Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (291) > Сторінка 5 з 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MOT65R190HKF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 37W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R280D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT65R280F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT65R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R850D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 53W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT70R280HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT70R380D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT70R380F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT75N75D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 115W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT7N65AC | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N65AD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 38W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT7N80F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V |
на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N03XD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 78W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT80P03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8156D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8205SA6 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V MA SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.14W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N65MF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT8N80HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT90N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT90N06A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT9N50D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT9N90HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 36W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MUR1640A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MUR1640F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MUR2002A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2002F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MUR2040F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Reverse Recovery Time (trr): 35 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A Supplier Device Package: TO-220F Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
NJW0302G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S8050 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S8550 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S9012 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S9014 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 225 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
S9015 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SS8050 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
SS8550 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP35C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 100V 25A |
на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP36C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP41C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TIP42C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 100V 6A To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TTA1943 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PLPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PL Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
TTC5200 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PLPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3PL Current - Collector (Ic) (Max): 15 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 150 W |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT65R190HKF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 600.64 грн |
| 10+ | 346.74 грн |
| 100+ | 208.04 грн |
| 500+ | 136.67 грн |
| 1000+ | 116.17 грн |
| MOT65R280D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 357.91 грн |
| 10+ | 206.42 грн |
| 100+ | 123.86 грн |
| 500+ | 81.36 грн |
| 1000+ | 69.16 грн |
| 2500+ | 58.79 грн |
| MOT65R280F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 376.46 грн |
| 10+ | 217.59 грн |
| 100+ | 130.55 грн |
| 500+ | 85.76 грн |
| 1000+ | 72.90 грн |
| MOT65R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 243.50 грн |
| 10+ | 140.62 грн |
| 100+ | 84.35 грн |
