Продукція > GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. > Всі товари виробника GUANGDONG INMARK ELECTRONICS CO., LTD. (291) > Сторінка 4 з 5
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOT2310B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23 |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT2514J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT25N50N | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 300W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT25N50W | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247sPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 297W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2620J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3xPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 13W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT28N50HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 55W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT28N50Q | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PBPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 312.5W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PB Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT28N60HF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT2N7002 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3080D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH V A m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT30N06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT30N10BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 54W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3141AG | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT3141AJ | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3145J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3150G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3150J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3400AB2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V Power Dissipation (Max): 350mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23 Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3401B2 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3407A3 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3510G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3520J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3718J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT3728J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 20W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| MOT3816S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| MOT3818S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
MOT4617J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4618D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16mPackaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 38W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4633S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4712J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4712S | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8 |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4733J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V Power Dissipation (Max): 25W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251 |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N65T | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N70D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT4N70F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03BD | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03C | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 50W Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-251 (IPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V |
на замовлення 4200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N03D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50N04D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT50P06D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252 |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT55N06B | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 100W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT5N65A | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT5N65F | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220FPackaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT60N02D | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V Power Dissipation (Max): 40W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
MOT6111G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 147W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 75W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6515J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522G | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6Packaging: Tape & Reel (TR) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 42W Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6522J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT6568J | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R099KN | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 357W Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-247 Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
MOT65R180HGF | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. |
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| MOT2310B2 |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 3A SOT23
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.91 грн |
