| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
EPC2107ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
на замовлення 4617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2107ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2107ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE |
на замовлення 4617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2108 | EPC |
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 9-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35) Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2108 | EPC |
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 9-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35) Part Status: Obsolete |
на замовлення 151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2108ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
на замовлення 4690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2108ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2108ENGRT | EPC |
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2110 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA Supplier Device Package: Die |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2110 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2110 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 120V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA Supplier Device Package: Die |
на замовлення 8133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2110ENGRT | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2111 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2111 | EPC |
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active |
на замовлення 9012 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2111ENGRT | EPC |
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2111ENGRT | EPC |
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID |
на замовлення 6776 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2112ENGRT | EPC |
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: On/Off Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 32mOhm Applications: DC-DC Converters Current - Output / Channel: 10A Current - Peak Output: 40A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 160V (Max) Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1) Load Type: Inductive |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2115ENGRT | EPC |
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGAPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 10-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: On/Off Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 70mOhm Applications: DC-DC Converters Current - Output / Channel: 5A Current - Peak Output: 18A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 120V (Max) Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1) Load Type: Inductive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2115ENGRT | EPC |
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGAPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 10-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Interface: On/Off Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Low Side Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Rds On (Typ): 70mOhm Applications: DC-DC Converters Current - Output / Channel: 5A Current - Peak Output: 18A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 120V (Max) Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1) Load Type: Inductive |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC2121 | EPC |
Power Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95 |
на замовлення 1921 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2121 | EPC |
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGAPackaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2121 | EPC |
Description: IC BIDIRECT SW 100V .045OHM 4BGAPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 4287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2152 | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAFeatures: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 11V ~ 13V Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Voltage - Load: 0V ~ 60V Supplier Device Package: Die Fault Protection: Over Voltage, UVLO Load Type: Inductive, Capacitive |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2152 | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAFeatures: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Interface: PWM Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 11V ~ 13V Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS Applications: DC Motors, DC-DC Converters Current - Output / Channel: 15A Voltage - Load: 0V ~ 60V Supplier Device Package: Die Fault Protection: Over Voltage, UVLO Load Type: Inductive, Capacitive |
на замовлення 521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2152 | EPC |
Gate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage |
на замовлення 496 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2152ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAFeatures: Bootstrap Circuit Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 12-WFLGA Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 11V ~ 13V Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 12.5A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 11V ~ 13V Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59) Fault Protection: UVLO Load Type: Inductive, Capacitive |
на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2152ENGRT | EPC |
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGAFeatures: Bootstrap Circuit Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 12-WFLGA Mounting Type: Surface Mount Interface: Logic, PWM Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Output Configuration: Half Bridge Voltage - Supply: 11V ~ 13V Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS Applications: Synchronous Buck Converters Current - Output / Channel: 12.5A Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs Voltage - Load: 11V ~ 13V Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59) Fault Protection: UVLO Load Type: Inductive, Capacitive |
на замовлення 22977 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21601 | EPC |
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC |
на замовлення 1886 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21601 | EPC |
