Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124873) > Сторінка 270 з 2082
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MCETOOLV1 | Infineon Technologies |
Description: DEVELOPMENT KIT FOR 100-SERIES,Utilized IC / Part: IRMCFxxx, IRMCKxxx Contents: Board(s), Cable(s) Type: Debugger, Programmer (In-Circuit/In-System) Packaging: Box |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF60R217 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRL60S216 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAKDrive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRF60R217 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAKPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V |
на замовлення 204 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRL60S216 | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAKInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: PG-TO263-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
PTFA092213FLV5R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-6Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 200W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 1.85 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| PTFA092213FLV5XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-4/2Packaging: Tray Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Mounting Type: Surface Mount Frequency: 960MHz Power - Output: 200W Gain: 17.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 1.85 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
PTFA192001E1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC RF POWER TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
PTFA192001E1V4XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2Packaging: Tray Package / Case: H-36260-2 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 50W Gain: 15.9dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-36260-2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 1.8 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| PTFA212001F1V4R250XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC RF POWER TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFA212001F1V4XWSA1 | Infineon Technologies | Description: IC RF POWER TRANSISTOR |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB082817FHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Mounting Type: Surface Mount Frequency: 821MHz Power - Output: 60W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.15 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB082817FHV1S250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Mounting Type: Surface Mount Frequency: 821MHz Power - Output: 60W Gain: 19.3dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 2.15 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB082817FHV1XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288Current - Test: 2.15 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 65 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: H-34288-4/2 Technology: LDMOS Gain: 19.3dB Power - Output: 60W Frequency: 821MHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged Packaging: Tray |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB093608FVV2S250XTMA1 | Infineon Technologies | Description: IC FET RF LDMOS H-362620-2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB192557SHV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: H-34288G-4/2 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 60W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288G-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.35 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB192557SHV1XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2Packaging: Tray Package / Case: H-34288G-4/2 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 60W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34288G-4/2 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.35 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB193408SVV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB193408SVV1XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2Packaging: Tray Package / Case: H-34275G-6/2 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 80W Gain: 19dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-34275G-6/2 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 30 V Current - Test: 2.65 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB260605ELV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB260605ELV1XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: IC FET RF LDMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PTFB262406EV1XWSA1 | Infineon Technologies | Description: IC FET RF LDMOS |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PXAC261202FCV1R250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PXAC261202FCV1S250XTMA1 | Infineon Technologies |
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: H-37248-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.61GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 28W Gain: 13.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-37248-4 Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 230 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| PXAC261202FCV1XWSA1 | Infineon Technologies |
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZPackaging: Tray Package / Case: H-37248-4 Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 2.61GHz Configuration: Dual, Common Source Power - Output: 28W Gain: 13.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: H-37248-4 Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 65 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 230 mA |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
BTS6480SFXUMA1 | Infineon Technologies |
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 3:4 DSO-36 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IGC18T120T8QX1SA1 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 15A DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH37K10F | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 100A DIEVce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A Input Type: Standard Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Part Status: Discontinued at Digi-Key Gate Charge: 210 nC Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH97K10F | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 100A DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 422 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
SIGC158T120R3LEX1SA2 | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 150A DIEPackaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A Supplier Device Package: Die IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRG7CH28UED | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH28UEF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIEPackage / Case: Die Packaging: Bulk Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Gate Charge: 60 nC Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 35ns/225ns Supplier Device Package: Die Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH35UED | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH35UEF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH42UED | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH42UEF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH46UED | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH46UEF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIEPackaging: Bulk Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH50UED | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH50UEF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH54K10EF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 822 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH73K10EF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH73K10EF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIEVoltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Gate Charge: 420 nC Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Td (on/off) @ 25°C: 105ns/45ns Supplier Device Package: Die Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A Input Type: Standard Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: Die Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH73UED-R | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH73UEF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIEPackaging: Bulk Package / Case: Die Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A Supplier Device Package: Die Td (on/off) @ 25°C: 90ns/580ns Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 540 nC Part Status: Obsolete Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH75K10EF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH75K10EF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH75UED-R | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH75UEF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH81K10EF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7CH81K10EF-R | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
|
IRG7PH35U-EPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247Packaging: Tube Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRG7PH42UD-EPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247Packaging: Tube Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRG7PH50U-EP | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector (Ic) (Max): 140 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 440 nC Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.2mJ (off) Td (on/off) @ 25°C: 35ns/430ns IGBT Type: Trench Supplier Device Package: PG-TO247AD Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A Input Type: Standard Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-247-3 Packaging: Tube Power - Max: 556 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRG7PK35UD1MPBF | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG7PK42UD1-EPBF | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH106K10F | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 110A DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH10K10F | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V 5A DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH15K10D | Infineon Technologies | Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRG8CH15K10F | Infineon Technologies |
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| MCETOOLV1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: DEVELOPMENT KIT FOR 100-SERIES,
Utilized IC / Part: IRMCFxxx, IRMCKxxx
Contents: Board(s), Cable(s)
Type: Debugger, Programmer (In-Circuit/In-System)
Packaging: Box
Description: DEVELOPMENT KIT FOR 100-SERIES,
Utilized IC / Part: IRMCFxxx, IRMCKxxx
Contents: Board(s), Cable(s)
Type: Debugger, Programmer (In-Circuit/In-System)
Packaging: Box
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF60R217 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRL60S216 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF60R217 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 58A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 25 V
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 124.76 грн |
| 10+ | 76.34 грн |
| 100+ | 51.39 грн |
| IRL60S216 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA092213FLV5R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 200W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.85 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 200W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.85 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA092213FLV5XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-4/2
