Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (749) > Сторінка 6 з 13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107ENGRT EPC EPC2107_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108 EPC EPC2108_datasheet.pdf Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.44 грн
10+117.90 грн
100+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108ENGRT EPC EPC2108_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.11 грн
7500+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+266.84 грн
10+135.84 грн
100+103.83 грн
500+85.77 грн
1000+82.76 грн
2500+72.45 грн
5000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110 EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+253.13 грн
10+158.32 грн
50+121.63 грн
100+103.05 грн
500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110ENGRT EPC EPC2110_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+140.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111 EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.13 грн
10+256.13 грн
50+201.05 грн
100+172.04 грн
500+142.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111ENGRT EPC EPC2111_datasheet.pdf Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT EPC2112ENGRT EPC Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115ENGRT EPC EPC2115_preliminary.pdf Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Power Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
4+94.80 грн
10+67.66 грн
25+53.27 грн
100+47.10 грн
250+44.16 грн
500+42.36 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121 EPC EPC2121_datasheet.pdf Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.18 грн
10+91.54 грн
50+69.12 грн
100+58.07 грн
500+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+418.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+683.21 грн
10+511.19 грн
25+474.52 грн
100+407.52 грн
250+399.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152 EPC EPC2152_datasheet.pdf Gate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+690.79 грн
10+528.65 грн
25+427.34 грн
100+390.47 грн
250+378.44 грн
500+362.64 грн
1000+349.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+354.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152ENGRT EPC EPC2152_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.76 грн
10+499.65 грн
25+438.54 грн
100+346.73 грн
250+319.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+226.46 грн
10+167.85 грн
25+133.17 грн
100+119.63 грн
250+113.61 грн
500+111.35 грн
1000+105.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+111.60 грн
5000+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601 EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 8021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.07 грн
10+152.06 грн
25+139.25 грн
100+117.42 грн
250+111.10 грн
500+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601ENGRT EPC EPC21601_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+109.92 грн
5000+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.90 грн
10+149.77 грн
25+137.14 грн
100+115.66 грн
250+109.44 грн
500+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603 EPC EPC21603_datasheet.pdf Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+226.46 грн
10+167.85 грн
25+133.17 грн
100+119.63 грн
250+113.61 грн
500+111.35 грн
1000+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603ENGRT EPC EPC21603_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+207.90 грн
10+149.77 грн
25+137.14 грн
100+115.66 грн
250+109.44 грн
500+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+136.85 грн
5000+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.51 грн
10+185.07 грн
25+169.73 грн
100+143.45 грн
250+135.91 грн
500+134.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701 EPC EPC21701_datasheet.pdf Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+258.94 грн
10+176.50 грн
100+130.91 грн
500+128.65 грн
2500+118.12 грн
5000+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT EPC Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+313.43 грн
10+271.34 грн
25+256.50 грн
100+208.62 грн
250+197.92 грн
500+177.59 грн
1000+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC EPC21704_datasheet.pdf Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+91.63 грн
7500+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202 EPC EPC2202_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 34160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.66 грн
10+180.64 грн
50+139.80 грн
100+118.87 грн
500+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 23653 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
3+127.27 грн
10+59.27 грн
100+45.89 грн
500+35.96 грн
1000+34.83 грн
2500+29.34 грн
5000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.91 грн
7500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203 EPC EPC2203_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.03 грн
10+72.29 грн
50+54.01 грн
100+45.13 грн
500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.84 грн
7500+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+243.14 грн
10+156.60 грн
100+94.80 грн
500+80.50 грн
1000+76.74 грн
2500+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 104128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.89 грн
10+161.61 грн
50+124.18 грн
100+105.23 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC EPC2204_datasheet.pdf N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+93.70 грн
7500+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+309.85 грн
10+157.47 грн
100+124.14 грн
500+102.32 грн
1000+99.31 грн
2500+85.77 грн
5000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A EPC EPC2204A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+295.18 грн
10+185.83 грн
50+143.62 грн
100+122.01 грн
500+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.73 грн
10+271.72 грн
50+213.19 грн
100+182.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206 EPC EPC2206_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+182.40 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+258.06 грн
10+128.05 грн
100+100.06 грн
500+81.25 грн
1000+80.50 грн
2500+67.94 грн
5000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.51 грн
7500+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207 EPC EPC2207_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.23 грн
10+150.99 грн
50+116.02 грн
