Продукція > INFINEON TECHNOLOGIES > Всі товари виробника INFINEON TECHNOLOGIES (124872) > Сторінка 274 з 2082

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFS7530TRL7PP IRFS7530TRL7PP Infineon Technologies irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8 Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+317.71 грн
10+201.92 грн
100+142.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF IRFS7530TRLPBF Infineon Technologies irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3 Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.64 грн
10+175.28 грн
100+123.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF IRFS7537TRLPBF Infineon Technologies irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.70 грн
10+105.07 грн
100+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP IRFS7730TRL7PP Infineon Technologies infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+324.69 грн
10+206.40 грн
100+146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP IRFS7734TRL7PP Infineon Technologies irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6 Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF IRFS7787TRLPBF Infineon Technologies irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF IRS2117STRPBF Infineon Technologies infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+44.92 грн
25+40.50 грн
100+33.43 грн
250+31.26 грн
500+29.94 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF IRS25411STRPBF Infineon Technologies irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826 Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.83 грн
10+118.27 грн
25+107.93 грн
100+90.69 грн
250+85.63 грн
500+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSFGATMA1 Infineon Technologies BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26 Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NSGATMA1 Infineon Technologies BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.75 грн
100+55.88 грн
500+41.64 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3GATMA1 Infineon Technologies BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.39 грн
10+44.77 грн
100+29.21 грн
500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 1ED020I12B2XUMA1 Infineon Technologies infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+365.76 грн
10+268.86 грн
25+247.98 грн
100+211.20 грн
250+202.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 2ED020I12F2XUMA1 Infineon Technologies infineon-2ed020i12-f2-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+473.47 грн
10+350.79 грн
25+324.57 грн
100+277.55 грн
250+268.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6EDL04I06PTXUMA1 Infineon Technologies 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.28 грн
10+117.68 грн
25+107.51 грн
100+90.36 грн
250+85.34 грн
500+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 BGM15LA12E6327XTSA1 Infineon Technologies INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
P1dB: -8dBm
Noise Figure: 1.1dB
Current - Supply: 4.9mA
Gain: 17.3dB
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
RF Type: LTE, W-CDMA
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598 Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 2.69GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Insertion Loss: 0.39dB
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount
Features: DC Blocked, Single Line Control
Packaging: Cut Tape (CT)
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 10-XFQFN
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+51.92 грн
10+44.55 грн
25+41.85 грн
100+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 BSC040N10NS5ATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38 Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.52 грн
10+136.41 грн
100+94.25 грн
500+71.55 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCGATMA1 Infineon Technologies BSC079N03LSCG.pdf Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 BSC882N03LSGATMA1 Infineon Technologies fundamentals-of-power-semiconductors Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223PH6327XTSA1 Infineon Technologies BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9 Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 61982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.55 грн
16+19.18 грн
100+12.10 грн
500+8.49 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 BSL207SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74 Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+65.09 грн
10+39.18 грн
100+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 BSL215CH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289 Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 82970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+63.54 грн
10+37.98 грн
100+24.62 грн
500+17.71 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 BSL307SPH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687 Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+47.76 грн
100+31.27 грн
500+22.70 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 BSP320SH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949 Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+80.59 грн
10+48.65 грн
100+31.99 грн
500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 BSS214NWH6327XTSA1 Infineon Technologies Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.37 грн
500+6.52 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 13640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.26 грн
10+85.59 грн
100+57.72 грн
500+42.94 грн
1000+39.33 грн
2000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04NGATMA1 Infineon Technologies IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8 Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3GATMA1 Infineon Technologies IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675 Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.43 грн
10+94.84 грн
100+64.64 грн
500+48.52 грн
1000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 IPD068N10N3GATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1 Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.82 грн
10+66.11 грн
100+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 IPD33CN10NGATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1 Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.86 грн
10+78.28 грн
100+52.12 грн
500+38.41 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 IPD80R1K0CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590 Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.83 грн
10+82.90 грн
100+56.00 грн
500+41.75 грн
1000+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44 Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.09 грн
