Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (303) > Сторінка 4 з 6
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOT2124G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MOT2135G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
 Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2135J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT22N65HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 52W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT2305AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MOT2310B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT2514J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT25N50N | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MOT25N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 297W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2620J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT2718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT28N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 55W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT28N50Q | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PB Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT28N60HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT2N7002 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT3080D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH V A m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT30N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT30N10BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3141AG | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT3141AJ | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3145J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3150G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3150J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3400AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3401B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3407A3 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3510G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3520J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT3728J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3816S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MOT3818S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
 |
MOT3N150V | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 90W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PF Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT4617J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
|
MOT4618D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT4633S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4733J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 25W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
MOT4N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TOLL-8L Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT4N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N04D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N06C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT50P06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT55N06B | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT5N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT5N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
MOT60N02D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252 Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MOT2124G |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 15.03 грн |
| 35+ | 8.91 грн |
| 100+ | 5.34 грн |
| 500+ | 3.51 грн |
| 1000+ | 2.98 грн |
| 5000+ | 2.54 грн |
| MOT2135G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.34 грн |
| 10+ | 34.21 грн |
| 100+ | 20.55 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.48 грн |
| 5000+ | 9.76 грн |
| MOT2135J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 3m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 58.55 грн |
| 10+ | 33.52 грн |
| 100+ | 20.13 грн |
| 500+ | 13.22 грн |
| 1000+ | 11.24 грн |
| 5000+ | 9.55 грн |
| MOT22N65HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 22A 0.35 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 360.77 грн |
| 10+ | 208.37 грн |
| 100+ | 125.01 грн |
| 500+ | 82.13 грн |
| 1000+ | 69.81 грн |
| MOT2305AB2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
Description: MOSFET P-CH 20V 6A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 27+ | 11.87 грн |
| 44+ | 6.93 грн |
| 100+ | 4.15 грн |
| 500+ | 2.73 грн |
| 1000+ | 2.32 грн |
| 3000+ | 1.97 грн |
| MOT2310B2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.24 грн |
| 38+ | 8.23 грн |
| 100+ | 4.91 грн |
| 500+ | 3.23 грн |
| 1000+ | 2.74 грн |
| 3000+ | 2.33 грн |
| MOT2514J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 34.81 грн |