Description: IC LASER DRVR DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Type: Laser Diode Driver Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 30V Supplier Device Package: Die Number of Channels: 1 Current - Supply: 50 mA |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21601 | EPC |
Description: IC LASER DRVR DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Type: Laser Diode Driver Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 30V Supplier Device Package: Die Number of Channels: 1 Current - Supply: 50 mA |
на замовлення 8021 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21601ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPDPackaging: Tape & Reel (TR) Type: Laser Diode Driver Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V Number of Channels: 1 Current - Supply: 50 mA |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC21603 | EPC |
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGICPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Type: Laser Diode Driver Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 30V Supplier Device Package: Die Part Status: Active Number of Channels: 1 Current - Supply: 47 mA |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21603 | EPC |
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGICPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Type: Laser Diode Driver Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 30V Supplier Device Package: Die Part Status: Active Number of Channels: 1 Current - Supply: 47 mA |
на замовлення 7512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21603 | EPC |
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21603ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPDPackaging: Tape & Reel (TR) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
EPC21603ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDS 6BMPDPackaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21701 | EPC |
Description: IC LASER DRVRPackaging: Tape & Reel (TR) Type: Laser Diode Driver Voltage - Supply: 80V Part Status: Active Number of Channels: 1 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21701 | EPC |
Description: IC LASER DRVRPackaging: Cut Tape (CT) Type: Laser Diode Driver Voltage - Supply: 80V Part Status: Active Number of Channels: 1 |
на замовлення 31329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC21701 | EPC |
Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A |
на замовлення 1650 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EPC21702ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| EPC21702ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 30A Packaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
на замовлення 2290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| EPC21704ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75APackaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| EPC21704ENGRT | EPC |
Description: IC LASER DRVR GAN 80V 75APackaging: Cut Tape (CT) Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
EPC2202 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE |
на замовлення 32500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2202 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE |
на замовлення 34160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2203 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9 |
на замовлення 23653 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2203 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2203 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +5.75V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9222 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2204 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V |
на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2204 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 |
на замовлення 14783 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2204 | EPC |
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA Supplier Device Package: Die Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V |
на замовлення 104128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| EPC2204 | EPC |
N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
EPC2204A | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 17500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2204A | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5 |
на замовлення 2276 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2204A | EPC |
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20161 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2206 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 278519 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2206 | EPC |
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA Supplier Device Package: Die Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 278425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2207 | EPC |
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0 |
на замовлення 8997 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2207 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHMPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
EPC2207 | EPC |
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHMPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: GaNFET (Gallium Nitride) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA Supplier Device Package: Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): +6V, -4V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 |
на замовлення 30630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| EPC2107ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2107ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2107ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH 100V BUMPED DIE
на замовлення 4617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2108 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2108 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
Description: MOSFET 3N-CH 60V/100V 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 9-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 2.5A, 5V, 3.3Ohm @ 2.5A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: 9-BGA (1.35x1.35)
Part Status: Obsolete
