Продукція > EPC > Всі товари виробника EPC (697) > Сторінка 4 з 12

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 116116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.61 грн
10+103.20 грн
100+70.36 грн
500+52.84 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039 EPC EPC2039_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.70 грн
5000+43.88 грн
7500+42.34 грн
12500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039ENGRT EPC EPC2039_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 41613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.76 грн
10+76.11 грн
100+51.06 грн
500+37.83 грн
1000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040 EPC EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.38 грн
5000+30.80 грн
7500+29.62 грн
12500+26.56 грн
17500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040ENGRT EPC EPC2040_preliminary.pdf Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044 EPC EPC2044_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+163.51 грн
10+100.89 грн
100+68.90 грн
500+51.84 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.18 грн
10+217.44 грн
100+154.62 грн
500+127.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC EPC2045_datasheet.pdf
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047 EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049ENGRT EPC EPC2049_preliminary.pdf Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+181.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+480.44 грн
10+311.62 грн
100+226.14 грн
500+201.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050 EPC EPC2050_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.59 грн
5000+32.82 грн
7500+31.58 грн
12500+28.34 грн
17500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051 EPC EPC2051_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 58968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+130.96 грн
10+80.37 грн
100+54.05 грн
500+40.15 грн
1000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.11 грн
5000+42.42 грн
7500+40.92 грн
12500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052 EPC EPC2052_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 98434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.96 грн
10+100.29 грн
100+68.23 грн
500+51.18 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+488.19 грн
10+318.11 грн
100+239.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053 EPC EPC2053_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+203.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 93789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+175.90 грн
10+109.02 грн
100+74.57 грн
500+56.14 грн
1000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054 EPC EPC2054_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+73.41 грн
5000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 EPC2055 EPC epc2055_datasheet.pdf Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 23825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.12 грн
10+148.42 грн
100+103.03 грн
500+78.50 грн
1000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+43.66 грн
5000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057 EPC EPC2057.pdf Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+151.11 грн
10+93.05 грн
100+63.32 грн
500+47.46 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+102.48 грн
5000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+311.51 грн
10+197.89 грн
100+139.94 грн
500+112.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC EPC2059_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 12213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059 EPC TEPC2059_0001.pdf Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
2+417.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+108.27 грн
2000+97.73 грн
3000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065 EPC EPC2065_datasheet.pdf Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+304.54 грн
10+192.89 грн
100+136.22 грн
500+109.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066 EPC EPC2066_datasheet.pdf Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+495.94 грн
10+323.33 грн
100+244.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+150.48 грн
2000+138.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067 EPC EPC2067_datasheet.pdf Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+402.18 грн
10+258.86 грн
100+185.96 грн
500+159.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+264.02 грн
2000+238.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069 EPC EPC2069_datasheet.pdf Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+465.72 грн
10+384.15 грн
100+320.15 грн
500+265.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.18 грн
5000+31.51 грн
7500+30.31 грн
12500+27.17 грн
17500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 14721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070 EPC EPC2070_datasheet.pdf Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 21837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+77.90 грн
100+52.24 грн
500+38.70 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+211.07 грн
2000+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071 EPC EPC2071_datasheet.pdf Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+538.56 грн
10+351.39 грн
100+256.61 грн
500+232.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088 EPC EPC2088_datasheet.pdf GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 116116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+166.61 грн
10+103.20 грн
100+70.36 грн
500+52.84 грн
1000+48.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039 EPC2039_datasheet.pdf
EPC2039
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 210 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 115000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+48.70 грн
5000+43.88 грн
7500+42.34 грн
12500+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2039ENGRT EPC2039_preliminary.pdf
EPC2039ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 80V 6.8A BUMPED DIE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 41613 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+124.76 грн
10+76.11 грн
100+51.06 грн
500+37.83 грн
1000+34.59 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf
EPC2040
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,15 V, 30 milliohm at 5 V, BGA 0.85 x 1.2
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040 EPC2040_datasheet.pdf?ver=Coff4xFfEBnhHPdgfJimOw%3d%3d
EPC2040
Виробник: EPC
Description: GANFET NCH 15V 3.4A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 1.5A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Drain to Source Voltage (Vdss): 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.93 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 6 V
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+34.38 грн
5000+30.80 грн
7500+29.62 грн
12500+26.56 грн
17500+26.25 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGR EPC2040_preliminary.pdf
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 25V BUMPED DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2040ENGRT EPC2040_preliminary.pdf
EPC2040ENGRT
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 15V BUMPED DIE
на замовлення 4955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+46.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2044 EPC2044_datasheet.pdf
EPC2044
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .0105OHM
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 664 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 10A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+163.51 грн
10+100.89 грн
100+68.90 грн
500+51.84 грн
1000+51.14 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+133.69 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
EPC2045
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 16A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 16A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 685 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 50589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+340.18 грн
10+217.44 грн
100+154.62 грн
500+127.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2045 EPC2045_datasheet.pdf
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2047
Виробник: EPC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2049ENGRT EPC2049_preliminary.pdf
EPC2049ENGRT
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 16A DIE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+181.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN BUMPED DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 280 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+480.44 грн
10+311.62 грн
100+226.14 грн
500+201.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2050 EPC2050_datasheet.pdf
