Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (727) > Сторінка 2 з 13

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2010ENGR EPC EPC2010_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+90.95 грн
7500+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 11573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+285.45 грн
10+180.20 грн
50+139.32 грн
100+118.37 грн
500+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013 EPC Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.34 грн
10+100.79 грн
50+76.36 грн
100+64.24 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.07 грн
7500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+438.49 грн
10+282.21 грн
50+222.43 грн
100+190.68 грн
500+175.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+83.67 грн
7500+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 63089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.01 грн
10+167.98 грн
50+129.39 грн
100+109.76 грн
500+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018 EPC EPC2018_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 20226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+390.12 грн
10+249.38 грн
50+195.09 грн
100+166.68 грн
500+147.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+142.44 грн
3000+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+701.74 грн
10+463.48 грн
50+372.79 грн
100+327.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+303.88 грн
1500+285.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020ENG EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+735.84 грн
10+487.92 грн
100+374.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+317.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021ENG EPC EPC2021_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+749.32 грн
10+496.93 грн
50+400.84 грн
100+357.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022ENG EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+708.09 грн
10+467.83 грн
50+376.42 грн
100+331.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+307.01 грн
1500+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2010ENGR EPC2010_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 12A BUMPED DIE
на замовлення 734 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+90.95 грн
7500+84.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 11573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+285.45 грн
10+180.20 грн
50+139.32 грн
100+118.37 грн
500+97.50 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 31655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.34 грн
10+100.79 грн
50+76.36 грн
100+64.24 грн
500+51.24 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
на замовлення 7184 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.07 грн
7500+40.83 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 8524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+438.49 грн
10+282.21 грн
50+222.43 грн
100+190.68 грн
500+175.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+158.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
EPC2016
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 62500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+83.67 грн
7500+76.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 63089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+268.01 грн
10+167.98 грн
50+129.39 грн
100+109.76 грн
500+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018_datasheet.pdf
EPC2018
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 20226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+390.12 грн
10+249.38 грн
50+195.09 грн
100+166.68 грн
500+147.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+142.44 грн
3000+128.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+701.74 грн
10+463.48 грн
50+372.79 грн
100+327.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+303.88 грн
1500+285.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+735.84 грн
10+487.92 грн
100+374.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+317.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021_preliminary.pdf
EPC2021ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+749.32 грн
10+496.93 грн
50+400.84 грн
100+357.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+323.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
Виробник: EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+708.09 грн
10+467.83 грн
50+376.42 грн
100+331.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
500+307.01 грн
1500+288.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]