на замовлення 151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 190.44 грн |
| 10+ | 117.90 грн |
| 100+ | 80.76 грн |
| EPC2108ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4690 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2108ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2108ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
Description: TRANS GAN 3N-CH BUMPED DIE
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2110 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 78.11 грн |
| 7500+ | 71.11 грн |
| EPC2110 |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
GaN FETs EPC eGaN Dual FET, Common Source, 120 V, 110 milliohm at 5 V, BGA 1.35 x 1.35
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 266.84 грн |
| 10+ | 135.84 грн |
| 100+ | 103.83 грн |
| 500+ | 85.77 грн |
| 1000+ | 82.76 грн |
| 2500+ | 72.45 грн |
| 5000+ | 67.26 грн |
| EPC2110 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 120V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 80pF @ 60V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 4A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 700µA
Supplier Device Package: Die
на замовлення 8133 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 253.13 грн |
| 10+ | 158.32 грн |
| 50+ | 121.63 грн |
| 100+ | 103.05 грн |
| 500+ | 83.60 грн |
| EPC2110ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
Description: MOSFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2111 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 140.09 грн |
| EPC2111 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 30V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230pF @ 15V, 595pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 5V, 8mOhm @ 15A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA, 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 9012 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 399.13 грн |
| 10+ | 256.13 грн |
| 50+ | 201.05 грн |
| 100+ | 172.04 грн |
| 500+ | 142.91 грн |
| EPC2111ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2111ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
Description: GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
на замовлення 6776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| EPC2112ENGRT |
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Description: IC LOW SIDE DRIVER 10A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 32mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 10A
Current - Peak Output: 40A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 160V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2115ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2115ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
Description: IC LOW SIDE DRIVER 5A 10BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 10-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: On/Off
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Low Side
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 70mOhm
Applications: DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 5A
Current - Peak Output: 18A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 120V (Max)
Supplier Device Package: 10-BGA (2.9x1.1)
Load Type: Inductive
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2121 |
![]() |
Виробник: EPC
Power Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
Power Switch ICs - Power Distribution EPC Bi-directional eGaN Power Switch,100 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.95
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 94.80 грн |
| 10+ | 67.66 грн |
| 25+ | 53.27 грн |
| 100+ | 47.10 грн |
| 250+ | 44.16 грн |
| 500+ | 42.36 грн |
| 1000+ | 40.55 грн |
| EPC2121 |
![]() |
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 42.17 грн |
| EPC2121 |
![]() |
на замовлення 4287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 149.18 грн |
| 10+ | 91.54 грн |
| 50+ | 69.12 грн |
| 100+ | 58.07 грн |
| 500+ | 46.11 грн |
| EPC2152 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 418.97 грн |
| EPC2152 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 10mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Voltage - Load: 0V ~ 60V
Supplier Device Package: Die
Fault Protection: Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 683.21 грн |
| 10+ | 511.19 грн |
| 25+ | 474.52 грн |
| 100+ | 407.52 грн |
| 250+ | 399.53 грн |
| EPC2152 |
![]() |
Виробник: EPC
Gate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
Gate Drivers EPC eGaN IC, 80 V, 15 A Integrated DrGaN Symetrical Half-Bridge Power Stage
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 690.79 грн |
| 10+ | 528.65 грн |
| 25+ | 427.34 грн |
| 100+ | 390.47 грн |
| 250+ | 378.44 грн |
| 500+ | 362.64 грн |
| 1000+ | 349.85 грн |
| EPC2152ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 354.07 грн |
| EPC2152ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
Description: IC HALF BRIDGE DRVR 12.5A 12LGA
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 12-WFLGA
Mounting Type: Surface Mount
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 11V ~ 13V
Rds On (Typ): 8.5mOhm LS, 8.5mOhm HS
Applications: Synchronous Buck Converters
Current - Output / Channel: 12.5A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 11V ~ 13V
Supplier Device Package: 12-LGA (3.85x2.59)
Fault Protection: UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive
на замовлення 22977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 761.76 грн |
| 10+ | 499.65 грн |
| 25+ | 438.54 грн |
| 100+ | 346.73 грн |
| 250+ | 319.98 грн |
| EPC21601 |
![]() |
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 10A 3.3VLOGIC
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.46 грн |
| 10+ | 167.85 грн |
| 25+ | 133.17 грн |
| 100+ | 119.63 грн |
| 250+ | 113.61 грн |
| 500+ | 111.35 грн |
| 1000+ | 105.33 грн |
| EPC21601 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 111.60 грн |
| 5000+ | 105.34 грн |
| EPC21601 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
Description: IC LASER DRVR DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
на замовлення 8021 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 211.07 грн |
| 10+ | 152.06 грн |
| 25+ | 139.25 грн |
| 100+ | 117.42 грн |
| 250+ | 111.10 грн |
| 500+ | 109.08 грн |
| EPC21601ENGRT |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
