Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (687) > Сторінка 4 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 116116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+170.10 грн
10+105.37 грн
100+71.84 грн
500+53.95 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.83 грн
5000+31.20 грн
7500+30.00 грн
12500+26.90 грн
17500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 35134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.10 грн
100+51.72 грн
500+38.32 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.92 грн
10+83.30 грн
100+48.31 грн
500+38.19 грн
1000+34.88 грн
2500+31.29 грн
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.94 грн
10+103.00 грн
100+70.35 грн
500+52.93 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+136.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.32 грн
10+222.01 грн
100+157.87 грн
500+130.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047 EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+507.87 грн
10+338.06 грн
100+213.79 грн
500+201.83 грн
1000+176.52 грн
2500+170.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+185.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+490.52 грн
10+318.15 грн
100+230.88 грн
500+205.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.36 грн
5000+33.50 грн
7500+32.24 грн
12500+28.93 грн
17500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+140.30 грн
10+88.15 грн
100+51.62 грн
500+40.86 грн
1000+37.34 грн
2500+33.55 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 58968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.71 грн
10+82.05 грн
100+55.18 грн
500+40.99 грн
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.10 грн
5000+43.31 грн
7500+41.78 грн
12500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 98434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.35 грн
10+102.39 грн
100+69.66 грн
500+52.25 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+173.94 грн
10+110.80 грн
100+65.33 грн
500+52.04 грн
1000+47.82 грн
2500+43.25 грн
5000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+207.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+498.43 грн
10+324.78 грн
100+244.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 93789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.59 грн
10+111.31 грн
100+76.13 грн
500+57.31 грн
1000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.71 грн
10+119.69 грн
100+71.03 грн
500+57.10 грн
1000+52.81 грн
2500+45.99 грн
10000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.26 грн
5000+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 10853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.73 грн
10+147.19 грн
100+89.31 грн
500+75.95 грн
1000+73.14 грн
2500+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 23869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.56 грн
10+148.11 грн
100+102.81 грн
500+78.34 грн
1000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+159.99 грн
10+101.90 грн
100+59.85 грн
500+47.82 грн
1000+45.57 грн
2500+39.73 грн
5000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+44.58 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+154.28 грн
10+95.00 грн
100+64.65 грн
500+48.46 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+318.05 грн
10+202.05 грн
100+142.87 грн
500+115.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.96 грн
10+202.99 грн
100+125.18 грн
500+114.63 грн
1000+109.00 грн
2500+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+104.63 грн
5000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC TEPC2059_0001.pdf Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+424.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+310.93 грн
10+196.94 грн
100+139.08 грн
500+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.54 грн
2000+99.78 грн
3000+97.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+506.34 грн
10+330.11 грн
100+249.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+153.64 грн
2000+141.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+410.61 грн
10+264.29 грн
100+189.86 грн
500+162.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+269.55 грн
2000+243.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+475.49 грн
10+392.21 грн
100+326.87 грн
500+270.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.83 грн
5000+31.20 грн
7500+30.00 грн
12500+26.90 грн
17500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 14721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+132.92 грн
10+83.30 грн
100+48.31 грн
500+38.19 грн
1000+34.88 грн
2500+31.29 грн
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 22161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.59 грн
10+77.10 грн
100+51.72 грн
500+38.32 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+497.64 грн
10+324.48 грн
100+245.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+523.46 грн
10+350.19 грн
100+229.96 грн
1000+194.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+138.14 грн
2000+125.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+240.37 грн
100+171.70 грн
500+144.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 116116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+170.10 грн
10+105.37 грн
100+71.84 грн
500+53.95 грн
1000+49.62 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.83 грн
5000+31.20 грн
7500+30.00 грн
12500+26.90 грн
17500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 35134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.59 грн
10+77.10 грн
100+51.72 грн
500+38.32 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf
EPC2040
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
10+83.30 грн
100+48.31 грн
500+38.19 грн
1000+34.88 грн
2500+31.29 грн
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC2040_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+166.94 грн
10+103.00 грн
100+70.35 грн
500+52.93 грн
1000+52.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+47.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+136.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+347.32 грн
10+222.01 грн
100+157.87 грн
500+130.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+507.87 грн
10+338.06 грн
100+213.79 грн
500+201.83 грн
1000+176.52 грн
2500+170.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+185.54 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+490.52 грн
10+318.15 грн
100+230.88 грн
500+205.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+37.36 грн
5000+33.50 грн
7500+32.24 грн
12500+28.93 грн
17500+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+140.30 грн
10+88.15 грн
100+51.62 грн
500+40.86 грн
1000+37.34 грн
2500+33.55 грн
5000+30.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 58968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+133.71 грн
10+82.05 грн
100+55.18 грн
500+40.99 грн
1000+37.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+48.10 грн
5000+43.31 грн
7500+41.78 грн
12500+38.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 98434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+165.35 грн
10+102.39 грн
100+69.66 грн
500+52.25 грн
1000+48.03 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+173.94 грн
10+110.80 грн
100+65.33 грн
500+52.04 грн
1000+47.82 грн
2500+43.25 грн
5000+40.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+207.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+498.43 грн
10+324.78 грн
100+244.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 93789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+179.59 грн
10+111.31 грн
100+76.13 грн
500+57.31 грн
1000+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+188.71 грн
10+119.69 грн
100+71.03 грн
500+57.10 грн
1000+52.81 грн
2500+45.99 грн
10000+45.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+73.26 грн
5000+66.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 10853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+229.73 грн
10+147.19 грн
100+89.31 грн
500+75.95 грн
1000+73.14 грн
2500+64.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 23869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+236.56 грн
10+148.11 грн
100+102.81 грн
500+78.34 грн
1000+76.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+159.99 грн
10+101.90 грн
100+59.85 грн
500+47.82 грн
1000+45.57 грн
2500+39.73 грн
5000+39.31 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+44.58 грн
5000+40.82 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+154.28 грн
10+95.00 грн
100+64.65 грн
500+48.46 грн
1000+46.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.05 грн
10+202.05 грн
100+142.87 грн
500+115.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.96 грн
10+202.99 грн
100+125.18 грн
500+114.63 грн
1000+109.00 грн
2500+97.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+104.63 грн
5000+100.36 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 TEPC2059_0001.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+424.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+310.93 грн
10+196.94 грн
100+139.08 грн
500+111.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+110.54 грн
2000+99.78 грн
3000+97.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+211.96 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+506.34 грн
10+330.11 грн
100+249.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+153.64 грн
2000+141.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.61 грн
10+264.29 грн
100+189.86 грн
500+162.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+269.55 грн
2000+243.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.49 грн
10+392.21 грн
100+326.87 грн
500+270.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+34.83 грн
5000+31.20 грн
7500+30.00 грн
12500+26.90 грн
17500+26.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 14721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+132.92 грн
10+83.30 грн
100+48.31 грн
500+38.19 грн
1000+34.88 грн
2500+31.29 грн
5000+27.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 22161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+126.59 грн
10+77.10 грн
100+51.72 грн
500+38.32 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+208.01 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+497.64 грн
10+324.48 грн
100+245.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+523.46 грн
10+350.19 грн
100+229.96 грн
1000+194.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+138.14 грн
2000+125.45 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0032OHM BMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2703 pF @ 50 V
на замовлення 34776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+375.01 грн
10+240.37 грн
100+171.70 грн
500+144.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]