Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5612) > Сторінка 67 з 94
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ804 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ802 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBJ801 | GeneSiC Semiconductor | Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR104 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280 |
на замовлення 1754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR106 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420 |
на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR102 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR101 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR108 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of package: tube Case: TO263-7 Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 187 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Mounting: THT Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Type of transistor: N-MOSFET Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Drain current: 90A Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Kind of package: tube Drain-source voltage: 1.2kV Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 569 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R350MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 373 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R40MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 109 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R40MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 106nC On-state resistance: 40mΩ Drain current: 50A Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 279 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R450MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R450MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 85 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R450MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 6A Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 91W Case: TO263-7 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 0.45Ω Mounting: SMD Gate charge: 18nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 841 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R45MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 12 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R45MT17K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R45MT17K THT N channel transistors |
на замовлення 287 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| G3R75MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R75MT12D THT N channel transistors |
на замовлення 57 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R75MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 54nC On-state resistance: 75mΩ Drain current: 29A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 207W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 453 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GC02MPS12-220 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 49 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X10MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X15MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X5MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GC2X8MPS12-247 | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD10MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD10MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 250 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD15MPS17H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD15MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 458 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12A THT Schottky diodes |
на замовлення 1107 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD20MPS12H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD20MPS12H THT Schottky diodes |
на замовлення 531 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD2X100MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X100MPS06N Diode modules |
на замовлення 83 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD2X30MPS06N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD2X30MPS06N Diode modules |
на замовлення 7 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GD30MPS06H | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD30MPS06H THT Schottky diodes |
на замовлення 89 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
GD30MPS06J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube Case: TO263-7 Mounting: SMD Kind of package: tube Max. forward voltage: 1.5V Load current: 30A Max. forward impulse current: 0.168kA Max. off-state voltage: 650V Technology: SiC Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Semiconductor structure: single diode кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| GE06MPS06A | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE06MPS06A THT Schottky diodes |
на замовлення 16 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| GE2X8MPS06D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
KBL406G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GBL04 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBL10 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| GBL02 | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
KBPC2508T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KBU8G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
DB104G | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBPC5010T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MBR20045CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
GBJ25M | GeneSiC Semiconductor |
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MUR10020CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MBR400100CT | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
KBPC2502T | GeneSiC Semiconductor |
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
1N3881 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
MBR3545 | GeneSiC Semiconductor |
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
150KR40A | GeneSiC Semiconductor |
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| 1N3297AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3289A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ804 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 400V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ802 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 200V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBJ801 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 100V 8A KBJ Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR104 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 400P/280
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.24 грн |
| 10+ | 123.13 грн |
| 25+ | 95.26 грн |
| 100+ | 80.30 грн |
| 200+ | 66.05 грн |
| 600+ | 64.08 грн |
| 1000+ | 56.05 грн |
| BR106 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 600P/420
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 167.16 грн |
| 10+ | 124.03 грн |
| 25+ | 96.05 грн |
| 100+ | 84.24 грн |
| 200+ | 79.51 грн |
| 600+ | 66.05 грн |
| 1000+ | 60.54 грн |
| BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 166.24 грн |
| 10+ | 123.13 грн |
| 25+ | 95.26 грн |
| 100+ | 82.66 грн |
| 200+ | 69.75 грн |
| 600+ | 66.05 грн |
| 1000+ | 61.72 грн |
| BR102 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 200P/140
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR101 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR108 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 10A 800P/560
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Діодний міст KBU8M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 72.91 грн |
| 10+ | 62.06 грн |
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 729.12 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of package: tube
Case: TO263-7
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 187 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 503.39 грн |
| 3+ | 437.38 грн |
| G3R160MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT12D THT N channel transistors
G3R160MT12D THT N channel transistors
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 581.81 грн |
| 3+ | 490.07 грн |
| 7+ | 463.50 грн |
| 2520+ | 462.93 грн |
| G3R160MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1020.56 грн |
| 2+ | 797.10 грн |
| 5+ | 753.80 грн |
| G3R20MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Mounting: THT
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Drain current: 90A