Description: IC LASER DRVR 40V 10A 3.3V 6BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 1.6V ~ 5.5V
Number of Channels: 1
Current - Supply: 50 mA
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| EPC21603 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 109.92 грн |
| 5000+ | 103.76 грн |
| EPC21603 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
Description: IC LASER DRVR 40V 10A LVDSLOGIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Type: Laser Diode Driver
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 30V
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Current - Supply: 47 mA
на замовлення 7512 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.90 грн |
| 10+ | 149.77 грн |
| 25+ | 137.14 грн |
| 100+ | 115.66 грн |
| 250+ | 109.44 грн |
| 500+ | 107.45 грн |
| EPC21603 |
![]() |
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
Laser Drivers IC LASER DRVR 40V 15A LVDS LOGIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 226.46 грн |
| 10+ | 167.85 грн |
| 25+ | 133.17 грн |
| 100+ | 119.63 грн |
| 250+ | 113.61 грн |
| 500+ | 111.35 грн |
| 1000+ | 108.34 грн |
| EPC21603ENGRT |
![]() |
на замовлення 2185 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 207.90 грн |
| 10+ | 149.77 грн |
| 25+ | 137.14 грн |
| 100+ | 115.66 грн |
| 250+ | 109.44 грн |
| 500+ | 107.45 грн |
| EPC21701 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 136.85 грн |
| 5000+ | 129.24 грн |
| EPC21701 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Description: IC LASER DRVR
Packaging: Cut Tape (CT)
Type: Laser Diode Driver
Voltage - Supply: 80V
Part Status: Active
Number of Channels: 1
на замовлення 31329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 255.51 грн |
| 10+ | 185.07 грн |
| 25+ | 169.73 грн |
| 100+ | 143.45 грн |
| 250+ | 135.91 грн |
| 500+ | 134.21 грн |
| EPC21701 |
![]() |
Виробник: EPC
Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
Laser Drivers IC LASER DRVR 80V 15A
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.94 грн |
| 10+ | 176.50 грн |
| 100+ | 130.91 грн |
| 500+ | 128.65 грн |
| 2500+ | 118.12 грн |
| 5000+ | 112.85 грн |
| EPC21702ENGRT |
на замовлення 2290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 313.43 грн |
| 10+ | 271.34 грн |
| 25+ | 256.50 грн |
| 100+ | 208.62 грн |
| 250+ | 197.92 грн |
| 500+ | 177.59 грн |
| 1000+ | 147.32 грн |
| EPC2202 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 32500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 91.63 грн |
| 7500+ | 86.02 грн |
| EPC2202 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
Description: GANFET N-CH 80V 18A DIE
на замовлення 34160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.66 грн |
| 10+ | 180.64 грн |
| 50+ | 139.80 грн |
| 100+ | 118.87 грн |
| 500+ | 98.81 грн |
| EPC2203 |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
GaN FETs EPC eGaN FET,80 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 23653 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 127.27 грн |
| 10+ | 59.27 грн |
| 100+ | 45.89 грн |
| 500+ | 35.96 грн |
| 1000+ | 34.83 грн |
| 2500+ | 29.34 грн |
| 5000+ | 26.11 грн |
| EPC2203 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 31.91 грн |
| 7500+ | 27.35 грн |
| EPC2203 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.75V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.83 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 88 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 119.03 грн |
| 10+ | 72.29 грн |
| 50+ | 54.01 грн |
| 100+ | 45.13 грн |
| 500+ | 35.38 грн |
| EPC2204 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 79.84 грн |
| 7500+ | 72.80 грн |
| EPC2204 |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 14783 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.14 грн |
| 10+ | 156.60 грн |
| 100+ | 94.80 грн |
| 500+ | 80.50 грн |
| 1000+ | 76.74 грн |
| 2500+ | 68.16 грн |
| EPC2204 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Description: TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
на замовлення 104128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 257.89 грн |
| 10+ | 161.61 грн |
| 50+ | 124.18 грн |
| 100+ | 105.23 грн |
| 500+ | 85.41 грн |
| EPC2204 |
![]() |
Виробник: EPC
N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
N-Channel 100 V 29A (Ta) Surface Mount Die Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| EPC2204A |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 93.70 грн |
| 7500+ | 87.36 грн |
| EPC2204A |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 6 milliohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 2276 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.85 грн |
| 10+ | 157.47 грн |
| 100+ | 124.14 грн |
| 500+ | 102.32 грн |
| 1000+ | 99.31 грн |
| 2500+ | 85.77 грн |
| 5000+ | 82.01 грн |
| EPC2204A |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
Description: TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 851 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 295.18 грн |
| 10+ | 185.83 грн |
| 50+ | 143.62 грн |
| 100+ | 122.01 грн |
| 500+ | 100.35 грн |
| EPC2206 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 423.73 грн |
| 10+ | 271.72 грн |
| 50+ | 213.19 грн |
| 100+ | 182.38 грн |
| EPC2206 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1940 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 278425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 182.40 грн |
| EPC2207 |
![]() |
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 22 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
на замовлення 8997 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 258.06 грн |
| 10+ | 128.05 грн |
| 100+ | 100.06 грн |
| 500+ | 81.25 грн |
| 1000+ | 80.50 грн |
| 2500+ | 67.94 грн |
| 5000+ | 67.26 грн |
| EPC2207 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2500+ | 74.51 грн |
| 7500+ | 67.84 грн |
| EPC2207 |
![]() |
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
Description: TRANS GAN 200V DIE .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 14A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 30630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 241.23 грн |
| 10+ | 150.99 грн |
| 50+ | 116.02 грн |
| 100+ | 98.30 грн |
| 500+ | 79.75 грн |

































