Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (2739) > Сторінка 7 з 46
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
AUIRLR024NTRL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 74697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR024Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 7038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR2703 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 6624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR2703TRL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2099 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| AUIRLR2905 | International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
AUIRLR2905ZTRL | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR2908TRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRLR3105TRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 57W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRLR3114Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR3114ZTRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR3410TRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 97725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR3705Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
AUIRLR3705Z | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 42A 8mΩ 130W AUIRLR3705Z International Rectifier TAUIRLR3705Zкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 65 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLR3705ZTR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRLR3705ZTRL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D-Pak Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRLS3034 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 4102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLS3034-7TRL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead) Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLS3034TRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 21335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| AUIRLS3114ZTRL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| AUIRLS4030-7P IRLS4030-7PPbF | International Rectifier | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
AUIRLU024Z | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 13425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLU2905 | International Rectifier |
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRLU3114Z | International Rectifier |
Description: AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 10317 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLU3114Z-701TRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO251-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2992 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLZ24NS | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
AUIRLZ24NSTRL | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 82100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| AUIRLZ44ZL | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Grade: Automotive Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 9850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
AUIRS2003STR | International Rectifier |
Description: IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS2004STR | International Rectifier |
Description: AUIRS2004 - GATE DRIVERPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AUIRS20161STR | International Rectifier |
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
AUIRS2110STR | International Rectifier |
Description: HIGH AND LOW-SIDE DRIVERPackaging: Bulk Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 3V ~ 20V Input Type: Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V Supplier Device Package: 16-SOIC Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AUIRS2112STR | International Rectifier |
Description: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
AUIRS2123STR | International Rectifier |
Description: AUIRS2123S - GATE DRIVER |
на замовлення 2254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS21281STR | International Rectifier |
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS2128STR | International Rectifier |
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS2302STR | International Rectifier |
Description: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| AUIRS2332JTR | International Rectifier |
Description: IC DRVR BRIDGE 3-PHASE 44PLCC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| AUIRS2334STR | International Rectifier |
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 20SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| AUIRS44261STR | International Rectifier |
Description: IC DRVR LSOW SIDE DUAL 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
AUIRS4426STR | International Rectifier |
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS4427STR | International Rectifier |
Description: AUIRS4427 - GATE DRIVERPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Supply: 6V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
AUIRS4428STR | International Rectifier |
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| CPV364MK | International Rectifier | IGBT SIP MODULE, Short Circuit Rated, UltraFast IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF01S | International Rectifier |
DIL-4, If(av)=1.0A, Urrm=100V, Bridge Rect 1 Phase, -55...+150 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF04M | International Rectifier |
1A, 400V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF04S | International Rectifier |
1.0A, 400V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| df06m | International Rectifier |
1.0A, 600V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF06S | International Rectifier |
1.0A, 600V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF06S | International Rectifier |
1.5A, 600V, SMD SDIP Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF08M | International Rectifier |
1.0A, 800V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DF10M | International Rectifier |
1.0A, 1000V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| DMC2020USD | International Rectifier | Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
|||
| FD800R17KE3B2NOSA1-IR | International Rectifier | Description: FD800R17 - IGBT-MODULE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| G1849HEX | International Rectifier | Description: G1849HEX |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| G1856HEX | International Rectifier | Description: G1856HEX |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| GA100TS120U | International Rectifier |
(IGBT,520W,1200V,100A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| HFA08PB60 | International Rectifier |
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| HFA15PB60 | International Rectifier |
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
HFA25PB60 | International Rectifier |
Ultrafast, Soft Recovery Diode HEXFRED Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||
| HFA25PB60S | International Rectifier | Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| AUIRLR024NTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 17A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 74697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 313+ | 63.69 грн |
| AUIRLR024Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7038 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 356+ | 55.72 грн |
| AUIRLR2703 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 291+ | 68.33 грн |
| AUIRLR2703TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2099 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 226+ | 88.23 грн |
| AUIRLR2905 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLR2905ZTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 55V; 16V; 22,5mOhm; 60A; 110W; -55°C ~ 175°C; OBSOLETE; Odpowiednik: AUIRLR2905ZTR; AUIRLR2905ZTRL; TUBE AUIRLR2905Z; TAPE&REEL AUIRLR2905ZTRL; AUIRLR2905Z International Rectifier TAUIRLR2905Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 108.40 грн |
| AUIRLR2908TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1890 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLR3105TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-PAK (TO-252AA)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLR3114Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 176+ | 112.78 грн |
| AUIRLR3114ZTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 176+ | 112.78 грн |
