Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149640) > Сторінка 1853 з 2494
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2MR12KM1HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray |
на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12ME4PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray |
на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R33KF2CNOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF200R12KT3EHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7BPSA1 | Infineon Technologies |
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
FF200R12KE4PHOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R12MS4BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trench and Field Stop IGBT Module |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF2400RB12IP7PBPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray |
на замовлення 471 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME7B11BPSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray |
на замовлення 756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
FF225R17ME4PB11BPSA1 | Infineon Technologies |
High Reliability IGBT Modules IC |
на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FF225R12ME3BOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W |
на замовлення 422 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FF200R06KE3HOSA1 | Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray |
на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R045M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R030M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies. |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 23000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R050M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R060M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG120R034M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R015M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R020M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG65R040M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IMBG40R045M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R |
на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R036M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R025M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 82000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IMBG40R011M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG120R053M2HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R057M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IMBG65R072M1HXTMA1 | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R |
на замовлення 802 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 70136.85 грн |
| FF2MR12KM1HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 500A Tray
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 86275.72 грн |
| FF225R12ME4PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 225A 11-Pin Tray
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 9429.79 грн |
| 100+ | 8958.21 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 6220.59 грн |
| FF23MR12W1M1PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 50A 18-Pin AG-EASY1BM Tray
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8416.16 грн |
| FF200R33KF2CNOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 3300V 330A 2200W 10-Pin IHV73-3 Tray
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 108264.58 грн |
| FF200R12KT3EHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 295A 1050W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10077.47 грн |
| 100+ | 9573.80 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 96168.31 грн |
| 25+ | 93283.11 грн |
| FF2400RB12IP7BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
Prime Pack 3 Plus B-Series Module with Trench Stop IGBT 7 and Emitter Controlled 7 Diode and NTC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| FF200R12KE4PHOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 7-Pin Tray
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 7628.57 грн |
| FF225R12MS4BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 275A 1450W 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12719.17 грн |
| 25+ | 12337.71 грн |
| 100+ | 11956.33 грн |
| FF225R17ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trench and Field Stop IGBT Module
Trench and Field Stop IGBT Module
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 14971.11 грн |
| FF2400RB12IP7PBPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
Trans IGBT Module N-CH 1200V 2.4KA 14-Pin Tray
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 93585.72 грн |
| 25+ | 90778.46 грн |
| 100+ | 87970.36 грн |
| FF225R17ME7B11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
Trans IGBT Module N-CH 1700V 225A 11-Pin ECONOD-3 Tray
на замовлення 756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 11837.19 грн |
| 100+ | 11245.39 грн |
| 500+ | 10653.68 грн |
| FF225R17ME4PB11BPSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
High Reliability IGBT Modules IC
High Reliability IGBT Modules IC
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 10886.82 грн |
| FF225R12ME3BOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
Trans IGBT Module N-CH 1200V 325A 1150W
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 12459.00 грн |
| 25+ | 12084.84 грн |
| 100+ | 11711.75 грн |
| FF200R06KE3HOSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
Trans IGBT Module N-CH 600V 260A 680W 7-Pin 62MM-1 Tray
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 8102.18 грн |
| 100+ | 7696.97 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 916.42 грн |
| 25+ | 874.11 грн |
| 50+ | 838.93 грн |
| 100+ | 780.45 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 681.92 грн |
| 100+ | 647.72 грн |
| 500+ | 613.52 грн |
| IMBG120R045M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 47A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 421.73 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 933.88 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 874.68 грн |
| 100+ | 831.15 грн |
| 500+ | 787.63 грн |
| 1000+ | 716.52 грн |
| 10000+ | 624.59 грн |
| IMBG120R030M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
IMBG120R030M1HXTMA1 | CoolSiC™ MOSFETs 1200V in D2PAK-7L package - achieve top efficiency and enable passive cooling in servo drives, chargers and industrial power supplies.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 706.81 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 408.84 грн |
| 12000+ | 375.40 грн |
| 18000+ | 351.13 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 444.33 грн |
| 10+ | 307.44 грн |
| IMBG65R050M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 33+ | 387.18 грн |
| 39+ | 326.74 грн |
| 42+ | 302.95 грн |
| 100+ | 272.86 грн |
| 250+ | 249.61 грн |
| 500+ | 236.64 грн |
| 1000+ | 233.66 грн |
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R060M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 34.9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 414.84 грн |
| 10+ | 350.08 грн |
| 25+ | 324.58 грн |
| 100+ | 292.35 грн |
| 250+ | 267.44 грн |
| 500+ | 253.55 грн |
| 1000+ | 250.35 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 783.21 грн |
| IMBG65R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 115A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG120R034M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 58A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 629.16 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 980.72 грн |
| 25+ | 971.02 грн |
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R015M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 11.7A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1061.16 грн |
| 10+ | 1050.77 грн |
| 25+ | 1040.38 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 583.92 грн |
| 24+ | 525.64 грн |
| 25+ | 514.53 грн |
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R020M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 91A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 625.63 грн |
| 10+ | 563.18 грн |
| 25+ | 551.28 грн |
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG65R040M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 49A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 359.58 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 291.01 грн |
| 100+ | 279.17 грн |
| 250+ | 257.16 грн |
| 500+ | 245.53 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 341.15 грн |
| 60000+ | 313.24 грн |
| 90000+ | 292.99 грн |
| 120000+ | 267.89 грн |
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R045M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 6.8A T/R
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 314.99 грн |
| 10+ | 313.39 грн |
| 25+ | 311.79 грн |
| 100+ | 299.12 грн |
| 250+ | 275.53 грн |
| 500+ | 263.06 грн |
| IMBG40R036M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 401.86 грн |
| 32+ | 400.11 грн |
| 100+ | 384.15 грн |
| 250+ | 354.06 грн |
| 500+ | 338.41 грн |
| 1000+ | 336.84 грн |
| IMBG40R036M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R036M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 7.6A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 432.34 грн |
| 10+ | 430.56 грн |
| 25+ | 428.69 грн |
| 100+ | 411.58 грн |
| 250+ | 379.35 грн |
| 500+ | 362.58 грн |
| 1000+ | 360.90 грн |
| IMBG40R025M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 500.52 грн |
| 26+ | 497.03 грн |
| 100+ | 475.84 грн |
| 250+ | 437.49 грн |
| 500+ | 416.93 грн |
| IMBG40R025M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R025M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 9A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 540.00 грн |
| 10+ | 536.27 грн |
| 25+ | 532.54 грн |
| 100+ | 509.83 грн |
| 250+ | 468.74 грн |
| 500+ | 446.71 грн |
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 82000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 971.68 грн |
| 42000+ | 905.40 грн |
| 63000+ | 855.16 грн |
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IMBG40R011M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 400V 13.4A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 879.59 грн |
| IMBG120R053M2HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 41A 8-Pin(7+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 480.11 грн |
| IMBG65R057M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 39A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 369.77 грн |
| 50+ | 358.99 грн |
| IMBG65R072M1HXTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
Trans MOSFET N-CH SiC 650V 33A 8-Pin(7+Tab) TO-263 T/R
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 90+ | 348.21 грн |
| 100+ | 330.60 грн |
| 500+ | 312.98 грн |



















