Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (727) > Сторінка 7 з 13

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2215 EPC2215 EPC EPC2215_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+183.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215 EPC EPC2215_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 68010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+492.41 грн
10+318.63 грн
50+251.98 грн
100+216.35 грн
500+202.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216 EPC EPC2216_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+89.87 грн
100+60.70 грн
500+45.24 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216 EPC EPC2216_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216 EPC EPC2216_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218 EPC EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+230.03 грн
3000+221.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218 EPC EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.77 грн
10+382.70 грн
50+304.65 грн
100+262.34 грн
500+254.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.44 грн
10+315.73 грн
50+249.38 грн
100+214.00 грн
500+199.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+175.01 грн
3000+163.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219 EPC EPC2219_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.40 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219 EPC EPC2219_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.29 грн
10+80.71 грн
100+62.81 грн
500+49.96 грн
1000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 EPC2221 EPC epc2221_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+81.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 EPC2221 EPC epc2221_datasheet.pdf GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 EPC2221 EPC epc2221_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.36 грн
10+158.29 грн
100+110.47 грн
500+84.46 грн
1000+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234 EPC EPC2234_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234 EPC EPC2234_datasheet.pdf Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+466.87 грн
1500+424.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234 EPC EPC2234_datasheet.pdf Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+949.14 грн
10+638.03 грн
50+519.99 грн
100+487.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.89 грн
10+119.34 грн
50+90.96 грн
100+76.75 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+57.08 грн
7500+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 EPC2302 EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 80800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+254.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 EPC2302 EPC epc2302_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 EPC2302 EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 81099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+630.38 грн
10+412.78 грн
50+329.63 грн
100+284.25 грн
500+279.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT EPC2302ENGRT EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304 EPC EPC2304_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304 EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+271.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304 EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 46007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+627.21 грн
10+411.79 грн
50+329.63 грн
100+284.53 грн
500+282.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304ENGRT EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304ENGRT EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305 EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 38901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.87 грн
10+392.24 грн
50+313.61 грн
100+270.58 грн
500+267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305 EPC EPC2305_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
на замовлення 14040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305 EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305ENGRT EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305ENGRT EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 EPC2306 EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 14919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.23 грн
10+241.59 грн
50+189.18 грн
100+161.71 грн
500+143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 EPC2306 EPC epc2306_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 11028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 EPC2306 EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT EPC2306ENGRT EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT EPC2306ENGRT EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.49 грн
10+283.59 грн
100+206.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307 EPC EPC2307_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 8073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+378.23 грн
10+241.59 грн
50+189.18 грн
100+161.71 грн
500+143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307 EPC EPC2307_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+130.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307 EPC EPC2307_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 13674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307ENGRT EPC EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307ENGRT EPC EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.61 грн
10+350.86 грн
100+256.33 грн
500+232.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.74 грн
10+262.74 грн
50+205.93 грн
100+176.12 грн
500+157.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 EPC EPC2308_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308ENGRT EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 44055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+485.27 грн
10+314.51 грн
50+248.97 грн
100+213.85 грн
500+201.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308ENGRT EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+182.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101 EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101ENGRT EPC EPC23101_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+328.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101ENGRT EPC EPC23101_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+570.12 грн
10+425.30 грн
25+394.39 грн
100+338.25 грн
250+330.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 EPC23102 EPC PdfFile_212927.pdf Gate Drivers Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 EPC23102 EPC PdfFile_212927.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+336.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 EPC23102 EPC PdfFile_212927.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+582.01 грн
10+434.31 грн
25+402.89 грн
100+345.63 грн
250+337.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102ENGRT EPC EPC23102_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102ENGRT EPC EPC23102_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103ENGRT EPC EPC23103_datasheet.pdf Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215_datasheet.pdf
EPC2215
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 67500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+183.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2215 EPC2215_datasheet.pdf
EPC2215
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 6mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1790 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 68010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+492.41 грн
10+318.63 грн
50+251.98 грн
100+216.35 грн
500+202.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216_datasheet.pdf
