| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC23103ENGRT | EPC |
 Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20AFeatures: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 25A Current - Peak Output: 109A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC23104 | EPC |
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: NMOS Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC23104 | EPC |
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN Packaging: Cut Tape (CT) Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: NMOS Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC23104ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC23104ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 9779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2361 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 7-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Supplier Device Package: 7-QFN (3x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V |
на замовлення 41911 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2361 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2361 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 7-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Supplier Device Package: 7-QFN (3x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2361ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2361ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2366 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN |
на замовлення 5963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC2366 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
| EPC2366ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| EPC2366ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
EPC2367 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC2367 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V |
на замовлення 21740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2367 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN |
на замовлення 14047 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| EPC2367A | EPC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
 |
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2619 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 |
на замовлення 7251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 12490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 37500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 39332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC8002 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC8002ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC8002TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8003ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8003TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 8418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8004ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8004TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8005ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8005TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8007ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8007TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8008ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8008TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8009ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8009TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 19093 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
EPC8010 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 |
на замовлення 3800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
EPC8010ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC8010TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC9001 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015 Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015 Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
 |
EPC9001C | EPC |
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN Contents: Board(s) Part Status: Active Embedded: No Supplied Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015C Type: Power Management Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
| EPC23103ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC23104 |
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC23104 |
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 341.75 грн |
| 10+ | 250.98 грн |
| 25+ | 231.30 грн |
| 100+ | 196.79 грн |
| 250+ | 187.72 грн |
| EPC23104ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 188.72 грн |
| EPC23104ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 9779 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 341.75 грн |
| 10+ | 250.98 грн |
| 25+ | 231.30 грн |
| 100+ | 196.79 грн |
| 250+ | 187.72 грн |
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 41911 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 670.02 грн |
| 10+ | 440.04 грн |
| 50+ | 352.35 грн |
| 100+ | 304.19 грн |
| 500+ | 285.68 грн |
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 273.76 грн |
| EPC2361ENGRT |
|
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 731.08 грн |
| EPC2366 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 5963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 329.86 грн |
| 10+ | 209.67 грн |
| 50+ | 163.23 грн |
| 100+ | 139.17 грн |
| 500+ | 119.83 грн |
| EPC2366 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 108.33 грн |
| EPC2366ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2366ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 298.14 грн |
| 10+ | 189.13 грн |
| 100+ | 133.79 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 195.00 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 21740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 542.36 грн |
| 10+ | 352.08 грн |
| 50+ | 279.30 грн |
| 100+ | 240.15 грн |
| 500+ | 228.64 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 112.67 грн |
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 339.37 грн |
| 10+ | 216.09 грн |
| 50+ | 168.47 грн |
| 100+ | 143.72 грн |
| 500+ | 124.62 грн |
| EPC2619ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2619ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 113.54 грн |
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 39332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 344.92 грн |
| 10+ | 219.45 грн |
| 50+ | 161.13 грн |
| 100+ | 145.58 грн |
| 500+ | 124.99 грн |
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8002ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC8002TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 110.26 грн |
| EPC8004 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 336.99 грн |
| 10+ | 213.87 грн |
| 50+ | 166.30 грн |
| 100+ | 141.68 грн |
| 500+ | 114.08 грн |
| EPC8004ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8005ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC8005TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 113.53 грн |
| EPC8009 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 341.75 грн |
| 10+ | 217.39 грн |
| 50+ | 169.53 грн |
| 100+ | 144.63 грн |
| 500+ | 125.58 грн |
| EPC8009ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 19093 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.84 грн |
| 10+ | 151.49 грн |
| 50+ | 116.21 грн |
| 100+ | 98.39 грн |
| 500+ | 79.68 грн |
| EPC8010 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 74.33 грн |
| 7500+ | 67.23 грн |
| EPC8010 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| EPC8010ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001 |
|
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001C |
|
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Contents: Board(s)
Part Status: Active
Embedded: No
Supplied Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Type: Power Management
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.