| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
EPC23102ENGRT | EPC |
 Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFNFeatures: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose Current - Output / Channel: 35A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC23103ENGRT | EPC |
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 25A Current - Peak Output: 109A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC23103ENGRT | EPC |
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 25A Current - Peak Output: 109A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC23104 | EPC |
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: NMOS Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC23104 | EPC |
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: NMOS Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC23104ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC23104ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 13-PowerWFQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Interface: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 10V ~ 80V Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Current - Peak Output: 78A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 10V ~ 80V Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5) Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit Load Type: Capacitive and Resistive |
на замовлення 7917 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2361 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 7-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Supplier Device Package: 7-QFN (3x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2361 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 7-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA Supplier Device Package: 7-QFN (3x5) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V |
на замовлення 6588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2361 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN |
на замовлення 10142 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2361ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN Packaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2361ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2366 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2366 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN |
на замовлення 14124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EPC2366ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| EPC2366ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
EPC2367 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V |
на замовлення 28863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2367 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN |
на замовлення 14047 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2367 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EPC2367A | EPC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| EPC2378 | EPC |
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EPC2378 | EPC |
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN |
на замовлення 7653 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EPC2378 | EPC |
|
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| EPC2378 | EPC |
|
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
 |
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2619 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 |
на замовлення 7251 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 17200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC33110 | EPC | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC8002 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 36606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
EPC8002ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
EPC8002TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8003ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8003TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 7990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC8004ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8004TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8005ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8005TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8007ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8007TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8008ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8008TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7082 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
EPC8009ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
EPC8009TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. |
| EPC23102ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC23103ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC23103ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC23104 |
|
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 188.69 грн |
| EPC23104 |
|
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.45 грн |
| 10+ | 250.94 грн |
| 25+ | 231.27 грн |
| 100+ | 196.75 грн |
| 250+ | 187.69 грн |
| EPC23104ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 188.69 грн |
| EPC23104ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 7917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 342.45 грн |
| 10+ | 250.94 грн |
| 25+ | 231.27 грн |
| 100+ | 196.75 грн |
| 250+ | 187.69 грн |
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 252.82 грн |
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE,1 MOHM, 7PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4094 pF @ 50 V
на замовлення 6588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 618.42 грн |
| 10+ | 406.37 грн |
| 50+ | 325.39 грн |
| 100+ | 280.92 грн |
| 500+ | 279.66 грн |
| EPC2361 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 10142 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 704.60 грн |
| 10+ | 382.67 грн |
| 100+ | 306.37 грн |
| 500+ | 287.31 грн |
| 1000+ | 263.13 грн |
| 3000+ | 245.54 грн |
| EPC2361ENGRT |
|
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 712.73 грн |
| EPC2366 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 106.05 грн |
| EPC2366 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
Description: GANFET N-CH 40V 88A 5QFN
на замовлення 14124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 323.13 грн |
| 10+ | 205.23 грн |
| 50+ | 159.79 грн |
| 100+ | 136.23 грн |
| 500+ | 117.31 грн |
| EPC2366ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2366ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.66 грн |
| 10+ | 184.39 грн |
| 100+ | 130.43 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 28863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 500.15 грн |
| 10+ | 325.15 грн |
| 50+ | 257.93 грн |
| 100+ | 221.78 грн |
| 500+ | 211.15 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.2 milliohm at 5 V(typ), 3.3 mm x 3.3 mm QFN
на замовлення 14047 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 566.08 грн |
| 10+ | 303.44 грн |
| 100+ | 241.87 грн |
| 500+ | 230.14 грн |
| 1000+ | 205.22 грн |
| 3000+ | 184.70 грн |
| EPC2367 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
Description: GANFET N-CH 100V 101A 5QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 78A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 50 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 190.89 грн |
| EPC2378 |
|
Виробник: EPC
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 165.45 грн |
| EPC2378 |
|
Виробник: EPC
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
Description: 25V, 101A, 0.37M, 3.3X3.3MM PQFN
на замовлення 7653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 446.81 грн |
| 10+ | 288.90 грн |
| 50+ | 228.31 грн |
| 100+ | 195.97 грн |
| 500+ | 183.01 грн |
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 110.29 грн |
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.3 milliohm typ at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 7251 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 385.65 грн |
| 10+ | 219.99 грн |
| 100+ | 161.98 грн |
| 500+ | 135.59 грн |
| 1000+ | 128.27 грн |
| 2500+ | 116.54 грн |
| 5000+ | 107.01 грн |
| EPC2619 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 332.40 грн |
| 10+ | 211.56 грн |
| 50+ | 164.93 грн |
| 100+ | 140.70 грн |
| 500+ | 122.00 грн |
| EPC2619ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2619ENGRT |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2801 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2815 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2818 |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC33110 |
Виробник: EPC
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers
Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
GaN FETs EPC eGaN FET,65 V, 480 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 111.14 грн |
| EPC8002 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 36606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 337.81 грн |
| 10+ | 214.83 грн |
| 50+ | 167.19 грн |
| 100+ | 142.50 грн |
| 500+ | 122.35 грн |
| EPC8002ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC8002TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 101.83 грн |
| EPC8004 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 311.53 грн |
| 10+ | 197.49 грн |
| 50+ | 153.58 грн |
| 100+ | 130.84 грн |
| 500+ | 111.67 грн |
| EPC8004ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8005ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC8005TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 108.37 грн |
| EPC8009 |
|
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 326.22 грн |
| 10+ | 207.46 грн |
| 50+ | 161.80 грн |
| 100+ | 138.05 грн |
| 500+ | 119.87 грн |
| EPC8009ENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009TENGR |
|
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику
од. на суму грн.