Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > Всі товари виробника GENESIC SEMICONDUCTOR (5688) > Сторінка 67 з 95
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MSRT200160(A) | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KBP2005G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR84 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR86 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR81 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GD02MPS12E | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
1N3893R | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery |
на замовлення 766 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
BR32 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F17MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F18MT12FB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F18MT12FB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12FB2 | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F17MT12FB2-T | GeneSiC Semiconductor | MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM |
на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MSRTA200100D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200140D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200120D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA20080D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
MSRTA200160D | GeneSiC Semiconductor |
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| W01M | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
|
GD2X30MPS12N | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS |
на замовлення 133 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F25MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F45MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1145 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F60MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F45MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1135 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F60MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1197 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F25MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F60MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F45MT06D | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3F33MT06K | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F33MT06L-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GBPC35005W | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GE12MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor | SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2490 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE06MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE10MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 2302 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GE04MPS06E-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 6046 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G2R1000MT17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6B | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6G | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6D | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
GBJ6K | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
S12B | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F09MT12GB4-T | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
G3F05MT12GB2 | GeneSiC Semiconductor |
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module |
на замовлення 96 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
GD15MPS17H | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
GD05MPS17J-TR | GeneSiC Semiconductor |
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3297AR | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
1N3289A | GeneSiC Semiconductor |
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
BR1005 | GeneSiC Semiconductor |
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| Діодний міст KBU8M | GeneSiC Semiconductor | Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A |
на замовлення 20 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| Діод Шотткі GD20MPS12A | GeneSiC Semiconductor | Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified |
на замовлення 40 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G2R1000MT17J | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7 Mounting: SMD Power dissipation: 54W Drain-source voltage: 1.7kV Kind of channel: enhancement Technology: G2R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Case: TO263-7 Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...20V On-state resistance: 1Ω Drain current: 4A Pulsed drain current: 8A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 188 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R160MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 16A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.16Ω Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 123W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 28nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 845 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| G3R160MT17D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
G3R160MT17D THT N channel transistors |
на замовлення 388 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
G3R20MT12K | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W Kind of package: tube Polarisation: unipolar Gate-source voltage: -5...15V Gate charge: 219nC On-state resistance: 20mΩ Drain current: 90A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 542W Drain-source voltage: 1.2kV Kind of channel: enhancement Technology: G3R™; SiC Features of semiconductor devices: Kelvin terminal Type of transistor: N-MOSFET Mounting: THT Case: TO247-4 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 569 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT12N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 74A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 365W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R20MT17N | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 1.7kV Drain current: 70A Case: SOT227B Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 20mΩ Pulsed drain current: 300A Power dissipation: 523W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R350MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A Case: TO247-3 On-state resistance: 0.35Ω Pulsed drain current: 16A Power dissipation: 74W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 12nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 374 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
