Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (226) > Сторінка 4 з 4

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
MOT55N06B MOT55N06B Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_798.html Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+129.12 грн
10+74.68 грн
100+44.81 грн
500+29.44 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A MOT5N65A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_93.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.97 грн
10+57.55 грн
100+34.49 грн
500+22.66 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F MOT5N65F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_94.html Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.82 грн
10+49.44 грн
100+29.66 грн
500+19.48 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D MOT60N02D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_792.html Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G MOT6111G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_500.html Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.86 грн
10+175.79 грн
100+105.45 грн
500+69.27 грн
1000+58.88 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G MOT6515G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_476.html Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.97 грн
10+57.11 грн
100+34.27 грн
500+22.51 грн
1000+19.14 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G MOT6522G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_471.html Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.63 грн
10+36.26 грн
100+21.75 грн
500+14.29 грн
1000+12.14 грн
5000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN MOT65R099KN Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_428.html Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1016.73 грн
10+587.37 грн
100+352.40 грн
600+231.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF MOT65R190HKF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. highvoltageSJ_267.html Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+589.16 грн
10+340.48 грн
100+204.31 грн
500+134.22 грн
1000+114.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D MOT70N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_788.html Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.30 грн
12+24.94 грн
100+14.97 грн
500+9.83 грн
1000+8.36 грн
2500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D MOT75N75D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_784.html Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.32 грн
10+87.86 грн
100+52.73 грн
500+34.64 грн
1000+29.44 грн
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC MOT7N65AC Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_105.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.68 грн
10+58.00 грн
100+34.77 грн
500+22.84 грн
1000+19.42 грн
4200+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD MOT7N65AD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_109.html Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.91 грн
10+58.00 грн
100+34.77 грн
500+22.84 грн
1000+19.42 грн
2500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C MOT7N70C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_147.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.70 грн
10+61.42 грн
100+36.85 грн
500+24.21 грн
1000+20.57 грн
4200+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D MOT7N70D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_148.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+106.70 грн
10+61.42 грн
100+36.85 грн
500+24.21 грн
1000+20.57 грн
2500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F MOT7N70F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_146.html Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.07 грн
10+68.94 грн
100+41.37 грн
500+27.18 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F MOT7N80F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_158.html Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+286.85 грн
10+165.88 грн
100+99.55 грн
500+65.40 грн
1000+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C MOT80N03C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_781.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.16 грн
11+27.32 грн
100+16.39 грн
500+10.77 грн
1000+9.15 грн
4200+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D MOT80N03D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_780.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.89 грн
14+21.89 грн
100+13.11 грн
500+8.62 грн
1000+7.32 грн
2500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD MOT80N03XD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. trenchsgtmOS_778.html Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+37.89 грн
14+21.89 грн
100+13.11 грн
500+8.62 грн
1000+7.32 грн
2500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 MOT8205SA6 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignalMOS_441.html Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.37 грн
42+7.15 грн
100+4.30 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD MOT8N65MD Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_116.html Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.25 грн
10+62.32 грн
100+37.40 грн
500+24.57 грн
1000+20.88 грн
2500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.26 грн
10+72.15 грн
100+43.30 грн
500+28.45 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF MOT8N80HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_159.html Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+303.86 грн
10+175.79 грн
100+105.45 грн
500+69.27 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D MOT9N50D Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_18.html Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.19 грн
10+57.11 грн
100+34.26 грн
500+22.51 грн
1000+19.13 грн
2500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF MOT9N90HF Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_169.html Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+348.70 грн
10+201.40 грн
100+120.82 грн
500+79.37 грн
1000+67.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A MUR1620A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_115.html Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.49 грн
10+82.05 грн
100+49.21 грн
500+32.32 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640A MUR1640A Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_118.html Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640F MUR1640F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_120.html Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2040F MUR2040F Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. fastrecoverydiode_129.html Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G NJW0281G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_33.html Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.08 грн
10+262.01 грн
100+157.19 грн
500+103.26 грн
1000+87.77 грн
2400+74.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0302G NJW0302G Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_34.html Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+453.08 грн
10+262.01 грн
100+157.19 грн
600+103.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S8050 S8050 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_7.html Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 255 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
160+1.86 грн
260+1.15 грн
500+0.75 грн
1000+0.64 грн
3000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 S8550 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_10.html Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
160+1.86 грн
265+1.12 грн
500+0.74 грн
1000+0.63 грн
