Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (727) > Сторінка 4 з 13

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038 EPC EPC2038_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 101333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.62 грн
10+94.91 грн
50+71.58 грн
100+60.09 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038ENGR EPC EPC2038_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.27 грн
7500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 75371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.24 грн
10+108.65 грн
50+82.51 грн
100+69.51 грн
500+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.91 грн
7500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 12688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 60898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.04 грн
10+79.49 грн
50+59.71 грн
100+50.05 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.17 грн
10+113.31 грн
50+86.16 грн
100+72.64 грн
500+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 108153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.88 грн
10+237.54 грн
50+185.65 грн
100+158.53 грн
500+139.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047 EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+196.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.44 грн
10+317.18 грн
50+251.35 грн
100+216.03 грн
500+204.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.83 грн
7500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.90 грн
10+89.64 грн
50+67.47 грн
100+56.59 грн
500+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.57 грн
7500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 76877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.79 грн
10+111.86 грн
50+84.86 грн
100+71.46 грн
500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+208.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+499.55 грн
10+325.51 грн
100+245.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 148742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+195.85 грн
10+121.71 грн
50+92.59 грн
100+78.09 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+74.94 грн
7500+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+241.84 грн
10+151.49 грн
50+116.46 грн
100+98.70 грн
500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.68 грн
7500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.41 грн
10+110.26 грн
50+83.55 грн
100+70.35 грн
500+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+328.27 грн
10+208.30 грн
50+162.18 грн
100+138.26 грн
500+118.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 14202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC TEPC2059_0001.pdf Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+417.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+111.59 грн
3000+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+314.00 грн
10+198.83 грн
50+154.64 грн
100+131.76 грн
500+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+217.01 грн
3000+208.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+553.46 грн
10+361.01 грн
50+287.40 грн
100+247.49 грн
500+239.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.42 грн
10+272.51 грн
50+214.45 грн
100+183.72 грн
500+167.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038 EPC2038_datasheet.pdf
EPC2038
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 500MA DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 50mA, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 20µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.044 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8.4 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 101333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+154.62 грн
10+94.91 грн
50+71.58 грн
100+60.09 грн
500+47.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2038ENGR EPC2038_preliminary.pdf
EPC2038ENGR
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V 0.5A BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 72500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.27 грн
7500+44.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 75371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.24 грн
10+108.65 грн
50+82.51 грн
100+69.51 грн
500+55.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.91 грн
7500+30.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf
EPC2040
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 12688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 60898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.04 грн
10+79.49 грн
50+59.71 грн
100+50.05 грн
500+39.51 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC2040_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+53.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 9.4A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+183.17 грн
10+113.31 грн
50+86.16 грн
100+72.64 грн
500+58.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 10.5 milliohm at 5 V, CuPillar 2.15 x 1.25
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 105000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+155.14 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 108153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+371.88 грн
10+237.54 грн
50+185.65 грн
100+158.53 грн
500+139.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+196.08 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.44 грн
10+317.18 грн
50+251.35 грн
100+216.03 грн
500+204.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+40.83 грн
7500+35.24 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 44616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+145.90 грн
10+89.64 грн
50+67.47 грн
100+56.59 грн
500+44.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.57 грн
7500+45.67 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 76877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+180.79 грн
10+111.86 грн
50+84.86 грн
100+71.46 грн
500+57.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+208.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+499.55 грн
10+325.51 грн
100+245.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 17846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 147500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+52.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 148742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+195.85 грн
10+121.71 грн
50+92.59 грн
100+78.09 грн
500+62.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+74.94 грн
7500+68.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+241.84 грн
10+151.49 грн
50+116.46 грн
100+98.70 грн
500+80.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 5596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+51.68 грн
7500+44.87 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 11270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+178.41 грн
10+110.26 грн
50+83.55 грн
100+70.35 грн
500+56.18 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+107.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 13162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+328.27 грн
10+208.30 грн
50+162.18 грн
100+138.26 грн
500+118.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 14202 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 TEPC2059_0001.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+417.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+111.59 грн
3000+98.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5616 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+314.00 грн
10+198.83 грн
50+154.64 грн
100+131.76 грн
500+112.63 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 80 V, 3.6 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 1.95
на замовлення 2531 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+217.01 грн
3000+208.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 8628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+553.46 грн
10+361.01 грн
50+287.40 грн
100+247.49 грн
500+239.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
на замовлення 1831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 1481 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.42 грн
10+272.51 грн
50+214.45 грн
100+183.72 грн
500+167.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13  [ Наступна Сторінка >> ]