Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (248) > Сторінка 4 з 5

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MOT4N65C MOT4N65C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_91.html Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+44.67 грн
100+26.78 грн
500+17.59 грн
1000+14.95 грн
4200+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.91 грн
10+44.67 грн
100+26.78 грн
500+17.59 грн
1000+14.95 грн
2500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+92.77 грн
10+53.83 грн
100+32.28 грн
500+21.20 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65T Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.35 грн
10+171.65 грн
100+103.01 грн
500+67.67 грн
1000+57.52 грн
2000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70D MOT4N70D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_144.html Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.09 грн
10+46.42 грн
100+27.85 грн
500+18.29 грн
1000+15.55 грн
2500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70F MOT4N70F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_142.html Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.94 грн
10+55.21 грн
100+33.15 грн
500+21.78 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03BD MOT50N03BD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_813.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
14+22.98 грн
100+13.77 грн
500+9.04 грн
1000+7.69 грн
2500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03C MOT50N03C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_811.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.58 грн
12+27.49 грн
100+16.52 грн
500+10.85 грн
1000+9.23 грн
4200+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03D MOT50N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_812.html Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.61 грн
13+25.20 грн
100+15.15 грн
500+9.95 грн
1000+8.46 грн
2500+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N04D MOT50N04D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_809.html Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+37.03 грн
100+22.20 грн
500+14.59 грн
1000+12.40 грн
2500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.43 грн
10+36.65 грн
100+21.98 грн
500+14.44 грн
1000+12.27 грн
4200+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D MOT50N06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_807.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.85 грн
10+33.21 грн
100+19.91 грн
500+13.08 грн
1000+11.12 грн
2500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50P06D MOT50P06D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_799.html Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+64.06 грн
100+38.46 грн
500+25.26 грн
1000+21.47 грн
2500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT55N06B MOT55N06B Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_798.html Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.80 грн
10+78.04 грн
100+46.81 грн
500+30.75 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A MOT5N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_93.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.67 грн
10+60.86 грн
100+36.48 грн
500+23.97 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F MOT5N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_94.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.60 грн
10+51.62 грн
100+30.98 грн
500+20.35 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D MOT60N02D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_792.html Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G MOT6111G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_500.html Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.62 грн
10+180.28 грн
100+108.14 грн
500+71.04 грн
1000+60.39 грн
5000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G MOT6515G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_476.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.49 грн
10+58.57 грн
100+35.15 грн
500+23.09 грн
1000+19.63 грн
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G MOT6522G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_471.html Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+64.23 грн
10+37.19 грн
100+22.30 грн
500+14.65 грн
1000+12.45 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN MOT65R099KN Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_428.html Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1042.70 грн
10+602.37 грн
100+361.40 грн
600+237.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R180HGF MOT65R180HGF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_427.html Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+396.46 грн
10+229.53 грн
100+137.67 грн
500+90.44 грн
1000+76.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF MOT65R190HKF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_267.html Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+616.11 грн
10+355.67 грн
100+213.40 грн
500+140.19 грн
1000+119.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R280D MOT65R280D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_236.html Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.13 грн
10+211.74 грн
100+127.05 грн
500+83.46 грн
1000+70.94 грн
2500+60.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R280F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+386.16 грн
10+223.19 грн
100+133.91 грн
500+87.97 грн
1000+74.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R380D MOT65R380D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_234.html Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+249.77 грн
10+144.24 грн
100+86.53 грн
500+56.84 грн
1000+48.32 грн
2500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R380F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.18 грн
10+156.84 грн
100+94.08 грн
500+61.80 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D MOT70N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_788.html Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+45.99 грн
12+26.34 грн
100+15.80 грн
500+10.38 грн
1000+8.82 грн
