Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC2818 | EPC |
![]() |
на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8002 | EPC |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 42500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8002 | EPC |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V |
на замовлення 44696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8002ENGR | EPC |
![]() |
на замовлення 530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8002TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8003ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8003TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8004 | EPC |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8004 | EPC |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20 |
на замовлення 3191 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8004ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8004TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8005ENGR | EPC |
![]() |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8005TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8007ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8007TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8008ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8008TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8009 | EPC |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8009 | EPC |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V |
на замовлення 5015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8009ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8009TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8010 | EPC |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8010 | EPC |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 |
на замовлення 7342 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC8010ENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC8010TENGR | EPC |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9001 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015 Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9001C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2015C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9002 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2001 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC9002C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: * Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC9003 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010 Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC9003C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2010C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9004 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012 Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC9004C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2012C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC9005 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2014 Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9005C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2014C Supplied Contents: Board(s) Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC9006 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2007 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability Embedded: No Part Status: Obsolete Contents: Board(s) Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
EPC9006C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2007C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
EPC9010 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2016 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability Embedded: No |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
![]() |
EPC9010C | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2016C Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90120 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2152 Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90121 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2050 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90122 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC90122 Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90123 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2218 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90124 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2207 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability Contents: Board(s) |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90128 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2044 Supplied Contents: Board(s) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC9013 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2001C Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90132 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055 Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2055 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90133 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2302 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90135 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2218 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90137 | EPC |
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065 Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2065 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V Part Status: Active |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90138 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2067 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90139 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2069 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output Embedded: No Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC9014 | EPC |
![]() Packaging: Bulk Function: * Type: Power Management Utilized IC / Part: EPC2019 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active Contents: Board(s) |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90140 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2304 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 61 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90141 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2071 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 35 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90142 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90143 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2305 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90145 | EPC |
![]() Packaging: Box Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2306 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90146 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC2071 Supplied Contents: Board(s) Part Status: Active |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
EPC90147 | EPC |
![]() Packaging: Box Function: Half H-Bridge Driver (External FET) Type: Power Management Contents: Board(s) Utilized IC / Part: EPC23102 Supplied Contents: Board(s) Primary Attributes: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V Embedded: No Part Status: Active |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
EPC2818 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 150V 12A BUMPED DIE
на замовлення 705 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 107.58 грн |
EPC8002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21 pF @ 32.5 V
на замовлення 44696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 307.18 грн |
10+ | 195.26 грн |
100+ | 138.02 грн |
500+ | 118.99 грн |
EPC8002ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EPC8002TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8003ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8003TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Description: GANFET N-CH 40V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3191 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 300.02 грн |
10+ | 190.28 грн |
100+ | 134.33 грн |
500+ | 115.12 грн |
EPC8004ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8004TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 4.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8005ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
EPC8005TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 2.9A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8007ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8007TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 3.8A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8008ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8008TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 40V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 114.57 грн |
EPC8009 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
Description: GANFET N-CH 65V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 52 pF @ 32.5 V
на замовлення 5015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 321.51 грн |
10+ | 204.99 грн |
100+ | 145.35 грн |
500+ | 126.73 грн |
EPC8009ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8009TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 65V 4.1A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2500+ | 66.47 грн |
EPC8010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Description: GANFET N-CH 100V 4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 500mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 55 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 215.66 грн |
10+ | 134.72 грн |
100+ | 93.29 грн |
500+ | 73.52 грн |
EPC8010ENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 2.7A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC8010TENGR |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 100V 3.4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9001 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2015
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015
Primary Attributes: 40V, 15A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9001C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Description: BOARD DEV EPC2015C 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2015C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9002 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2001
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 10A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9002C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14978.73 грн |
EPC9003 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010
Primary Attributes: 200V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9003C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2010C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2010C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13486.59 грн |
EPC9004 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2012 200V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012
Primary Attributes: 200V, 3A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9004C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2012C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2012C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 6820.09 грн |
EPC9005 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Description: BOARD DEV FOR EPC2014 40V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2014
Primary Attributes: 40V, 5A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9005C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2014C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2014C
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14978.73 грн |
EPC9006 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Description: BOARD DEV FOR EPC2007 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2007
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 5A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Part Status: Obsolete
Contents: Board(s)
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9006C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: BOARD DEV FOR EPC2007C 100V
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2007C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14794.10 грн |
EPC9010 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
Description: EVAL BOARD FOR EPC2016
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2016
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 7A Max Output GaNFET Capability
Embedded: No
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
EPC9010C |
![]() |
Виробник: EPC
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
Description: DEV BOARD EPC2016C 100V EGAN
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2016C
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14697.01 грн |
EPC90120 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2152
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2152
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90121 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
Description: EVAL BOARD FOR EPC2050
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2050
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 280V, 4A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 12V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90122 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC90122
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC90122
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90123 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90124 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2207
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2207
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 200V, 8A Max Output GaNFET Capability
Contents: Board(s)
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90128 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2044
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2044
Supplied Contents: Board(s)
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13993.52 грн |
EPC9013 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2001C
Packaging: Bulk
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2001C
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 100V, 35A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 10028.79 грн |
EPC90132 |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2055
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2055
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2055
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13993.52 грн |
EPC90133 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2302
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90135 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2218
Packaging: Box
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2218
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90137 |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2065
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2065
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2065
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 64V, 25A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90138 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2067
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2067
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2067
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2067
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90139 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2069
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2069
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2069
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2069
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 7.5V ~ 12V Supply, 40A Output
Embedded: No
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 8658.41 грн |
EPC9014 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2019
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2019
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
Description: EVAL BOARD FOR EPC2019
Packaging: Bulk
Function: *
Type: Power Management
Utilized IC / Part: EPC2019
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14510.00 грн |
EPC90140 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2304
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2304
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2304
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2304
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 160V, 30A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 10V ~ 15V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 61 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14510.00 грн |
EPC90141 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14681.10 грн |
EPC90142 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302, EPC23101
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2302, EPC23101
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2302, EPC23101
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 13830.38 грн |
EPC90143 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2305
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2305
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2305
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2305
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14510.00 грн |
EPC90145 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2306
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2306
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2306
Packaging: Box
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2306
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14681.10 грн |
EPC90146 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC2071
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC2071
Supplied Contents: Board(s)
Part Status: Active
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14510.00 грн |
EPC90147 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: EVAL BOARD FOR EPC23102
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC23102
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
Description: EVAL BOARD FOR EPC23102
Packaging: Box
Function: Half H-Bridge Driver (External FET)
Type: Power Management
Contents: Board(s)
Utilized IC / Part: EPC23102
Supplied Contents: Board(s)
Primary Attributes: 80V, 22A Max Output GaNFET Capability
Secondary Attributes: GaNFET Driver Circuit Uses 7.5V ~ 12V
Embedded: No
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 14510.00 грн |