EPC2216
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.90 грн
10+89.87 грн
100+60.70 грн
500+45.24 грн
1000+41.47 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216_datasheet.pdf
EPC2216
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 26 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 4917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216_datasheet.pdf
EPC2216
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+38.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
EPC2218
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+230.03 грн
3000+221.16 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
EPC2218
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+586.77 грн
10+382.70 грн
50+304.65 грн
100+262.34 грн
500+254.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
EPC2218A
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 4984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
EPC2218A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.44 грн
10+315.73 грн
50+249.38 грн
100+214.00 грн
500+199.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
EPC2218A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+175.01 грн
3000+163.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219_datasheet.pdf
EPC2219
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.40 грн
5000+38.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219_datasheet.pdf
EPC2219
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+102.29 грн
10+80.71 грн
100+62.81 грн
500+49.96 грн
1000+40.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 epc2221_datasheet.pdf
EPC2221
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+81.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 epc2221_datasheet.pdf
EPC2221
Виробник: EPC
GaN FETs EPC AEC eGaN Dual FET,100 V, 58 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 epc2221_datasheet.pdf
EPC2221
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+251.36 грн
10+158.29 грн
100+110.47 грн
500+84.46 грн
1000+78.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234_datasheet.pdf
EPC2234
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,160 V, 8 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234_datasheet.pdf
EPC2234
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+466.87 грн
1500+424.13 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234_datasheet.pdf
EPC2234
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+949.14 грн
10+638.03 грн
50+519.99 грн
100+487.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+191.89 грн
10+119.34 грн
50+90.96 грн
100+76.75 грн
500+61.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 80V, 11milliohm at 5 V, 1.5 x 1.5mm BGA
на замовлення 11391 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+57.08 грн
7500+50.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 epc2302_datasheet.pdf
EPC2302
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 80800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+254.46 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 epc2302_datasheet.pdf
EPC2302
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 1.8 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 epc2302_datasheet.pdf
EPC2302
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 81099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+630.38 грн
10+412.78 грн
50+329.63 грн
100+284.25 грн
500+279.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT epc2302_datasheet.pdf
EPC2302ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 200 V, 5 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm FCQFN
на замовлення 6130 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+271.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 46007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+627.21 грн
10+411.79 грн
50+329.63 грн
100+284.53 грн
500+282.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 38901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+597.87 грн
10+392.24 грн
50+313.61 грн
100+270.58 грн
500+267.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 2.2 milliohm typ at 5 V, QFN 3 x 5mm
на замовлення 14040 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+241.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 epc2306_datasheet.pdf
EPC2306
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 14919 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.23 грн
10+241.59 грн
50+189.18 грн
100+161.71 грн
500+143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 epc2306_datasheet.pdf
EPC2306
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.1 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 11028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 epc2306_datasheet.pdf
EPC2306
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+130.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT epc2306_datasheet.pdf
EPC2306ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT epc2306_datasheet.pdf
EPC2306ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.49 грн
10+283.59 грн
100+206.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307_datasheet.pdf
EPC2307
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 8073 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+378.23 грн
10+241.59 грн
50+189.18 грн
100+161.71 грн
500+143.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307_datasheet.pdf
EPC2307
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+130.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307_datasheet.pdf
EPC2307
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 10 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 13674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d
EPC2307ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+210.60 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d
EPC2307ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 17984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+537.61 грн
10+350.86 грн
100+256.33 грн
500+232.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+134.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 5276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+410.74 грн
10+262.74 грн
50+205.93 грн
100+176.12 грн
500+157.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,150 V, 6 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN
на замовлення 5807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 44055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+485.27 грн
10+314.51 грн
50+248.97 грн
100+213.85 грн
500+201.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+182.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101_datasheet.pdf
EPC23101ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+328.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101_datasheet.pdf
EPC23101ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+570.12 грн
10+425.30 грн
25+394.39 грн
100+338.25 грн
250+330.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 PdfFile_212927.pdf
EPC23102
Виробник: EPC
Gate Drivers Integrated Circuits 100 V ePower stage in FCQFN
на замовлення 6929 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 PdfFile_212927.pdf
EPC23102
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+336.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 PdfFile_212927.pdf
EPC23102
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 7674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+582.01 грн
10+434.31 грн
25+402.89 грн
100+345.63 грн
250+337.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102_datasheet.pdf
EPC23102ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102_datasheet.pdf
EPC23102ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103_datasheet.pdf
EPC23103ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]