6000+11.55 грн
9000+11.02 грн
15000+9.77 грн
21000+9.44 грн
30000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.74 грн
6000+10.34 грн
9000+9.85 грн
15000+8.73 грн
21000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon Technologies Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43 Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 IPAN50R500CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.19 грн
50+44.95 грн
100+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1 IPAN65R650CEXKSA1 Infineon Technologies Infineon-IPAN65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e76e439a1b24 Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1 IPS70R950CEAKMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1 Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.01 грн
10+52.01 грн
100+34.23 грн
500+24.95 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 IPD70R950CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 28369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.37 грн
10+30.15 грн
100+19.37 грн
500+13.81 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38 Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 IPD50R380CEAUMA1 Infineon Technologies Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38 Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 17638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.51 грн
10+62.01 грн
100+41.28 грн
500+30.39 грн
1000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GA1TR FM25040B-GA1TR Infineon Technologies Description: IC FRAM 4KBIT SPI 14MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 14 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP11FAIR12 S29GL01GP11FAIR12 Infineon Technologies S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 110ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP11FFIR23 S29GL01GP11FFIR23 Infineon Technologies S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 110ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP12FAI020 S29GL01GP12FAI020 Infineon Technologies S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512P10FAIR12 S29GL512P10FAIR12 Infineon Technologies S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+637.75 грн
10+570.40 грн
25+552.94 грн
50+506.49 грн
100+494.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GA1 FM25040B-GA1 Infineon Technologies Description: IC FRAM 4KBIT SPI 14MHZ 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 14 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF IR2214SSTRPBF Infineon Technologies Infineon-IR2x14SS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 7ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+424.65 грн
10+314.38 грн
25+290.69 грн
100+248.40 грн
250+236.76 грн
500+229.74 грн
1000+220.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR3447MTRPBF IR3447MTRPBF Infineon Technologies ir3447m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cc97101723 Description: IC REG BUCK ADJ 25A 35PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 35-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 35-PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3651STRPBF IR3651STRPBF Infineon Technologies ir3651spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d108ff178e Description: IC REG CTRLR BUCK 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 400kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 13.2V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Soft Start
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 80%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334MTRPBF IRS2334MTRPBF Infineon Technologies infineon-irs2334-datasheet-en.pdf Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-MLPQ (5x5)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.16 грн
10+97.68 грн
25+88.98 грн
100+74.54 грн
250+70.26 грн
500+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB1G CYW20707UA1KFFB1G Infineon Technologies download Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB4G CYW20707UA1KFFB4G Infineon Technologies Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_ Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB4GT CYW20707UA1KFFB4GT Infineon Technologies Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_ Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707VA1PKWBGT CYW20707VA1PKWBGT Infineon Technologies Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_ Description: IC RF TXRX+MCU BLE 36WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-UFBGA, WLBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 36-WLBGA (2.51x2.77)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20710A1KUBXGT CYW20710A1KUBXGT Infineon Technologies Infineon-CYW20710_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1f2086813&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202 Description: IC RF TXRX+MCU BLE 42WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-UFBGA, WLBGA
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 42-WLBGA (3.02x2.51)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20733A3KFB2GT CYW20733A3KFB2GT Infineon Technologies CYW20733_RevS_11-9-17.pdf Description: IC RF TXRX+MCU BLE 121FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 121-TFBGA
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v3.0
Current - Receiving: 26.4mA
Current - Transmitting: 47mA
Supplier Device Package: 121-FBGA (9x9)
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20735KFBG CYW20735KFBG Infineon Technologies PdfFile_564780.pdf Description: IC RF TXRX+MCU BLE 111FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 111-VFBGA
Sensitivity: -94.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 8mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 111-FBGA (9x9)
GPIO: 111
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRL7PP irfs7530-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563a9d1e21d8
IRFS7530TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 354 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12960 pF @ 25 V
на замовлення 1790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+317.71 грн
10+201.92 грн
100+142.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7530TRLPBF irfs7530pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3d98429c3
IRFS7530TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO263-2
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 411 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13703 pF @ 25 V
на замовлення 6747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+276.64 грн
10+175.28 грн
100+123.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7537TRLPBF irfs7537pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015364c3ee2729cb
