Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (593) > Сторінка 2 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013 EPC Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.38 грн
5000+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 12967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+157.33 грн
10+97.20 грн
100+65.99 грн
500+49.40 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+163.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+422.31 грн
10+272.07 грн
100+195.87 грн
500+180.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.96 грн
10+151.66 грн
100+105.58 грн
500+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018 EPC EPC2018_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 48613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+354.41 грн
10+226.78 грн
100+161.53 грн
500+143.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+337.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+746.90 грн
10+493.26 грн
100+365.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020ENG EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+802.38 грн
10+532.09 грн
100+396.20 грн
500+334.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+299.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021ENG EPC EPC2021_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 11555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+771.74 грн
10+511.60 грн
100+380.88 грн
500+321.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+356.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022ENG EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+682.32 грн
10+451.00 грн
100+364.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+671.55 грн
10+443.66 грн
100+357.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+303.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025 EPC Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025ENGR EPC EPC2025_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+329.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029 EPC EPC2029_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+717.09 грн
10+475.32 грн
100+387.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029ENGR EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029ENGRT EPC EPC2029_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+685.63 грн
10+450.52 грн
100+332.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030 EPC EPC2030_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+245.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030ENGR EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030ENGRT EPC EPC2030_preliminary.pdf Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.38 грн
5000+41.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 12967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+157.33 грн
10+97.20 грн
100+65.99 грн
500+49.40 грн
1000+47.47 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+163.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 11874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+422.31 грн
10+272.07 грн
100+195.87 грн
500+180.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
EPC2016
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 5025 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+240.96 грн
10+151.66 грн
100+105.58 грн
500+85.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018_datasheet.pdf
EPC2018
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 48613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+354.41 грн
10+226.78 грн
100+161.53 грн
500+143.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+129.63 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+337.50 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+746.90 грн
10+493.26 грн
100+365.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 4176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+802.38 грн
10+532.09 грн
100+396.20 грн
500+334.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+299.24 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021_preliminary.pdf
EPC2021ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 11555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+771.74 грн
10+511.60 грн
100+380.88 грн
500+321.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+356.12 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 342 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+682.32 грн
10+451.00 грн
100+364.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+671.55 грн
10+443.66 грн
100+357.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+303.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025ENGR EPC2025_datasheet.pdf
EPC2025ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 300V 4A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+329.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029 EPC2029_datasheet.pdf
EPC2029
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 40 V
на замовлення 13901 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+717.09 грн
10+475.32 грн
100+387.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGR EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2029ENGRT EPC2029_preliminary.pdf
EPC2029ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
на замовлення 1807 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+685.63 грн
10+450.52 грн
100+332.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030 EPC2030_datasheet.pdf
EPC2030
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+245.28 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGR EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 31A BUMPED DIE
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2030ENGRT EPC2030_preliminary.pdf
EPC2030ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 31A DIE
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]