| 38+ | 8.04 грн |
| 100+ | 4.79 грн |
| 500+ | 3.15 грн |
| 1000+ | 2.68 грн |
| 3000+ | 2.28 грн |
| MOT2514J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 20V 12A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 10+ | 1994.64 грн |
| 16+ | 215.79 грн |
| 100+ | 31.40 грн |
| 500+ | 11.67 грн |
| 1000+ | 8.55 грн |
| 5000+ | 5.99 грн |
| MOT25N50N |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.2 To247
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2600.69 грн |
| 10+ | 565.80 грн |
| 100+ | 241.45 грн |
| 600+ | 149.00 грн |
| MOT25N50W |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 500V 25A 0.21 To247s
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 297W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3300 pF @ 30 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2503.29 грн |
| 10+ | 509.75 грн |
| 100+ | 207.83 грн |
| 600+ | 126.92 грн |
| MOT2620J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Description: MOSFET N+P-CH 20V 20A 9m PDFN3x
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 13W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 704pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 51.02 грн |
| 11+ | 29.63 грн |
| 100+ | 17.79 грн |
| 500+ | 11.69 грн |
| 1000+ | 9.93 грн |
| 5000+ | 8.44 грн |
| MOT2718J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 15V 8A 16m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2007.78 грн |
| 11+ | 223.38 грн |
| 100+ | 35.99 грн |
| 500+ | 14.69 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
| 5000+ | 8.17 грн |
| MOT28N50HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.20 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2368.01 грн |
| 10+ | 431.37 грн |
| 100+ | 160.78 грн |
| 500+ | 96.66 грн |
| 1000+ | 80.79 грн |
| MOT28N50Q |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 28A 0.2 To3PB
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 312.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PB
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 102 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2562.04 грн |
| 10+ | 543.40 грн |
| 100+ | 228.01 грн |
| 600+ | 140.17 грн |
| MOT28N60HF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
Description: MOSFET N-CH 600V 28A 0.24 To220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 2388.88 грн |
| 10+ | 443.72 грн |
| 100+ | 168.17 грн |
| 500+ | 101.52 грн |
| 1000+ | 84.92 грн |
| MOT2N65A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 81.17 грн |
| 10+ | 46.97 грн |
| 100+ | 28.21 грн |
| 500+ | 18.53 грн |
| 1000+ | 15.75 грн |
| MOT2N65C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
Description: MOSFET N-CH 650V 2A 2.9 To251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 60.30 грн |
| 10+ | 34.99 грн |
| 100+ | 20.97 грн |
| 500+ | 13.78 грн |
| 1000+ | 11.71 грн |
| 4200+ | 9.96 грн |
| MOT2N7002 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
Description: MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 67+ | 1965.26 грн |
| 115+ | 198.67 грн |
| 188+ | 21.19 грн |
| 500+ | 4.96 грн |
| 1000+ | 2.85 грн |
| 3000+ | 1.41 грн |
| MOT3080D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
Description: MOSFET N-CH V A m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 44.84 грн |
| 12+ | 25.68 грн |
| 100+ | 15.40 грн |
| 500+ | 10.12 грн |
| 1000+ | 8.60 грн |
| 2500+ | 7.31 грн |
| MOT30N06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 30A 20m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 938 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2008.55 грн |
| 11+ | 224.13 грн |
| 100+ | 36.41 грн |
| 500+ | 14.96 грн |
| 1000+ | 11.34 грн |
| 2500+ | 8.76 грн |
| MOT30N10BD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 100V 30A 32m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 54W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.98 грн |
| 10+ | 43.40 грн |
| 100+ | 26.02 грн |
| 500+ | 17.10 грн |
| 1000+ | 14.53 грн |
| 2500+ | 12.35 грн |
| MOT3141AG |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
Description: MOSFET -CH V A m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 100.49 грн |
| 10+ | 57.99 грн |
| 100+ | 34.82 грн |
| 500+ | 22.87 грн |
| 1000+ | 19.44 грн |
| 5000+ | 16.52 грн |
| MOT3141AJ |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2020.92 грн |
| 10+ | 231.05 грн |
| 100+ | 40.58 грн |
| 500+ | 17.70 грн |
| 1000+ | 13.67 грн |
| 5000+ | 10.35 грн |
| MOT3145J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 100A 4m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2013.19 грн |
| 10+ | 226.66 грн |
| 100+ | 37.96 грн |
| 500+ | 15.98 грн |
| 1000+ | 12.21 грн |
| 5000+ | 9.10 грн |
| MOT3150G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.84 грн |
| 10+ | 35.73 грн |
| 100+ | 21.42 грн |
| 500+ | 14.07 грн |
| 1000+ | 11.96 грн |
| 5000+ | 10.17 грн |
| MOT3150J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 65A 5m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2013.19 грн |
| 10+ | 226.66 грн |
| 100+ | 37.96 грн |
| 500+ | 15.98 грн |
| 1000+ | 12.21 грн |
| 5000+ | 9.10 грн |
| MOT3400AB2 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 5.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 350mW
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 15 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 1973.77 грн |
| 42+ | 203.28 грн |
| 100+ | 23.98 грн |
| 500+ | 6.79 грн |
| 1000+ | 4.40 грн |
| 3000+ | 2.73 грн |