IRFS7537TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 173A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 173A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 210 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7020 pF @ 25 V
на замовлення 1153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+169.70 грн
10+105.07 грн
100+71.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7730TRL7PP infineon-irfs7730-7p-datasheet-en.pdf
IRFS7730TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 428 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13970 pF @ 25 V
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+324.69 грн
10+206.40 грн
100+146.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7734TRL7PP irfs7734-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ac71b21e6
IRFS7734TRL7PP
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 197A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 197A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.05mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 294W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7787TRLPBF irfs7787pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153563ad73d21eb
IRFS7787TRLPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 75V 76A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 46A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO263-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4020 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2117STRPBF infineon-irs2117pbf-ds-en.pdf
IRS2117STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 75ns, 35ns
Channel Type: Single
Driven Configuration: High-Side
Number of Drivers: 1
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 6V, 9.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.09 грн
10+44.92 грн
25+40.50 грн
100+33.43 грн
250+31.26 грн
500+29.94 грн
1000+28.54 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRS25411STRPBF irs25401pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b06662826
IRS25411STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC LED DRIVER CTRLR PWM 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Frequency: 500kHz
Type: DC DC Controller
Operating Temperature: -25°C ~ 125°C (TJ)
Internal Switch(s): No
Topology: Step-Down (Buck)
Supplier Device Package: 8-SOIC
Dimming: PWM
Voltage - Supply (Min): 8V
Voltage - Supply (Max): 16.6V
Part Status: Active
на замовлення 2218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+165.83 грн
10+118.27 грн
25+107.93 грн
100+90.69 грн
250+85.63 грн
500+83.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC105N10LSFGATMA1 BSC105N10LSF+Rev2.07.pdf?folderId=db3a304313b8b5a60113cee8763b02d7&fileId=db3a30431b3e89eb011b499b2aa07b26
BSC105N10LSFGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11.4/90A 8TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3900 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 110µA
Power Dissipation (Max): 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 90A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC118N10NSGATMA1 BSC118N10NS+Rev1.06.pdf?folderId=db3a3043156fd5730115c7d50620107c&fileId=db3a3043163797a6011647fdc2d4071c
BSC118N10NSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 11A/71A TDSON
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Power Dissipation (Max): 114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.8mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 71A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerTDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+82.75 грн
100+55.88 грн
500+41.64 грн
1000+39.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ120P03NS3GATMA1 BSZ120P03NS3+G_2+1.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a7313d21a66&fileId=db3a304326dfb13001271f0c11864edd
BSZ120P03NS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 11A/40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.1V @ 73µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 833 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+74.39 грн
10+44.77 грн
100+29.21 грн
500+21.15 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
1ED020I12B2XUMA1 infineon-1ed020i12-b2-datasheet-en.pdf
1ED020I12B2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: DGT ISO 4.5KV 1CH GT DVR DSO16
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Magnetic Coupling
Current - Output High, Low: 2A, 2A
Voltage - Isolation: 4500Vrms
Supplier Device Package: PG-DSO-16-15
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Part Status: Active
Number of Channels: 1
Voltage - Output Supply: 13V ~ 20V
на замовлення 876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+365.76 грн
10+268.86 грн
25+247.98 грн
100+211.20 грн
250+202.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2ED020I12F2XUMA1 infineon-2ed020i12-f2-datasheet-en.pdf
2ED020I12F2XUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDG DSO36-58
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 36-BSSOP (0.295", 7.50mm Width), 32 Leads
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 20V
Input Type: Inverting, Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: PG-DSO-36-58
Rise / Fall Time (Typ): 30ns, 50ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.5V, 3.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 2A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 4201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+473.47 грн
10+350.79 грн
25+324.57 грн
100+277.55 грн
250+268.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
6EDL04I06PTXUMA1 6ED2-DB-Rev2_3.pdf?folderId=db3a30431a5c32f2011a77fa27a86cb5&fileId=db3a304336797ff901367c18c18445af
6EDL04I06PTXUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE DSO28
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Voltage - Supply: 13V ~ 17.5V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: PG-DSO-28
Rise / Fall Time (Typ): 60ns, 26ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel, P-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 1.1V, 1.7V
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+164.28 грн
10+117.68 грн
25+107.51 грн
100+90.36 грн
250+85.34 грн
500+83.11 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BGM15LA12E6327XTSA1 INFN-S-A0001299616-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
BGM15LA12E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC AMP LTE 700MHZ-1GHZ 12ATSLP
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: ATSLP-12-3
Test Frequency: 925MHz ~ 960MHz
P1dB: -8dBm
Noise Figure: 1.1dB
Current - Supply: 4.9mA
Gain: 17.3dB
Voltage - Supply: 2.2V ~ 3.3V
RF Type: LTE, W-CDMA
Frequency: 700MHz ~ 1GHz
