| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 41140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8002ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8002TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8003ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8003TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 4114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8004ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8004TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8005ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8005TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8007ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8007TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8008ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8008TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 9787 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8009ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8009TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 9833 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC8010ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC8010TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC9001 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015 Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC9001C | EPC |
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC9002 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2001 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9002C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001CPackaging: Bulk Function: * Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9003 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010 Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9003C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2010C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
EPC9004 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012 Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9004C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2012C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9005 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2014 Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC9005C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2014C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9006 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2007 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Part Status: Obsolete Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
|
EPC9006C | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100VPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2007C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
EPC9010 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2016 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9010C | EPC |
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2016C Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90120 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2152 Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90121 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2050 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90122 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC90122 Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90123 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2218 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90124 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2207 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90128 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2044 Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9013 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90132 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055 Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2055 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90133 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2302 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90135 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2218 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90137 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065 Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2065 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability Part Status: Active Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90138 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2067Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2067 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90139 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2069Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2069 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9014 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2019Packaging: Bulk Function: * Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2019 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90140 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2304Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2304 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90141 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2071 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC90142 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302, EPC23101Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2815 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2815 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 107.64 грн |
| EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 41140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 307.04 грн |
| 10+ | 195.33 грн |
| 100+ | 138.10 грн |
| 500+ | 119.06 грн |
| EPC8002ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8002TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 104.13 грн |
| EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 300.51 грн |
| 10+ | 190.38 грн |
| 100+ | 134.40 грн |
| 500+ | 115.19 грн |
| EPC8004ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8005ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8005TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 114.64 грн |
| EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 9787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 321.74 грн |
| 10+ | 205.16 грн |
| 100+ | 145.44 грн |
| 500+ | 126.80 грн |
| EPC8009ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 9833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 215.58 грн |
| 10+ | 134.86 грн |
| 100+ | 93.33 грн |
| 500+ | 73.56 грн |
| EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 66.51 грн |
| EPC8010ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9002C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15369.95 грн |
| EPC9003 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9003C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13838.83 грн |
| EPC9004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9004C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6998.22 грн |
| EPC9005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9005C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15369.95 грн |
| EPC9006 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9006C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15180.50 грн |
| EPC9010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9010C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 15080.87 грн |
| EPC90120 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14191.60 грн |
| EPC90121 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14191.60 грн |
| EPC90122 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13757.17 грн |
| EPC90123 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13757.17 грн |
| EPC90124 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14191.60 грн |
| EPC90128 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14359.00 грн |
| EPC9013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10108.63 грн |
| EPC90132 |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2055
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2055
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14001.34 грн |
| EPC90133 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13838.02 грн |
| EPC90135 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13838.02 грн |
| EPC90137 |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2065
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2065
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13838.02 грн |
| EPC90138 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2067
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2067
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2067
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2067
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13838.02 грн |
| EPC90139 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2069
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2069
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2069
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2069
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8672.24 грн |
| EPC9014 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2019
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2019
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2019
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2019
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13757.17 грн |
| EPC90140 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2304
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2304
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2304
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2304
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13846.18 грн |
| EPC90141 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13919.68 грн |
| EPC90142 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302, EPC23101
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302, EPC23101
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13757.17 грн |





