EPC2050
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 350 V, 80 milliohm at 5 V, BGA 1.95 x 1.95
на замовлення 2031 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 57500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+36.59 грн
5000+32.82 грн
7500+31.58 грн
12500+28.34 грн
17500+28.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 25 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 4500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2051 EPC2051_datasheet.pdf
EPC2051
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 258 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 58968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+130.96 грн
10+80.37 грн
100+54.05 грн
500+40.15 грн
1000+36.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 13.5 milliohm at 5 V, BGA 1.5 x 1.5
на замовлення 12104 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 97500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+47.11 грн
5000+42.42 грн
7500+40.92 грн
12500+37.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2052 EPC2052_datasheet.pdf
EPC2052
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 11A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 98434 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+161.96 грн
10+100.29 грн
100+68.23 грн
500+51.18 грн
1000+47.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 14755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+488.19 грн
10+318.11 грн
100+239.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2053 EPC2053_datasheet.pdf
EPC2053
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 100V 48A DIE
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.8 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 9mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+203.45 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,200 V, 43 milliohm at 5 V, BGA 1.8 x 1.8
на замовлення 12005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 93789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+175.90 грн
10+109.02 грн
100+74.57 грн
500+56.14 грн
1000+51.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2054 EPC2054_datasheet.pdf
EPC2054
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 1A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 573 pF @ 100 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100
на замовлення 92500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+73.41 грн
5000+67.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 40 V, 3.5 mohm at 5 V, LGA 2.5 x 1.5
на замовлення 6872 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2055 epc2055_datasheet.pdf
EPC2055
Виробник: EPC
Description: GANFET N-CH 40V 29A DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 15A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1254 pF @ 20 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
на замовлення 23825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.12 грн
10+148.42 грн
100+103.03 грн
500+78.50 грн
1000+77.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
GaN FETs eGaN FET, 50 V, 8.5 milliohm at 5 V, LGA 1.2 x 1.5 mm
на замовлення 3621 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+43.66 грн
5000+39.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2057 EPC2057.pdf
EPC2057
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 50V .0085OHM 4LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 6A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 2mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 444 pF @ 25 V
на замовлення 7724 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+151.11 грн
10+93.05 грн
100+63.32 грн
500+47.46 грн
1000+45.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+102.48 грн
5000+98.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 170V DIE .009OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 10A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 3mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 170 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 836 pF @ 85 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 85
на замовлення 9234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+311.51 грн
10+197.89 грн
100+139.94 грн
500+112.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 EPC2059_datasheet.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET, 170 V, 9 milliOhm at 5 V, LGA 2.8 x 1.4
на замовлення 12213 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2059 TEPC2059_0001.pdf
EPC2059
Виробник: EPC
Transistor GANFET; 170V; 6V; 9mOhm; 24A; -40°C ~ 150°C; EPC2059 TEPC2059
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+417.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+108.27 грн
2000+97.73 грн
3000+95.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2065 EPC2065_datasheet.pdf
EPC2065
Виробник: EPC
Description: GAN FET 80V .0036OHM 8BUMP DIE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 25A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 7mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.2 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1449 pF @ 40 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40
на замовлення 5757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.54 грн
10+192.89 грн
100+136.22 грн
500+109.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+207.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2066 EPC2066_datasheet.pdf
EPC2066
Виробник: EPC
Description: TRANSISTOR GAN 40V .001OHM
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4523 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 28mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
на замовлення 7559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+495.94 грн
10+323.33 грн
100+244.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,40 V, 1.5 milliohm at 5 V, LGA 3.25 x 2.85
на замовлення 1881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+150.48 грн
2000+138.73 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2067 EPC2067_datasheet.pdf
EPC2067
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN .0015OHM 40V 14LGA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 69A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.55mOhm @ 37A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 18mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.3 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3267 pF @ 20 V
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+402.18 грн
10+258.86 грн
100+185.96 грн
500+159.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Tape & Reel (TR)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+264.02 грн
2000+238.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2069 EPC2069_datasheet.pdf
EPC2069
Виробник: EPC
Description: GAN FET 40V .002OHM 8BUMP DIE
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): +6V, -4V
Part Status: Not For New Designs
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8111 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+465.72 грн
10+384.15 грн
100+320.15 грн
500+265.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+35.18 грн
5000+31.51 грн
7500+30.31 грн
12500+27.17 грн
17500+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 23 milliohm at 5 V, BGA 1.3 x 0.85
на замовлення 14721 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2070 EPC2070_datasheet.pdf
EPC2070
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN DIE 100V .022OHM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 3A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1.5mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 386 pF @ 50 V
на замовлення 21837 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+77.90 грн
100+52.24 грн
500+38.70 грн
1000+35.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 2.2 milliohm at 5 V, LGA 4.45 x 2.3
на замовлення 460 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 13000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+211.07 грн
2000+202.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2071 EPC2071_datasheet.pdf
EPC2071
Виробник: EPC
Description: TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 64A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 30A, 5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 13mA
Supplier Device Package: Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): +6V, -4V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3931 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
на замовлення 14259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+538.56 грн
10+351.39 грн
100+256.61 грн
500+232.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
EPC2088 EPC2088_datasheet.pdf
EPC2088
Виробник: EPC
GaN FETs EPC eGaN FET,100 V, 3.2 milliohm at 5 V, LGA 3.5 x 2.0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12  [ Наступна Сторінка >> ]