Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (593) > Сторінка 5 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.90 грн
10+132.52 грн
100+91.26 грн
500+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.20 грн
10+116.86 грн
100+80.00 грн
500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.22 грн
10+157.37 грн
100+109.16 грн
500+83.11 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 18182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.79 грн
10+201.16 грн
100+142.09 грн
500+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112ENGRT EPC Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.84 грн
10+95.78 грн
25+81.51 грн
100+61.41 грн
250+54.06 грн
500+49.56 грн
1000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 8688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+805.61 грн
10+541.89 грн
25+481.73 грн
100+388.98 грн
250+358.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+400.70 грн
1000+376.75 грн
1500+372.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+817.53 грн
10+536.24 грн
25+470.65 грн
100+372.11 грн
250+343.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+379.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 16304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330.42 грн
10+205.42 грн
25+176.02 грн
100+133.89 грн
250+118.54 грн
500+109.09 грн
1000+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601ENGRT EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.85 грн
10+208.95 грн
25+197.57 грн
100+160.68 грн
250+152.44 грн
500+136.78 грн
1000+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601ENGRT EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+121.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.75 грн
10+154.17 грн
25+141.18 грн
100+119.04 грн
250+112.63 грн
500+108.77 грн
1000+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+315.09 грн
10+195.83 грн
25+167.75 грн
100+127.62 грн
250+112.99 грн
500+103.98 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 35819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.86 грн
10+219.28 грн
25+188.35 грн
100+143.94 грн
250+127.83 грн
500+117.91 грн
1000+108.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+336.38 грн
10+291.20 грн
25+275.28 грн
100+223.89 грн
250+212.41 грн
500+190.59 грн
1000+158.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.58 грн
10+178.94 грн
100+125.49 грн
500+104.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+108.15 грн
10+65.85 грн
100+43.77 грн
500+32.18 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.01 грн
5000+25.90 грн
7500+24.86 грн
12500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 101549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.34 грн
10+146.05 грн
100+101.38 грн
500+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.55 грн
10+168.03 грн
100+117.54 грн
500+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+383.22 грн
10+245.61 грн
100+175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 18391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.04 грн
10+147.45 грн
100+102.27 грн
500+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212 EPC EPC2212_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212 EPC EPC2212_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+287.84 грн
10+181.56 грн
100+127.51 грн
500+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214 EPC EPC2214_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214 EPC EPC2214_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.24 грн
10+113.00 грн
100+77.26 грн
500+58.16 грн
1000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215 EPC EPC2215_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 179886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+145.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215 EPC EPC2215_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 179886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.88 грн
10+250.28 грн
100+179.01 грн
500+161.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+63.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.90 грн
10+132.52 грн
100+91.26 грн
500+70.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.20 грн
10+116.86 грн
100+80.00 грн
500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+251.22 грн
10+157.37 грн
100+109.16 грн
500+83.11 грн
1000+76.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+110.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 18182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.79 грн
10+201.16 грн
100+142.09 грн
500+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT
EPC2112ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
EPC2115ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
EPC2115ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.84 грн
10+95.78 грн
25+81.51 грн
100+61.41 грн
250+54.06 грн
500+49.56 грн
1000+45.07 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 8688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+805.61 грн
10+541.89 грн
25+481.73 грн
100+388.98 грн
250+358.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+400.70 грн
1000+376.75 грн
1500+372.19 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+817.53 грн
10+536.24 грн
25+470.65 грн
100+372.11 грн
250+343.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+379.99 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+109.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 16304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.42 грн
10+205.42 грн
25+176.02 грн
100+133.89 грн
250+118.54 грн
500+109.09 грн
1000+99.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+241.85 грн
10+208.95 грн
25+197.57 грн
100+160.68 грн
250+152.44 грн
500+136.78 грн
1000+113.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+121.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+102.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+213.75 грн
10+154.17 грн
25+141.18 грн
100+119.04 грн
250+112.63 грн
500+108.77 грн
1000+103.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+315.09 грн
10+195.83 грн
25+167.75 грн
100+127.62 грн
250+112.99 грн
500+103.98 грн
1000+94.86 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
EPC21701
Виробник: EPC
Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 35819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+350.86 грн
10+219.28 грн
25+188.35 грн
100+143.94 грн
250+127.83 грн
500+117.91 грн
1000+108.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
EPC21701
Виробник: EPC
Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+121.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+336.38 грн
10+291.20 грн
25+275.28 грн
100+223.89 грн
250+212.41 грн
500+190.59 грн
1000+158.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
EPC2202
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+94.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
EPC2202
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 34345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+283.58 грн
10+178.94 грн
100+125.49 грн
500+104.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
EPC2203
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 24890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.15 грн
10+65.85 грн
100+43.77 грн
500+32.18 грн
1000+29.32 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
EPC2203
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+29.01 грн
5000+25.90 грн
7500+24.86 грн
12500+22.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
EPC2204
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
EPC2204
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 101549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+233.34 грн
10+146.05 грн
100+101.38 грн
500+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
EPC2204A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.55 грн
10+168.03 грн
100+117.54 грн
500+97.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
EPC2204A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+87.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
EPC2206
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+143.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
EPC2206
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 410161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+383.22 грн
10+245.61 грн
100+175.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
EPC2207
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
EPC2207
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 18391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+235.04 грн
10+147.45 грн
100+102.27 грн
500+81.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212_datasheet.pdf
EPC2212
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212_datasheet.pdf
EPC2212
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95411 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+287.84 грн
10+181.56 грн
100+127.51 грн
500+107.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214_datasheet.pdf
EPC2214
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214_datasheet.pdf
EPC2214
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+182.24 грн
10+113.00 грн
100+77.26 грн
500+58.16 грн
1000+57.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215_datasheet.pdf
EPC2215
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 179886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+145.93 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215_datasheet.pdf
EPC2215
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 179886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+390.88 грн
10+250.28 грн
100+179.01 грн
500+161.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]