Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (321) > Сторінка 5 з 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT4712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4733J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 25W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N04D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50P06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT55N06B | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT5N60F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 600V 5A 2 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT5N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT5N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT60N02D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MOT6111G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6113HT | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 318A 1.25m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6568J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R099KN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R180HGF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R190HKF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R280D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT65R280F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT65R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R850D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 53W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT70R280HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT70R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT75N75D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT7N65AC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N65AD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N80F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03XD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80P03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8113T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 85V 300A 1.1m Toll-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8156D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8156T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 163A 3.8m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8205SA6 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT4712J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.25 грн |
| 10+ | 52.72 грн |
| 100+ | 31.61 грн |
| 500+ | 20.77 грн |
| 1000+ | 17.65 грн |
| 5000+ | 15.00 грн |
| MOT4712S |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.25 грн |
| 10+ | 52.72 грн |
| 100+ | 31.61 грн |
| 500+ | 20.77 грн |
| 1000+ | 17.65 грн |
| 4000+ | 15.00 грн |
| MOT4733J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2074.46 грн |
| 10+ | 237.17 грн |
| 100+ | 41.65 грн |
| 500+ | 18.17 грн |
| 1000+ | 14.04 грн |
| 5000+ | 10.62 грн |
| MOT4N65C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2091.12 грн |
| 10+ | 246.64 грн |
| 100+ | 47.34 грн |
| 500+ | 21.90 грн |
| 1000+ | 17.21 грн |
| 4200+ | 13.39 грн |
| MOT4N65D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2091.12 грн |
| 10+ | 246.64 грн |
| 100+ | 47.34 грн |
| 500+ | 21.90 грн |
| 1000+ | 17.21 грн |
| 2500+ | 13.72 грн |
| MOT4N65F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2106.99 грн |
| 10+ | 255.89 грн |
| 100+ | 52.91 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 20.32 грн |
| MOT4N65T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2314.89 грн |
| 10+ | 375.63 грн |
| 100+ | 124.78 грн |
| 500+ | 72.77 грн |
| 1000+ | 60.45 грн |
| 2000+ | 50.68 грн |
| MOT4N70D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 80.14 грн |
| 10+ | 46.46 грн |
| 100+ | 27.87 грн |
| 500+ | 18.30 грн |
| 1000+ | 15.56 грн |
| 2500+ | 13.22 грн |
| MOT4N70F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 96.01 грн |
| 10+ | 55.25 грн |
| 100+ | 33.17 грн |
| 500+ | 21.79 грн |
| 1000+ | 18.52 грн |
| MOT50N03BD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2051.44 грн |
| 14+ | 223.72 грн |
| 100+ | 33.58 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 2500+ | 7.19 грн |
| MOT50N03C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2059.38 грн |
| 12+ | 228.15 грн |
| 100+ | 36.28 грн |
| 500+ | 14.63 грн |
| 1000+ | 11.03 грн |
| 4200+ | 8.14 грн |
| MOT50N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2055.41 грн |
| 13+ | 225.94 грн |
| 100+ | 34.93 грн |
| 500+ | 13.75 грн |
| 1000+ | 10.28 грн |
