Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149314) > Сторінка 1853 з 2489
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC857SH6327XTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC817UPNE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R |
на замовлення 363000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BE6327HTSA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
BC847BE6433HTMA1 | Infineon Technologies |
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRGP4066DPBF | Infineon Technologies |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube |
на замовлення 118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HPHPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray |
на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12W2T7EB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
High Reliability IGBT Modules IC |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC857SH6327XTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6037+ | 5.28 грн |
| BC817UPNE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
Trans GP BJT NPN/PNP 45V 0.5A 330mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SC-74 T/R
на замовлення 363000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3547+ | 9.00 грн |
| 10000+ | 8.02 грн |
| BC847BE6327HTSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13044+ | 2.45 грн |
| BC847BE6433HTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13044+ | 2.45 грн |
| IRGP4066DPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Trans IGBT Chip N-CH 600V 140A 454W 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 45+ | 714.54 грн |
| 100+ | 678.39 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 35933.67 грн |
| FF2MR12KM1HPHPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 7-Pin Tray
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 38926.26 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 8747.98 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 160 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10339.53 грн |
| 100+ | 9822.77 грн |
| FF200R12KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 9476.55 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 6288.78 грн |
| 10+ | 6136.52 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6737.98 грн |
| 10+ | 6574.84 грн |
| FF200R12W2T7EB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 165A 31-Pin Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 71960.74 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 88519.30 грн |
| FF225R12ME4PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 9675.01 грн |
| 100+ | 9191.17 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 6382.35 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8635.02 грн |
| FF200R33KF2CNOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 111079.97 грн |
| FF200R12KT3EHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10339.53 грн |
| 100+ | 9822.77 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 98669.14 грн |
| 25+ | 95708.91 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 7826.95 грн |
| FF225R12MS4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 13049.92 грн |
| 25+ | 12658.54 грн |
| 100+ | 12267.25 грн |
| FF225R17ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 15360.43 грн |
| FF2400RB12IP7PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 96019.39 грн |
| 25+ | 93139.13 грн |
| 100+ | 90258.01 грн |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 12145.01 грн |
| 100+ | 11537.83 грн |
| 500+ | 10930.72 грн |
| FF225R17ME4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
High Reliability IGBT Modules IC
High Reliability IGBT Modules IC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 11169.92 грн |
| FF225R12ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12782.99 грн |
| 25+ | 12399.10 грн |
| 100+ | 12016.31 грн |
| FF200R06KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8312.88 грн |
| 100+ | 7897.13 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 940.25 грн |
| 25+ | 896.84 грн |
| 50+ | 860.75 грн |
| 100+ | 800.75 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 699.65 грн |
| 100+ | 664.56 грн |
| 500+ | 629.47 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 432.70 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 958.16 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 897.43 грн |
| 100+ | 852.77 грн |
| 500+ | 808.11 грн |
| 1000+ | 735.16 грн |
| 10000+ | 640.83 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 725.19 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 419.48 грн |
| 12000+ | 385.16 грн |
| 18000+ | 360.26 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 455.88 грн |
| 10+ | 315.44 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 397.25 грн |
| 39+ | 335.24 грн |
| 42+ | 310.82 грн |
| 100+ | 279.95 грн |
| 250+ | 256.10 грн |
| 500+ | 242.80 грн |
| 1000+ | 239.73 грн |
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 425.62 грн |
| 10+ | 359.18 грн |
| 25+ | 333.03 грн |
| 100+ | 299.95 грн |
| 250+ | 274.40 грн |
| 500+ | 260.14 грн |
| 1000+ | 256.86 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 803.58 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG120R034M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 645.53 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 1006.22 грн |
| 25+ | 996.27 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1088.76 грн |
| 10+ | 1078.10 грн |
| 25+ | 1067.43 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 599.11 грн |
| 24+ | 539.31 грн |
| 25+ | 527.91 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 641.90 грн |
| 10+ | 577.83 грн |
| 25+ | 565.61 грн |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 368.93 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 298.57 грн |
| 100+ | 286.43 грн |
| 250+ | 263.85 грн |
| 500+ | 251.91 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 350.02 грн |
| 60000+ | 321.39 грн |
| 90000+ | 300.61 грн |
| 120000+ | 274.85 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 323.18 грн |
| 10+ | 321.54 грн |
| 25+ | 319.90 грн |
| 100+ | 306.89 грн |
| 250+ | 282.70 грн |
| 500+ | 269.90 грн |























