Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (702) > Сторінка 8 з 12

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.18 грн
10+212.17 грн
100+150.36 грн
500+122.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.16 грн
5000+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 39432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.97 грн
10+203.27 грн
100+143.67 грн
500+115.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002ENGR EPC8002ENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002TENGR EPC8002TENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003ENGR EPC8003ENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003TENGR EPC8003TENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.13 грн
5000+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+312.21 грн
10+198.11 грн
100+139.83 грн
500+112.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004ENGR EPC8004ENGR EPC EPC8004_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004TENGR EPC8004TENGR EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005ENGR EPC8005ENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005TENGR EPC8005TENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007ENGR EPC8007ENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007TENGR EPC8007TENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008ENGR EPC8008ENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008TENGR EPC8008TENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.51 грн
10+213.44 грн
100+151.31 грн
500+123.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009ENGR EPC8009ENGR EPC EPC8009_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009TENGR EPC8009TENGR EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 19093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.45 грн
10+140.30 грн
100+97.10 грн
500+73.80 грн
1000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.85 грн
5000+62.33 грн
7500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010ENGR EPC8010ENGR EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010TENGR EPC8010TENGR EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9001 EPC9001 EPC EPC9001_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9001C EPC9001C EPC EPC9001C_qsg.pdf Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9002 EPC9002 EPC EPC9002_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9002C EPC9002C EPC EPC9002C_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13724.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9003 EPC9003 EPC EPC9003_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9003C EPC9003C EPC EPC9003C_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13724.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9004 EPC9004 EPC EPC9004_qsg.pdf Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9004C EPC9004C EPC EPC9004C_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6655.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9005 EPC9005 EPC EPC9005_qsg.pdf Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Embedded: No
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Utilized IC / Part: EPC2014
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9005C EPC9005C EPC EPC9005C_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14617.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9006 EPC9006 EPC EPC9006_qsg.pdf Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Embedded: No
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9006C EPC9006C EPC EPC9006C_qsg.pdf Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14437.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9010 EPC9010 EPC EPC9010_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Contents: Board(s)
Embedded: No
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9010C EPC9010C EPC EPC9010C_qsg.pdf Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14342.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90120 EPC90120 EPC epc90120_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13019.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90121 EPC90121 EPC EPC90121_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Box
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13497.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90122 EPC90122 EPC EPC90122_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC90122
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Box
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13083.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90123 EPC90123 EPC EPC90123_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13083.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90124 EPC90124 EPC EPC90124_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13497.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90128 EPC90128 EPC EPC90128_qsg.pdf Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Type: Power Management
Packaging: Box
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13656.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 1186 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.18 грн
10+212.17 грн
100+150.36 грн
500+122.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+105.16 грн
5000+100.78 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 39432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.97 грн
10+203.27 грн
100+143.67 грн
500+115.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002ENGR EPC8002_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002TENGR EPC8002_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003ENGR EPC8003_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003TENGR EPC8003_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+102.13 грн
5000+97.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+312.21 грн
10+198.11 грн
100+139.83 грн
500+112.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004ENGR EPC8004_Preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004TENGR EPC8004_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005ENGR EPC8005_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005TENGR EPC8005_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007ENGR EPC8007_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007TENGR EPC8007_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008ENGR EPC8008_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008TENGR EPC8008_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+111.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+335.51 грн
10+213.44 грн
100+151.31 грн
500+123.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009ENGR EPC8009_Preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009TENGR EPC8009_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 19093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+224.45 грн
10+140.30 грн
100+97.10 грн
500+73.80 грн
1000+71.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+68.85 грн
5000+62.33 грн
7500+62.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010ENGR EPC8010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010TENGR EPC8010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9001 EPC9001_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9001C EPC9001C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9002 EPC9002_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9002C EPC9002C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13724.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9003 EPC9003_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9003C EPC9003C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13724.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9004 EPC9004_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9004C EPC9004C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+6655.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9005 EPC9005_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Embedded: No
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Utilized IC / Part: EPC2014
Contents: Board(s)
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9005C EPC9005C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14617.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9006 EPC9006_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Contents: Board(s)
Part Status: Obsolete
Embedded: No
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9006C EPC9006C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14437.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9010 EPC9010_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Contents: Board(s)
Embedded: No
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC9010C EPC9010C_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+14342.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90120 epc90120_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13019.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90121 EPC90121_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Box
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13497.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90122 EPC90122_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC90122
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Box
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13083.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90123 EPC90123_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13083.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90124 EPC90124_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13497.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC90128 EPC90128_qsg.pdf
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Contents: Board(s)
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Type: Power Management
Packaging: Box
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+13656.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  Наступна Сторінка >> ]