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9012 S9012 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_15.html Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
160+1.86 грн
267+1.12 грн
500+0.73 грн
1000+0.62 грн
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9013 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. S9013_prod.pdf 5272_S9013.pdf 5399_S9013%20SOT-23.PDF Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
154+1.94 грн
252+1.18 грн
500+0.78 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9014 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. 5272_S9014.pdf 5399_S9014%20SOT-23.PDF S9014S20000SJ6.pdf S9014-4491.pdf GK-SOT-23_S9014-202604.pdf Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
174+1.71 грн
297+1.01 грн
500+0.66 грн
1000+0.56 грн
3000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9015 S9015 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_16.html Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+3.09 грн
154+1.94 грн
257+1.16 грн
500+0.76 грн
1000+0.65 грн
3000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8050 SS8050 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_13.html Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.87 грн
122+2.46 грн
203+1.47 грн
500+0.97 грн
1000+0.82 грн
3000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550 SS8550 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. smallsignaltransistor_14.html Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+3.87 грн
125+2.38 грн
212+1.41 грн
500+0.93 грн
1000+0.79 грн
3000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP35C TIP35C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_37.html Description: TRANS NPN 100V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 25A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.27 грн
10+86.14 грн
100+68.57 грн
500+53.57 грн
1000+49.98 грн
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36C TIP36C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_38.html Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.27 грн
10+86.14 грн
100+68.57 грн
500+53.57 грн
1000+49.98 грн
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP41C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. en.CD00142950.pdf 5272_TIP41C.pdf TIP41A-D.pdf Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.35 грн
10+73.78 грн
100+44.31 грн
500+29.10 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42C TIP42C Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. index_19.html Description: TRANS PNP 100V 6A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.26 грн
10+72.15 грн
100+43.30 грн
500+28.45 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1943 TTA1943 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_49.html Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+423.70 грн
10+244.51 грн
100+146.74 грн
500+96.40 грн
1000+81.94 грн
2000+69.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TTC5200 TTC5200 Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. audiotube_50.html Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+426.80 грн
10+246.22 грн
100+147.75 грн
500+97.06 грн
1000+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT55N06B trenchsgtmOS_798.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+129.12 грн
10+74.68 грн
100+44.81 грн
500+29.44 грн
1000+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65A index_93.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
10+57.55 грн
100+34.49 грн
500+22.66 грн
1000+19.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT5N65F index_94.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+85.82 грн
10+49.44 грн
100+29.66 грн
500+19.48 грн
1000+16.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT60N02D trenchsgtmOS_792.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6111G trenchsgtmOS_500.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.86 грн
10+175.79 грн
100+105.45 грн
500+69.27 грн
1000+58.88 грн
5000+50.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6515G trenchsgtmOS_476.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.97 грн
10+57.11 грн
100+34.27 грн
500+22.51 грн
1000+19.14 грн
5000+16.27 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT6522G trenchsgtmOS_471.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+62.63 грн
10+36.26 грн
100+21.75 грн
500+14.29 грн
1000+12.14 грн
5000+10.32 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R099KN highvoltageSJ_428.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1016.73 грн
10+587.37 грн
100+352.40 грн
600+231.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT65R190HKF highvoltageSJ_267.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.15 To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 37W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+589.16 грн
10+340.48 грн
100+204.31 грн
500+134.22 грн
1000+114.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MOT70N03D trenchsgtmOS_788.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 7A 5.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 53W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1485 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8+43.30 грн
12+24.94 грн
100+14.97 грн
500+9.83 грн
1000+8.36 грн
2500+7.11 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT75N75D trenchsgtmOS_784.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 75V 75A 7.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 30 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+152.32 грн
10+87.86 грн
100+52.73 грн
500+34.64 грн
1000+29.44 грн
2500+25.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AC index_105.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+72.68 грн
10+58.00 грн
100+34.77 грн
500+22.84 грн
1000+19.42 грн
4200+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N65AD index_109.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 7A 1.12 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+71.91 грн
10+58.00 грн
100+34.77 грн
500+22.84 грн
1000+19.42 грн
2500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70C index_147.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.70 грн
10+61.42 грн
100+36.85 грн
500+24.21 грн
1000+20.57 грн
4200+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70D index_148.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+106.70 грн
10+61.42 грн
100+36.85 грн
500+24.21 грн
1000+20.57 грн
2500+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N70F index_146.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 7A 1.45 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+119.07 грн
10+68.94 грн
100+41.37 грн
500+27.18 грн
1000+23.10 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT7N80F index_158.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 7A 1.5 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+286.85 грн
10+165.88 грн
100+99.55 грн
500+65.40 грн
1000+55.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03C trenchsgtmOS_781.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.16 грн
11+27.32 грн
100+16.39 грн
500+10.77 грн
1000+9.15 грн
4200+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03D trenchsgtmOS_780.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.89 грн
14+21.89 грн
100+13.11 грн
500+8.62 грн
1000+7.32 грн
2500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT80N03XD trenchsgtmOS_778.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 80A 4m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
9+37.89 грн
14+21.89 грн
100+13.11 грн
500+8.62 грн
1000+7.32 грн
2500+6.22 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8205SA6 smallsignalMOS_441.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V MA SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.14W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 370 pF @ 20 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.37 грн
