Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1412) > Сторінка 12 з 24
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF7494TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7494TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 719 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7495 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 67 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7503TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7580MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V |
на замовлення 7423 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7601PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8 Packaging: Bulk Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7601TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7606 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7606TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF7606TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R |
на замовлення 2931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7607TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro8™ Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7665S2TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7807TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7807ZPBFPRO | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7807ZTR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7807ZTRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC |
на замовлення 12 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7820TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7821HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 13015 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 12290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7832TR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7853TR | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 100V 8,3A 2.5W 0,018Ω IRF7853 TIRF7853 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7854 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF7855PBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF7902TRPBF | International Rectifier | Description: HEXFET POWER MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF8010 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 167 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8010HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
на замовлення 9543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8113PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier |
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V |
на замовлення 10644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8707TR | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8736 | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 18A IRF8736 TIRF8736 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 172 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF8915PBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9130CECC | International Rectifier |
Description: IRF9100P-CHANNREPETITIAVALANCADV Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A Power Dissipation (Max): 88W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9143 | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9230 | International Rectifier |
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V |
на замовлення 10305 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9231 | International Rectifier |
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9232 | International Rectifier |
Description: 5.52001.2OHP-CHANNPOWMOSFET Packaging: Bulk |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9233 | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A FET Feature: Standard Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 301 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9240 | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V |
на замовлення 11092 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9317TR | International Rectifier |
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9321TR | International Rectifier |
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9358 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9393TR | International Rectifier |
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9393TR | International Rectifier | P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9395MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MC Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC |
на замовлення 154722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9410 | International Rectifier |
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9410 | International Rectifier |
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410 кількість в упаковці: 95 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9520N | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9520NS | International Rectifier |
P-MOSFET 100V 6.8A IRF9520NS TIRF9520ns кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9530NS | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9530NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9540NHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9540NL | International Rectifier |
P-MOSFET 23A 100V IRF9540NL TIRF9540nl кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9540NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 271 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||||
IRF9910TR | International Rectifier |
2N-MOSFET 20V 10A IRF9910 TIRF9910 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9952QPBF | International Rectifier |
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Tube Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2W Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IRF9953TR | International Rectifier |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24N | International Rectifier |
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z24NS | International Rectifier |
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF9Z34N | International Rectifier |
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 130 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRF7494TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 87.08 грн |
IRF7494TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 150V 5.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 719 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7495 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 100V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 344.08 грн |
25+ | 303.72 грн |
IRF7503TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 222mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRF7503 TIRF7503
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 16.14 грн |
IRF7580MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
Description: IRF7580 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6510 pF @ 25 V
на замовлення 7423 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
238+ | 82.24 грн |
IRF7601PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 3.8A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7601TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 20V 5.7A IRF7601 IRF7601TR IRF7601 TIRF7601
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.89 грн |
IRF7606 |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 150mOhm; 3,6A; 1,8W; -55°C ~ 150°C; IRF7606 smd TIRF7606
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 12.95 грн |
IRF7606TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF7606TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
Trans MOSFET P-CH Si 30V 3.6A 8-Pin Micro T/R
на замовлення 2931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2931+ | 33.55 грн |
IRF7607TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
Description: IRF7607 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: Micro8™
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1310 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF7665S2TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V
