Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (593) > Сторінка 6 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2216 EPC2216 EPC EPC2216_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216 EPC EPC2216_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.79 грн
10+94.73 грн
100+63.99 грн
500+47.69 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218 EPC EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218 EPC EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+534.92 грн
10+348.74 грн
100+263.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A EPC EPC2218A_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+444.65 грн
10+287.73 грн
100+207.78 грн
500+194.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219 EPC EPC2219_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.69 грн
5000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219 EPC EPC2219_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+107.82 грн
10+85.07 грн
100+66.21 грн
500+52.66 грн
1000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 EPC2221 EPC epc2221_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 EPC2221 EPC epc2221_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.95 грн
10+166.85 грн
100+116.45 грн
500+89.03 грн
1000+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234 EPC Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+986.25 грн
10+662.80 грн
100+500.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234 EPC2234 EPC Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+489.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.13 грн
5000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252 EPC EPC2252_datasheet.pdf Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+185.55 грн
10+115.34 грн
100+79.00 грн
500+59.57 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 EPC2302 EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 151241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+579.22 грн
10+378.92 грн
100+292.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 EPC2302 EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+264.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT EPC2302ENGRT EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT EPC2302ENGRT EPC epc2302_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304 EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+270.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304 EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 7069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+621.01 грн
10+407.98 грн
100+319.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304ENGRT EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304ENGRT EPC EPC2304_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305 EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+257.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305 EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+595.10 грн
10+389.87 грн
100+303.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305ENGRT EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305ENGRT EPC EPC2305_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 EPC2306 EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+134.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 EPC2306 EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 25096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.41 грн
10+233.33 грн
100+166.43 грн
500+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT EPC2306ENGRT EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+452.17 грн
10+292.32 грн
100+211.31 грн
500+198.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT EPC2306ENGRT EPC epc2306_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307 EPC EPC2307_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.76 грн
10+235.02 грн
100+167.67 грн
500+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307 EPC EPC2307_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+135.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307ENGRT EPC EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 21535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+548.29 грн
10+357.60 грн
100+270.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307ENGRT EPC EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+229.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+138.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308 EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+374.44 грн
10+239.36 грн
100+171.00 грн
500+153.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308ENGRT EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+192.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308ENGRT EPC EPC2308_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 46402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.59 грн
10+311.56 грн
100+227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101ENGRT EPC EPC23101_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+588.41 грн
10+439.13 грн
25+407.19 грн
100+349.23 грн
250+333.55 грн
500+324.09 грн
1000+311.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101ENGRT EPC EPC23101_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+317.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 EPC23102 EPC Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+344.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102 EPC23102 EPC Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+596.77 грн
10+445.41 грн
25+413.11 грн
100+354.42 грн
250+338.55 грн
500+328.99 грн
1000+315.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102ENGRT EPC EPC23102_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102ENGRT EPC EPC23102_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103ENGRT EPC EPC23103_datasheet.pdf Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103ENGRT EPC EPC23103_datasheet.pdf Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.99 грн
10+389.55 грн
25+371.46 грн
100+302.68 грн
250+289.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104 EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104 EPC23104 EPC Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.55 грн
10+259.16 грн
25+238.82 грн
100+203.17 грн
250+193.18 грн
500+187.16 грн
1000+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104ENGRT EPC EPC23104_datasheet.pdf Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 26858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.55 грн
10+259.16 грн
25+238.82 грн
100+203.17 грн
250+193.18 грн
500+187.16 грн
1000+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361ENGRT EPC EPC2361_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619 EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 13415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+330.98 грн
10+210.31 грн
100+149.02 грн
500+129.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 19943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.95 грн
10+214.33 грн
100+173.42 грн
500+144.67 грн
1000+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619ENGRT EPC EPC2619_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+129.07 грн
5000+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801 EPC EPC2801_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815 EPC EPC2815_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216_datasheet.pdf
EPC2216
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+40.47 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2216 EPC2216_datasheet.pdf
EPC2216
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 118 pF @ 7.5 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+153.79 грн
10+94.73 грн
100+63.99 грн
500+47.69 грн
1000+43.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
EPC2218
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+223.92 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218 EPC2218_datasheet.pdf?ver=C-R46UeqE-iEjg6gr7hUEg%3d%3d
EPC2218
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+534.92 грн
10+348.74 грн
100+263.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
EPC2218A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+175.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2218A EPC2218A_datasheet.pdf
EPC2218A
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+444.65 грн
10+287.73 грн
100+207.78 грн
500+194.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219_datasheet.pdf
EPC2219
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.69 грн
5000+40.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2219 EPC2219_datasheet.pdf
EPC2219
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 59mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 65 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.064 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10 pF @ 32.5 V
на замовлення 7999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+107.82 грн
10+85.07 грн
100+66.21 грн
500+52.66 грн
1000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 epc2221_datasheet.pdf
EPC2221
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2221 epc2221_datasheet.pdf
EPC2221
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 100V 5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 4109 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.95 грн
10+166.85 грн
100+116.45 грн
500+89.03 грн
1000+82.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234
EPC2234
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+986.25 грн
10+662.80 грн
100+500.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2234
EPC2234
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN AEC 160V .008OHM 24BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 24-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 24-BGA (4.6x2.6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +5.5V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 160 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1386 pF @ 100 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+489.55 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.13 грн