42+7.15 грн
100+4.30 грн
500+2.82 грн
1000+2.40 грн
3000+2.04 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MD index_116.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+108.25 грн
10+62.32 грн
100+37.40 грн
500+24.57 грн
1000+20.88 грн
2500+17.75 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N65MF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 8A 1.1 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.26 грн
10+72.15 грн
100+43.30 грн
500+28.45 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT8N80HF index_159.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 800V 8A 1.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+303.86 грн
10+175.79 грн
100+105.45 грн
500+69.27 грн
1000+58.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N50D index_18.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 9A 0.72 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+98.19 грн
10+57.11 грн
100+34.26 грн
500+22.51 грн
1000+19.13 грн
2500+16.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MOT9N90HF index_169.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 900V 9A 1.4 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 36W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+348.70 грн
10+201.40 грн
100+120.82 грн
500+79.37 грн
1000+67.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1620A fastrecoverydiode_115.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 200V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+141.49 грн
10+82.05 грн
100+49.21 грн
500+32.32 грн
1000+27.48 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640A fastrecoverydiode_118.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR1640F fastrecoverydiode_120.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 16A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 16A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MUR2040F fastrecoverydiode_129.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: DIODE ARR FRD 400V 20A TO-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 20A
Supplier Device Package: TO-220F
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0281G audiotube_33.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 250V 15A TO-3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.08 грн
10+262.01 грн
100+157.19 грн
500+103.26 грн
1000+87.77 грн
2400+74.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NJW0302G audiotube_34.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 250V 15A TO-3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 0.5A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 75 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 20MHz
Supplier Device Package: TO-3PB
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 160 W
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+453.08 грн
10+262.01 грн
100+157.19 грн
600+103.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
S8050 smallsignaltransistor_7.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 255 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
160+1.86 грн
260+1.15 грн
500+0.75 грн
1000+0.64 грн
3000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S8550 smallsignaltransistor_10.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
160+1.86 грн
265+1.12 грн
500+0.74 грн
1000+0.63 грн
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9012 smallsignaltransistor_15.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
160+1.86 грн
267+1.12 грн
500+0.73 грн
1000+0.62 грн
3000+0.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9013 S9013_prod.pdf 5272_S9013.pdf 5399_S9013%20SOT-23.PDF
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 1V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
154+1.94 грн
252+1.18 грн
500+0.78 грн
1000+0.66 грн
3000+0.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9014 5272_S9014.pdf 5399_S9014%20SOT-23.PDF S9014S20000SJ6.pdf S9014-4491.pdf GK-SOT-23_S9014-202604.pdf
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 45V 150MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
174+1.71 грн
297+1.01 грн
500+0.66 грн
1000+0.56 грн
3000+0.48 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
S9015 smallsignaltransistor_16.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 45V 100MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 5V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+3.09 грн
154+1.94 грн
257+1.16 грн
500+0.76 грн
1000+0.65 грн
3000+0.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8050 smallsignaltransistor_13.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 25V 1500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 80mA, 800mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.87 грн
122+2.46 грн
203+1.47 грн
500+0.97 грн
1000+0.82 грн
3000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SS8550 smallsignaltransistor_14.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 25V 1500MA SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 0.5V @ 10mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23
Current - Collector (Ic) (Max): 1500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
80+3.87 грн
125+2.38 грн
212+1.41 грн
500+0.93 грн
1000+0.79 грн
3000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 80 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP35C audiotube_37.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 25A
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 25A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1.5A, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-3PN
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 120 W
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.27 грн
10+86.14 грн
100+68.57 грн
500+53.57 грн
1000+49.98 грн
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP36C audiotube_38.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN -100V -25A TO-3PN
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+142.27 грн
10+86.14 грн
100+68.57 грн
500+53.57 грн
1000+49.98 грн
3000+46.81 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP41C en.CD00142950.pdf 5272_TIP41C.pdf TIP41A-D.pdf
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 100V 6A To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+128.35 грн
10+73.78 грн
100+44.31 грн
500+29.10 грн
1000+24.74 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TIP42C index_19.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 100V 6A To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
Current - Collector Cutoff (Max): 700µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Current - Collector (Ic) (Max): 6 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 65 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+125.26 грн
10+72.15 грн
100+43.30 грн
500+28.45 грн
1000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TTA1943 audiotube_49.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS PNP 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+423.70 грн
10+244.51 грн
100+146.74 грн
500+96.40 грн
1000+81.94 грн
2000+69.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TTC5200 audiotube_50.html
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: TRANS NPN 230V 15A TO-3PL
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 800mA, 8A
Current - Collector Cutoff (Max): 5µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-3PL
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 150 W
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+426.80 грн
10+246.22 грн
100+147.75 грн
500+97.06 грн
1000+82.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4