Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (589) > Сторінка 5 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.07 грн
10+127.03 грн
100+87.48 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+199.99 грн
10+124.20 грн
100+85.00 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.80 грн
10+150.84 грн
100+104.63 грн
500+79.66 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+117.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 19151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.12 грн
10+214.12 грн
100+151.27 грн
500+116.78 грн
1000+108.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112ENGRT EPC EPC2112_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112ENGRT EPC EPC2112_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.38 грн
10+91.81 грн
25+78.13 грн
100+58.87 грн
250+51.82 грн
500+47.50 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 18242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+824.44 грн
10+554.71 грн
25+493.13 грн
100+398.19 грн
250+366.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+364.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+783.63 грн
10+514.00 грн
25+451.13 грн
100+356.68 грн
250+329.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+364.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+105.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 16304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.72 грн
10+196.90 грн
25+168.72 грн
100+128.34 грн
250+113.62 грн
500+104.57 грн
1000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601ENGRT EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.82 грн
10+200.28 грн
25+189.37 грн
100+154.01 грн
250+146.12 грн
500+131.11 грн
1000+108.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601ENGRT EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.33 грн
10+179.06 грн
25+169.31 грн
100+137.71 грн
250+130.65 грн
500+117.23 грн
1000+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+302.02 грн
10+187.71 грн
25+160.79 грн
100+122.33 грн
250+108.30 грн
500+99.67 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 35819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+336.31 грн
10+210.19 грн
25+180.54 грн
100+137.97 грн
250+122.53 грн
500+113.02 грн
1000+103.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+322.43 грн
10+279.13 грн
25+263.86 грн
100+214.60 грн
250+203.60 грн
500+182.69 грн
1000+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+301.21 грн
10+190.46 грн
100+133.61 грн
500+102.59 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.03 грн
10+62.33 грн
100+41.39 грн
500+30.44 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.44 грн
5000+24.50 грн
7500+23.51 грн
12500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 160987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.48 грн
10+140.70 грн
100+97.65 грн
500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.31 грн
10+161.85 грн
100+113.22 грн
500+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+145.89 грн
1000+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.77 грн
10+236.60 грн
100+169.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 33828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.84 грн
10+139.44 грн
100+96.74 грн
500+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212 EPC EPC2212_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212 EPC EPC2212_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+274.27 грн
10+173.01 грн
100+121.51 грн
500+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214 EPC EPC2214_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.20 грн
5000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214 EPC EPC2214_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+173.87 грн
10+107.69 грн
100+73.62 грн
500+55.42 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+61.00 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+204.07 грн
10+127.03 грн
100+87.48 грн
500+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 764 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+199.99 грн
10+124.20 грн
100+85.00 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+75.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.80 грн
10+150.84 грн
100+104.63 грн
500+79.66 грн
1000+73.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+117.56 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 19151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.12 грн
10+214.12 грн
100+151.27 грн
500+116.78 грн
1000+108.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112_preliminary.pdf
EPC2112ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112_preliminary.pdf
EPC2112ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
EPC2115ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
EPC2115ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+42.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4806 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+149.38 грн
10+91.81 грн
25+78.13 грн
100+58.87 грн
250+51.82 грн
500+47.50 грн
1000+43.20 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 18242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+824.44 грн
10+554.71 грн
25+493.13 грн
100+398.19 грн
250+366.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+364.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+783.63 грн
10+514.00 грн
25+451.13 грн
100+356.68 грн
250+329.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
EPC2152ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+364.23 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+105.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVER 40V 10A 3.3VLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 16304 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.72 грн
10+196.90 грн
25+168.72 грн
100+128.34 грн
250+113.62 грн
500+104.57 грн
1000+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 4333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+231.82 грн
10+200.28 грн
25+189.37 грн
100+154.01 грн
250+146.12 грн
500+131.11 грн
1000+108.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601_datasheet.pdf
EPC21601ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+116.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 8119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+207.33 грн
10+179.06 грн
25+169.31 грн
100+137.71 грн
250+130.65 грн
500+117.23 грн
1000+97.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+96.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
EPC21603ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.02 грн
10+187.71 грн
25+160.79 грн
100+122.33 грн
250+108.30 грн
500+99.67 грн
1000+90.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
EPC21701
Виробник: EPC
Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 35819 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+336.31 грн
10+210.19 грн
25+180.54 грн
100+137.97 грн
250+122.53 грн
500+113.02 грн
1000+103.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
EPC21701
Виробник: EPC
Description: IC GAN LASER DRVR 80V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+116.62 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+322.43 грн
10+279.13 грн
25+263.86 грн
100+214.60 грн
250+203.60 грн
500+182.69 грн
1000+151.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
EPC2202
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+100.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
EPC2202
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 415 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 56084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+301.21 грн
10+190.46 грн
100+133.61 грн
500+102.59 грн
1000+95.27 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
EPC2203
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 33362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+102.03 грн
10+62.33 грн
100+41.39 грн
500+30.44 грн
1000+27.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
EPC2203
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+27.44 грн
5000+24.50 грн
7500+23.51 грн
12500+21.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
EPC2204
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+70.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
EPC2204
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 160987 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+224.48 грн
10+140.70 грн
100+97.65 грн
500+77.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
EPC2204A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
EPC2204A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17279 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.31 грн
10+161.85 грн
100+113.22 грн
500+93.50 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
EPC2206
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+145.89 грн
1000+132.84 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
EPC2206
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 413827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+369.77 грн
10+236.60 грн
100+169.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
EPC2207
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+69.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
EPC2207
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 33828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+222.84 грн
10+139.44 грн
100+96.74 грн
500+77.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212_datasheet.pdf
EPC2212
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+92.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2212 EPC2212_datasheet.pdf
EPC2212
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 407 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 95695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.27 грн
10+173.01 грн
100+121.51 грн
500+101.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214_datasheet.pdf
EPC2214
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.20 грн
5000+47.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2214 EPC2214_datasheet.pdf
EPC2214
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 238 pF @ 40 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.87 грн
10+107.69 грн
100+73.62 грн
500+55.42 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]