Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (303) > Сторінка 5 з 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT6111G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6568J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R099KN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R180HGF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R190HKF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R280D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT65R280F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT65R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT65R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT65R850D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 53W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT70R280HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT70R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT75N75D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT7N65AC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N65AD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N65AF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N80F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT80N03XD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT80N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80P03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT8156D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT8205SA6 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT90N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT90N06A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT9N50D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT9N90HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR1620A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MUR1640A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MUR1640F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MUR2002A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2002F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2040F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NJW0281G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3PB |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NJW0302G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S8050 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S8550 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S9012 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| S9013 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
S9014 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S9015 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SS8050 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SS8550 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP35C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 100V 25A |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP36C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP41C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT6111G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 309.34 грн |
| 10+ | 178.88 грн |
| 100+ | 107.34 грн |
| 500+ | 70.51 грн |
| 1000+ | 59.94 грн |
| 5000+ | 50.95 грн |
| MOT6515G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 101.27 грн |
| 10+ | 58.13 грн |
| 100+ | 34.89 грн |
| 500+ | 22.92 грн |
| 1000+ | 19.48 грн |
| 5000+ | 16.56 грн |
| MOT6515J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 65.67 грн |
| 10+ | 38.02 грн |
| 100+ | 22.81 грн |
| 500+ | 14.98 грн |
| 1000+ | 12.74 грн |
| 5000+ | 10.83 грн |
| MOT6522G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 36.95 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| 500+ | 14.54 грн |
| 1000+ | 12.36 грн |
| 5000+ | 10.51 грн |
| MOT6522J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.80 грн |
| 10+ | 31.31 грн |
| 100+ | 18.79 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 10.49 грн |
| 5000+ | 8.92 грн |
| MOT6568J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.77 грн |
| 14+ | 22.40 грн |
| 100+ | 13.42 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 7.49 грн |
| 5000+ | 6.37 грн |
| MOT65R099KN |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1040.38 грн |
| 10+ | 601.03 грн |
| 100+ | 360.60 грн |
| 600+ | 236.88 грн |
| MOT65R180HGF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 395.58 грн |
| 10+ | 229.02 грн |
| 100+ | 137.36 грн |
| 500+ | 90.24 грн |
| 1000+ | 76.71 грн |
| MOT65R190HKF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 614.73 грн |
| 10+ | 354.87 грн |
| 100+ | 212.92 грн |
| 500+ | 139.87 грн |
| 1000+ | 118.89 грн |