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 12-UFQFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BGSA12GN10E6327XTSA1 Infineon_AntennaTuningSolutions_2014-06.pdf?fileId=5546d461464245d301468a636c8c6598
BGSA12GN10E6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF SWITCH SPDT 5GHZ TSNP10-1
Part Status: Active
Supplier Device Package: PG-TSNP-10-1
Isolation: 20dB
Test Frequency: 2.69GHz
Frequency Range: 100MHz ~ 5GHz
Insertion Loss: 0.39dB
Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
RF Type: Cellular, 3G, 4G
Circuit: SPDT
Mounting Type: Surface Mount
Features: DC Blocked, Single Line Control
Packaging: Cut Tape (CT)
Impedance: 50Ohm
Package / Case: 10-XFQFN
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+51.92 грн
10+44.55 грн
25+41.85 грн
100+32.06 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC040N10NS5ATMA1 Infineon-BSC040N10NS5-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d4624a0bf290014a0fbcee2e6b38
BSC040N10NS5ATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.8V @ 95µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 50 V
на замовлення 29105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+218.52 грн
10+136.41 грн
100+94.25 грн
500+71.55 грн
1000+68.97 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSC079N03LSCGATMA1 BSC079N03LSCG.pdf
BSC079N03LSCGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/50A TDSON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSC882N03LSGATMA1 fundamentals-of-power-semiconductors
BSC882N03LSGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 34V 8TDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TDSON-8-1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 34 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BSD223PH6327XTSA1 BSD223P_Rev1.5.pdf?folderId=db3a304314dca38901154a72e3951a65&fileId=db3a30433580b37101358619d0af33b9
BSD223PH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.39A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 390mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 56pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 390mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.62nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 1.5µA
Supplier Device Package: PG-SOT363-6-1
Part Status: Active
на замовлення 61982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+32.55 грн
16+19.18 грн
100+12.10 грн
500+8.49 грн
1000+7.56 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL207SPH6327XTSA1 Infineon-BSL207SP-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142d8004cc24f74
BSL207SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 20V 6A TSOP-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 41mOhm @ 6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1007 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+65.09 грн
10+39.18 грн
100+25.53 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL215CH6327XTSA1 Infineon-BSL215C-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431add1d95011aed4394210289
BSL215CH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP6-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.73nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-TSOP6-6
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 82970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+63.54 грн
10+37.98 грн
100+24.62 грн
500+17.71 грн
1000+15.97 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSL307SPH6327XTSA1 Infineon-BSL307SP-DS-v02_00-en.pdf?fileId=db3a304342c787030142dca7f3721687
BSL307SPH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 5.5A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-TSOP-6-1
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 805 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+47.76 грн
100+31.27 грн
500+22.70 грн
1000+20.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSP320SH6327XTSA1 Infineon-BSP320S-DS-v02_05-en.pdf?fileId=db3a30433b47825b013b515cf1f42949
BSP320SH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.9A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 120mOhm @ 2.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 20µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-4
Grade: Automotive
Part Status: Last Time Buy
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+80.59 грн
10+48.65 грн
100+31.99 грн
500+23.28 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSS214NWH6327XTSA1 Infineon-BSS214NW-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431b3e89eb011b695aebc01bde
BSS214NWH6327XTSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 1.5A SOT323-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 1.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 3.7µA
Supplier Device Package: PG-SOT323
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.8 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 143 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 19597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
13+24.80 грн
20+14.92 грн
100+9.37 грн
500+6.52 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BSZ150N10LS3GATMA1 Infineon-BSZ150N10LS3_G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30433c8a9179013c8aa12472000f
BSZ150N10LS3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 40A 8TSDSON
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 33µA
Supplier Device Package: PG-TSDSON-8
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 13640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+140.26 грн
10+85.59 грн
100+57.72 грн
500+42.94 грн
1000+39.33 грн
2000+37.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPB011N04NGATMA1 IPB011N04N_rev1.0.pdf?folderId=db3a3043163797a6011643468e7505a4&fileId=db3a3043163797a601164373e07005f8
IPB011N04NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 180A TO263-7
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO263-7-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20000 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD038N06N3GATMA1 IPD038N06N3_Rev1.01.pdf?folderId=db3a3043132679fb0113346bdc4505a3&fileId=db3a304317a7483601181bf8dae11675
IPD038N06N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 188W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 30 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+153.43 грн
10+94.84 грн
100+64.64 грн
500+48.52 грн
1000+47.32 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD068N10N3GATMA1 Infineon-IPD068N10N3G-DS-v02_02-en.pdf?fileId=db3a30431ce5fb52011d1eb7aeb615d1
IPD068N10N3GATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 90A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 90µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 68 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4910 pF @ 50 V
на замовлення 8128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+79.82 грн