2500+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70R380D MOT70R380D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_245.html Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+298.93 грн
10+172.87 грн
100+103.69 грн
500+68.12 грн
1000+57.90 грн
2500+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70R380F MOT70R380F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_244.html Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+325.10 грн
10+187.68 грн
100+112.63 грн
500+73.99 грн
1000+62.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+158.59 грн
10+91.55 грн
100+54.94 грн
500+36.09 грн
1000+30.68 грн
2500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC MOT7N65AC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_105.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.12 грн
10+60.70 грн
100+36.39 грн
500+23.91 грн
1000+20.32 грн
4200+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+60.70 грн
100+36.39 грн
500+23.91 грн
1000+20.32 грн
2500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.90 грн
10+70.93 грн
100+42.58 грн
500+27.97 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C MOT7N70C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_147.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+109.42 грн
10+62.99 грн
100+37.79 грн
500+24.82 грн
1000+21.10 грн
4200+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D MOT7N70D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_148.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+113.39 грн
10+65.36 грн
100+39.24 грн
500+25.78 грн
1000+21.91 грн
2500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F MOT7N70F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_146.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.11 грн
10+70.71 грн
100+42.43 грн
500+27.87 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F MOT7N80F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_158.html Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.18 грн
10+170.12 грн
100+102.10 грн
500+67.07 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C MOT80N03C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_781.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.16 грн
11+28.63 грн
100+17.16 грн
500+11.28 грн
1000+9.59 грн
4200+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D MOT80N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_780.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
14+22.91 грн
100+13.74 грн
500+9.02 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.65 грн
14+22.91 грн
100+13.74 грн
500+9.02 грн
1000+7.67 грн
2500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80P03D MOT80P03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_865.html Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+114.97 грн
10+66.35 грн
100+39.83 грн
500+26.16 грн
1000+22.24 грн
2500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8156D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+237.88 грн
10+137.36 грн
100+82.41 грн
500+54.14 грн
1000+46.02 грн
2500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 MOT8205SA6 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_441.html Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.48 грн
41+7.56 грн
100+4.54 грн
500+2.99 грн
1000+2.54 грн
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD MOT8N65MD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_116.html Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+63.91 грн
100+38.35 грн
500+25.19 грн
1000+21.41 грн
2500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.45 грн
10+73.99 грн
100+44.41 грн
500+29.17 грн
1000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF MOT8N80HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_159.html Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+311.62 грн
10+180.28 грн
100+108.14 грн
500+71.04 грн
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT90N03D MOT90N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_768.html Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.47 грн
10+34.28 грн
100+20.60 грн
500+13.53 грн
1000+11.50 грн
2500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D MOT9N50D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_18.html Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.70 грн
10+58.57 грн
100+35.13 грн
500+23.08 грн
1000+19.62 грн
2500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF MOT9N90HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_169.html Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.03 грн
10+206.01 грн
100+123.61 грн
500+81.20 грн
1000+69.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A MUR1620A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_115.html Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.28 грн
10+85.82 грн
100+51.50 грн
500+33.84 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.53 грн
10+69.87 грн
100+41.89 грн
500+27.52 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.01 грн
10+64.06 грн
100+38.46 грн
500+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2002A MUR2002A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_124.html Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.25 грн
10+74.52 грн
100+44.74 грн
500+29.39 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2002F MUR2002F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_126.html Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.25 грн
10+74.52 грн
100+44.74 грн
500+29.39 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2040F MUR2040F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_129.html Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.94 грн
10+68.87 грн
100+41.30 грн
500+27.13 грн
1000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8050 S8050 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_7.html Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.17 грн
160+1.91 грн
260+1.18 грн
500+0.77 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9012 S9012 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_15.html Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.17 грн
160+1.91 грн
260+1.18 грн
500+0.77 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9013 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. S9013_prod.pdf 5272_S9013.pdf 5399_S9013%20SOT-23.PDF 1779697118650278.pdf Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.17 грн