Packaging: Tray
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 200W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.85 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288-4/2
Packaging: Tray
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 960MHz
Power - Output: 200W
Gain: 17.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.85 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA192001E1V4R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA192001E1V4XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
Packaging: Tray
Package / Case: H-36260-2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 50W
Gain: 15.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-36260-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.8 A
Description: FET RF 65V 1.99GHZ H-36260-2
Packaging: Tray
Package / Case: H-36260-2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 50W
Gain: 15.9dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-36260-2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 1.8 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA212001F1V4R250XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFA212001F1V4XWSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
Description: IC RF POWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB082817FHV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 821MHz
Power - Output: 60W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.15 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 821MHz
Power - Output: 60W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.15 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB082817FHV1S250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 821MHz
Power - Output: 60W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.15 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 821MHz
Power - Output: 60W
Gain: 19.3dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 2.15 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB082817FHV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Current - Test: 2.15 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Technology: LDMOS
Gain: 19.3dB
Power - Output: 60W
Frequency: 821MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Packaging: Tray
Description: IC FET RF LDMOS H-34288
Current - Test: 2.15 A
Voltage - Test: 28 V
Voltage - Rated: 65 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: H-34288-4/2
Technology: LDMOS
Gain: 19.3dB
Power - Output: 60W
Frequency: 821MHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB093608FVV2S250XTMA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-362620-2
Description: IC FET RF LDMOS H-362620-2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB192557SHV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-34288G-4/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 60W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288G-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.35 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-34288G-4/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 60W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288G-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.35 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB192557SHV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
Packaging: Tray
Package / Case: H-34288G-4/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 60W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288G-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.35 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34288G-4/2
Packaging: Tray
Package / Case: H-34288G-4/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Power - Output: 60W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34288G-4/2
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 1.35 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB193408SVV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB193408SVV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
Packaging: Tray
Package / Case: H-34275G-6/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 80W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34275G-6/2
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 2.65 A
Description: IC FET RF LDMOS H-34275G-6/2
Packaging: Tray
Package / Case: H-34275G-6/2
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 1.99GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 80W
Gain: 19dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-34275G-6/2
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 30 V
Current - Test: 2.65 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB260605ELV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS
Description: IC FET RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB260605ELV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS
Description: IC FET RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PTFB262406EV1XWSA1 |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FET RF LDMOS
Description: IC FET RF LDMOS
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PXAC261202FCV1R250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PXAC261202FCV1S250XTMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.61GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 28W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 230 mA
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: H-37248-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.61GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 28W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 230 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PXAC261202FCV1XWSA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Packaging: Tray
Package / Case: H-37248-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.61GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 28W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 230 mA
Description: FET RF 2CH 65V 2.61GHZ
Packaging: Tray
Package / Case: H-37248-4
Mounting Type: Chassis Mount
Frequency: 2.61GHz
Configuration: Dual, Common Source
Power - Output: 28W
Gain: 13.5dB
Technology: LDMOS
Supplier Device Package: H-37248-4
Part Status: Obsolete
Voltage - Rated: 65 V
Voltage - Test: 28 V
Current - Test: 230 mA
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| BTS6480SFXUMA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 3:4 DSO-36
Description: IC PWR SWITCH N-CHAN 3:4 DSO-36
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IGC18T120T8QX1SA1 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 15A DIE
Description: IGBT 1200V 15A DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH37K10F |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A DIE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
Description: IGBT 1200V 100A DIE
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 35A
Input Type: Standard
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Gate Charge: 210 nC
Test Condition: 600V, 35A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/190ns
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH97K10F |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 100A DIE
Description: IGBT 1200V 100A DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 422 шт
В кошику
од. на суму грн.
| SIGC158T120R3LEX1SA2 |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 150A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
Description: IGBT 1200V 150A DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A
Supplier Device Package: Die
IGBT Type: Trench Field Stop
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 450 A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH28UED |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH28UEF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 60 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/225ns
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 60 nC
Test Condition: 600V, 15A, 22Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/225ns
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.55V @ 15V, 2.5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH35UED |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH35UEF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH42UED |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH42UEF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH46UED |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH46UEF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH50UED |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH50UEF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH54K10EF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH73K10EF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH73K10EF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 105ns/45ns
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Gate Charge: 420 nC
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Td (on/off) @ 25°C: 105ns/45ns
Supplier Device Package: Die
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 20A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH73UED-R |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH73UEF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/580ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Packaging: Bulk
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 75A
Supplier Device Package: Die
Td (on/off) @ 25°C: 90ns/580ns
Test Condition: 600V, 75A, 5Ohm, 15V
Gate Charge: 540 nC
Part Status: Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH75K10EF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH75K10EF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH75UED-R |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH75UEF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH81K10EF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7CH81K10EF-R |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7PH35U-EPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7PH42UD-EPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7PH50U-EP |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 440 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/430ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 556 W
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 440 nC
Test Condition: 600V, 50A, 5Ohm, 15V
Switching Energy: 4.6mJ (on), 3.2mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 35ns/430ns
IGBT Type: Trench
Supplier Device Package: PG-TO247AD
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Power - Max: 556 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7PK35UD1MPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG7PK42UD1-EPBF |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST TO247
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH106K10F |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 110A DIE
Description: IGBT 1200V 110A DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH10K10F |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V 5A DIE
Description: IGBT 1200V 5A DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH15K10D |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG8CH15K10F |
![]() |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
Description: IGBT 1200V ULTRA FAST DIE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.