| 500+ | 55.42 грн |
| 1000+ | 47.10 грн |
| 2500+ | 40.04 грн |
| MOT65R380F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2219.59 грн |
| 10+ | 345.76 грн |
| 100+ | 109.40 грн |
| 500+ | 62.91 грн |
| 1000+ | 52.10 грн |
| MOT65R850D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 0.83 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 156.15 грн |
| 10+ | 90.44 грн |
| 100+ | 54.23 грн |
| 500+ | 35.63 грн |
| 1000+ | 30.28 грн |
| 2500+ | 25.74 грн |
| MOT70N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.84 грн |
| 12+ | 25.68 грн |
| 100+ | 15.40 грн |
| 500+ | 10.12 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
| 2500+ | 7.31 грн |
| MOT70R280HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 466.91 грн |
| 10+ | 270.07 грн |
| 100+ | 162.02 грн |
| 500+ | 106.43 грн |
| 1000+ | 90.47 грн |
| MOT70R380D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 285.25 грн |
| 10+ | 164.96 грн |
| 100+ | 98.97 грн |
| 500+ | 65.02 грн |
| 1000+ | 55.27 грн |
| 2500+ | 46.98 грн |
| MOT70R380F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 310.76 грн |
| 10+ | 179.10 грн |
| 100+ | 107.51 грн |
| 500+ | 70.62 грн |
| 1000+ | 60.03 грн |
| MOT75N75D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 154.61 грн |
| 10+ | 89.25 грн |
| 100+ | 53.56 грн |
| 500+ | 35.19 грн |
| 1000+ | 29.91 грн |
| 2500+ | 25.42 грн |
| MOT7N65AC |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2035.61 грн |
| 10+ | 255.47 грн |
| 100+ | 55.23 грн |
| 500+ | 27.33 грн |
| 1000+ | 21.86 грн |
| 4200+ | 17.38 грн |
| MOT7N65AD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2034.84 грн |
| 10+ | 255.47 грн |
| 100+ | 55.23 грн |
| 500+ | 27.33 грн |
| 1000+ | 21.86 грн |
| 2500+ | 17.70 грн |
| MOT7N70C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2071.17 грн |
| 10+ | 259.93 грн |
| 100+ | 57.93 грн |
| 500+ | 29.09 грн |
| 1000+ | 23.36 грн |
| 4200+ | 18.65 грн |
| MOT7N70D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2071.17 грн |
| 10+ | 259.93 грн |
| 100+ | 57.93 грн |
| 500+ | 29.09 грн |
| 1000+ | 23.36 грн |
| 2500+ | 18.97 грн |
| MOT7N70F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2085.08 грн |
| 10+ | 267.75 грн |
| 100+ | 62.63 грн |
| 500+ | 32.18 грн |
| 1000+ | 25.99 грн |
| MOT7N80F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 297.62 грн |
| 10+ | 171.81 грн |
| 100+ | 103.10 грн |
| 500+ | 67.73 грн |
| 1000+ | 57.57 грн |
| MOT80N03C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2007.78 грн |
| 11+ | 223.38 грн |
| 100+ | 35.99 грн |
| 500+ | 14.69 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
| 4200+ | 8.24 грн |
| MOT80N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1998.50 грн |
| 14+ | 217.95 грн |
| 100+ | 32.72 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| MOT80N03XD |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1998.50 грн |
| 14+ | 217.95 грн |
| 100+ | 32.72 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 2500+ | 7.01 грн |
| MOT80N06C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 109.77 грн |
| 10+ | 63.35 грн |
| 100+ | 38.02 грн |
| 500+ | 24.97 грн |
| 1000+ | 21.23 грн |
| 4200+ | 18.04 грн |
| MOT80N06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
Description: MOSFET N-CH 60V 80A 6m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.59 грн |
| 10+ | 60.07 грн |
| 100+ | 36.05 грн |
| 500+ | 23.68 грн |
| 1000+ | 20.13 грн |
| 2500+ | 17.11 грн |
| MOT80P03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2073.49 грн |
| 10+ | 261.05 грн |
| 100+ | 58.60 грн |
| 500+ | 29.54 грн |
| 1000+ | 23.73 грн |
| 2500+ | 19.29 грн |
| MOT8156D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2187.89 грн |
| 10+ | 327.15 грн |
| 100+ | 98.27 грн |
| 500+ | 55.59 грн |
| 1000+ | 45.88 грн |
| 2500+ | 38.12 грн |
| MOT8205SA6 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.37 грн |
| 42+ | 7.22 грн |
| 100+ | 4.32 грн |
| 500+ | 2.84 грн |
| 1000+ | 2.42 грн |
| 3000+ | 2.05 грн |
| MOT8N65MD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2068.85 грн |
| 10+ | 258.29 грн |
| 100+ | 56.97 грн |
| 500+ | 28.47 грн |
| 1000+ | 22.82 грн |
| 2500+ | 18.52 грн |
| MOT8N65MF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2085.86 грн |
| 10+ | 268.12 грн |
| 100+ | 62.87 грн |
| 500+ | 32.34 грн |
| 1000+ | 26.12 грн |
| MOT8N80HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2262.88 грн |
