Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (623) > Сторінка 3 з 11

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+559.51 грн
10+367.04 грн
100+286.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+243.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC EPC2031_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+250.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+571.86 грн
10+376.04 грн
100+295.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032ENGR EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+366.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+775.60 грн
10+516.57 грн
100+386.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033ENGR EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+318.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+689.93 грн
10+457.93 грн
100+378.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034ENGR EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 27593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.11 грн
10+78.63 грн
100+53.05 грн
500+39.50 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.10 грн
5000+32.41 грн
7500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.94 грн
5000+33.16 грн
7500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+131.20 грн
10+80.41 грн
100+54.28 грн
500+40.42 грн
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.62 грн
5000+32.87 грн
7500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 78269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.42 грн
10+79.74 грн
100+53.82 грн
500+40.08 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 120286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.42 грн
10+79.74 грн
100+53.82 грн
500+40.08 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.72 грн
5000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 25702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+156.66 грн
10+96.91 грн
100+66.05 грн
500+49.61 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.03 грн
5000+28.69 грн
7500+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 10801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.76 грн
10+70.90 грн
100+47.56 грн
500+35.24 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+162.84 грн
10+100.47 грн
100+68.62 грн
500+51.63 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+134.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+319.50 грн
10+203.92 грн
100+145.00 грн
500+127.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+448.38 грн
10+291.02 грн
100+214.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+128.05 грн
10+80.47 грн
100+46.99 грн
500+37.25 грн
1000+34.37 грн
2500+30.60 грн
5000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+33.83 грн
5000+30.33 грн
7500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+559.51 грн
10+367.04 грн
100+286.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+243.29 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031_preliminary.pdf
EPC2031ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+250.79 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 3651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+571.86 грн
10+376.04 грн
100+295.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+366.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+775.60 грн
10+516.57 грн
100+386.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+318.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 4742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+689.93 грн
10+457.93 грн
100+378.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 27593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.11 грн
10+78.63 грн
100+53.05 грн
500+39.50 грн
1000+36.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.10 грн
5000+32.41 грн
7500+32.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.94 грн
5000+33.16 грн
7500+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 22116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+131.20 грн
10+80.41 грн
100+54.28 грн
500+40.42 грн
1000+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 77500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.62 грн
5000+32.87 грн
7500+32.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 78269 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.42 грн
10+79.74 грн
100+53.82 грн
500+40.08 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 120286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+130.42 грн
10+79.74 грн
100+53.82 грн
500+40.08 грн
1000+37.46 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 117500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.72 грн
5000+42.21 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 25702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+156.66 грн
10+96.91 грн
100+66.05 грн
500+49.61 грн
1000+48.48 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+32.03 грн
5000+28.69 грн
7500+27.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 10801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+115.76 грн
10+70.90 грн
100+47.56 грн
500+35.24 грн
1000+32.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC2040_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+162.84 грн
10+100.47 грн
100+68.62 грн
500+51.63 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 37500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+134.15 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 40002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+319.50 грн
10+203.92 грн
100+145.00 грн
500+127.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+181.63 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 8283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+448.38 грн
10+291.02 грн
100+214.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+128.05 грн
10+80.47 грн
100+46.99 грн
500+37.25 грн
1000+34.37 грн
2500+30.60 грн
5000+29.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+33.83 грн
5000+30.33 грн
7500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]