Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (697) > Сторінка 5 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.30 грн
2000+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.31 грн
10+235.43 грн
100+168.17 грн
500+141.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2090 EPC2090 EPC EPC2090_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2091 EPC2091 EPC EPC2091_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2092 EPC2092 EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.56 грн
10+477.27 грн
100+356.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2100ENG EPC EPC2106_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+332.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+707.49 грн
10+470.33 грн
100+392.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101ENG EPC EPC2101_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+316.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+680.37 грн
10+451.53 грн
100+372.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102ENG EPC EPC2102_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+337.86 грн
1000+323.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+764.06 грн
10+508.32 грн
100+396.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103ENG EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+809.00 грн
10+539.21 грн
100+423.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104ENG EPC EPC2104_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+767.93 грн
10+509.66 грн
100+380.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+357.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105ENG EPC EPC2105_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 94914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.30 грн
10+117.15 грн
100+80.40 грн
500+60.69 грн
1000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.23 грн
5000+50.77 грн
7500+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+193.73 грн
10+120.59 грн
100+83.05 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.25 грн
10+106.33 грн
100+72.80 грн
500+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.60 грн
10+143.20 грн
100+99.33 грн
500+75.62 грн
1000+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC epc2110_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.19 грн
10+196.55 грн
100+138.88 грн
500+107.21 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+135.30 грн
2000+122.88 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.31 грн
10+235.43 грн
100+168.17 грн
500+141.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2090 EPC2090_datasheet.pdf
EPC2090
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 1901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2091 EPC2091_datasheet.pdf
EPC2091
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2092
EPC2092
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+717.56 грн
10+477.27 грн
100+356.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2106_preliminary.pdf
EPC2100ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+332.71 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+707.49 грн
10+470.33 грн
100+392.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101_preliminary.pdf
EPC2101ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+316.28 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+680.37 грн
10+451.53 грн
100+372.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102_preliminary.pdf
EPC2102ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+337.86 грн
1000+323.63 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 7834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+764.06 грн
10+508.32 грн
100+396.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENG
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+809.00 грн
10+539.21 грн
100+423.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104_preliminary.pdf
EPC2104ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+767.93 грн
10+509.66 грн
100+380.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+357.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105_preliminary.pdf
EPC2105ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 94914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+188.30 грн
10+117.15 грн
100+80.40 грн
500+60.69 грн
1000+56.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+56.23 грн
5000+50.77 грн
7500+49.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Part Status: Active
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+193.73 грн
10+120.59 грн
100+83.05 грн
500+64.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 9-VFBGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+171.25 грн
10+106.33 грн
100+72.80 грн
500+54.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 12120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+228.60 грн
10+143.20 грн
100+99.33 грн
500+75.62 грн
1000+69.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
EPC2110
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+71.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT epc2110_datasheet.pdf
EPC2110ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 120V BUMPED DIE
на замовлення 11681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.19 грн
10+196.55 грн
100+138.88 грн
500+107.21 грн
1000+99.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+100.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
EPC2111ENGRT
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]