  грн.
SB550-T ds23024.pdf
SB550-T
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 670 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
на замовлення 20192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+62.25 грн
10+38.68 грн
100+31.36 грн
500+22.78 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.05 грн
19+17.10 грн
100+10.73 грн
500+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13 DMC2710UDW.pdf
DMC2710UDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.65 грн
20000+4.09 грн
30000+3.89 грн
50000+3.44 грн
70000+3.32 грн
100000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13 DMC2710UDWQ.pdf
DMC2710UDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+4.65 грн
20000+4.09 грн
30000+3.89 грн
50000+3.44 грн
70000+3.32 грн
100000+3.20 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13 DMC2710UVQ.pdf
DMC2710UVQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13 DMC2710UV.pdf
DMC2710UV-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+6.60 грн
20000+5.85 грн
30000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13 DMC2710UVT.pdf
DMC2710UVT-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-AW-CW-SW.pdf
BAT64W-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 144000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
6000+2.10 грн
9000+1.80 грн
15000+1.64 грн
21000+1.63 грн
30000+1.51 грн
75000+1.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64W-7-F BAT64W-AW-CW-SW.pdf
BAT64W-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-323
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 146510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+9.13 грн
54+5.99 грн
100+3.96 грн
500+3.03 грн
1000+2.84 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-A-C-S.pdf
BAT64-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.65 грн
6000+2.49 грн
9000+2.33 грн
15000+2.09 грн
21000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64-7-F BAT64-A-C-S.pdf
BAT64-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 26952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+12.45 грн
38+8.55 грн
100+5.39 грн
500+4.28 грн
1000+3.99 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-13-F DS45354.pdf
BAT64Q-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 540000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.38 грн
20000+4.72 грн
30000+4.49 грн
50000+3.96 грн
70000+3.81 грн
100000+3.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-13-F DS45354.pdf
BAT64SQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-13-F DS45354.pdf
BAT64AQ-13-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10000+5.51 грн
20000+4.84 грн
30000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64Q-7-F DS45354.pdf
BAT64Q-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOT233
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 6pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64SQ-7-F DS45354.pdf
BAT64SQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Series Connection
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BAT64AQ-7-F DS45354.pdf
BAT64AQ-7-F
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE ARR SCHOTT 40V 250MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 3 ns
Technology: Schottky
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 250mA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 100 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 2 µA @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDWQ-13 DMNH6065SPDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 250000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.76 грн
5000+29.29 грн
7500+28.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SPDW-13 DMNH6065SPDW.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 27A POWERDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 466pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSD-13 DMNH6065SSD.pdf
DMNH6065SSD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6065SSDQ-13 DMNH6065SSDQ.pdf
DMNH6065SSDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 446pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPD-13 DMTH6016LPD.pdf
DMTH6016LPD-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ.pdf
DMTH6016LPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 975000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.90 грн
5000+36.60 грн
12500+34.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDQ-13 DMTH6016LPDQ.pdf
DMTH6016LPDQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.2A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 977297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+96.28 грн
10+76.01 грн
100+59.11 грн
500+47.03 грн
1000+38.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
DMTH6016LPDWQ-13 DMTH6016LPDWQ.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.5W (Ta), 37.5W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.2A (Ta), 33.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 864pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (SWP)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW.pdf
DMNH6035SPDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.53 грн
5000+36.92 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDW-13 DMNH6035SPDW.pdf
DMNH6035SPDW-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
на замовлення 7335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+144.42 грн
10+88.72 грн
100+59.79 грн
500+44.44 грн
1000+40.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
DMNH6035SPDWQ-13 DMNH6035SPDWQ.pdf
DMNH6035SPDWQ-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 60V 33A PWRDI50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.4W (Ta), 68W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 879pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8 (Type R)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BZX84C3V0TA ds18001.pdf
BZX84C3V0TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: ZENER SOT23 3V 0.3W 5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Tolerance: ±5%
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 3 V
Impedance (Max) (Zzt): 100 Ohms
Supplier Device Package: SOT-23-3
Power - Max: 350 mW
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN2004VK-7B ds30865.pdf
DMN2004VK-7B
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 125912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+24.90 грн
22+14.95 грн
100+9.39 грн
500+6.54 грн
1000+5.80 грн
2000+5.18 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF.pdf
DMT35M4LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMT35M4LFDF-7 DMT35M4LFDF.pdf
DMT35M4LFDF-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 25V~30V U-DFN2020-
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 860mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type F)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1009 pF @ 15 V
на замовлення 67024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 124 248 372 496 601 602 603 604 605 606 607 608 609 610 611 620 744 868 992 1116 1240 1246  [ Наступна Сторінка >> ]