G3R40MT12D | GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A Case: TO247-3 On-state resistance: 40mΩ Pulsed drain current: 140A Power dissipation: 333W Technology: G3R™; SiC Gate-source voltage: -5...15V Kind of package: tube Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Kind of channel: enhancement Polarisation: unipolar Gate charge: 106nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 671 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| MSRT200160(A) |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
Diode Modules 1600V 200A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| KBP2005G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
Bridge Rectifiers 50V 2A KBP Silicon Bridge Rectifer
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR84 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 400P/280R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR86 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 8A 600P/420R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR81 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 8A 100P/70
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD02MPS12E |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 111.37 грн |
| 10+ | 94.85 грн |
| 25+ | 76.21 грн |
| 100+ | 73.54 грн |
| 250+ | 68.96 грн |
| 500+ | 65.68 грн |
| 1000+ | 63.00 грн |
| 1N3893R |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
Rectifiers 400V 12A REV Leads Fast Recovery
на замовлення 766 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 716.33 грн |
| 10+ | 573.48 грн |
| 25+ | 458.97 грн |
| 100+ | 404.75 грн |
| 250+ | 387.18 грн |
| BR32 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1KV 3A 200P/140R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3F17MT12FB2 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8417.73 грн |
| G3F18MT12FB4-T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module. TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11258.98 грн |
| G3F09MT12FB2-T |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 12443.06 грн |
| G3F18MT12FB4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 18mohm Full-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10671.84 грн |
| G3F09MT12FB2 |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 11794.44 грн |
| G3F17MT12FB2-T |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 17mohm Half-Bridge SiCPAK F SiC Module, TIM
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8879.24 грн |
| MSRTA200100D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1000V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200140D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1400V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200120D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1200V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA20080D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 800V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MSRTA200160D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
Diode Modules 1600V 200A Three Tower Iso Silicon Rectifier Module - Standard Recovery (Standard Configuration)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| W01M |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 1.5A Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GD2X30MPS12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1200V 60A SOT-227 SiC Schottky MPS
на замовлення 133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2597.13 грн |
| 10+ | 2350.13 грн |
| 30+ | 1975.63 грн |
| 100+ | 1877.11 грн |
| 250+ | 1825.95 грн |
| G3F25MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1170.71 грн |
| 10+ | 1049.48 грн |
| 30+ | 878.23 грн |
| 120+ | 828.59 грн |
| 270+ | 798.04 грн |
| 510+ | 775.89 грн |
| 1020+ | 752.98 грн |
| G3F45MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1145 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 615.65 грн |
| 10+ | 551.53 грн |
| 25+ | 462.02 грн |
| 100+ | 435.29 грн |
| 250+ | 420.02 грн |
| 500+ | 407.80 грн |
| 1200+ | 396.35 грн |
| G3F60MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 408.06 грн |
| 10+ | 365.34 грн |
| 25+ | 306.23 грн |
| 100+ | 288.67 грн |
| 250+ | 277.98 грн |
| 500+ | 269.58 грн |
| 1200+ | 261.94 грн |
| G3F45MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 754.64 грн |
| 10+ | 676.23 грн |
| 30+ | 565.12 грн |
| 120+ | 533.81 грн |
| 270+ | 513.95 грн |
| 510+ | 499.44 грн |
| 1020+ | 485.70 грн |
| G3F60MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 568.43 грн |
| 10+ | 510.25 грн |
| 30+ | 426.13 грн |
| 120+ | 402.46 грн |
| 270+ | 387.18 грн |
| 510+ | 376.49 грн |
| 1020+ | 365.80 грн |
| G3F25MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 20mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1137.75 грн |
| 10+ | 1019.62 грн |
| 25+ | 853.02 грн |
| 100+ | 804.91 грн |
| 250+ | 775.13 грн |
| 500+ | 752.98 грн |
| 1200+ | 731.60 грн |
| G3F60MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 55mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1106 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 582.68 грн |
| 10+ | 521.67 грн |
| 30+ | 436.06 грн |
| 120+ | 411.62 грн |
| 270+ | 396.35 грн |
| 510+ | 385.66 грн |
| 1020+ | 374.20 грн |
| G3F45MT06D |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 40mohm TO-247-3 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 729.69 грн |
| 10+ | 654.28 грн |
| 30+ | 546.79 грн |
| 120+ | 516.24 грн |
| 270+ | 497.15 грн |
| 510+ | 482.64 грн |
| 1020+ | 468.90 грн |
| G3F33MT06K |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-247-4 G3F SiC MOSFET
на замовлення 1182 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 869.57 грн |
| 10+ | 779.86 грн |
| 30+ | 652.18 грн |
| 120+ | 616.29 грн |
| 270+ | 593.38 грн |
| 510+ | 575.81 грн |
| 1020+ | 559.77 грн |
| G3F33MT06L-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
SiC MOSFETs 650V 27mohm TO-LL G3F SiC MOSFET
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 816.11 грн |
| 10+ | 731.56 грн |
| 25+ | 612.47 грн |
| 100+ | 578.10 грн |
| 250+ | 555.95 грн |
| 500+ | 540.68 грн |
| 1200+ | 524.64 грн |
| GBPC35005W |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
Bridge Rectifiers 50 V - 35 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GE12MPS06E-TR |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 12A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 174.63 грн |
| 2500+ | 154.57 грн |
| GE06MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 6A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 155.92 грн |
| 10+ | 134.37 грн |
| 25+ | 109.97 грн |
| 100+ | 100.81 грн |
| 250+ | 96.22 грн |
| 500+ | 91.64 грн |
| 1000+ | 87.82 грн |
| GE10MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 10A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 2302 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 211.16 грн |