| 2500+ | 7.83 грн |
| MOT50N04D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.48 грн |
| 10+ | 37.06 грн |
| 100+ | 22.21 грн |
| 500+ | 14.59 грн |
| 1000+ | 12.40 грн |
| 2500+ | 10.54 грн |
| MOT50N06C |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2076.84 грн |
| 10+ | 238.47 грн |
| 100+ | 42.45 грн |
| 500+ | 18.69 грн |
| 1000+ | 14.48 грн |
| 4200+ | 11.08 грн |
| MOT50N06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2052.24 грн |
| 10+ | 234.95 грн |
| 100+ | 40.36 грн |
| 500+ | 17.32 грн |
| 1000+ | 13.31 грн |
| 2500+ | 10.41 грн |
| MOT50P06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2123.65 грн |
| 10+ | 265.67 грн |
| 100+ | 58.77 грн |
| 500+ | 29.41 грн |
| 1000+ | 23.59 грн |
| 2500+ | 19.15 грн |
| MOT55N06B |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.72 грн |
| 10+ | 76.26 грн |
| 100+ | 45.76 грн |
| 500+ | 30.06 грн |
| 1000+ | 25.55 грн |
| MOT5N60F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 5A 2 To220F
Description: MOSFET N-CH 600V 5A 2 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2106.99 грн |
| 10+ | 255.89 грн |
| 100+ | 52.91 грн |
| 500+ | 25.57 грн |
| 1000+ | 20.32 грн |
| MOT5N65A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.74 грн |
| 10+ | 60.90 грн |
| 100+ | 36.51 грн |
| 500+ | 23.99 грн |
| 1000+ | 20.39 грн |
| MOT5N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2102.23 грн |
| 10+ | 252.99 грн |
| 100+ | 51.18 грн |
| 500+ | 24.42 грн |
| 1000+ | 19.35 грн |
| MOT60N02D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MOT6111G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2330.76 грн |
| 10+ | 385.26 грн |
| 100+ | 130.53 грн |
| 500+ | 76.56 грн |
| 1000+ | 63.66 грн |
| 5000+ | 52.81 грн |
| MOT6113HT |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 318A 1.25m Toll-
Description: MOSFET N-CH 60V 318A 1.25m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2330.76 грн |
| 10+ | 385.26 грн |
| 100+ | 130.53 грн |
| 500+ | 76.56 грн |
| 1000+ | 63.66 грн |
| 2000+ | 53.41 грн |
| MOT6515G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2116.51 грн |
| 10+ | 261.01 грн |
| 100+ | 56.01 грн |
| 500+ | 27.60 грн |
| 1000+ | 22.05 грн |
| 5000+ | 17.43 грн |
| MOT6515J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2078.42 грн |
| 10+ | 239.39 грн |
| 100+ | 43.00 грн |
| 500+ | 19.05 грн |
| 1000+ | 14.79 грн |
| 5000+ | 11.26 грн |
| MOT6522G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2078.42 грн |
| 10+ | 239.23 грн |
| 100+ | 42.90 грн |
| 500+ | 18.99 грн |
| 1000+ | 14.73 грн |
| 5000+ | 11.21 грн |
| MOT6522J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2066.52 грн |
| 10+ | 232.66 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 1000+ | 12.53 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| MOT6568J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2051.44 грн |
| 14+ | 223.72 грн |
| 100+ | 33.58 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 5000+ | 6.79 грн |
| MOT65R099KN |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1043.46 грн |
| 10+ | 602.81 грн |
| 100+ | 361.66 грн |
| 600+ | 237.59 грн |
| MOT65R180HGF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 396.75 грн |
| 10+ | 229.69 грн |
| 100+ | 137.77 грн |
| 500+ | 90.51 грн |
| 1000+ | 76.93 грн |
| MOT65R190HKF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 616.55 грн |
| 10+ | 355.92 грн |
| 100+ | 213.55 грн |
| 500+ | 140.29 грн |
| 1000+ | 119.25 грн |
| MOT65R280D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 367.39 грн |
| 10+ | 211.89 грн |
| 100+ | 127.14 грн |
| 500+ | 83.52 грн |
| 1000+ | 70.99 грн |
| 2500+ | 60.34 грн |
| MOT65R280F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 386.44 грн |
| 10+ | 223.35 грн |
| 100+ | 134.01 грн |
| 500+ | 88.03 грн |
| 1000+ | 74.83 грн |
| MOT65R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.95 грн |
| 10+ | 144.34 грн |
| 100+ | 86.59 грн |
| 500+ | 56.88 грн |
| 1000+ | 48.35 грн |
| 2500+ | 41.10 грн |
| MOT65R380F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2278.39 грн |
| 10+ | 354.92 грн |
| 100+ | 112.30 грн |
| 500+ | 64.58 грн |
| 1000+ | 53.48 грн |
| MOT65R850D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 160.29 грн |
| 10+ | 92.84 грн |
| 100+ | 55.67 грн |
| 500+ | 36.57 грн |
| 1000+ | 31.08 грн |
| 2500+ | 26.42 грн |
| MOT70N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.02 грн |
| 12+ | 26.36 грн |
