Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (737) > Сторінка 8 з 13

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC23103ENGRT EPC23103ENGRT EPC EPC23103_datasheet.pdf Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104 EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+186.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104 EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+248.10 грн
25+228.64 грн
100+194.52 грн
250+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+186.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.82 грн
10+248.10 грн
25+228.64 грн
100+194.52 грн
250+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 32633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.38 грн
10+401.77 грн
50+321.70 грн
100+277.74 грн
500+276.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361 EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+249.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+722.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366 EPC2366 EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366 EPC2366 EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 11684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.80 грн
10+202.89 грн
50+157.98 грн
100+134.69 грн
500+115.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRT EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRT EPC EPC2366_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.71 грн
10+186.96 грн
100+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+188.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367 EPC EPC2367_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 26351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+524.37 грн
10+340.71 грн
50+270.30 грн
100+232.42 грн
500+221.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367A EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC EPC2378_datasheet.pdf Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+167.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC EPC2378_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC EPC2378_datasheet.pdf Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 7653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.04 грн
10+292.93 грн
50+231.49 грн
100+198.71 грн
500+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC EPC2378_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.42 грн
10+209.15 грн
50+163.05 грн
100+139.10 грн
500+120.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818 EPC EPC2818_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+112.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002 EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 39332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.96 грн
10+216.93 грн
50+159.27 грн
100+143.91 грн
500+123.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002ENGR EPC8002ENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002TENGR EPC8002TENGR EPC EPC8002_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003ENGR EPC8003ENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003TENGR EPC8003TENGR EPC EPC8003_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004 EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.07 грн
10+206.96 грн
50+160.95 грн
100+137.12 грн
500+110.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004ENGR EPC8004ENGR EPC EPC8004_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004TENGR EPC8004TENGR EPC EPC8004_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005ENGR EPC8005ENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005TENGR EPC8005TENGR EPC EPC8005_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007ENGR EPC8007ENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007TENGR EPC8007TENGR EPC EPC8007_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008ENGR EPC8008ENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008TENGR EPC8008TENGR EPC EPC8008_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009 EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+330.77 грн
10+210.36 грн
50+164.06 грн
100+139.97 грн
500+121.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009ENGR EPC8009ENGR EPC EPC8009_Preliminary.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009TENGR EPC8009TENGR EPC EPC8009_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+234.36 грн
10+146.58 грн
50+112.48 грн
100+95.22 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.94 грн
7500+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010 EPC EPC8010_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103_datasheet.pdf
EPC23103ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104
EPC23104
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+186.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104
EPC23104
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 4419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.82 грн
10+248.10 грн
25+228.64 грн
100+194.52 грн
250+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+186.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 9744 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+337.82 грн
10+248.10 грн
25+228.64 грн
100+194.52 грн
250+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 32633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.38 грн
10+401.77 грн
50+321.70 грн
100+277.74 грн
500+276.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361 EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+249.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+722.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366 EPC2366_datasheet.pdf
EPC2366
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+104.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366 EPC2366_datasheet.pdf
EPC2366
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 11684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+319.80 грн
10+202.89 грн
50+157.98 грн
100+134.69 грн
500+115.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRT EPC2366_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2366ENGRT EPC2366_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.71 грн
10+186.96 грн
100+132.25 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+188.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367 EPC2367_datasheet.pdf
EPC2367
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 26351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+524.37 грн
10+340.71 грн
50+270.30 грн
100+232.42 грн
500+221.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2367A
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC2378_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+167.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC2378_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC2378_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 7653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.04 грн
10+292.93 грн
50+231.49 грн
100+198.71 грн
500+185.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2378 EPC2378_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+109.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.42 грн
10+209.15 грн
50+163.05 грн
100+139.10 грн
500+120.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2818 EPC2818_datasheet.pdf
EPC2818
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+112.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002 EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 39332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.96 грн
10+216.93 грн
50+159.27 грн
100+143.91 грн
500+123.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002ENGR EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8002TENGR EPC8002_datasheet.pdf
EPC8002TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003ENGR EPC8003_datasheet.pdf
EPC8003ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8003TENGR EPC8003_datasheet.pdf
EPC8003TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+106.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004 EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+326.07 грн
10+206.96 грн
50+160.95 грн
100+137.12 грн
500+110.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004ENGR EPC8004_Preliminary.pdf
EPC8004ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8004TENGR EPC8004_datasheet.pdf
EPC8004TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005ENGR EPC8005_datasheet.pdf
EPC8005ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8005TENGR EPC8005_datasheet.pdf
EPC8005TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007ENGR EPC8007_datasheet.pdf
EPC8007ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8007TENGR EPC8007_datasheet.pdf
EPC8007TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008ENGR EPC8008_datasheet.pdf
EPC8008ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8008TENGR EPC8008_datasheet.pdf
EPC8008TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+109.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009 EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+330.77 грн
10+210.36 грн
50+164.06 грн
100+139.97 грн
500+121.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009ENGR EPC8009_Preliminary.pdf
EPC8009ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8009TENGR EPC8009_datasheet.pdf
EPC8009TENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 18840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.36 грн
10+146.58 грн
50+112.48 грн
100+95.22 грн
500+77.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.94 грн
7500+65.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC8010 EPC8010_datasheet.pdf
EPC8010
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 4552 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]