Description: MOSFET NCH 100V 4.1/14.4A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta), 14.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 8.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 515 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF7807TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-Pin SOIC IRF7807 IRF7807TR SP001570502 IRF7807 TIRF7807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 43.73 грн |
IRF7807ZPBFPRO |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товар відсутній
IRF7807ZTR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin SOIC IRF7807ZTR IRF7807Z TIRF7807z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.11 грн |
IRF7807ZTRPBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
на замовлення 12 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 56.24 грн |
IRF7820TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 78mOhm; 3,7A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; IRF7820 TIRF7820
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 42.06 грн |
IRF7821HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 13015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 22.87 грн |
28+ | 20.6 грн |
100+ | 11.82 грн |
500+ | 9.97 грн |
1000+ | 7.4 грн |
2500+ | 6.8 грн |
5000+ | 6.55 грн |
10000+ | 6.31 грн |
IRF7832HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 30V 20A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 12290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 96.99 грн |
25+ | 87.08 грн |
100+ | 50.27 грн |
500+ | 42.33 грн |
1000+ | 31.1 грн |
2500+ | 28.7 грн |
5000+ | 27.67 грн |
10000+ | 26.7 грн |
IRF7832TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 4,8mOhm; 20A; 2,5W; -55°C ~ 155°C; IRF7832 smd TIRF7832
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 61.16 грн |
IRF7853TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 100V 8,3A 2.5W 0,018Ω IRF7853 TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 100V 8,3A 2.5W 0,018Ω IRF7853 TIRF7853
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 74.57 грн |
IRF7854 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 10A 80V 2.5W 0.0134Ω IRF7854 TIRF7854
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 91.32 грн |
IRF7855PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 12A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF8010 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 80A 100V 260W 0.015Ω IRF8010 TIRF8010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 167 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 82.11 грн |
IRF8010HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
17+ | 35.19 грн |
25+ | 31.65 грн |
100+ | 18.12 грн |
500+ | 15.29 грн |
1000+ | 11.32 грн |
2500+ | 10.44 грн |
5000+ | 10.07 грн |
IRF8113PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 17.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2910 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF8308MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
263+ | 75.11 грн |
IRF8707TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 30V; 20V; 11,9mOhm; 11A; 2,5W; -55°C~150°C; Substitute: IRF8707TR; IRF8707-GURT; IRF8707; IRF8707 TIRF8707
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 78 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 31 грн |
IRF8736 |
на замовлення 172 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.54 грн |
IRF8915PBF |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.9A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18.3mOhm @ 8.9A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9130CECC |
товар відсутній
IRF9133 |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A
Power Dissipation (Max): 88W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
55+ | 358.03 грн |
IRF9143 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: MOSFET P-CH 80V 15A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
80+ | 266.97 грн |
IRF9230 |
Виробник: International Rectifier
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Description: 200V, P-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 10305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
61+ | 335 грн |
IRF9231 |
Виробник: International Rectifier
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 6.5A, 150V, 0.8OHM, P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товар відсутній
IRF9232 |
товар відсутній
IRF9233 |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET P-CH 150V 5.5A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 301 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
139+ | 146.18 грн |
IRF9240 |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
на замовлення 11092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
54+ | 368.14 грн |
IRF9317TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 30V 16A 0.0066ohm IRF9317 TIRF9317
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 54.8 грн |
IRF9321TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 30V 15A IRF9321, IRF9321TR IRF9321 TIRF9321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 298 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 22.45 грн |
IRF9358 |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 23,8mOhm; 9,2A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9358 TIRF9358
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 38.37 грн |
IRF9393TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.44 грн |
IRF9393TR |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
P-MOSFET 9.2A 30V 2.5W 0.0194Ω IRF9393 TIRF9393
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)IRF9395MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
Description: MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MC
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W (Ta), 57W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 75A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3241pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 14A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MC
на замовлення 154722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
269+ | 72.86 грн |
IRF9410 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 104.56 грн |
IRF9410 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
N-MOSFET 7A 30V 2.5W 0.03Ω IRF9410 TIRF9410
кількість в упаковці: 95 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
95+ | 18.27 грн |
IRF9520N |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 100V 6.8A 48W IRF9520N TIRF9520n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 40.72 грн |
IRF9520NS |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 104.56 грн |
IRF9530NS |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 14A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF9540NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET P-CH Si 100V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF9540NL |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
15+ | 49.94 грн |
IRF9540NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET P-CH 100V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF9910TR |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 49.6 грн |
IRF9952QPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
Description: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 2.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 190pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2.2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Obsolete
товар відсутній
IRF9953TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 400mOhm; 2,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF9953 TIRF9953
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 23.29 грн |
IRF9Z24N |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 17A 55V 56W 0.175Ω IRF9Z24N TIRF9Z24n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 20.11 грн |
IRF9Z24NS |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 12A 55V 3.8W 0.175Ω IRF9Z24NS TIRF9Z24ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 45.07 грн |
IRF9Z34N |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 19A 55V 68W 0.032Ω IRF9Z34N TIRF9Z34n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 130 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 29.66 грн |