5000+51.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2252 EPC2252_datasheet.pdf
EPC2252
Виробник: EPC
Description: TRANSGAN 80V.011OHM AECQ101 9BGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA
Supplier Device Package: Die
Grade: Automotive
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 576 pF @ 50 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+185.55 грн
10+115.34 грн
100+79.00 грн
500+59.57 грн
1000+59.44 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 epc2302_datasheet.pdf
EPC2302
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 151241 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+579.22 грн
10+378.92 грн
100+292.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302 epc2302_datasheet.pdf
EPC2302
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+264.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT epc2302_datasheet.pdf
EPC2302ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2302ENGRT epc2302_datasheet.pdf
EPC2302ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 101A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+270.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304 EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
на замовлення 7069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+621.01 грн
10+407.98 грн
100+319.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2304ENGRT EPC2304_datasheet.pdf
EPC2304ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.1mOhm @ 32A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 8mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3195 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+257.17 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305 EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 102A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4165 pF @ 75 V
на замовлення 21038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.10 грн
10+389.87 грн
100+303.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2305ENGRT EPC2305_datasheet.pdf
EPC2305ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .003OHM 3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): 6V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 75 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 epc2306_datasheet.pdf
EPC2306
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+134.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306 epc2306_datasheet.pdf
EPC2306
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 25096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+364.41 грн
10+233.33 грн
100+166.43 грн
500+148.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT epc2306_datasheet.pdf
EPC2306ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+452.17 грн
10+292.32 грн
100+211.31 грн
500+198.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2306ENGRT epc2306_datasheet.pdf
EPC2306ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0038OHM3X5MM QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2366 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307_datasheet.pdf
EPC2307
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 5892 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+367.76 грн
10+235.02 грн
100+167.67 грн
500+149.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307 EPC2307_datasheet.pdf
EPC2307
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+135.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d
EPC2307ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 21535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+548.29 грн
10+357.60 грн
100+270.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2307ENGRT EPC2307_datasheet.pdf?ver=fMAB7MZgiHweLm5wyKPLlg%3d%3d
EPC2307ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V .010OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1401 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+229.64 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+138.83 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308 EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 8909 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+374.44 грн
10+239.36 грн
100+171.00 грн
500+153.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+192.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2308ENGRT EPC2308_datasheet.pdf
EPC2308ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V .006OHM 3X5PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 7-PowerWQFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: 7-QFN (3x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103 pF @ 75 V
на замовлення 46402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+480.59 грн
10+311.56 грн
100+227.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101_datasheet.pdf
EPC23101ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 4782 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+588.41 грн
10+439.13 грн
25+407.19 грн
100+349.23 грн
250+333.55 грн
500+324.09 грн
1000+311.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23101ENGRT EPC23101_datasheet.pdf
EPC23101ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V EPOWER STAGE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 14-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 3.3mOhm
Applications: General Purpose
Current - Output / Channel: 65A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 14-QFN (3.5x5)
Fault Protection: ESD, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+317.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102
EPC23102
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+344.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102
EPC23102
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 6.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 35A
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
на замовлення 8029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+596.77 грн
10+445.41 грн
25+413.11 грн
100+354.42 грн
250+338.55 грн
500+328.99 грн
1000+315.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102_datasheet.pdf
EPC23102ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23102ENGRT EPC23102_datasheet.pdf
EPC23102ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 35A 13WQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic, PWM
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Rds On (Typ): 5.2mOhm LS, 5.2mOhm HS
Applications: AC Motors, DC Motors, DC-DC Converters, General Purpose
Current - Output / Channel: 35A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: Current Limiting, ESD, Over Voltage, UVLO
Load Type: Inductive, Capacitive, Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103_datasheet.pdf
EPC23103ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23103ENGRT EPC23103_datasheet.pdf
EPC23103ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPOWER STAGE 100V 20A
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 25A
Current - Peak Output: 109A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+447.99 грн
10+389.55 грн
25+371.46 грн
100+302.68 грн
250+289.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104
EPC23104
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104
EPC23104
Виробник: EPC
Description: IC GAN EPWR STAGE 100V 10A 13QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: NMOS
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.55 грн
10+259.16 грн
25+238.82 грн
100+203.17 грн
250+193.18 грн
500+187.16 грн
1000+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+194.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC23104ENGRT EPC23104_datasheet.pdf
EPC23104ENGRT
Виробник: EPC
Description: IC HALF BRIDGE DRIVER 15A 13WQFN
Features: Bootstrap Circuit, Slew Rate Controlled
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-PowerWFQFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Interface: Logic
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Half Bridge
Voltage - Supply: 10V ~ 80V
Rds On (Typ): 7.6mOhm LS + HS
Applications: DC Motors, DC-DC Converters
Current - Output / Channel: 15A
Current - Peak Output: 78A
Technology: Gallium Nitride (GaN) FETs
Voltage - Load: 10V ~ 80V
Supplier Device Package: 13-WQFN-HR (3.5x5)
Fault Protection: ESD, Over Voltage, Short Circuit
Load Type: Capacitive and Resistive
на замовлення 26858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+353.55 грн
10+259.16 грн
25+238.82 грн
100+203.17 грн
250+193.18 грн
500+187.16 грн
1000+179.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2361ENGRT EPC2361_datasheet.pdf
EPC2361ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .001OHM 7QFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+117.31 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619 EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0042 OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 13415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+330.98 грн
10+210.31 грн
100+149.02 грн
500+129.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 19943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+264.95 грн
10+214.33 грн
100+173.42 грн
500+144.67 грн
1000+123.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2619ENGRT EPC2619_datasheet.pdf
EPC2619ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V .0033OHM 6LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 50 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+129.07 грн
5000+119.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2801 EPC2801_datasheet.pdf
EPC2801
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 25A BUMPED DIE
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2815 EPC2815_datasheet.pdf
EPC2815
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 33A BUMPED DIE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]