| 10+ | 183.55 грн |
| 25+ | 151.97 грн |
| 100+ | 140.52 грн |
| 250+ | 133.64 грн |
| 500+ | 129.06 грн |
| 1000+ | 123.72 грн |
| GE04MPS06E-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 650V 4A TO-252-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 6046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 126.52 грн |
| 10+ | 108.02 грн |
| 25+ | 88.59 грн |
| 100+ | 81.71 грн |
| 250+ | 77.13 грн |
| 500+ | 74.84 грн |
| 2500+ | 63.54 грн |
| G2R1000MT17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
SiC MOSFETs 1700V 1000mohm TO-263-7 G2R SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 100V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6G |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 400V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6D |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 200V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GBJ6K |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
Bridge Rectifiers 800V 6A GBJ Single Phase Bridge Rectifier
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| S12B |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
Rectifiers 100V 12A Std. Recovery
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G3F09MT12GB4 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21323.19 грн |
| G3F09MT12GB4-T |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
MOSFET Modules 1200V 9mohm Full-Bridge SiCPAK G SiC Module, TIM
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 22495.68 грн |
| G3F05MT12GB2 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
MOSFET Modules 1200V 5mohm Half-Bridge SiCPAK G SiC Module
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 21336.55 грн |
| GD15MPS17H |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 15A TO-247-2 SiC Schottky MPS
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 835.71 грн |
| 10+ | 714.88 грн |
| 30+ | 587.27 грн |
| 120+ | 568.94 грн |
| 270+ | 545.26 грн |
| GD05MPS17J-TR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
SiC Schottky Diodes 1700V 5A TO-247-2 SiC Schottky MPS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3297AR |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A1400PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| 1N3289A |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
Rectifiers SI STND RECOV DO-8 200-1400V 100A 200PV
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BR1005 |
![]() |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
Bridge Rectifiers SI BRIDGE RECT BR-10 50-1000V 10A 50P/35
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 161.26 грн |
| 10+ | 119.44 грн |
| 25+ | 92.40 грн |
| 100+ | 80.19 грн |
| 200+ | 67.66 грн |
| 600+ | 64.07 грн |
| 1000+ | 59.87 грн |
| Діодний міст KBU8M |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
Диодный мост корп. SIP-4 (в ряд) U=1000V I=8A
на замовлення 20 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 70.73 грн |
| 10+ | 60.20 грн |
| Діод Шотткі GD20MPS12A |
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
Діод Шотткі TO-220AC-2 If=42 A Vrrm=1200 V Fast Recovery =< 10 ns AEC-Q101 qualified
на замовлення 40 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 707.28 грн |
| G2R1000MT17J |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.7kV; 4A; Idm: 8A; 54W; TO263-7
Mounting: SMD
Power dissipation: 54W
Drain-source voltage: 1.7kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G2R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO263-7
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...20V
On-state resistance: 1Ω
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 8A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 188 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 491.40 грн |
| 3+ | 423.29 грн |
| G3R160MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 16A; Idm: 40A; 123W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 16A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.16Ω
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 123W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 28nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 845 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 531.49 грн |
| 3+ | 473.85 грн |
| 7+ | 444.84 грн |
| 30+ | 428.61 грн |
| G3R160MT17D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
G3R160MT17D THT N channel transistors
G3R160MT17D THT N channel transistors
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 992.04 грн |
| 2+ | 768.45 грн |
| 5+ | 726.45 грн |
| G3R20MT12K |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 90A; Idm: 240A; 542W
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Gate-source voltage: -5...15V
Gate charge: 219nC
On-state resistance: 20mΩ
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 542W
Drain-source voltage: 1.2kV
Kind of channel: enhancement
Technology: G3R™; SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: THT
Case: TO247-4
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 569 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2818.84 грн |
| 3+ | 2612.10 грн |
| 10+ | 2476.21 грн |
| G3R20MT12N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.2kV; 74A; SOT227B; screw; Idm: 240A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 74A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 365W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4375.27 грн |
| G3R20MT17N |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 1.7kV; 70A; SOT227B; screw; Idm: 300A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 1.7kV
Drain current: 70A
Case: SOT227B
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 20mΩ
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 523W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10040.70 грн |
| 3+ | 9681.12 грн |
| G3R350MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 8A
Case: TO247-3
On-state resistance: 0.35Ω
Pulsed drain current: 16A
Power dissipation: 74W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 12nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 374 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 334.11 грн |
| G3R40MT12D |
![]() |
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTOR
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
Case: TO247-3
On-state resistance: 40mΩ
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 333W
Technology: G3R™; SiC
Gate-source voltage: -5...15V
Kind of package: tube
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of channel: enhancement
Polarisation: unipolar
Gate charge: 106nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 671 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1333.35 грн |
| 3+ | 1215.34 грн |
| 30+ | 1125.47 грн |











