Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (321) > Сторінка 4 з 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MOT15N10C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
 Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT15N10D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT15N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT16N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT16N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 60W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT180N10A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT180N10E | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 260W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT18N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT18N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT20N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT20N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT20N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT20N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT2124G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MOT2135G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2135J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT22N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2301B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT2305AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MOT2310B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT2514J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT25N50N | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT25N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 297W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2620J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT28N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 55W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT28N50Q | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PB Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT28N60HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2N7002 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3080D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH V A m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT30N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT30N10BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3141AG | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT3141AJ | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3145J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3150G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3150J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3400AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3401B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3407A3 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3510G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3520J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3728J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3816S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MOT3818S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MOT4111T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 40V 300A 1.06m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4572AT | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 40V 491A 0.74m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4578T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 40V 462A 0.78m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4582HT | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 40V 395A 0.85m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4592T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 40V 420A 0.82m Toll- |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4617J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4618D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT4633S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4656S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 8A/-6v 23m SO |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT15N10C |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2061.76 грн |
| 11+ | 230.06 грн |
| 100+ | 37.37 грн |
| 500+ | 15.36 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| 4200+ | 8.67 грн |
| MOT15N10D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
Description: MOSFET N-CH 100V 15A 80m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2061.76 грн |
| 11+ | 230.06 грн |
| 100+ | 37.37 грн |
| 500+ | 15.36 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| 2500+ | 8.99 грн |
| MOT15N50HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 15A 0.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2233.95 грн |
| 10+ | 329.17 грн |
| 100+ | 96.87 грн |
| 500+ | 54.44 грн |
| 1000+ | 44.87 грн |
| MOT16N50HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 16A 0.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 229.32 грн |
| 10+ | 132.88 грн |
| 100+ | 79.71 грн |
| 500+ | 52.37 грн |
| 1000+ | 44.51 грн |
| MOT16N65HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 16A 0.47 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2233.95 грн |
| 10+ | 329.17 грн |
| 100+ | 96.87 грн |
| 500+ | 54.44 грн |
| 1000+ | 44.87 грн |
| MOT180N10A |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2395.03 грн |
| 10+ | 422.16 грн |
| 100+ | 152.68 грн |
| 500+ | 91.11 грн |
| 1000+ | 76.03 грн |