| 16+ | 20.19 грн |
| 100+ | 12.08 грн |
| 500+ | 7.93 грн |
| 1000+ | 6.74 грн |
| 5000+ | 5.73 грн |
| MOT25N50N |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 654.29 грн |
| 10+ | 377.73 грн |
| 100+ | 226.66 грн |
| 600+ | 148.90 грн |
| MOT25N50W |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 554.61 грн |
| 10+ | 320.51 грн |
| 100+ | 192.32 грн |
| 600+ | 126.34 грн |
| MOT2620J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 11+ | 30.32 грн |
| 100+ | 18.21 грн |
| 500+ | 11.96 грн |
| 1000+ | 10.17 грн |
| 5000+ | 8.64 грн |
| MOT2718J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.26 грн |
| 11+ | 27.96 грн |
| 100+ | 16.77 грн |
| 500+ | 11.02 грн |
| 1000+ | 9.36 грн |
| 5000+ | 7.96 грн |
| MOT28N50HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 406.66 грн |
| 10+ | 234.81 грн |
| 100+ | 140.88 грн |
| 500+ | 92.55 грн |
| 1000+ | 78.67 грн |
| MOT28N50Q |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 600.49 грн |
| 10+ | 346.57 грн |
| 100+ | 207.97 грн |
| 600+ | 136.62 грн |
| MOT28N60HF |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 129mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4600 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 424.06 грн |
| 10+ | 245.32 грн |
| 100+ | 147.18 грн |
| 500+ | 96.69 грн |
| 1000+ | 82.19 грн |
| MOT2N65A |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 83.07 грн |
| 10+ | 48.07 грн |
| 100+ | 28.87 грн |
| 500+ | 18.96 грн |
| 1000+ | 16.12 грн |
| MOT2N65C |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 35.81 грн |
| 100+ | 21.46 грн |
| 500+ | 14.10 грн |
| 1000+ | 11.99 грн |
| 4200+ | 10.19 грн |
| MOT2N7002 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 4.75 грн |
| 115+ | 2.67 грн |
| 188+ | 1.62 грн |
| 500+ | 1.07 грн |
| 1000+ | 0.91 грн |
| 3000+ | 0.77 грн |
| MOT3080D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 45.89 грн |
| 12+ | 26.28 грн |
| 100+ | 15.76 грн |
| 500+ | 10.35 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| 2500+ | 7.48 грн |
| MOT30N06D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.05 грн |
| 11+ | 28.57 грн |
| 100+ | 17.13 грн |
| 500+ | 11.25 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
| 2500+ | 8.13 грн |
| MOT30N10BD |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.74 грн |
| 10+ | 44.42 грн |
| 100+ | 26.63 грн |
| 500+ | 17.50 грн |
| 1000+ | 14.88 грн |
| 2500+ | 12.64 грн |
| MOT3141AG |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.85 грн |
| 10+ | 59.35 грн |
| 100+ | 35.63 грн |
| 500+ | 23.41 грн |
| 1000+ | 19.90 грн |
| 5000+ | 16.91 грн |
| MOT3141AJ |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 35.81 грн |
| 100+ | 21.46 грн |
| 500+ | 14.10 грн |
| 1000+ | 11.99 грн |
| 5000+ | 10.19 грн |
| MOT3145J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.80 грн |
| 10+ | 31.31 грн |
| 100+ | 18.79 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 10.49 грн |
| 5000+ | 8.92 грн |
| MOT3150G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 36.57 грн |
| 100+ | 21.93 грн |
| 500+ | 14.40 грн |
| 1000+ | 12.24 грн |
| 5000+ | 10.41 грн |
| MOT3150J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.80 грн |
| 10+ | 31.31 грн |
| 100+ | 18.79 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 10.49 грн |
| 5000+ | 8.92 грн |
| MOT3400AB2 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 25+ | 12.66 грн |
| 43+ | 7.24 грн |
| 100+ | 4.37 грн |
| 500+ | 2.86 грн |
| 1000+ | 2.44 грн |
| 3000+ | 2.07 грн |
| MOT3401B2 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 14.24 грн |
| 38+ | 8.15 грн |
| 100+ | 4.88 грн |
| 500+ | 3.20 грн |
| 1000+ | 2.72 грн |
| 3000+ | 2.31 грн |
| MOT3407A3 |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 15.03 грн |
| 35+ | 8.76 грн |
| 100+ | 5.28 грн |
| 500+ | 3.47 грн |
| 1000+ | 2.95 грн |
| 3000+ | 2.50 грн |
| MOT3510G |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 49.05 грн |
| 11+ | 28.57 грн |
| 100+ | 17.13 грн |
| 500+ | 11.25 грн |
| 1000+ | 9.56 грн |
| 5000+ | 8.13 грн |
| MOT3520J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.77 грн |
| 14+ | 22.40 грн |
| 100+ | 13.42 грн |
| 500+ | 8.81 грн |
| 1000+ | 7.49 грн |
| 5000+ | 6.37 грн |
| MOT3712J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.62 грн |
| 10+ | 40.23 грн |
| 100+ | 24.15 грн |
| 500+ | 15.87 грн |
| 1000+ | 13.49 грн |
| 5000+ | 11.46 грн |
| MOT3712S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 59.34 грн |
| 10+ | 34.21 грн |
| 100+ | 20.55 грн |
| 500+ | 13.50 грн |
| 1000+ | 11.48 грн |
| 4000+ | 9.76 грн |
| MOT3718J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 52.22 грн |
| 11+ | 30.17 грн |
| 100+ | 18.11 грн |
| 500+ | 11.90 грн |
| 1000+ | 10.11 грн |
| 5000+ | 8.60 грн |