| MOT3401B2 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.2A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 23+ | 13.91 грн |
| 38+ | 7.97 грн |
| 100+ | 4.76 грн |
| 500+ | 3.13 грн |
| 1000+ | 2.66 грн |
| 3000+ | 2.26 грн |
| MOT3407A3 |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
Description: MOSFET P-CH 30V 4.1A SOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 14.69 грн |
| 35+ | 8.56 грн |
| 100+ | 5.16 грн |
| 500+ | 3.39 грн |
| 1000+ | 2.88 грн |
| 3000+ | 2.45 грн |
| MOT3510G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
Description: MOSFET N-CH 30V 35A 9m PDFN5x6
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 47.93 грн |
| 11+ | 27.91 грн |
| 100+ | 16.73 грн |
| 500+ | 11.00 грн |
| 1000+ | 9.35 грн |
| 5000+ | 7.94 грн |
| MOT3520J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 15m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1998.50 грн |
| 14+ | 217.95 грн |
| 100+ | 32.72 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 5000+ | 6.61 грн |
| MOT3712J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 20A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2028.65 грн |
| 10+ | 235.37 грн |
| 100+ | 43.20 грн |
| 500+ | 19.42 грн |
| 1000+ | 15.14 грн |
| 5000+ | 11.59 грн |
| MOT3712S |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 30V 12A 10m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 57.98 грн |
| 10+ | 33.42 грн |
| 100+ | 20.08 грн |
| 500+ | 13.19 грн |
| 1000+ | 11.22 грн |
| 4000+ | 9.53 грн |
| MOT3718J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 30V 35A 12m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2011.64 грн |
| 11+ | 225.54 грн |
| 100+ | 37.30 грн |
| 500+ | 15.55 грн |
| 1000+ | 11.84 грн |
| 5000+ | 8.79 грн |
| MOT3728J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
Description: MOSFET P-CH 30V 10A 25m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 821 pF @ 15 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2007.78 грн |
| 11+ | 223.38 грн |
| 100+ | 35.99 грн |
| 500+ | 14.69 грн |
| 1000+ | 11.11 грн |
| 5000+ | 8.17 грн |
| MOT3816S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
Description: MOSFET P+P-CH 30V 13A 18m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 74.98 грн |
| 10+ | 43.55 грн |
| 100+ | 26.11 грн |
| 500+ | 17.15 грн |
| 1000+ | 14.58 грн |
| 4000+ | 12.39 грн |
| MOT3818S |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
Description: MOSFET -CH V A m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 46.38 грн |
| 12+ | 26.72 грн |
| 100+ | 16.07 грн |
| 500+ | 10.56 грн |
| 1000+ | 8.97 грн |
| 4000+ | 7.63 грн |
| MOT4617J |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
Description: MOSFET -CH V A m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2013.19 грн |
| 10+ | 226.66 грн |
| 100+ | 37.96 грн |
| 500+ | 15.98 грн |
| 1000+ | 12.21 грн |
| 5000+ | 9.10 грн |
| MOT4618D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Description: MOSFET N+P-CH 40V 28A/-25A 16m
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 38W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1082pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 15A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.9nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 89.67 грн |
| 10+ | 52.03 грн |
| 100+ | 31.23 грн |
| 500+ | 20.52 грн |
| 1000+ | 17.44 грн |
| 2500+ | 14.83 грн |
| MOT4633S |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
Description: MOSFET N+P-CH 40V 15A 16m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 69.57 грн |
| 10+ | 40.20 грн |
| 100+ | 24.10 грн |
| 500+ | 15.83 грн |
| 1000+ | 13.46 грн |
| 4000+ | 11.44 грн |
| MOT4712J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 10m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.90 грн |
| 10+ | 51.36 грн |
| 100+ | 30.80 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 17.20 грн |
| 5000+ | 14.62 грн |
| MOT4712S |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
Description: MOSFET P-CH 40V 30A 11m SOP-8
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 88.90 грн |
| 10+ | 51.36 грн |
| 100+ | 30.80 грн |
| 500+ | 20.23 грн |
| 1000+ | 17.20 грн |
| 4000+ | 14.62 грн |
| MOT4733J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
Description: MOSFET P-CH 40V 15A 33m PDFN3x3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 10A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 25W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (3x3)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 928 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2020.92 грн |
| 10+ | 231.05 грн |
| 100+ | 40.58 грн |
| 500+ | 17.70 грн |
| 1000+ | 13.67 грн |
| 5000+ | 10.35 грн |
| MOT4N65C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To251
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2035.61 грн |
| 10+ | 239.76 грн |
| 100+ | 45.82 грн |
| 500+ | 21.14 грн |
| 1000+ | 16.60 грн |
| 4200+ | 12.91 грн |
| MOT4N65D |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2035.61 грн |
| 10+ | 239.76 грн |
| 100+ | 45.82 грн |
| 500+ | 21.14 грн |
| 1000+ | 16.60 грн |
| 2500+ | 13.23 грн |
| MOT4N65F |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 2051.84 грн |
| 10+ | 248.77 грн |
| 100+ | 51.20 грн |
| 500+ | 24.68 грн |
| 1000+ | 19.60 грн |
| MOT4N65T |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
Description: MOSFET N-CH 650V 4A 2.4m Toll-8