| MOT180N10E |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 100V 180A 3m To-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 158 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7470 pF @ 50 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2937.79 грн |
| 10+ | 736.14 грн |
| 100+ | 341.06 грн |
| 500+ | 214.85 грн |
| 800+ | 181.72 грн |
| MOT18N50HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 18A 0.27 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2256.17 грн |
| 10+ | 341.93 грн |
| 100+ | 104.55 грн |
| 500+ | 59.48 грн |
| 1000+ | 49.15 грн |
| MOT18N65HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 18A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 25 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2276.01 грн |
| 10+ | 353.62 грн |
| 100+ | 111.52 грн |
| 500+ | 64.07 грн |
| MOT20N03BD |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 8.8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.88 грн |
| 14+ | 22.46 грн |
| 100+ | 13.46 грн |
| 500+ | 8.84 грн |
| 1000+ | 7.51 грн |
| 2500+ | 6.39 грн |
| MOT20N03D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252
Description: MOSFET N-CH 30V 2A 9.7m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 36.50 грн |
| 15+ | 21.32 грн |
| 100+ | 12.78 грн |
| 500+ | 8.40 грн |
| 1000+ | 7.14 грн |
| 2500+ | 6.07 грн |
| MOT20N50HF |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2287.91 грн |
| 10+ | 360.57 грн |
| 100+ | 115.71 грн |
| 500+ | 66.82 грн |
| 1000+ | 55.38 грн |
| MOT20N50W |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
Description: MOSFET N-CH 500V 20A 0.19 To247s
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2414.87 грн |
| 10+ | 433.85 грн |
| 100+ | 159.66 грн |
| 600+ | 95.02 грн |
| MOT2124G |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 15.08 грн |
| 35+ | 8.94 грн |
| 100+ | 5.36 грн |
| 500+ | 3.52 грн |
| 1000+ | 2.99 грн |
| 5000+ | 2.54 грн |
| MOT2135G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.51 грн |
| 10+ | 34.31 грн |
| 100+ | 20.62 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| 5000+ | 9.79 грн |
| MOT2135J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2071.28 грн |
| 10+ | 234.88 грн |
| 100+ | 40.31 грн |
| 500+ | 17.29 грн |
| 1000+ | 13.28 грн |
| 5000+ | 9.98 грн |
| MOT22N65HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 361.84 грн |
| 10+ | 208.99 грн |
| 100+ | 125.38 грн |
| 500+ | 82.37 грн |
| 1000+ | 70.01 грн |
| MOT2301B2 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 40+ | 2020.50 грн |
| 72+ | 205.54 грн |
| 119+ | 22.71 грн |
| 500+ | 5.72 грн |
| 1000+ | 3.45 грн |
| 3000+ | 1.90 грн |
| MOT2305AB2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.90 грн |
| 44+ | 6.95 грн |
| 100+ | 4.16 грн |
| 500+ | 2.74 грн |
| 1000+ | 2.33 грн |
| 3000+ | 1.98 грн |
| MOT2310B2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.28 грн |
| 38+ | 8.25 грн |
| 100+ | 4.92 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 2.75 грн |
| 3000+ | 2.34 грн |
| MOT2514J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 2047.48 грн |
| 16+ | 221.51 грн |
| 100+ | 32.24 грн |
| 500+ | 11.98 грн |
| 1000+ | 8.78 грн |
| 5000+ | 6.15 грн |
| MOT25N50N |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2676.72 грн |
| 10+ | 584.99 грн |
| 100+ | 250.36 грн |
| 600+ | 154.60 грн |
| MOT25N50W |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2575.95 грн |
| 10+ | 526.85 грн |
| 100+ | 215.48 грн |
| 600+ | 131.69 грн |
| MOT2620J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.37 грн |
| 11+ | 30.41 грн |
| 100+ | 18.26 грн |
| 500+ | 12.00 грн |
| 1000+ | 10.20 грн |
| 5000+ | 8.67 грн |
| MOT2718J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2060.97 грн |
| 11+ | 229.30 грн |
| 100+ | 36.94 грн |
| 500+ | 15.08 грн |
| 1000+ | 11.41 грн |
| 5000+ | 8.39 грн |
| MOT28N50HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2435.50 грн |
| 10+ | 445.47 грн |
| 100+ | 166.64 грн |
| 500+ | 100.27 грн |
| 1000+ | 83.82 грн |
| MOT28N50Q |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2637.05 грн |
| 10+ | 561.69 грн |
| 100+ | 236.41 грн |
| 600+ | 145.44 грн |
| MOT28N60HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2456.92 грн |
| 10+ | 458.23 грн |
| 100+ | 174.31 грн |
| 500+ | 105.31 грн |
| 1000+ | 88.11 грн |
| MOT2N65A |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.32 грн |
| 10+ | 48.22 грн |
| 100+ | 28.95 грн |
| 500+ | 19.02 грн |
| 1000+ | 16.17 грн |
| MOT2N65C |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.89 грн |
| 10+ | 35.91 грн |
| 100+ | 21.53 грн |
| 500+ | 14.14 грн |
| 1000+ | 12.02 грн |
| 4200+ | 10.22 грн |
| MOT2N65D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2066.52 грн |
| 10+ | 232.66 грн |
| 100+ | 38.96 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 1000+ | 12.53 грн |
| 2500+ | 9.75 грн |
| MOT2N7002 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 2017.32 грн |
| 112+ | 204.01 грн |
| 181+ | 21.81 грн |
| 500+ | 5.13 грн |
| 1000+ | 2.96 грн |
| 3000+ | 1.47 грн |
| MOT3080D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.02 грн |
| 12+ | 26.36 грн |
| 100+ | 15.81 грн |
| 500+ | 10.38 грн |
| 1000+ | 8.83 грн |
| 2500+ | 7.50 грн |
| MOT30N06D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2061.76 грн |
| 11+ | 230.06 грн |
| 100+ | 37.37 грн |
| 500+ | 15.36 грн |
| 1000+ | 11.65 грн |
| 2500+ | 8.99 грн |