| MOT65R280D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 366.31 грн |
| 10+ | 211.26 грн |
| 100+ | 126.77 грн |
| 500+ | 83.27 грн |
| 1000+ | 70.78 грн |
| 2500+ | 60.17 грн |
| MOT65R280F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 385.30 грн |
| 10+ | 222.69 грн |
| 100+ | 133.62 грн |
| 500+ | 87.77 грн |
| 1000+ | 74.61 грн |
| MOT65R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 249.22 грн |
| 10+ | 143.92 грн |
| 100+ | 86.33 грн |
| 500+ | 56.72 грн |
| 1000+ | 48.21 грн |
| 2500+ | 40.98 грн |
| MOT65R380F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 270.58 грн |
| 10+ | 156.49 грн |
| 100+ | 93.87 грн |
| 500+ | 61.67 грн |
| 1000+ | 52.42 грн |
| MOT65R850D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 159.81 грн |
| 10+ | 92.57 грн |
| 100+ | 55.50 грн |
| 500+ | 36.46 грн |
| 1000+ | 30.99 грн |
| 2500+ | 26.34 грн |
| MOT70N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.89 грн |
| 12+ | 26.28 грн |
| 100+ | 15.76 грн |
| 500+ | 10.35 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| 2500+ | 7.48 грн |
| MOT70R280HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 477.86 грн |
| 10+ | 276.40 грн |
| 100+ | 165.82 грн |
| 500+ | 108.93 грн |
| 1000+ | 92.59 грн |
| MOT70R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 291.94 грн |
| 10+ | 168.83 грн |
| 100+ | 101.30 грн |
| 500+ | 66.55 грн |
| 1000+ | 56.56 грн |
| 2500+ | 48.08 грн |
| MOT70R380F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 318.05 грн |
| 10+ | 183.30 грн |
| 100+ | 110.03 грн |
| 500+ | 72.28 грн |
| 1000+ | 61.43 грн |
| MOT75N75D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 158.23 грн |
| 10+ | 91.35 грн |
| 100+ | 54.82 грн |
| 500+ | 36.01 грн |
| 1000+ | 30.61 грн |
| 2500+ | 26.02 грн |
| MOT7N65AC |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.37 грн |
| 10+ | 59.27 грн |
| 100+ | 35.56 грн |
| 500+ | 23.36 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| 4200+ | 16.88 грн |
| MOT7N65AD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 73.58 грн |
| 10+ | 59.27 грн |
| 100+ | 35.56 грн |
| 500+ | 23.36 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| 2500+ | 16.88 грн |
| MOT7N65AF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.26 грн |
| 10+ | 69.33 грн |
| 100+ | 41.59 грн |
| 500+ | 27.32 грн |
| 1000+ | 23.23 грн |
| MOT7N70C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.18 грн |
| 10+ | 62.85 грн |
| 100+ | 37.70 грн |
| 500+ | 24.77 грн |
| 1000+ | 21.05 грн |
| 4200+ | 17.89 грн |
| MOT7N70D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 113.14 грн |
| 10+ | 65.22 грн |
| 100+ | 39.15 грн |
| 500+ | 25.72 грн |
| 1000+ | 21.86 грн |
| 2500+ | 18.58 грн |
| MOT7N70F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 121.84 грн |
| 10+ | 70.55 грн |
| 100+ | 42.34 грн |
| 500+ | 27.81 грн |
| 1000+ | 23.64 грн |
| MOT7N80F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 304.60 грн |
| 10+ | 175.84 грн |
| 100+ | 105.52 грн |
| 500+ | 69.32 грн |
| 1000+ | 58.92 грн |
| MOT80N03C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.05 грн |
| 11+ | 28.57 грн |
| 100+ | 17.13 грн |
| 500+ | 11.25 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
| 4200+ | 8.13 грн |
| MOT80N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.56 грн |
| 14+ | 22.86 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| MOT80N03XD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.56 грн |
| 14+ | 22.86 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 2500+ | 6.50 грн |
| MOT80N06C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 112.35 грн |
| 10+ | 64.83 грн |
| 100+ | 38.91 грн |
| 500+ | 25.56 грн |
| 1000+ | 21.73 грн |
| 4200+ | 18.47 грн |
| MOT80N06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 106.02 грн |
| 10+ | 61.48 грн |
| 100+ | 36.90 грн |
| 500+ | 24.24 грн |
| 1000+ | 20.60 грн |
| 2500+ | 17.51 грн |
| MOT80P03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 114.72 грн |
| 10+ | 66.21 грн |
| 100+ | 39.75 грн |
| 500+ | 26.11 грн |
| 1000+ | 22.19 грн |
| 2500+ | 18.86 грн |
| MOT8156D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 237.35 грн |
| 10+ | 137.06 грн |
| 100+ | 82.23 грн |
| 500+ | 54.02 грн |
| 1000+ | 45.91 грн |
| 2500+ | 39.03 грн |
| MOT8205SA6 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.66 грн |
| 42+ | 7.39 грн |
| 100+ | 4.43 грн |
| 500+ | 2.91 грн |
| 1000+ | 2.47 грн |
| 3000+ | 2.10 грн |
| MOT8N65MD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 10+ | 63.69 грн |
| 100+ | 38.24 грн |