| AUIRLR3410TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 97725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 116.76 грн |
| AUIRLR3705Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLR3705Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 55V 42A 8mΩ 130W AUIRLR3705Z International Rectifier TAUIRLR3705Z
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 55V 42A 8mΩ 130W AUIRLR3705Z International Rectifier TAUIRLR3705Z
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 65 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 112.66 грн |
| AUIRLR3705ZTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLR3705ZTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D-Pak
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLS3034 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 214.28 грн |
| AUIRLS3034-7TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 200A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10990 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 79+ | 252.76 грн |
| AUIRLS3034TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 162 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10315 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 21335 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 93+ | 214.28 грн |
| AUIRLS3114ZTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
Description: MOSFET N-CH 40V 42A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLS4030-7P IRLS4030-7PPbF |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLU024Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 58mOhm @ 9.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 13425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 422+ | 47.69 грн |
| AUIRLU2905 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRLU3114Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUIRLU3114Z - 20V-40V N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 178+ | 113.53 грн |
| AUIRLU3114Z-701TRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 42A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: PG-TO251-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3810 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 114.87 грн |
| AUIRLZ24NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 243+ | 81.60 грн |
| AUIRLZ24NSTRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 82100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 282+ | 70.98 грн |
| AUIRLZ44ZL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
Description: MOSFET N-CH 55V 51A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1620 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 249+ | 80.27 грн |
| AUIRS2003STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC
Description: IC DRVIER HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2004STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRS2004 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: AUIRS2004 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 10V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS20161STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2110STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HIGH AND LOW-SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: HIGH AND LOW-SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 3V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
High Side Voltage - Max (Bootstrap): 500 V
Supplier Device Package: 16-SOIC
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Half-Bridge
Number of Drivers: 2
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2112STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
Description: IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2123STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRS2123S - GATE DRIVER
Description: AUIRS2123S - GATE DRIVER
на замовлення 2254 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| AUIRS21281STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2128STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
Description: IC DVR CURRENT SENSE 1CH 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2302STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
Description: IC DRIVER HALF-BRIDGE 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2332JTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRVR BRIDGE 3-PHASE 44PLCC
Description: IC DRVR BRIDGE 3-PHASE 44PLCC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS2334STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 20SOIC
Description: IC DRVR IGBT/MOSFET 20SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS44261STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRVR LSOW SIDE DUAL 8SOIC
Description: IC DRVR LSOW SIDE DUAL 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS4426STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS4427STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRS4427 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: AUIRS4427 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Part Status: Obsolete
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| AUIRS4428STR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
Description: IC DRIVER LOW SIDE DUAL 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| CPV364MK |
Виробник: International Rectifier
IGBT SIP MODULE, Short Circuit Rated, UltraFast IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
IGBT SIP MODULE, Short Circuit Rated, UltraFast IGBT Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF01S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
DIL-4, If(av)=1.0A, Urrm=100V, Bridge Rect 1 Phase, -55...+150 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
DIL-4, If(av)=1.0A, Urrm=100V, Bridge Rect 1 Phase, -55...+150 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF04M |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1A, 400V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1A, 400V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF04S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.0A, 400V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.0A, 400V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| df06m |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.0A, 600V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.0A, 600V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF06S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.0A, 600V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.0A, 600V, SMD D-71 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF06S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.5A, 600V, SMD SDIP Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.5A, 600V, SMD SDIP Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF08M |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.0A, 800V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.0A, 800V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DF10M |
![]() |
Виробник: International Rectifier
1.0A, 1000V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
1.0A, 1000V, D-70 Група товару: Діодні мости малопотужні Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| DMC2020USD |
Виробник: International Rectifier
Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 62.40 грн |
| FD800R17KE3B2NOSA1-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: FD800R17 - IGBT-MODULE
Description: FD800R17 - IGBT-MODULE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G1849HEX |
Виробник: International Rectifier
Description: G1849HEX
Description: G1849HEX
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| G1856HEX |
Виробник: International Rectifier
Description: G1856HEX
Description: G1856HEX
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| GA100TS120U |
![]() |
Виробник: International Rectifier
(IGBT,520W,1200V,100A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
(IGBT,520W,1200V,100A Група товару: Силові IGBT-модулі Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HFA08PB60 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HFA15PB60 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| HFA25PB60 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Ultrafast, Soft Recovery Diode HEXFRED Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Ultrafast, Soft Recovery Diode HEXFRED Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 160.71 грн |
| HFA25PB60S |
Виробник: International Rectifier
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
Група товару: Діоди та діодні збірки Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.















