Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (149441) > Сторінка 268 з 2491
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 34W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA Supplier Device Package: PG-TSDSON-8 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPZ60R041P6FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V Power Dissipation (Max): 481W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPZ60R070P6FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V Power Dissipation (Max): 391W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
IPZ60R099P6FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 278W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V |
на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
IPZ60R125P6FKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V Power Dissipation (Max): 219W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IPZ65R065C7XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V Power Dissipation (Max): 171W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V |
на замовлення 145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IPZ65R095C7XKSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V Power Dissipation (Max): 128W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA Supplier Device Package: PG-TO247-4 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
KP214F2611XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
KP219M1203XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD Module Mounting Type: Surface Mount Applications: Board Mount Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
KP219N3022XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD Module Mounting Type: Surface Mount Applications: Board Mount Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
KP226N3022XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
KP229N0421XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
![]() |
KP253XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD Module Mounting Type: Surface Mount Applications: Board Mount Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
![]() |
KP256XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SMD Module Mounting Type: Surface Mount Applications: Board Mount Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
PTAB182002FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAB182002FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAB182002TCV2R250XUMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: H-37248-4 Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 180W Gain: 14.8dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-37248-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 520 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC210802FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC210802FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC240502FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC240502FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC260302FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTAC260302SCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFA091503ELV4R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFA091503ELV4XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB090901EAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB090901EAV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB090901FAV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB090901FAV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB091802FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB092707FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB092707FHV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB093608FVV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB093608FVV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB093608SVV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: H-37275G-6/2 Mounting Type: Surface Mount Frequency: 920MHz ~ 960MHz Power - Output: 360W Gain: 20dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-37275G-6/2 Voltage - Rated: 65 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB181702FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB181702FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB182557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB183404EV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB183404EV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB183404FV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB183404FV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB193404FV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB201402FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB201402FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211503ELV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211503FLV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211503FLV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211803ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211803ELV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211803FLV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 40W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 1.3 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB211803FLV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB212507SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB213004FV2R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB213004FV2XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB213208FVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB213208FVV1XWSA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
PTFB241402FV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
IPZ40N04S5L2R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 30µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 26.26 грн |
10000+ | 24.70 грн |
IPZ40N04S5L4R8ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 17µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPZ40N04S5L7R4ATMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 40A 8TSDSON
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 34W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 10µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 920 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5000+ | 18.43 грн |
IPZ60R041P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 77.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 35.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 481W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 2.96mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPZ60R070P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 20.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 391W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.72mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4750 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPZ60R099P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 278W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 469.46 грн |
30+ | 258.65 грн |
120+ | 216.14 грн |
IPZ60R125P6FKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 600V 37.9A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 14.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 219W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.21mA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3330 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IPZ65R065C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 33A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 17.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 171W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 850µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3020 pF @ 400 V
на замовлення 145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 678.29 грн |
30+ | 383.03 грн |
120+ | 323.62 грн |
IPZ65R095C7XKSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
Description: MOSFET N-CH 650V 24A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 128W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 590µA
Supplier Device Package: PG-TO247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2140 pF @ 400 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 581.27 грн |
10+ | 505.75 грн |
100+ | 418.69 грн |
KP214F2611XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP219M1203XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANLG ABSOLUTE PRES DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: SENSOR ANLG ABSOLUTE PRES DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP219N3022XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR ANLG ABSOLUTE PRES DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: SENSOR ANLG ABSOLUTE PRES DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP226N3022XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP229N0421XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
Description: IC ANLG ABSOLUTE PRES SNSR DSOF8
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP253XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR BAROMETRIC DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: SENSOR BAROMETRIC DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
KP256XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: SENSOR BAROMETRIC DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
Description: SENSOR BAROMETRIC DSOF8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD Module
Mounting Type: Surface Mount
Applications: Board Mount
Supplier Device Package: PG-DSOF-8-16
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q100
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAB182002FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAB182002FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAB182002TCV2R250XUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-4
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 180W
Gain: 14.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 520 mA
Description: RF MOSFET LDMOS 28V H-37248-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-4
Current Rating (Amps): 10µA
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.805GHz ~ 1.88GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 180W
Gain: 14.8dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Part Status: Active
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 520 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAC210802FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAC240502FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAC240502FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAC260302FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTAC260302SCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFA091503ELV4R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6
Description: IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFA091503ELV4XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6
Description: IC FET RF LDMOS 150W PG-33288-6
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB090901EAV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB090901EAV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB090901FAV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB090901FAV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB091802FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB092707FHV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB092707FHV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB093608FVV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB093608FVV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB093608SVV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: RF MOSFET LDMOS H-37275G-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37275G-6/2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 920MHz ~ 960MHz
Power - Output: 360W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37275G-6/2
Voltage - Rated: 65 V
Description: RF MOSFET LDMOS H-37275G-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37275G-6/2
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 920MHz ~ 960MHz
Power - Output: 360W
Gain: 20dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37275G-6/2
Voltage - Rated: 65 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB181702FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB181702FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB182557SHV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB183404EV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB183404EV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB183404FV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB183404FV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB193404FV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB201402FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB201402FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211503ELV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211503FLV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211503FLV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211803ELV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211803ELV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211803FLV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 40W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.3 A
Description: IC AMP RF LDMOS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.17GHz
Power - Output: 40W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.3 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB211803FLV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB212507SHV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB213004FV2R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB213004FV2XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB213208FVV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB213208FVV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
PTFB241402FV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP RF LDMOS
Description: IC AMP RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.