| 500+ | 25.12 грн |
| 1000+ | 21.35 грн |
| 2500+ | 18.15 грн |
| MOT8N65MF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.17 грн |
| 10+ | 73.75 грн |
| 100+ | 44.28 грн |
| 500+ | 29.09 грн |
| 1000+ | 24.72 грн |
| MOT8N80HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2315.97 грн |
| 10+ | 379.55 грн |
| 100+ | 127.40 грн |
| 500+ | 74.53 грн |
| 1000+ | 61.94 грн |
| MOT90N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.34 грн |
| 10+ | 34.21 грн |
| 100+ | 20.55 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.48 грн |
| 2500+ | 9.76 грн |
| MOT90N06A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 173.26 грн |
| 10+ | 100.49 грн |
| 100+ | 60.29 грн |
| 500+ | 39.61 грн |
| 1000+ | 33.67 грн |
| MOT9N50D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.06 грн |
| 10+ | 59.27 грн |
| 100+ | 35.56 грн |
| 500+ | 23.36 грн |
| 1000+ | 19.85 грн |
| 2500+ | 16.88 грн |
| MOT9N90HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 355.23 грн |
| 10+ | 205.55 грн |
| 100+ | 123.34 грн |
| 500+ | 81.02 грн |
| 1000+ | 68.87 грн |
| MUR1620A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 147.95 грн |
| 10+ | 85.63 грн |
| 100+ | 51.39 грн |
| 500+ | 33.76 грн |
| 1000+ | 28.70 грн |
| MUR1640A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 120.26 грн |
| 10+ | 69.71 грн |
| 100+ | 41.80 грн |
| 500+ | 27.46 грн |
| 1000+ | 23.34 грн |
| MUR1640F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 10+ | 63.92 грн |
| 100+ | 38.37 грн |
| 500+ | 25.21 грн |
| MUR2002A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.96 грн |
| 10+ | 74.36 грн |
| 100+ | 44.65 грн |
| 500+ | 29.33 грн |
| 1000+ | 24.93 грн |
| MUR2002F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.96 грн |
| 10+ | 74.36 грн |
| 100+ | 44.65 грн |
| 500+ | 29.33 грн |
| 1000+ | 24.93 грн |
| MUR2040F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 115.51 грн |
| 10+ | 67.12 грн |
| 100+ | 40.25 грн |
| 500+ | 26.44 грн |
| 1000+ | 22.48 грн |
| NJW0281G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3PB
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3PB
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 439.89 грн |
| 10+ | 254.99 грн |
| 100+ | 153.27 грн |
| 500+ | 100.99 грн |
| 1000+ | 86.30 грн |
| 2400+ | 73.45 грн |
| NJW0302G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 439.89 грн |
| 10+ | 254.99 грн |
| 100+ | 153.27 грн |
| 600+ | 101.00 грн |
| 1200+ | 86.30 грн |
| 2400+ | 73.45 грн |
| S8050 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 3.16 грн |
| 160+ | 1.90 грн |
| 265+ | 1.15 грн |
| 500+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.64 грн |
| 3000+ | 0.54 грн |
| S8550 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 3.16 грн |
| 160+ | 1.90 грн |
| 265+ | 1.15 грн |
| 500+ | 0.75 грн |
| 1000+ | 0.64 грн |
| 3000+ | 0.54 грн |
| S9012 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 2009.79 грн |
| 160+ | 202.57 грн |
| 265+ | 21.22 грн |
| 500+ | 4.77 грн |
| 1000+ | 2.65 грн |
| 3000+ | 1.21 грн |
| S9013 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 3.16 грн |
| 154+ | 1.98 грн |
| 259+ | 1.18 грн |
| 500+ | 0.78 грн |
| 1000+ | 0.66 грн |
| 3000+ | 0.56 грн |
| S9014 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 134+ | 2.37 грн |
| 182+ | 1.68 грн |
| 304+ | 1.01 грн |
| 500+ | 0.66 грн |
| 1000+ | 0.56 грн |
| 3000+ | 0.48 грн |
| S9015 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 3.16 грн |
| 154+ | 1.98 грн |
| 264+ | 1.16 грн |
| 500+ | 0.76 грн |
| 1000+ | 0.65 грн |
| 3000+ | 0.55 грн |
| SS8050 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 3.96 грн |
| 122+ | 2.51 грн |
| 208+ | 1.47 грн |
| 500+ | 0.97 грн |
| 1000+ | 0.82 грн |
| 3000+ | 0.70 грн |
| SS8550 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 2010.58 грн |
| 130+ | 203.02 грн |
| 217+ | 21.48 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 2.79 грн |
| 3000+ | 1.34 грн |
| TIP35C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 25A
Description: TRANS NPN 100V 25A
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.57 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 100+ | 70.11 грн |
| 500+ | 54.78 грн |
| 1000+ | 51.11 грн |
| TIP36C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 145.57 грн |
| 10+ | 88.07 грн |
| 100+ | 70.11 грн |
| 500+ | 54.78 грн |
| 1000+ | 51.11 грн |
| 3000+ | 47.87 грн |
| TIP41C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2134.79 грн |
| 10+ | 274.41 грн |
| 100+ | 64.35 грн |
| 500+ | 33.10 грн |
| 1000+ | 26.73 грн |












