| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| EPC2366ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 5-PowerWQFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V |
на замовлення 443 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 12268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC2619 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC2619ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V |
на замовлення 19943 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC2801 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC2815 | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC2818 | EPC |
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8002 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8002ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8002TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8003ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8003TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8004 | EPC |
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 2737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8004ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8004TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8005ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8005TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8007ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8007TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8008ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8008TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8009 | EPC |
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 9507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8009ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8009TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 8374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8010 | EPC |
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8010 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC8010ENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC8010TENGR | EPC |
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC9001 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015 Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC9001C | EPC |
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2015C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC9002 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC9002C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001CPackaging: Bulk Function: * Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC9003 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010 Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC9003C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2010C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EPC9004 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012 Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC9004C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2012C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC9005 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2014 Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC9005C | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2014C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC9006 | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2007 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
EPC9006C | EPC |
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100VPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2007C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
EPC9010 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2016 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
EPC9010C | EPC |
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGANPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2016C Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90120 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2152 Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90121 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2050 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90122 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC90122 Supplied Contents: Board(s) Contents: Board(s) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90123 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2218 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90124 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2207 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC90128 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2044 Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
EPC9013 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001CPackaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2366ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
Description: TRANS GAN 40V DIE,0.8 MOHM,5PINQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 5-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 88A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8Ohm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: 5-QFN (3.3x2.6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2645 pF @ 20 V
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 292.09 грн |
| 10+ | 185.29 грн |
| 100+ | 131.08 грн |
| EPC2619 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 301.41 грн |
| 10+ | 191.95 грн |
| 100+ | 136.00 грн |
| 500+ | 118.42 грн |
| EPC2619 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 107.06 грн |
| EPC2619ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 119.96 грн |
| 5000+ | 110.83 грн |
| EPC2619ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 19943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 246.26 грн |
| 10+ | 199.21 грн |
| 100+ | 161.18 грн |
| 500+ | 134.46 грн |
| 1000+ | 115.13 грн |
| EPC2801 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2801 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2801 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2815 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2815 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2815 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 100.82 грн |
| EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8002ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8002TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8003TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 99.80 грн |
| EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2737 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 288.20 грн |
| 10+ | 182.45 грн |
| 100+ | 128.82 грн |
| 500+ | 110.40 грн |
| EPC8004ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8004TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8005ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| EPC8005TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8007TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8008TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 109.87 грн |
| EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 9507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 308.40 грн |
| 10+ | 196.59 грн |
| 100+ | 139.39 грн |
| 500+ | 121.53 грн |
| EPC8009ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8009TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 8374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 206.64 грн |
| 10+ | 129.19 грн |
| 100+ | 89.45 грн |
| 500+ | 70.51 грн |
| EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2500+ | 63.74 грн |
| EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 160 milliohm at 5 V, LGA 2.05 x 0.85
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 213.48 грн |
| 10+ | 136.58 грн |
| 100+ | 82.86 грн |
| 500+ | 69.74 грн |
| 1000+ | 66.50 грн |
| 2500+ | 58.69 грн |
| EPC8010ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC8010TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9001C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9002C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14621.53 грн |
| EPC9003 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9003C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13164.97 грн |
| EPC9004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9004C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6657.45 грн |
| EPC9005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9005C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14621.53 грн |
| EPC9006 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9006C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14441.30 грн |
| EPC9010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC9010C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14346.53 грн |
| EPC90120 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13022.81 грн |
| EPC90121 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13500.56 грн |
| EPC90122 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
Contents: Board(s)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13087.29 грн |
| EPC90123 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13087.29 грн |
| EPC90124 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13500.56 грн |
| EPC90128 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13659.81 грн |
| EPC9013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9443.17 грн |






















