Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (742) > Сторінка 5 з 13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+414.34 грн
10+266.79 грн
50+209.93 грн
100+179.85 грн
500+164.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+263.37 грн
2000+237.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+339.48 грн
10+171.95 грн
100+135.59 грн
500+115.81 грн
1000+103.35 грн
2000+98.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+464.59 грн
10+383.22 грн
100+319.38 грн
500+264.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+135.28 грн
10+82.48 грн
50+61.98 грн
100+51.93 грн
500+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.25 грн
10+350.54 грн
100+255.98 грн
500+232.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+617.38 грн
10+328.73 грн
100+262.39 грн
500+239.67 грн
1000+207.42 грн
2000+205.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+210.56 грн
2000+202.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+391.92 грн
10+250.79 грн
50+196.57 грн
100+168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2090 EPC2090 EPC EPC2090_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+306.98 грн
10+199.76 грн
100+121.67 грн
500+101.88 грн
1000+99.68 грн
2500+92.35 грн
5000+87.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2091 EPC2091 EPC EPC2091_datasheet.pdf GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+715.72 грн
10+483.82 грн
100+315.90 грн
500+314.43 грн
1000+285.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2092 EPC2092 EPC GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.43 грн
10+506.78 грн
100+378.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2100ENG EPC EPC2106_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+344.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+777.66 грн
10+517.58 грн
100+386.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101ENG EPC EPC2101_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.49 грн
10+525.39 грн
50+425.60 грн
100+387.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+875.62 грн
10+483.82 грн
100+408.25 грн
500+400.19 грн
1000+346.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102ENG EPC EPC2102_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+781.53 грн
10+519.74 грн
50+420.41 грн
100+380.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+846.55 грн
10+466.96 грн
100+390.66 грн
500+384.80 грн
1000+331.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+345.42 грн
1500+330.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103ENG EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+808.59 грн
10+538.79 грн
50+436.48 грн
100+397.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+359.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104ENG EPC EPC2104_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+766.07 грн
10+508.42 грн
100+379.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+356.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105ENG EPC EPC2105_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.94 грн
7500+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+204.08 грн
10+126.99 грн
50+96.85 грн
100+81.77 грн
500+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106ENGRT EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+73.87 грн
1000+65.66 грн
1500+62.88 грн
2500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107 EPC EPC2107_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.63 грн
10+127.96 грн
100+88.17 грн
500+66.76 грн
1000+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.53 грн
10+114.86 грн
100+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+414.34 грн
10+266.79 грн
50+209.93 грн
100+179.85 грн
500+164.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+263.37 грн
2000+237.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 2.25 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 3.25
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+339.48 грн
10+171.95 грн
100+135.59 грн
500+115.81 грн
1000+103.35 грн
2000+98.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+464.59 грн
10+383.22 грн
100+319.38 грн
500+264.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+135.28 грн
10+82.48 грн
50+61.98 грн
100+51.93 грн
500+41.00 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.25 грн
10+350.54 грн
100+255.98 грн
500+232.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+617.38 грн
10+328.73 грн
100+262.39 грн
500+239.67 грн
1000+207.42 грн
2000+205.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+210.56 грн
2000+202.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+391.92 грн
10+250.79 грн
50+196.57 грн
100+168.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2090 EPC2090_datasheet.pdf
EPC2090
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 5.2 mohm Rdson, 2.3 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 2139 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+306.98 грн
10+199.76 грн
100+121.67 грн
500+101.88 грн
1000+99.68 грн
2500+92.35 грн
5000+87.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2091 EPC2091_datasheet.pdf
EPC2091
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 2 mohm Rdson, 3.23 mm x 2.88 mm, Cu pillar CSP
на замовлення 900 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+715.72 грн
10+483.82 грн
100+315.90 грн
500+314.43 грн
1000+285.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2092
EPC2092
Виробник: EPC
GaN FETs 100 V eGaN FET, 3.2 mohm Rdson, 3.725 mm x 1.45 mm, Cu pillar CSP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+761.43 грн
10+506.78 грн
100+378.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2106_preliminary.pdf
EPC2100ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+344.00 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+777.66 грн
10+517.58 грн
100+386.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101_preliminary.pdf
EPC2101ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+788.49 грн
10+525.39 грн
50+425.60 грн
100+387.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge,60 V, 4.9 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 490 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+875.62 грн
10+483.82 грн
100+408.25 грн
500+400.19 грн
1000+346.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102_preliminary.pdf
EPC2102ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+781.53 грн
10+519.74 грн
50+420.41 грн
100+380.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Symetrical Half Bridge80 V, 5.5 milliohm at 5 V, BGA 6.05 x 2.3
на замовлення 734 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+846.55 грн
10+466.96 грн
100+390.66 грн
500+384.80 грн
1000+331.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+345.42 грн
1500+330.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENG
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+808.59 грн
10+538.79 грн
50+436.48 грн
100+397.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+359.37 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104_preliminary.pdf
EPC2104ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+766.07 грн
10+508.42 грн
100+379.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+356.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105_preliminary.pdf
EPC2105ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+60.94 грн
7500+53.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 15844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+204.08 грн
10+126.99 грн
50+96.85 грн
100+81.77 грн
500+65.77 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET,100 V, 70 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106ENGRT EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+73.87 грн
1000+65.66 грн
1500+62.88 грн
2500+56.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107 EPC2107_datasheet.pdf
EPC2107
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16pF @ 50V, 7pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 2A, 5V, 3.3Ohm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.16nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Active
на замовлення 4858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+205.63 грн
10+127.96 грн
100+88.17 грн
500+66.76 грн
1000+61.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
EPC2107ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
EPC2108
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+185.53 грн
10+114.86 грн
100+78.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
EPC2108ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.