Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (587) > Сторінка 4 з 10

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 16399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+136.88 грн
10+83.68 грн
100+56.29 грн
500+41.82 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.78 грн
5000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 112042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+160.75 грн
10+99.55 грн
100+67.75 грн
500+50.82 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+214.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.09 грн
10+335.04 грн
100+244.54 грн
500+193.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 52887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.08 грн
10+108.28 грн
100+74.04 грн
500+55.74 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.40 грн
10+142.84 грн
100+99.19 грн
500+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.69 грн
10+106.75 грн
100+72.61 грн
500+54.43 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.07 грн
5000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+309.57 грн
10+196.49 грн
100+138.94 грн
500+119.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+405.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+112.78 грн
2000+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+316.73 грн
10+200.93 грн
100+141.89 грн
500+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+218.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+522.05 грн
10+340.48 грн
100+257.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+399.50 грн
10+257.03 грн
100+184.64 грн
500+169.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+271.14 грн
2000+244.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+478.28 грн
10+394.51 грн
100+328.79 грн
500+272.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+132.90 грн
10+81.31 грн
100+54.54 грн
500+40.41 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.73 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+518.87 грн
10+338.34 грн
100+255.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.28 грн
10+233.73 грн
100+166.97 грн
500+149.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100 EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+710.66 грн
10+491.22 грн
100+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2100ENG EPC EPC2106_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100ENGRT EPC EPC2100_datasheet.pdf Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101 EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+819.68 грн
10+545.25 грн
100+407.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101ENG EPC EPC2101_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101ENGRT EPC EPC2101_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102 EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102ENG EPC EPC2102_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102ENGRT EPC EPC2102_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+354.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103 EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+752.84 грн
10+500.72 грн
100+417.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103ENG EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103ENGRT EPC EPC2103_datasheet.pdf Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104 EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104ENG EPC EPC2104_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104ENGRT EPC EPC2104_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105 EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105ENG EPC EPC2105_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105ENGRT EPC EPC2105_datasheet.pdf Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 44983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+186.22 грн
10+115.41 грн
100+79.19 грн
500+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106 EPC EPC2106_datasheet.pdf Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.39 грн
5000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 16399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+136.88 грн
10+83.68 грн
100+56.29 грн
500+41.82 грн
1000+38.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 110000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+46.78 грн
5000+42.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 112042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+160.75 грн
10+99.55 грн
100+67.75 грн
500+50.82 грн
1000+49.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+214.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+514.09 грн
10+335.04 грн
100+244.54 грн
500+193.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+53.18 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 52887 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+175.08 грн
10+108.28 грн
100+74.04 грн
500+55.74 грн
1000+55.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+71.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1111 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 7574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+228.40 грн
10+142.84 грн
100+99.19 грн
500+79.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 8563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+172.69 грн
10+106.75 грн
100+72.61 грн
500+54.43 грн
1000+50.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+50.07 грн
5000+45.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+309.57 грн
10+196.49 грн
100+138.94 грн
500+119.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
Виробник: EPC
Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+405.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+112.78 грн
2000+106.03 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 2263 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+316.73 грн
10+200.93 грн
100+141.89 грн
500+109.51 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+218.65 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 4510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+522.05 грн
10+340.48 грн
100+257.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+153.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+399.50 грн
10+257.03 грн
100+184.64 грн
500+169.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+271.14 грн
2000+244.66 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+478.28 грн
10+394.51 грн
100+328.79 грн
500+272.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 8167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.90 грн
10+81.31 грн
100+54.54 грн
500+40.41 грн
1000+36.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+36.73 грн
5000+32.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+216.90 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+518.87 грн
10+338.34 грн
100+255.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+135.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+365.28 грн
10+233.73 грн
100+166.97 грн
500+149.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100 EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 30V 10A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 230 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+710.66 грн
10+491.22 грн
100+377.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENG EPC2106_preliminary.pdf
EPC2100ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 30V BUMPED DIE
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2100ENGRT EPC2100_datasheet.pdf
EPC2100ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2 N-CH 30V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 40A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 25A, 5V, 2.1mOhm @ 25A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101 EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V, 2.7mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+819.68 грн
10+545.25 грн
100+407.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENG EPC2101_preliminary.pdf
EPC2101ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2101ENGRT EPC2101_datasheet.pdf
EPC2101ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 60V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 3505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102 EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENG EPC2102_preliminary.pdf
EPC2102ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 60V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2102ENGRT EPC2102_datasheet.pdf
EPC2102ENGRT
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 60V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.8nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+354.21 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103 EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 28A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 5944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+752.84 грн
10+500.72 грн
100+417.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENG EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENG
Виробник: EPC
Description: GAN TRANS 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2103ENGRT EPC2103_datasheet.pdf
EPC2103ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2N-CH 80V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104 EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 23A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENG EPC2104_preliminary.pdf
EPC2104ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 100V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2104ENGRT EPC2104_datasheet.pdf
EPC2104ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 100V 23A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+366.63 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105 EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 80V 9.5A/38A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A, 38A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 1364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+788.65 грн
10+523.41 грн
100+390.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENG EPC2105_preliminary.pdf
EPC2105ENG
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2105ENGRT EPC2105_datasheet.pdf
EPC2105ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET 2NCH 80V 9.5A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 44983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+186.22 грн
10+115.41 грн
100+79.19 грн
500+59.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2106 EPC2106_datasheet.pdf
EPC2106
Виробник: EPC
Description: MOSFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75pF @ 50V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2A, 5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 600µA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
на замовлення 42500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+55.39 грн
5000+52.22 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10  [ Наступна Сторінка >> ]