100+98.30 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2107ENGRT EPC2107_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108 EPC2108_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+190.44 грн
10+117.90 грн
100+80.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2108ENGRT EPC2108_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+78.11 грн
7500+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+266.84 грн
10+135.84 грн
100+103.83 грн
500+85.77 грн
1000+82.76 грн
2500+72.45 грн
5000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110 EPC2110_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+253.13 грн
10+158.32 грн
50+121.63 грн
100+103.05 грн
500+83.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2110ENGRT EPC2110_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+140.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111 EPC2111_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+399.13 грн
10+256.13 грн
50+201.05 грн
100+172.04 грн
500+142.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2111ENGRT EPC2111_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2112ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2115ENGRT EPC2115_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Power Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+94.80 грн
10+67.66 грн
25+53.27 грн
100+47.10 грн
250+44.16 грн
500+42.36 грн
1000+40.55 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+42.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2121 EPC2121_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+149.18 грн
10+91.54 грн
50+69.12 грн
100+58.07 грн
500+46.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+418.97 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+683.21 грн
10+511.19 грн
25+474.52 грн
100+407.52 грн
250+399.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152 EPC2152_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Gate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+690.79 грн
10+528.65 грн
25+427.34 грн
100+390.47 грн
250+378.44 грн
500+362.64 грн
1000+349.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+354.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2152ENGRT EPC2152_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+761.76 грн
10+499.65 грн
25+438.54 грн
100+346.73 грн
250+319.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.46 грн
10+167.85 грн
25+133.17 грн
100+119.63 грн
250+113.61 грн
500+111.35 грн
1000+105.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+111.60 грн
5000+105.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601 EPC21601_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 8021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+211.07 грн
10+152.06 грн
25+139.25 грн
100+117.42 грн
250+111.10 грн
500+109.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21601ENGRT EPC21601_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+109.92 грн
5000+103.76 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.90 грн
10+149.77 грн
25+137.14 грн
100+115.66 грн
250+109.44 грн
500+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603 EPC21603_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+226.46 грн
10+167.85 грн
25+133.17 грн
100+119.63 грн
250+113.61 грн
500+111.35 грн
1000+108.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21603ENGRT EPC21603_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+207.90 грн
10+149.77 грн
25+137.14 грн
100+115.66 грн
250+109.44 грн
500+107.45 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+136.85 грн
5000+129.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+255.51 грн
10+185.07 грн
25+169.73 грн
100+143.45 грн
250+135.91 грн
500+134.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21701 EPC21701_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.94 грн
10+176.50 грн
100+130.91 грн
500+128.65 грн
2500+118.12 грн
5000+112.85 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21702ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+313.43 грн
10+271.34 грн
25+256.50 грн
100+208.62 грн
250+197.92 грн
500+177.59 грн
1000+147.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC21704ENGRT EPC21704_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75A
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+91.63 грн
7500+86.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2202 EPC2202_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 34160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.66 грн
10+180.64 грн
50+139.80 грн
100+118.87 грн
500+98.81 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 23653 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.27 грн
10+59.27 грн
100+45.89 грн
500+35.96 грн
1000+34.83 грн
2500+29.34 грн
5000+26.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+31.91 грн
7500+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2203 EPC2203_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.03 грн
10+72.29 грн
50+54.01 грн
100+45.13 грн
500+35.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+79.84 грн
7500+72.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+243.14 грн
10+156.60 грн
100+94.80 грн
500+80.50 грн
1000+76.74 грн
2500+68.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 104128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+257.89 грн
10+161.61 грн
50+124.18 грн
100+105.23 грн
500+85.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204 EPC2204_datasheet.pdf
Виробник: EPC
N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+93.70 грн
7500+87.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+309.85 грн
10+157.47 грн
100+124.14 грн
500+102.32 грн
1000+99.31 грн
2500+85.77 грн
5000+82.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2204A EPC2204A_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+295.18 грн
10+185.83 грн
50+143.62 грн
100+122.01 грн
500+100.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.73 грн
10+271.72 грн
50+213.19 грн
100+182.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2206 EPC2206_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+182.40 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+258.06 грн
10+128.05 грн
100+100.06 грн
500+81.25 грн
1000+80.50 грн
2500+67.94 грн
5000+67.26 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+74.51 грн
7500+67.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2207 EPC2207_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.23 грн
10+150.99 грн
50+116.02 грн
100+98.30 грн
500+79.75 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.