Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (2740) > Сторінка 24 з 46
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF9540NSTRL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRF9540NSTRLPBF | International Rectifier |
D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9540NSTRRPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF9910TR | International Rectifier |
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 96 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF9952QPBF | International Rectifier |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFETVgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Power - Max: 2W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tube Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF9952TRPBF | International Rectifier |
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9953PBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9953TR | International Rectifier |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRF9953TRPBF | International Rectifier |
HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9956PBF | International Rectifier |
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF9956TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF9956TRPBF | International Rectifier |
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9Z24N | International Rectifier |
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 125 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRF9Z24N | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF9Z24NS | International Rectifier |
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRF9Z24PBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9Z30PBF | International Rectifier |
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
IRF9Z34NSPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRF9Z34NSTRLPBF | International Rectifier |
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRF9Z34SPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFAC30 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 427 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAC50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETDrain to Source Voltage (Vdss): 600 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 150W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A FET Type: N-Channel |
на замовлення 129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAE32 | International Rectifier |
Description: RF MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETDrain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 50W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF40 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFAF42 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AEDrain to Source Voltage (Vdss): 500 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AE Power Dissipation (Max): 125W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFAF50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF52 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPower Dissipation (Max): 150W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAG20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETDrain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Power Dissipation (Max): 50W Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAUIRF3805S | International Rectifier |
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFAUIRF4905 | International Rectifier |
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFAUIRF540Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB17N20DPBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB23N15DPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB23N20DPBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB260NPBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB3004GPBF | International Rectifier |
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB3004PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRFB3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB3077PBF | International Rectifier |
TO-200AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB3206PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFB3207ZGPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABVgs (Max): ±20V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFB3256PBF | International Rectifier |
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POInput Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB3306PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB3307ZPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB33N15DPBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
| IRFB3607PBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRFB3806 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB38N20DPBF | International Rectifier |
Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
|
IRFB4020 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFB4020PBF | International Rectifier |
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори |
на замовлення 750 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|
||
|
|
IRFB4110 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB4110PBF | International Rectifier |
TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFB4115PBF | International Rectifier |
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
|
IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB4127PBF | International Rectifier |
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF9540NSTRL |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 23A 100V 3.8W 0.12Ω IRF9540NS TIRF9540ns
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 40.88 грн |
| IRF9540NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
D2PAK Транзистори
D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9540NSTRRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
MOSFET P-CH 100V 23A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9910TR |
![]() |
на замовлення 96 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 56.02 грн |
| IRF9952QPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 2W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tube
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SO
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9952TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Транзистори
MOSFET, +-30V, 3,5A -2,3A,SO-8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9953PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9953TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.35 грн |
| IRF9953TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Транзистори
HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9956PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9956TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 200mOhm; 3,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9956TR IRF9956 smd TIRF9956
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 38.72 грн |
| IRF9956TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
Dual N-ch MOSFET, 30V, 100mOm, SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z24N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 125 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.50 грн |
| IRF9Z24N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z24NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 58.18 грн |
| IRF9Z24PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори
MOSFET P-CH 60V 11A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z30PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори
Single-Gate MOSFET Transistors P-Chan 50V 18 Amp Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.35 грн |
| IRF9Z34N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.35 грн |
| IRF9Z34N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 23.35 грн |
| IRF9Z34NSPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34NSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF9Z34SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
Trans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFAC30 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 630 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 396.33 грн |
| IRFAC50 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
FET Type: N-Channel
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 150W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.6A
FET Type: N-Channel
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 41+ | 587.04 грн |
| IRFAE32 |
![]() |
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 440.16 грн |
| IRFAF20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 267.90 грн |
| IRFAF40 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 481.82 грн |
| IRFAF42 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AE
Power Dissipation (Max): 125W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AE
Packaging: Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 474.36 грн |
| IRFAF50 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 557.77 грн |
| IRFAF52 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Power Dissipation (Max): 150W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 560.14 грн |
| IRFAG20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Power Dissipation (Max): 50W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 270.90 грн |
| IRFAUIRF3805S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFAUIRF4905 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFAUIRF540Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 140.98 грн |
| IRFB17N20DPBF |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB23N15DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
Trans MOSFET N-CH 150V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB23N20DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB260N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 218.01 грн |
| IRFB260NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3004GPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3004PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3077 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 160.91 грн |
| IRFB3077PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-200AB Транзистори
TO-200AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3206PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3207ZGPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Vgs (Max): ±20V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3256PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 100.47 грн |
| IRFB3306PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3307ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB33N15DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3607PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори
Trans MOSFET N-CH 75V 80A TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3806 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.21 грн |
| IRFB38N20DPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Транзистори
Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB4020 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 85.43 грн |
| IRFB4020PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
MOSFET, N-кан 200V 18A, TO-220AB Транзистори
на замовлення 750 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 161.16 грн |
| IRFB4110 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 70.73 грн |
| IRFB4110PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
TO-220AB Транзистори
TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB4115PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
HEXFET, 150V, 104A, TO-220, -55...+175C Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB4127 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 188.16 грн |
| IRFB4127PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
MOSFET N-CH 200V 76A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.