| 100+ | 15.81 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 8.83 грн |
| 2500+ | 7.50 грн |
| MOT70R280HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 479.28 грн |
| 10+ | 277.22 грн |
| 100+ | 166.31 грн |
| 500+ | 109.25 грн |
| 1000+ | 92.86 грн |
| MOT70R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 292.80 грн |
| 10+ | 169.33 грн |
| 100+ | 101.60 грн |
| 500+ | 66.74 грн |
| 1000+ | 56.73 грн |
| 2500+ | 48.22 грн |
| MOT70R380F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 318.99 грн |
| 10+ | 183.85 грн |
| 100+ | 110.35 грн |
| 500+ | 72.49 грн |
| 1000+ | 61.62 грн |
| MOT75N75D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.70 грн |
| 10+ | 91.62 грн |
| 100+ | 54.98 грн |
| 500+ | 36.12 грн |
| 1000+ | 30.70 грн |
| 2500+ | 26.09 грн |
| MOT7N65AC |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2090.33 грн |
| 10+ | 262.92 грн |
| 100+ | 57.10 грн |
| 500+ | 28.32 грн |
| 1000+ | 22.66 грн |
| 4200+ | 18.03 грн |
| MOT7N65AD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2089.53 грн |
| 10+ | 262.92 грн |
| 100+ | 57.10 грн |
| 500+ | 28.32 грн |
| 1000+ | 22.66 грн |
| 2500+ | 18.36 грн |
| MOT7N70C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2126.03 грн |
| 10+ | 266.82 грн |
| 100+ | 59.46 грн |
| 500+ | 29.86 грн |
| 1000+ | 23.98 грн |
| 4200+ | 19.15 грн |
| MOT7N70D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2126.03 грн |
| 10+ | 266.82 грн |
| 100+ | 59.46 грн |
| 500+ | 29.86 грн |
| 1000+ | 23.98 грн |
| 2500+ | 19.47 грн |
| MOT7N70F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2140.32 грн |
| 10+ | 274.84 грн |
| 100+ | 64.29 грн |
| 500+ | 33.04 грн |
| 1000+ | 26.67 грн |
| MOT7N80F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 305.50 грн |
| 10+ | 176.36 грн |
| 100+ | 105.83 грн |
| 500+ | 69.53 грн |
| 1000+ | 59.10 грн |
| MOT80N03C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2060.97 грн |
| 11+ | 229.30 грн |
| 100+ | 36.94 грн |
| 500+ | 15.08 грн |
| 1000+ | 11.41 грн |
| 4200+ | 8.46 грн |
| MOT80N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2051.44 грн |
| 14+ | 223.72 грн |
| 100+ | 33.58 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| MOT80N03XD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2051.44 грн |
| 14+ | 223.72 грн |
| 100+ | 33.58 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 2500+ | 7.19 грн |
| MOT80N06C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2129.21 грн |
| 10+ | 268.65 грн |
| 100+ | 60.59 грн |
| 500+ | 30.61 грн |
| 1000+ | 24.61 грн |
| 4200+ | 19.69 грн |
| MOT80N06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2122.86 грн |
| 10+ | 265.21 грн |
| 100+ | 58.50 грн |
| 500+ | 29.23 грн |
| 1000+ | 23.44 грн |
| 2500+ | 19.02 грн |
| MOT80P03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2128.41 грн |
| 10+ | 267.96 грн |
| 100+ | 60.15 грн |
| 500+ | 30.32 грн |
| 1000+ | 24.36 грн |
| 2500+ | 19.80 грн |
| MOT8113T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 85V 300A 1.1m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 85V 300A 1.1m Toll-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2648.95 грн |
| 10+ | 569.33 грн |
| 100+ | 240.94 грн |
| 500+ | 149.09 грн |
| 1000+ | 125.32 грн |
| 2000+ | 105.81 грн |
| MOT8156D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2245.85 грн |
| 10+ | 335.82 грн |
| 100+ | 100.87 грн |
| 500+ | 57.07 грн |
| 1000+ | 47.10 грн |
| 2500+ | 39.13 грн |
| MOT8156T |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 163A 3.8m Toll-
Description: MOSFET N-CH 100V 163A 3.8m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2201.42 грн |
| 10+ | 310.52 грн |
| 100+ | 85.68 грн |
| 500+ | 47.09 грн |
| 1000+ | 38.62 грн |
| 2000+ | 32.12 грн |
| MOT8205SA6 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 2026.05 грн |
| 41+ | 208.82 грн |
| 100+ | 24.68 грн |
| 500+ | 7.02 грн |
| 1000+ | 4.56 грн |
| 3000+ | 2.83 грн |
| MOT8N65MD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2127.62 грн |
| 10+ | 267.50 грн |
| 100+ | 59.90 грн |
| 500+ | 30.15 грн |
| 1000+ | 24.22 грн |
| 2500+ | 19.68 грн |
| MOT8N65MF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2145.87 грн |
| 10+ | 277.97 грн |
| 100+ | 66.18 грн |
| 500+ | 34.27 грн |
| 1000+ | 27.72 грн |
| MOT8N80HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2322.82 грн |
| 10+ | 380.67 грн |
| 100+ | 127.78 грн |
| 500+ | 74.75 грн |
| 1000+ | 62.13 грн |