| MOT30N10BD |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 44.55 грн |
| 100+ | 26.71 грн |
| 500+ | 17.55 грн |
| 1000+ | 14.92 грн |
| 2500+ | 12.68 грн |
| MOT3141AG |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 103.16 грн |
| 10+ | 59.52 грн |
| 100+ | 35.74 грн |
| 500+ | 23.48 грн |
| 1000+ | 19.95 грн |
| 5000+ | 16.96 грн |
| MOT3141AJ |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2074.46 грн |
| 10+ | 237.17 грн |
| 100+ | 41.65 грн |
| 500+ | 18.17 грн |
| 1000+ | 14.04 грн |
| 5000+ | 10.62 грн |
| MOT3145J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2066.52 грн |
| 10+ | 232.66 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 1000+ | 12.53 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| MOT3150G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.48 грн |
| 10+ | 36.68 грн |
| 100+ | 21.99 грн |
| 500+ | 14.45 грн |
| 1000+ | 12.28 грн |
| 5000+ | 10.44 грн |
| MOT3150J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2066.52 грн |
| 10+ | 232.66 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 1000+ | 12.53 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| MOT3400AB2 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 2026.05 грн |
| 42+ | 208.67 грн |
| 100+ | 24.61 грн |
| 500+ | 6.97 грн |
| 1000+ | 4.52 грн |
| 3000+ | 2.80 грн |
| MOT3401B2 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.28 грн |
| 38+ | 8.18 грн |
| 100+ | 4.89 грн |
| 500+ | 3.21 грн |
| 1000+ | 2.73 грн |
| 3000+ | 2.32 грн |
| MOT3407A3 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 15.08 грн |
| 35+ | 8.79 грн |
| 100+ | 5.30 грн |
| 500+ | 3.48 грн |
| 1000+ | 2.95 грн |
| 3000+ | 2.51 грн |
| MOT3510G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.20 грн |
| 11+ | 28.65 грн |
| 100+ | 17.18 грн |
| 500+ | 11.29 грн |
| 1000+ | 9.59 грн |
| 5000+ | 8.15 грн |
| MOT3520J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2051.44 грн |
| 14+ | 223.72 грн |
| 100+ | 33.58 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 9.53 грн |
| 5000+ | 6.79 грн |
| MOT3712J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2082.39 грн |
| 10+ | 241.60 грн |
| 100+ | 44.35 грн |
| 500+ | 19.94 грн |
| 1000+ | 15.54 грн |
| 5000+ | 11.90 грн |
| MOT3712S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.51 грн |
| 10+ | 34.31 грн |
| 100+ | 20.62 грн |
| 500+ | 13.54 грн |
| 1000+ | 11.51 грн |
| 4000+ | 9.79 грн |
| MOT3718J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2064.93 грн |
| 11+ | 231.52 грн |
| 100+ | 38.29 грн |
| 500+ | 15.96 грн |
| 1000+ | 12.16 грн |
| 5000+ | 9.02 грн |
| MOT3728J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2062.55 грн |
| 11+ | 230.37 грн |
| 100+ | 37.56 грн |
| 500+ | 15.48 грн |
| 1000+ | 11.75 грн |
| 5000+ | 8.68 грн |
| MOT3816S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.97 грн |
| 10+ | 44.70 грн |
| 100+ | 26.80 грн |
| 500+ | 17.61 грн |
| 1000+ | 14.97 грн |
| 4000+ | 12.72 грн |
| MOT3818S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.61 грн |
| 12+ | 27.43 грн |
| 100+ | 16.50 грн |
| 500+ | 10.84 грн |
| 1000+ | 9.21 грн |
| 4000+ | 7.83 грн |
| MOT4111T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 1.06m Toll-
Description: MOSFET N-CH 40V 300A 1.06m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2370.43 грн |
| 10+ | 408.33 грн |
| 100+ | 144.33 грн |
| 500+ | 85.62 грн |
| 1000+ | 71.37 грн |
| 2000+ | 59.96 грн |
| MOT4572AT |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 491A 0.74m Toll-
Description: MOSFET N-CH 40V 491A 0.74m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2311.71 грн |
| 10+ | 373.72 грн |
| 100+ | 123.64 грн |
| 500+ | 72.02 грн |
| 1000+ | 59.81 грн |
| 2000+ | 50.14 грн |
| MOT4578T |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 462A 0.78m Toll-
Description: MOSFET N-CH 40V 462A 0.78m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2648.95 грн |
| 10+ | 569.33 грн |
| 100+ | 240.94 грн |
| 500+ | 149.09 грн |
| 1000+ | 125.32 грн |
| 2000+ | 105.81 грн |
| MOT4582HT |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 395A 0.85m Toll-
Description: MOSFET N-CH 40V 395A 0.85m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2490.25 грн |
| 10+ | 477.25 грн |
| 100+ | 185.74 грн |
| 500+ | 112.82 грн |
| 1000+ | 94.49 грн |
| 2000+ | 79.61 грн |
| MOT4592T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 0.82m Toll-
Description: MOSFET N-CH 40V 420A 0.82m Toll-
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2330.76 грн |
| 10+ | 385.26 грн |
| 100+ | 130.53 грн |
| 500+ | 76.56 грн |
| 1000+ | 63.66 грн |
| 2000+ | 53.41 грн |
| MOT4617J |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2066.52 грн |
| 10+ | 232.66 грн |
| 100+ | 38.97 грн |
| 500+ | 16.40 грн |
| 1000+ | 12.53 грн |
| 5000+ | 9.34 грн |
| MOT4618D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 92.05 грн |
| 10+ | 53.41 грн |
| 100+ | 32.06 грн |
| 500+ | 21.06 грн |
| 1000+ | 17.90 грн |
| 2500+ | 15.22 грн |
| MOT4633S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.42 грн |
| 10+ | 41.26 грн |
| 100+ | 24.74 грн |
| 500+ | 16.25 грн |
| 1000+ | 13.81 грн |
| 4000+ | 11.74 грн |
| MOT4656S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 8A/-6v 23m SO
Description: MOSFET N+P-CH 40V 8A/-6v 23m SO
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 2048.27 грн |
| 15+ | 222.19 грн |
| 100+ | 32.68 грн |
| 500+ | 12.27 грн |
| 1000+ | 9.03 грн |
| 4000+ | 6.46 грн |