| MOT3728J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 48.26 грн |
| 11+ | 27.96 грн |
| 100+ | 16.77 грн |
| 500+ | 11.02 грн |
| 1000+ | 9.36 грн |
| 5000+ | 7.96 грн |
| MOT3816S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 76.74 грн |
| 10+ | 44.57 грн |
| 100+ | 26.72 грн |
| 500+ | 17.56 грн |
| 1000+ | 14.92 грн |
| 4000+ | 12.68 грн |
| MOT3818S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.47 грн |
| 12+ | 27.35 грн |
| 100+ | 16.45 грн |
| 500+ | 10.80 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| 4000+ | 7.81 грн |
| MOT3N150V |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 1500V 3A 6 To3PF
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 508.72 грн |
| 10+ | 294.08 грн |
| 100+ | 176.43 грн |
| 600+ | 115.91 грн |
| MOT4617J |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 53.80 грн |
| 10+ | 31.31 грн |
| 100+ | 18.79 грн |
| 500+ | 12.34 грн |
| 1000+ | 10.49 грн |
| 5000+ | 8.92 грн |
| MOT4618D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 91.77 грн |
| 10+ | 53.25 грн |
| 100+ | 31.97 грн |
| 500+ | 21.00 грн |
| 1000+ | 17.85 грн |
| 2500+ | 15.17 грн |
| MOT4633S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 71.20 грн |
| 10+ | 41.14 грн |
| 100+ | 24.67 грн |
| 500+ | 16.20 грн |
| 1000+ | 13.77 грн |
| 4000+ | 11.71 грн |
| MOT4712J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.98 грн |
| 10+ | 52.57 грн |
| 100+ | 31.52 грн |
| 500+ | 20.71 грн |
| 1000+ | 17.60 грн |
| 5000+ | 14.96 грн |
| MOT4712S |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.98 грн |
| 10+ | 52.57 грн |
| 100+ | 31.52 грн |
| 500+ | 20.71 грн |
| 1000+ | 17.60 грн |
| 4000+ | 14.96 грн |
| MOT4733J |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 35.81 грн |
| 100+ | 21.46 грн |
| 500+ | 14.10 грн |
| 1000+ | 11.99 грн |
| 5000+ | 10.19 грн |
| MOT4N65C |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.16 грн |
| 10+ | 43.65 грн |
| 100+ | 26.16 грн |
| 500+ | 17.19 грн |
| 1000+ | 14.61 грн |
| 4200+ | 12.42 грн |
| MOT4N65D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 75.16 грн |
| 10+ | 43.65 грн |
| 100+ | 26.16 грн |
| 500+ | 17.19 грн |
| 1000+ | 14.61 грн |
| 2500+ | 12.42 грн |
| MOT4N65F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.98 грн |
| 10+ | 52.57 грн |
| 100+ | 31.53 грн |
| 500+ | 20.71 грн |
| 1000+ | 17.61 грн |
| MOT4N65T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL-8L
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 290.36 грн |
| 10+ | 167.69 грн |
| 100+ | 100.63 грн |
| 500+ | 66.11 грн |
| 1000+ | 56.19 грн |
| 2000+ | 47.76 грн |
| MOT4N70D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 79.91 грн |
| 10+ | 46.32 грн |
| 100+ | 27.79 грн |
| 500+ | 18.25 грн |
| 1000+ | 15.51 грн |
| 2500+ | 13.19 грн |
| MOT4N70F |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 95.73 грн |
| 10+ | 55.08 грн |
| 100+ | 33.07 грн |
| 500+ | 21.73 грн |
| 1000+ | 18.47 грн |
| MOT50N03BD |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 39.56 грн |
| 14+ | 22.86 грн |
| 100+ | 13.71 грн |
| 500+ | 9.00 грн |
| 1000+ | 7.65 грн |
| 2500+ | 6.50 грн |
| MOT50N03C |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.47 грн |
| 12+ | 27.35 грн |
| 100+ | 16.45 грн |
| 500+ | 10.80 грн |
| 1000+ | 9.18 грн |
| 4200+ | 7.81 грн |
| MOT50N03D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 43.51 грн |
| 13+ | 25.14 грн |
| 100+ | 15.08 грн |
| 500+ | 9.90 грн |
| 1000+ | 8.42 грн |
| 2500+ | 7.15 грн |
| MOT50N04D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.29 грн |
| 10+ | 36.95 грн |
| 100+ | 22.14 грн |
| 500+ | 14.54 грн |
| 1000+ | 12.36 грн |
| 2500+ | 10.51 грн |
| MOT50N06C |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 35.81 грн |
| 100+ | 21.46 грн |
| 500+ | 14.10 грн |
| 1000+ | 11.99 грн |
| 4200+ | 10.19 грн |
| MOT50N06D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 37.98 грн |
| 10+ | 32.38 грн |
| 100+ | 19.46 грн |
| 500+ | 12.78 грн |
| 1000+ | 10.86 грн |
| 2500+ | 9.23 грн |
| MOT50P06D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 110.76 грн |
| 10+ | 63.92 грн |
| 100+ | 38.37 грн |
| 500+ | 25.21 грн |
| 1000+ | 21.43 грн |
| 2500+ | 18.21 грн |
| MOT55N06B |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 131.33 грн |
| 10+ | 76.03 грн |
| 100+ | 45.62 грн |
| 500+ | 29.97 грн |
| 1000+ | 25.47 грн |
| MOT5N65A |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 104.43 грн |
| 10+ | 60.72 грн |
| 100+ | 36.40 грн |
| 500+ | 23.91 грн |
| 1000+ | 20.33 грн |
| MOT5N65F |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 87.03 грн |
| 10+ | 50.28 грн |
| 100+ | 30.19 грн |
| 500+ | 19.83 грн |
| 1000+ | 16.86 грн |
| MOT60N02D |
|
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.