Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (3962) > Сторінка 54 з 67
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSRTA40060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA40080(A) | GeneSiC Semiconductor | Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MSRTA500100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER Packaging: Bulk Package / Case: Three Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA500100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA500120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA500140(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA500160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA50060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA50080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA6001 | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MSRTA600100A | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWERPackaging: Bulk Package / Case: 3-SMD Module Mounting Type: Chassis Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC) Supplier Device Package: Three Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA600100(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA600120(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA600140(A) | GeneSiC Semiconductor | Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA6001R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA60060(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MSRTA60080(A) | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10005CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR10010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10010CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR10010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R |
на замовлення 20 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
| MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR10020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10040CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR10040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 90 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 80 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10060CT | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR10060CT | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| MUR10060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWERPackaging: Bulk Package / Case: Twin Tower Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 110 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Anode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A Supplier Device Package: Twin Tower Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR10060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R |
на замовлення 6 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20005CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20005CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20010CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20010CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR20020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20020CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR20040CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 160 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20040CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR20060CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR20060CTR | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2505 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery |
на замовлення 45 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2505R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
на замовлення 375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery |
на замовлення 938 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
MUR2510 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
|
MUR2510R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
на замовлення 114 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
MUR2520 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4Packaging: Bulk Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: DO-4 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
|
|
MUR2520R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery |
на замовлення 133 шт: термін постачання 31-40 дні (днів) |
|
| MSRTA40060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 400A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA40080(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
Discrete Semiconductor Modules 800V 400A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500100A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 500A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Three Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 500A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 500 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500140(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA500160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA50080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 500A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600100A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
Description: DIODE MOD GP 1000V 600A 3TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SMD Module
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 600A (DC)
Supplier Device Package: Three Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.2 V @ 600 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600100(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600120(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.2KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA600140(A) |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.4KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA6001R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 1.6KV 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60060(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 600V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA60080(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
Description: DIODE MODULE 800V 600A 3TOWER
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 50V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A 50P/35R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 100V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 100A100P/70R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
на замовлення 20 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 6387.41 грн |
| MUR10020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 200V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A200P/140R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A400P/280R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 400V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 90 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.3 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
Description: DIODE MODULE GP 600V 50A 2TOWER
Packaging: Bulk
Package / Case: Twin Tower
Mounting Type: Chassis Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 110 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Anode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 50A
Supplier Device Package: Twin Tower
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 25 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
Rectifiers SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V100A600P/420R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| MUR20005CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20005CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V 200A 50P/35R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20010CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20010CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 100V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 200V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20020CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 200V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20040CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 400V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20040CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
Diode Modules 400V 200A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR20060CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 10590.97 грн |
| 10+ | 10436.21 грн |
| 25+ | 7410.74 грн |
| MUR20060CTR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
Diode Modules SI S-FST RECOV 2TWR 50-600V200A600P/420R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2505 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 25A Super Fast Recovery
на замовлення 45 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 993.62 грн |
| 10+ | 854.83 грн |
| MUR2505R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 50V 25A REV Leads Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1505.02 грн |
| 25+ | 1324.47 грн |
| 50+ | 1241.40 грн |
| 100+ | 1141.36 грн |
| 250+ | 994.50 грн |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A Super Fast Recovery
на замовлення 938 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 993.62 грн |
| 10+ | 854.83 грн |
| MUR2510 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
Rectifier Diode Switching 100V 25A 75ns 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP REV 100V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2510R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 100V 25A REV Leads Super Fast Recovery
на замовлення 114 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 993.62 грн |
| 10+ | 854.83 грн |
| MUR2520 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A Super Fast Recovery
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2520R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
Description: DIODE GEN PURP REV 200V 25A DO4
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-203AA, DO-4, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 25A
Supplier Device Package: DO-4
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 25 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику
од. на суму грн.
| MUR2520R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
Rectifiers 200V 25A REV Leads Super Fast Recovery
на замовлення 133 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 993.62 грн |
| 10+ | 854.83 грн |