10+66.11 грн
100+65.49 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD33CN10NGATMA1 Infineon-IPP35CN10N-DS-v01_91-en.pdf?fileId=db3a304412b407950112b42b457b44b1
IPD33CN10NGATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 27A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 29µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 50 V
на замовлення 27832 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+127.86 грн
10+78.28 грн
100+52.12 грн
500+38.41 грн
1000+35.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD80R1K0CEATMA1 Infineon-IPX80R1K0CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a304340155f3d01402ebac5992590
IPD80R1K0CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 785 pF @ 100 V
на замовлення 4244 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+134.83 грн
10+82.90 грн
100+56.00 грн
500+41.75 грн
1000+39.27 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon-IPN60R2K1CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af64ab85b44
IPN60R2K1CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 3.7A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 60µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 100 V
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+13.09 грн
6000+11.55 грн
9000+11.02 грн
15000+9.77 грн
21000+9.44 грн
30000+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+11.74 грн
6000+10.34 грн
9000+9.85 грн
15000+8.73 грн
21000+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon-IPN70R1K5CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547aff80a65b6f
IPN70R1K5CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+18.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPA80R1K4CEXKSA2 Infineon-IPA80R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46249be182c0149c788709b1e43
IPA80R1K4CEXKSA2
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 800V 3.9A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 31W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 240µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 100 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN50R500CEXKSA1 Infineon-IPAN50R500CE-DS-v02_01-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e74070a8194e
IPAN50R500CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 11.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 2.3A, 13V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 200µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 433 pF @ 100 V
на замовлення 406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+99.19 грн
50+44.95 грн
100+40.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPAN65R650CEXKSA1 Infineon-IPAN65R650CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46254e133b40154e76e439a1b24
IPAN65R650CEXKSA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 650V 10.1A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 28W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 210µA
Supplier Device Package: PG-TO220-FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 100 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+91.44 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPS70R950CEAKMA1 Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c
IPS70R950CEAKMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO251
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3-11
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R1K4CEAUMA1 Infineon-IPD70R1K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a2a2125c7af1
IPD70R1K4CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 5.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 130µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 100 V
на замовлення 14900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+86.01 грн
10+52.01 грн
100+34.23 грн
500+24.95 грн
1000+22.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD70R950CEAUMA1 Infineon-IPD70R950CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153a32b85797d3c
IPD70R950CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 150µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 328 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon-IPN60R3K4CE-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d46253f6505701547af659125b4d
IPN60R3K4CEATMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 600V 2.6A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 40µA
Supplier Device Package: PG-SOT223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 93 pF @ 100 V
на замовлення 28369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+50.37 грн
10+30.15 грн
100+19.37 грн
500+13.81 грн
1000+12.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38
IPD50R380CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+24.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IPD50R380CEAUMA1 Infineon-IPD50R380CE-DS-v02_01-en.pdf?fileId=db3a30433ecb86d4013ed0a2ef580f38
IPD50R380CEAUMA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 500V 14.1A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 13V
Power Dissipation (Max): 98W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 260µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 13V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 584 pF @ 100 V
на замовлення 17638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4+101.51 грн
10+62.01 грн
100+41.28 грн
500+30.39 грн
1000+27.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GA1TR
FM25040B-GA1TR
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT SPI 14MHZ 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 14 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP11FAIR12 S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf
S29GL01GP11FAIR12
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 110ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP11FFIR23 S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf
S29GL01GP11FFIR23
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 110ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 110 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL01GP12FAI020 S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf
S29GL01GP12FAI020
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 1GBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 1Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (13x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 120ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 120 ns
Memory Organization: 128M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
S29GL512P10FAIR12 S29GLyyyP_Dec-16-2015.pdf
S29GL512P10FAIR12
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FLASH 512MBIT PARALLEL 64FBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 64-LBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NOR