154+1.99 грн
254+1.21 грн
500+0.79 грн
1000+0.68 грн
3000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9014 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. 5272_S9014.pdf 5399_S9014%20SOT-23.PDF S9014S20000SJ6.pdf S9014-4491.pdf 1779697129857382.pdf Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
134+2.38 грн
174+1.76 грн
297+1.03 грн
500+0.68 грн
1000+0.58 грн
3000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65C index_91.html
MOT4N65C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.91 грн
10+44.67 грн
100+26.78 грн
500+17.59 грн
1000+14.95 грн
4200+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.91 грн
10+44.67 грн
100+26.78 грн
500+17.59 грн
1000+14.95 грн
2500+12.71 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+92.77 грн
10+53.83 грн
100+32.28 грн
500+21.20 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N65T
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+297.35 грн
10+171.65 грн
100+103.01 грн
500+67.67 грн
1000+57.52 грн
2000+48.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70D index_144.html
MOT4N70D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.09 грн
10+46.42 грн
100+27.85 грн
500+18.29 грн
1000+15.55 грн
2500+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT4N70F index_142.html
MOT4N70F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+95.94 грн
10+55.21 грн
100+33.15 грн
500+21.78 грн
1000+18.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03BD trenchsgtmOS_813.html
MOT50N03BD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
14+22.98 грн
100+13.77 грн
500+9.04 грн
1000+7.69 грн
2500+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03C trenchsgtmOS_811.html
MOT50N03C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.58 грн
12+27.49 грн
100+16.52 грн
500+10.85 грн
1000+9.23 грн
4200+7.84 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N03D trenchsgtmOS_812.html
MOT50N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.61 грн
13+25.20 грн
100+15.15 грн
500+9.95 грн
1000+8.46 грн
2500+7.19 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N04D trenchsgtmOS_809.html
MOT50N04D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.23 грн
10+37.03 грн
100+22.20 грн
500+14.59 грн
1000+12.40 грн
2500+10.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.43 грн
10+36.65 грн
100+21.98 грн
500+14.44 грн
1000+12.27 грн
4200+10.43 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50N06D trenchsgtmOS_807.html
MOT50N06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+38.85 грн
10+33.21 грн
100+19.91 грн
500+13.08 грн
1000+11.12 грн
2500+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT50P06D trenchsgtmOS_799.html
MOT50P06D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+64.06 грн
100+38.46 грн
500+25.26 грн
1000+21.47 грн
2500+18.25 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT55N06B trenchsgtmOS_798.html
MOT55N06B
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.80 грн
10+78.04 грн
100+46.81 грн
500+30.75 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A index_93.html
MOT5N65A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+104.67 грн
10+60.86 грн
100+36.48 грн
500+23.97 грн
1000+20.37 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F index_94.html
MOT5N65F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+89.60 грн
10+51.62 грн
100+30.98 грн
500+20.35 грн
1000+17.30 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D trenchsgtmOS_792.html
MOT60N02D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G trenchsgtmOS_500.html
MOT6111G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.62 грн
10+180.28 грн
100+108.14 грн
500+71.04 грн
1000+60.39 грн
5000+51.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G trenchsgtmOS_476.html
MOT6515G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.49 грн
10+58.57 грн
100+35.15 грн
500+23.09 грн
1000+19.63 грн
5000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G trenchsgtmOS_471.html
MOT6522G
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+64.23 грн
10+37.19 грн
100+22.30 грн
500+14.65 грн
1000+12.45 грн
5000+10.59 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN highvoltageSJ_428.html
MOT65R099KN
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1042.70 грн
10+602.37 грн
100+361.40 грн
600+237.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R180HGF highvoltageSJ_427.html
MOT65R180HGF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+396.46 грн
10+229.53 грн
100+137.67 грн
500+90.44 грн
1000+76.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF highvoltageSJ_267.html
MOT65R190HKF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.11 грн
10+355.67 грн
100+213.40 грн
500+140.19 грн
1000+119.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R280D highvoltageSJ_236.html
MOT65R280D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 300 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+367.13 грн
10+211.74 грн
100+127.05 грн
500+83.46 грн
1000+70.94 грн
2500+60.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R280F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 15A 0.30 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+386.16 грн
10+223.19 грн
100+133.91 грн
500+87.97 грн
1000+74.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R380D highvoltageSJ_234.html
MOT65R380D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+249.77 грн
10+144.24 грн
100+86.53 грн
500+56.84 грн
1000+48.32 грн
2500+41.07 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R380F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 11A 0.35 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+271.18 грн
10+156.84 грн
100+94.08 грн
500+61.80 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D trenchsgtmOS_788.html
MOT70N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+45.99 грн
12+26.34 грн
100+15.80 грн
500+10.38 грн
1000+8.82 грн
2500+7.50 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70R380D highvoltageSJ_245.html
MOT70R380D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+298.93 грн
10+172.87 грн
100+103.69 грн
500+68.12 грн
1000+57.90 грн