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 2252.06 грн |
| 10+ | 364.07 грн |
| 100+ | 120.45 грн |
| 500+ | 70.16 грн |
| 1000+ | 58.27 грн |
| 2000+ | 48.84 грн |
| MOT4N70D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 78.08 грн |
| 10+ | 45.26 грн |
| 100+ | 27.15 грн |
| 500+ | 17.83 грн |
| 1000+ | 15.16 грн |
| 2500+ | 12.88 грн |
| MOT4N70F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 700V 4A 3 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 615 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 93.54 грн |
| 10+ | 53.82 грн |
| 100+ | 32.31 грн |
| 500+ | 21.23 грн |
| 1000+ | 18.04 грн |
| MOT50N03BD |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 15 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1998.50 грн |
| 14+ | 217.95 грн |
| 100+ | 32.72 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 2500+ | 7.01 грн |
| MOT50N03C |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-251
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 12 V
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 7+ | 2006.23 грн |
| 12+ | 222.27 грн |
| 100+ | 35.34 грн |
| 500+ | 14.26 грн |
| 1000+ | 10.74 грн |
| 4200+ | 7.93 грн |
| MOT50N03D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 30V 50A 7.3m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 8+ | 2002.37 грн |
| 13+ | 220.11 грн |
| 100+ | 34.03 грн |
| 500+ | 13.39 грн |
| 1000+ | 10.01 грн |
| 2500+ | 7.63 грн |
| MOT50N04D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
Description: MOSFET N-CH 40V 50A 8m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.84 грн |
| 10+ | 36.10 грн |
| 100+ | 21.63 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| 1000+ | 12.08 грн |
| 2500+ | 10.27 грн |
| MOT50P06D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
Description: MOSFET P-CH 60V 50A 13m To-252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 2068.85 грн |
| 10+ | 258.82 грн |
| 100+ | 57.25 грн |
| 500+ | 28.65 грн |
| 1000+ | 22.98 грн |
| 2500+ | 18.65 грн |
| MOT55N06B |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 55A m To-220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1478 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 128.32 грн |
| 10+ | 74.29 грн |
| 100+ | 44.57 грн |
| 500+ | 29.28 грн |
| 1000+ | 24.89 грн |
| MOT5N65A |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2.1 To220
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 631 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 102.04 грн |
| 10+ | 59.33 грн |
| 100+ | 35.57 грн |
| 500+ | 23.37 грн |
| 1000+ | 19.86 грн |
| MOT5N65F |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 5A 2 To220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 628 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 85.03 грн |
| 10+ | 49.13 грн |
| 100+ | 29.50 грн |
| 500+ | 19.38 грн |
| 1000+ | 16.47 грн |
| MOT60N02D |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
Description: MOSFET N-CH 20V 60A 6.5m To-252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 20A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 40W
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| MOT6111G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 226A 2m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 226A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 147W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6700 pF @ 30 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 302.25 грн |
| 10+ | 174.78 грн |
| 100+ | 104.88 грн |
| 500+ | 68.90 грн |
| 1000+ | 58.56 грн |
| 5000+ | 49.78 грн |
| MOT6515G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 98.95 грн |
| 10+ | 56.80 грн |
| 100+ | 34.09 грн |
| 500+ | 22.39 грн |
| 1000+ | 19.03 грн |
| 5000+ | 16.18 грн |
| MOT6515J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 50A 13m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 2024.79 грн |
| 10+ | 233.21 грн |
| 100+ | 41.89 грн |
| 500+ | 18.56 грн |
| 1000+ | 14.41 грн |
| 5000+ | 10.97 грн |
| MOT6522G |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 15m PDFN5x6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 612 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 61.84 грн |
| 10+ | 36.10 грн |
| 100+ | 21.63 грн |
| 500+ | 14.21 грн |
| 1000+ | 12.08 грн |
| 5000+ | 10.27 грн |
| MOT6522J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 35A 17m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 2013.19 грн |
| 10+ | 226.66 грн |
| 100+ | 37.96 грн |
| 500+ | 15.98 грн |
| 1000+ | 12.21 грн |
| 5000+ | 9.10 грн |
| MOT6568J |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
Description: MOSFET N-CH 60V 5A 57m PDFN3x3
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 1998.50 грн |
| 14+ | 217.95 грн |
| 100+ | 32.72 грн |
| 500+ | 12.53 грн |
| 1000+ | 9.28 грн |
| 5000+ | 6.61 грн |
| MOT65R099KN |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 650V 40A 0.099 To-24
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 357W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-247
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1016.53 грн |
| 10+ | 587.25 грн |
| 100+ | 352.33 грн |
| 600+ | 231.45 грн |
| MOT65R180HGF |
![]() |
Виробник: Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
Description: MOSFET N-CH 650V 20A 0.18 To-220
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 386.51 грн |
| 10+ | 223.77 грн |
| 100+ | 134.21 грн |
| 500+ | 88.17 грн |
| 1000+ | 74.95 грн |














