Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (687) > Сторінка 3 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2025 EPC Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025ENGR EPC EPC2025_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+314.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.15 грн
10+454.15 грн
100+370.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029ENGR EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+655.08 грн
10+430.45 грн
100+317.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030ENGR EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+249.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+573.59 грн
10+376.28 грн
100+293.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC EPC2031_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+263.38 грн
1000+243.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+617.11 грн
10+405.84 грн
100+299.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032ENGR EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+795.12 грн
10+529.57 грн
100+396.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+375.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033ENGR EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+744.48 грн
10+494.37 грн
100+381.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+375.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034ENGR EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 7164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 27357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 225660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 225590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC EPC2037_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 119329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.94 грн
5000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.72 грн
5000+44.80 грн
7500+43.23 грн
12500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025_datasheet.pdf
EPC2025ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+314.40 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.15 грн
10+454.15 грн
100+370.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.08 грн
10+430.45 грн
100+317.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+234.35 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+249.41 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 14113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.59 грн
10+376.28 грн
100+293.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031_preliminary.pdf
EPC2031ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+263.38 грн
1000+243.62 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+617.11 грн
10+405.84 грн
100+299.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+795.12 грн
10+529.57 грн
100+396.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+375.83 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+744.48 грн
10+494.37 грн
100+381.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+375.37 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 7164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 27357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 8642 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.80 грн
5000+32.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 225660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 225590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.87 грн
5000+35.79 грн
7500+34.47 грн
12500+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037ENGR EPC2037_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V BUMPED DIE
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+39.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 119329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.83 грн
10+86.85 грн
100+58.59 грн
500+43.63 грн
1000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3300 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 11386 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+148.50 грн
10+93.81 грн
100+54.71 грн
500+43.39 грн
1000+39.80 грн
2500+35.94 грн
5000+35.37 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+49.72 грн
5000+44.80 грн
7500+43.23 грн
12500+40.26 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]