| 10+ | 370.85 грн |
| 100+ | 124.48 грн |
| 500+ | 72.82 грн |
| 1000+ | 60.52 грн |
| MOT90N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.98 грн |
| 10+ | 33.42 грн |
| 100+ | 20.08 грн |
| 500+ | 13.19 грн |
| 1000+ | 11.22 грн |
| 2500+ | 9.53 грн |
| MOT90N06A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220
Description: MOSFET N-CH 60V 90A 6.7m To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 169.29 грн |
| 10+ | 98.19 грн |
| 100+ | 58.91 грн |
| 500+ | 38.70 грн |
| 1000+ | 32.90 грн |
| MOT9N50D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 99.72 грн |
| 10+ | 57.91 грн |
| 100+ | 34.74 грн |
| 500+ | 22.82 грн |
| 1000+ | 19.40 грн |
| 2500+ | 16.49 грн |
| MOT9N90HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2309.26 грн |
| 10+ | 397.79 грн |
| 100+ | 140.61 грн |
| 500+ | 83.41 грн |
| 1000+ | 69.53 грн |
| MUR1640A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 117.50 грн |
| 10+ | 68.11 грн |
| 100+ | 40.84 грн |
| 500+ | 26.83 грн |
| 1000+ | 22.80 грн |
| MUR1640F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 108.22 грн |
| 10+ | 62.45 грн |
| 100+ | 37.50 грн |
| 500+ | 24.63 грн |
| MUR2002A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2086.63 грн |
| 10+ | 268.86 грн |
| 100+ | 63.30 грн |
| 500+ | 32.63 грн |
| 1000+ | 26.36 грн |
| MUR2002F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2086.63 грн |
| 10+ | 268.86 грн |
| 100+ | 63.30 грн |
| 500+ | 32.63 грн |
| 1000+ | 26.36 грн |
| MUR2040F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2076.58 грн |
| 10+ | 263.28 грн |
| 100+ | 59.94 грн |
| 500+ | 30.42 грн |
| 1000+ | 24.48 грн |
| NJW0302G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2390.43 грн |
| 10+ | 445.21 грн |
| 100+ | 169.36 грн |
| 600+ | 101.95 грн |
| 1200+ | 85.96 грн |
| 2400+ | 72.58 грн |
| S8050 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 160+ | 197.92 грн |
| 259+ | 20.76 грн |
| 500+ | 4.68 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 3000+ | 1.20 грн |
| S8550 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 160+ | 197.92 грн |
| 259+ | 20.76 грн |
| 500+ | 4.68 грн |
| 1000+ | 2.60 грн |
| 3000+ | 1.20 грн |
| S9012 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 160+ | 197.92 грн |
| 265+ | 20.73 грн |
| 500+ | 4.66 грн |
| 1000+ | 2.59 грн |
| 3000+ | 1.19 грн |
| S9014 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 174+ | 197.77 грн |
| 297+ | 20.61 грн |
| 500+ | 4.58 грн |
| 1000+ | 2.52 грн |
| 3000+ | 1.13 грн |
| S9015 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 1963.72 грн |
| 154+ | 198.00 грн |
| 264+ | 20.74 грн |
| 500+ | 4.67 грн |
| 1000+ | 2.59 грн |
| 3000+ | 1.19 грн |
| SS8050 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 1964.49 грн |
| 122+ | 198.52 грн |
| 203+ | 21.08 грн |
| 500+ | 4.89 грн |
| 1000+ | 2.79 грн |
| 3000+ | 1.35 грн |
| SS8550 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 80+ | 1964.49 грн |
| 125+ | 198.44 грн |
| 211+ | 21.02 грн |
| 500+ | 4.85 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
| 3000+ | 1.32 грн |
| TIP35C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 25A
Description: TRANS NPN 100V 25A
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2106.73 грн |
| 10+ | 284.27 грн |
| 100+ | 89.87 грн |
| 500+ | 58.82 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| TIP36C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2106.73 грн |
| 10+ | 284.27 грн |
| 100+ | 89.87 грн |
| 500+ | 58.82 грн |
| 1000+ | 53.18 грн |
| 3000+ | 48.62 грн |
| TIP41C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2088.95 грн |
| 10+ | 269.98 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 500+ | 33.07 грн |
| 1000+ | 26.74 грн |
| TIP42C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 100V 6A To-220
Description: TRANS PNP 100V 6A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2088.95 грн |
| 10+ | 269.98 грн |
| 100+ | 63.98 грн |
| 500+ | 33.07 грн |
| 1000+ | 26.74 грн |
| TTA1943 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2378.06 грн |
| 10+ | 437.54 грн |
| 100+ | 164.70 грн |
| 500+ | 98.99 грн |
| 1000+ | 83.54 грн |
| 2000+ | 71.52 грн |
| TTC5200 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2378.06 грн |
| 10+ | 437.54 грн |
| 100+ | 164.70 грн |
| 500+ | 98.99 грн |
| 1000+ | 83.54 грн |
| 2000+ | 71.52 грн |










