Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (749) > Сторінка 3 з 13

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+805.78 грн
10+444.72 грн
100+363.39 грн
500+303.20 грн
1000+296.43 грн
2500+293.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+699.87 грн
10+462.44 грн
50+371.85 грн
100+326.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf
на замовлення 790 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+758.38 грн
10+412.71 грн
100+335.55 грн
500+285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+302.99 грн
1500+284.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025 EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025 EPC Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025ENGR EPC EPC2025_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+687.17 грн
10+455.49 грн
100+371.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf
на замовлення 340 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+859.32 грн
10+473.27 грн
100+394.99 грн
500+335.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+315.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029ENGR EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.02 грн
10+431.73 грн
100+318.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+235.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030ENGR EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+622.90 грн
10+408.80 грн
100+300.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+677.63 грн
10+364.25 грн
100+291.92 грн
500+246.77 грн
1000+245.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031 EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+264.63 грн
1000+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031ENGR EPC EPC2031_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031ENGRT EPC EPC2031_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.45 грн
10+445.71 грн
50+357.01 грн
100+308.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf
на замовлення 478 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+711.86 грн
10+396.27 грн
100+318.25 грн
500+268.59 грн
1000+257.31 грн
2500+255.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032 EPC EPC2032_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+289.27 грн
1500+267.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032ENGR EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032ENGRT EPC EPC2032_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+372.07 грн
1500+357.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+839.53 грн
10+559.10 грн
50+452.49 грн
100+410.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033 EPC EPC2033_datasheet.pdf
на замовлення 300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+907.60 грн
10+514.80 грн
100+432.61 грн
500+353.61 грн
1000+349.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033ENGR EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033ENGRT EPC EPC2033_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034 EPC EPC2034_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.69 грн
10+495.83 грн
100+382.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+898.82 грн
10+496.63 грн
100+419.06 грн
500+397.25 грн
1000+373.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C EPC EPC2034C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+376.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034ENGR EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034ENGRT EPC EPC2034_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.59 грн
10+90.93 грн
50+68.59 грн
100+57.60 грн
500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035 EPC EPC2035_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036 EPC EPC2036_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 28858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+147.59 грн
10+90.93 грн
50+68.59 грн
100+57.60 грн
500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 26880 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037 EPC EPC2037_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
на замовлення 496 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+805.78 грн
10+444.72 грн
100+363.39 грн
500+303.20 грн
1000+296.43 грн
2500+293.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3587 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+699.87 грн
10+462.44 грн
50+371.85 грн
100+326.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
на замовлення 790 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+758.38 грн
10+412.71 грн
100+335.55 грн
500+285.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+302.99 грн
1500+284.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025_datasheet.pdf
EPC2025ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+687.17 грн
10+455.49 грн
100+371.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
на замовлення 340 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+859.32 грн
10+473.27 грн
100+394.99 грн
500+335.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+315.33 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+657.02 грн
10+431.73 грн
100+318.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+235.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+622.90 грн
10+408.80 грн
100+300.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 2.6 milliohm at 5 V, BGA 4.6 x 2.6
на замовлення 450 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+677.63 грн
10+364.25 грн
100+291.92 грн
500+246.77 грн
1000+245.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031 EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+264.63 грн
1000+243.87 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGR EPC2031_preliminary.pdf
EPC2031ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 31A BUMPED DIE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2031ENGRT EPC2031_datasheet.pdf
EPC2031ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 60V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.6mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 15mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 300 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5668 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+678.45 грн
10+445.71 грн
50+357.01 грн
100+308.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
на замовлення 478 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+711.86 грн
10+396.27 грн
100+318.25 грн
500+268.59 грн
1000+257.31 грн
2500+255.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032 EPC2032_datasheet.pdf
EPC2032
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 11mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1530 pF @ 50 V
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+289.27 грн
1500+267.57 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGR EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
на замовлення 356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2032ENGRT EPC2032_preliminary.pdf
EPC2032ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 48A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+372.07 грн
1500+357.11 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 75 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75
на замовлення 3760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+839.53 грн
10+559.10 грн
50+452.49 грн
100+410.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033 EPC2033_datasheet.pdf
EPC2033
Виробник: EPC
на замовлення 300 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+907.60 грн
10+514.80 грн
100+432.61 грн
500+353.61 грн
1000+349.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGR EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2033ENGRT EPC2033_preliminary.pdf
EPC2033ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034 EPC2034_datasheet.pdf
EPC2034
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7068 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+746.69 грн
10+495.83 грн
100+382.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
на замовлення 1097 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+898.82 грн
10+496.63 грн
100+419.06 грн
500+397.25 грн
1000+373.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034C EPC2034C_datasheet.pdf
EPC2034C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 20A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+376.48 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGR EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2034ENGRT EPC2034_preliminary.pdf
EPC2034ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 800µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 115 pF @ 30 V
на замовлення 18466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.59 грн
10+90.93 грн
50+68.59 грн
100+57.60 грн
500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2035 EPC2035_datasheet.pdf
EPC2035
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,60 V, 45 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 3852 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 73 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 10812 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2036 EPC2036_datasheet.pdf
EPC2036
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.91 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 28858 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+147.59 грн
10+90.93 грн
50+68.59 грн
100+57.60 грн
500+45.71 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 550 milliohm at 5 V, BGA 0.9 x 0.9
на замовлення 26880 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.87 грн
10+75.88 грн
100+58.53 грн
500+46.42 грн
1000+44.46 грн
2500+38.30 грн
5000+34.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2037 EPC2037_datasheet.pdf
EPC2037
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 80µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+41.77 грн
7500+36.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.