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 64-FBGA (11x13)
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 32M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+637.75 грн
10+570.40 грн
25+552.94 грн
50+506.49 грн
100+494.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FM25040B-GA1
FM25040B-GA1
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC FRAM 4KBIT SPI 14MHZ 8SOIC
Packaging: Tray
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)
Clock Frequency: 14 MHz
Memory Format: FRAM
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512 x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR2214SSTRPBF Infineon-IR2x14SS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46269e1c019016a4a5a8fa04a9b
IR2214SSTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 24SSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 24-SSOP (0.209", 5.30mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 11.5V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 1200 V
Supplier Device Package: 24-SSOP
Rise / Fall Time (Typ): 24ns, 7ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2A, 3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 10097 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+424.65 грн
10+314.38 грн
25+290.69 грн
100+248.40 грн
250+236.76 грн
500+229.74 грн
1000+220.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IR3447MTRPBF ir3447m.pdf?fileId=5546d462533600a4015355cc97101723
IR3447MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG BUCK ADJ 25A 35PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 35-PowerVQFN
Output Type: Adjustable
Mounting Type: Surface Mount
Number of Outputs: 1
Function: Step-Down
Current - Output: 25A
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 300kHz ~ 1.5MHz
Voltage - Input (Max): 21V
Topology: Buck
Supplier Device Package: 35-PQFN (5x6)
Synchronous Rectifier: Yes
Voltage - Output (Max): 18.06V
Voltage - Input (Min): 5V
Voltage - Output (Min/Fixed): 0.6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IR3651STRPBF ir3651spbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015355d108ff178e
IR3651STRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC REG CTRLR BUCK 14SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Output Type: Transistor Driver
Mounting Type: Surface Mount
Function: Step-Down
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Output Configuration: Positive
Frequency - Switching: 100kHz ~ 400kHz
Topology: Buck
Voltage - Supply (Vcc/Vdd): 4.5V ~ 13.2V
Supplier Device Package: 14-SOIC
Synchronous Rectifier: Yes
Control Features: Current Limit, Enable, Soft Start
Output Phases: 1
Duty Cycle (Max): 80%
Clock Sync: Yes
Number of Outputs: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRS2334MTRPBF infineon-irs2334-datasheet-en.pdf
IRS2334MTRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 28MLPQ
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 28-VFQFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 600 V
Supplier Device Package: 28-MLPQ (5x5)
Rise / Fall Time (Typ): 125ns, 50ns
Channel Type: 3-Phase
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 6
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V
Current - Peak Output (Source, Sink): 200mA, 350mA
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+137.16 грн
10+97.68 грн
25+88.98 грн
100+74.54 грн
250+70.26 грн
500+67.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB1G download
CYW20707UA1KFFB1G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 980 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB4G Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_
CYW20707UA1KFFB4G
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707UA1KFFB4GT Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_
CYW20707UA1KFFB4GT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 49FCBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 49-VFBGA, FCBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 49-FCBGA (4.5x4)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20707VA1PKWBGT Infineon-CYW20707_Bluetooth_SoC_for_Embedded_Wireless_Devices_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v09_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1ecf86806&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202110_globe_en_
CYW20707VA1PKWBGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 36WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 36-UFBGA, WLBGA
Sensitivity: -96.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 9dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 26.4mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 60mA
Supplier Device Package: 36-WLBGA (2.51x2.77)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20710A1KUBXGT Infineon-CYW20710_Single-Chip_Bluetooth_Transceiver_and_Baseband_Processor_Datasheet-AdditionalTechnicalInformation-v10_00-EN.pdf?fileId=8ac78c8c7d0d8da4017d0ee1f2086813&utm_source=cypress&utm_medium=referral&utm_campaign=202
CYW20710A1KUBXGT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 42WLBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 42-UFBGA, WLBGA
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 5.5V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.0
Current - Receiving: 32mA
Data Rate (Max): 3Mbps
Current - Transmitting: 65mA
Supplier Device Package: 42-WLBGA (3.02x2.51)
GPIO: 8
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20733A3KFB2GT CYW20733_RevS_11-9-17.pdf
CYW20733A3KFB2GT
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 121FBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 121-TFBGA
Sensitivity: -91dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C
Voltage - Supply: 3V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v3.0
Current - Receiving: 26.4mA
Current - Transmitting: 47mA
Supplier Device Package: 121-FBGA (9x9)
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
CYW20735KFBG PdfFile_564780.pdf
CYW20735KFBG
Виробник: Infineon Technologies
Description: IC RF TXRX+MCU BLE 111FBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 111-VFBGA
Sensitivity: -94.5dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.4GHz
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -30°C ~ 85°C
Voltage - Supply: 3.3V
Power - Output: 10dBm
Protocol: Bluetooth v4.2
Current - Receiving: 8mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 18mA
Supplier Device Package: 111-FBGA (9x9)
GPIO: 111
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: I2C, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 208 269 270 271 272 273 274 275 276 277 278 279 416 624 832 1040 1248 1456 1664 1872 2080 2082  [ Наступна Сторінка >> ]