2500+49.22 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70R380F highvoltageSJ_244.html
MOT70R380F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 11A 0.32 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+325.10 грн
10+187.68 грн
100+112.63 грн
500+73.99 грн
1000+62.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+158.59 грн
10+91.55 грн
100+54.94 грн
500+36.09 грн
1000+30.68 грн
2500+26.08 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC index_105.html
MOT7N65AC
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+76.12 грн
10+60.70 грн
100+36.39 грн
500+23.91 грн
1000+20.32 грн
4200+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+75.33 грн
10+60.70 грн
100+36.39 грн
500+23.91 грн
1000+20.32 грн
2500+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.90 грн
10+70.93 грн
100+42.58 грн
500+27.97 грн
1000+23.77 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C index_147.html
MOT7N70C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+109.42 грн
10+62.99 грн
100+37.79 грн
500+24.82 грн
1000+21.10 грн
4200+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D index_148.html
MOT7N70D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+113.39 грн
10+65.36 грн
100+39.24 грн
500+25.78 грн
1000+21.91 грн
2500+18.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F index_146.html
MOT7N70F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+122.11 грн
10+70.71 грн
100+42.43 грн
500+27.87 грн
1000+23.69 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F index_158.html
MOT7N80F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+294.18 грн
10+170.12 грн
100+102.10 грн
500+67.07 грн
1000+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C trenchsgtmOS_781.html
MOT80N03C
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+49.16 грн
11+28.63 грн
100+17.16 грн
500+11.28 грн
1000+9.59 грн
4200+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D trenchsgtmOS_780.html
MOT80N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
14+22.91 грн
100+13.74 грн
500+9.02 грн
1000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+39.65 грн
14+22.91 грн
100+13.74 грн
500+9.02 грн
1000+7.67 грн
2500+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80P03D trenchsgtmOS_865.html
MOT80P03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 80A 4.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+114.97 грн
10+66.35 грн
100+39.83 грн
500+26.16 грн
1000+22.24 грн
2500+18.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8156D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 120A 4.7m To-2
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+237.88 грн
10+137.36 грн
100+82.41 грн
500+54.14 грн
1000+46.02 грн
2500+39.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 smallsignalMOS_441.html
MOT8205SA6
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
24+13.48 грн
41+7.56 грн
100+4.54 грн
500+2.99 грн
1000+2.54 грн
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD index_116.html
MOT8N65MD
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+63.91 грн
100+38.35 грн
500+25.19 грн
1000+21.41 грн
2500+18.20 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.45 грн
10+73.99 грн
100+44.41 грн
500+29.17 грн
1000+24.80 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF index_159.html
MOT8N80HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+311.62 грн
10+180.28 грн
100+108.14 грн
500+71.04 грн
1000+60.39 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT90N03D trenchsgtmOS_768.html
MOT90N03D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 90A 3.4m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+59.47 грн
10+34.28 грн
100+20.60 грн
500+13.53 грн
1000+11.50 грн
2500+9.78 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D index_18.html
MOT9N50D
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+100.70 грн
10+58.57 грн
100+35.13 грн
500+23.08 грн
1000+19.62 грн
2500+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF index_169.html
MOT9N90HF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+356.03 грн
10+206.01 грн
100+123.61 грн
500+81.20 грн
1000+69.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A fastrecoverydiode_115.html
MUR1620A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+148.28 грн
10+85.82 грн
100+51.50 грн
500+33.84 грн
1000+28.76 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+120.53 грн
10+69.87 грн
100+41.89 грн
500+27.52 грн
1000+23.39 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+111.01 грн
10+64.06 грн
100+38.46 грн
500+25.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2002A fastrecoverydiode_124.html
MUR2002A
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.25 грн
10+74.52 грн
100+44.74 грн
500+29.39 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2002F fastrecoverydiode_126.html
MUR2002F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 20A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.25 грн
10+74.52 грн
100+44.74 грн
500+29.39 грн
1000+24.98 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2040F fastrecoverydiode_129.html
MUR2040F
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+118.94 грн
10+68.87 грн
100+41.30 грн
500+27.13 грн
1000+23.06 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8050 smallsignaltransistor_7.html
S8050
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.17 грн
160+1.91 грн
260+1.18 грн
500+0.77 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9012 smallsignaltransistor_15.html
S9012
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.17 грн
160+1.91 грн
260+1.18 грн
500+0.77 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9013 S9013_prod.pdf 5272_S9013.pdf 5399_S9013%20SOT-23.PDF 1779697118650278.pdf
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.17 грн
154+1.99 грн
254+1.21 грн
500+0.79 грн
1000+0.68 грн
3000+0.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9014 5272_S9014.pdf 5399_S9014%20SOT-23.PDF S9014S20000SJ6.pdf S9014-4491.pdf 1779697129857382.pdf
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
134+2.38 грн
174+1.76 грн
297+1.03 грн
500+0.68 грн
1000+0.58 грн
3000+0.49 грн
Мінімальне замовлення: 134 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]