Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (687) > Сторінка 2 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012 EPC EPC2012_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+261.73 грн
10+169.84 грн
100+103.38 грн
500+90.72 грн
1000+87.20 грн
2500+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+266.62 грн
10+168.45 грн
100+117.88 грн
500+91.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+84.99 грн
5000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012CENGR EPC EPC2012C_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013 EPC Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014 EPC EPC2014_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+159.02 грн
10+97.75 грн
100+66.39 грн
500+49.69 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C EPC EPC2014C_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+155.07 грн
10+98.67 грн
100+58.02 грн
500+46.27 грн
1000+43.60 грн
2500+38.33 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015 EPC EPC2015_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+430.39 грн
10+277.16 грн
100+199.53 грн
500+172.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C EPC EPC2015C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+155.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015CENGR EPC EPC2015C_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC EPC2016_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 60538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.47 грн
10+153.74 грн
100+107.00 грн
500+81.70 грн
1000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C EPC EPC2016C_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+76.55 грн
5000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018 EPC EPC2018_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 28898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.81 грн
10+228.18 грн
100+162.50 грн
500+134.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019 EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+130.32 грн
2000+117.94 грн
3000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019ENG EPC EPC2019_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+322.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020 EPC EPC2020_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+713.63 грн
10+471.29 грн
100+349.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020ENG EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020ENGR EPC EPC2020_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+734.20 грн
10+486.83 грн
100+373.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021 EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+316.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021ENG EPC EPC2021_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021ENGR EPC EPC2021_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+678.03 грн
10+449.42 грн
100+368.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022 EPC EPC2022_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+312.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022ENG EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC EPC2022_preliminary.pdf TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+686.73 грн
10+453.69 грн
100+342.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023 EPC EPC2023_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+297.74 грн
1000+280.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023ENG EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023ENGR EPC EPC2023_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+641.63 грн
10+423.90 грн
100+341.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024 EPC EPC2024_datasheet.pdf Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+289.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025 EPC Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012 EPC2012_datasheet.pdf
EPC2012
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 3A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 100 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 0.9
на замовлення 4429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+261.73 грн
10+169.84 грн
100+103.38 грн
500+90.72 грн
1000+87.20 грн
2500+77.36 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+266.62 грн
10+168.45 грн
100+117.88 грн
500+91.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012C EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+84.99 грн
5000+79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2012CENGR EPC2012C_datasheet.pdf
EPC2012CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2013
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 150V 10MO BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014 EPC2014_datasheet.pdf
EPC2014
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+45.65 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 10A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 20 V
на замовлення 4418 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+159.02 грн
10+97.75 грн
100+66.39 грн
500+49.69 грн
1000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2014C EPC2014C_datasheet.pdf
EPC2014C
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 16 milliohm at 5 V, LGA 1.7 x 1.1
на замовлення 16205 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+155.07 грн
10+98.67 грн
100+58.02 грн
500+46.27 грн
1000+43.60 грн
2500+38.33 грн
5000+37.76 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015 EPC2015_datasheet.pdf
EPC2015
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 33A DIE OUTLINE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 11365 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+430.39 грн
10+277.16 грн
100+199.53 грн
500+172.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015C EPC2015C_datasheet.pdf
EPC2015C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 53A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 33A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.7 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+155.75 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2015CENGR EPC2015C_preliminary.pdf
EPC2015CENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 40V 36A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
EPC2016
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 11A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.2 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016 EPC2016_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 60538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+244.47 грн
10+153.74 грн
100+107.00 грн
500+81.70 грн
1000+80.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2016C EPC2016C_datasheet.pdf
EPC2016C
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 18A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 420 pF @ 50 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+76.55 грн
5000+70.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2018 EPC2018_datasheet.pdf
EPC2018
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 150V 12A DIE
Vgs (Max): +6V, -5V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 28898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+356.81 грн
10+228.18 грн
100+162.50 грн
500+134.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019 EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 7A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 288 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+130.32 грн
2000+117.94 грн
3000+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2019ENG EPC2019_datasheet.pdf
EPC2019ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V 8.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+322.46 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020 EPC2020_datasheet.pdf
EPC2020
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 60V 90A DIE
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 16mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 31A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 30 V
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.63 грн
10+471.29 грн
100+349.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENG EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2020ENGR EPC2020_preliminary.pdf
EPC2020ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 60V 60A BUMPED DIE
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+734.20 грн
10+486.83 грн
100+373.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021 EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+316.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENG EPC2021_preliminary.pdf
EPC2021ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2021ENGR EPC2021_datasheet.pdf
EPC2021ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 60A BUMPED DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 29A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 23024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+678.03 грн
10+449.42 грн
100+368.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022 EPC2022_datasheet.pdf
EPC2022
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 90A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+312.85 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENG EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
EPC2022ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2022ENGRT EPC2022_preliminary.pdf
Виробник: EPC
TRANS GAN 100V 60A BUMPED DIE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 6310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+686.73 грн
10+453.69 грн
100+342.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023 EPC2023_datasheet.pdf
EPC2023
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 30V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 40A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 15 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+297.74 грн
1000+280.05 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENG EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2023ENGR EPC2023_preliminary.pdf
EPC2023ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 30V 60A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4359 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+641.63 грн
10+423.90 грн
100+341.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2024 EPC2024_datasheet.pdf
EPC2024
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 40V 60A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 19mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+289.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2025
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 300V 4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 194 pF @ 240 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 3A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]