| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| B32672Z4105K289 | EPC | DIP |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| B41821-A3108-M008 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| B66281-G-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| B66281-P-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| B66283-P-X187 | EPC | 07+ |
на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| B82422-T1104-K-100 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Код товару: 58203
Додати до обраних
Обраний товар
|
EPC |
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMDНомінал: 4,7 µH Точність: ±20% Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм Робочий струм, А: 1.8A |
у наявності: 43 шт
19 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ 20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро |
|
||||||||
|
BOOK GAN FET | EPC |
Description: TEXT GAN TRANSISTORS Packaging: Bulk Type: Book Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma Publisher: Power Conversion Publications Part Status: Active ISBN: 9780615569253 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| CN1206K20G2 | EPC | SMD |
на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1001 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1005 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1007 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1009 | EPC |
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1011 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1012 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1013 | EPC |
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1014 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC1015 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2001 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2001 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 47500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC2001C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 48396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC2007 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2007 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC2007C | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 9269 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC2010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2010 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 2782 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC2010C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2010CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| EPC2010ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 734 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
|
EPC2012 | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2012 | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| EPC2012C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 17807 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| EPC2012C | EPC |
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
EPC2012CENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| B32672Z4105K289 |
Виробник: EPC
DIP
DIP
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B41821-A3108-M008 |
Виробник: EPC
SMD
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B66281-G-X187 |
Виробник: EPC
07+
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B66281-P-X187 |
Виробник: EPC
07+
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B66283-P-X187 |
Виробник: EPC
07+
07+
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B82422-T1104-K-100 |
Виробник: EPC
SMD
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| B82462G4472M (4,7uH 20% 2A) Код товару: 58203
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: EPC
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
Індуктивності, дроселі > Дроселі силові SMD
Номінал: 4,7 µH
Точність: ±20%
Характеристики: Силова, феритова гантель, 4,7uH, ±20%, Idc=2А, Rdc max/typ=0.04 Ohm, SMD: 6.3x6.3мм,h=3мм
Габарити: 6.3x6.3мм, h=3мм
Робочий струм, А: 1.8A
у наявності: 43 шт
19 шт - склад
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
4 шт - РАДІОМАГ-Київ
20 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 39.00 грн |
| 10+ | 36.86 грн |
| BOOK GAN FET |
Виробник: EPC
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
Description: TEXT GAN TRANSISTORS
Packaging: Bulk
Type: Book
Title: GaN Transistors for Efficient Power Conversion
Author(s): Alex Lidow, Johan Strydom, Michael de Rooij, Yanping Ma
Publisher: Power Conversion Publications
Part Status: Active
ISBN: 9780615569253
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CN1206K20G2 |
Виробник: EPC
SMD
SMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC1001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 25A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1007 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1007 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1007 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 60V 6A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1011 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1011 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1011 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1012 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1012 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1012 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN150V 3A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1014 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1014 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1014 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 10A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1015 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1015 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC1015 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 25A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2001C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 163.98 грн |
| EPC2001C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 48396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 421.36 грн |
| 10+ | 271.84 грн |
| 100+ | 195.79 грн |
| 500+ | 181.38 грн |
| EPC2007 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2007 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2007C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 66.51 грн |
| EPC2007C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 9269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.58 грн |
| 10+ | 134.86 грн |
| 100+ | 93.33 грн |
| 500+ | 73.56 грн |
| EPC2010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 2782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 557.73 грн |
| 10+ | 365.42 грн |
| 100+ | 281.58 грн |
| EPC2010C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010CENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010CENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010CENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 22A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2010ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2012 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2012 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2012C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 17807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 259.68 грн |
| 10+ | 163.88 грн |
| 100+ | 114.69 грн |
| 500+ | 94.86 грн |
| EPC2012C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 85.76 грн |
| EPC2012CENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.