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Kind of package: tube
Drain-source voltage: 1.2kV
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2878.33 грн |
| 3+ | 2678.45 грн |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4544.28 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R350MT12D THT N channel transistors
G3R350MT12D THT N channel transistors
на замовлення 373 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 409.07 грн |
| 4+ | 356.23 грн |
| 10+ | 336.55 грн |
| 300+ | 336.21 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R40MT12D THT N channel transistors
G3R40MT12D THT N channel transistors
на замовлення 109 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1294.05 грн |
| 3+ | 1223.20 грн |
| G3R40MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 106nC
On-state resistance: 40mΩ
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 279 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1390.41 грн |
| G3R450MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R450MT17D THT N channel transistors
G3R450MT17D THT N channel transistors
на замовлення 85 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 642.22 грн |
| 3+ | 446.77 грн |
| 8+ | 423.15 грн |
| G3R450MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 6A; Idm: 16A; 91W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 91W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 841 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 575.45 грн |
| G3R45MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17D THT N channel transistors
G3R45MT17D THT N channel transistors
на замовлення 12 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2486.74 грн |
| 2+ | 2350.94 грн |
| G3R45MT17K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R45MT17K THT N channel transistors
G3R45MT17K THT N channel transistors
на замовлення 287 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2755.40 грн |
| 2+ | 2604.83 грн |
| 270+ | 2600.78 грн |
| G3R75MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R75MT12D THT N channel transistors
G3R75MT12D THT N channel transistors
на замовлення 57 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 936.83 грн |
| 2+ | 853.19 грн |
| 4+ | 805.95 грн |
| 120+ | 805.27 грн |
| G3R75MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 54nC
On-state resistance: 75mΩ
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 453 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 749.26 грн |
| GC02MPS12-220 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
GC02MPS12-220 THT Schottky diodes
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.02 грн |
| 12+ | 104.31 грн |
| 31+ | 98.41 грн |
| GC15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 49 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 991.94 грн |
| 2+ | 839.41 грн |
| 4+ | 794.14 грн |
| 30+ | 793.01 грн |
| GC2X10MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X10MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 754.55 грн |
| 2+ | 667.20 грн |
| 5+ | 630.79 грн |
| GC2X15MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X15MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 928.36 грн |
| 2+ | 818.75 грн |
| 4+ | 774.46 грн |
| GC2X5MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X5MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 459.94 грн |
| 3+ | 407.40 грн |
| 8+ | 384.77 грн |
| GC2X8MPS12-247 |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
GC2X8MPS12-247 THT Schottky diodes
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 955.91 грн |
| 2+ | 864.01 грн |
| 4+ | 816.78 грн |
| GD10MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD10MPS17H THT Schottky diodes
GD10MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 729.12 грн |
| 3+ | 572.73 грн |
| 6+ | 541.24 грн |
| 510+ | 540.59 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD15MPS17H THT Schottky diodes
GD15MPS17H THT Schottky diodes
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 983.46 грн |
| 2+ | 892.55 грн |
| 4+ | 843.35 грн |
| 600+ | 842.06 грн |
| GD20MPS12A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12A THT Schottky diodes
GD20MPS12A THT Schottky diodes
на замовлення 1107 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 541.54 грн |
| 4+ | 380.84 грн |
| 9+ | 360.17 грн |
| GD20MPS12H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD20MPS12H THT Schottky diodes
GD20MPS12H THT Schottky diodes
на замовлення 531 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 636.92 грн |
| 3+ | 525.49 грн |
| 7+ | 495.97 грн |
| 1020+ | 495.63 грн |
| GD2X100MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X100MPS06N Diode modules
GD2X100MPS06N Diode modules
на замовлення 83 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4128.17 грн |
| 30+ | 4122.42 грн |
| GD2X30MPS06N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD2X30MPS06N Diode modules
GD2X30MPS06N Diode modules
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1945.51 грн |
| 2+ | 1839.23 грн |
| GD30MPS06H |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GD30MPS06H THT Schottky diodes
GD30MPS06H THT Schottky diodes
на замовлення 89 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 624.20 грн |
| 3+ | 470.39 грн |
| 7+ | 443.82 грн |
| GD30MPS06J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; TO263-7; SiC; SMD; 650V; 30A; tube
Case: TO263-7
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Max. forward voltage: 1.5V
Load current: 30A
Max. forward impulse current: 0.168kA
Max. off-state voltage: 650V
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: MPS
Type of diode: Schottky rectifying
Semiconductor structure: single diode
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 428.15 грн |
| 5+ | 400.59 грн |
| 25+ | 378.87 грн |
| GE06MPS06A |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE06MPS06A THT Schottky diodes
GE06MPS06A THT Schottky diodes
на замовлення 16 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 197.12 грн |
| 10+ | 125.96 грн |
| 26+ | 119.07 грн |
| GE2X8MPS06D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
GE2X8MPS06D THT Schottky diodes
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 436.62 грн |
| 4+ | 339.50 грн |
| 10+ | 320.81 грн |
| KBL406G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
Rectifier Bridge Diode Single 600V 4A 4-Pin Case KBL
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 38.71 грн |
| GBL04 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 400V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL10 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBL02 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
Rectifier Bridge Diode Single 200V 4A 4-Pin Case GBL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC2508T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 800V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBU8G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
Rectifier Bridge Diode Single 400V 8A 4-Pin Case KBU
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DB104G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
Rectifier Bridge Diode Single 400V 1A 4-Pin Case DB
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBPC5010T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 1KV 50A 4-Pin Case GBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR20045CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 45V 200A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ25M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
Single Phase Glass Passivated Silicon Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MUR10020CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
Diode Switching 200V 100A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR400100CT |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
Diode Schottky 100V 400A 3-Pin Twin Tower
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBPC2502T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
Rectifier Bridge Diode Single 200V 25A 4-Pin Case KBPC-T
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3881 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
Diode Switching 200V 6A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MBR3545 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
Diode Schottky 45V 35A 2-Pin DO-4
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 150KR40A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
Diode Switching Si 400V 150A 2-Pin DO-8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.

















