Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1297) > Сторінка 12 з 22
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFAE32 | International Rectifier |
Description: RF MOSFETPackaging: Bulk |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF40 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V |
на замовлення 934 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFAF42 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFAF50 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V |
на замовлення 644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAF52 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAG20 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A Power Dissipation (Max): 50W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V |
на замовлення 1122 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFAUIRF3805S | International Rectifier |
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFAUIRF4905 | International Rectifier |
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL APackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFAUIRF540Z | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB260N | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB3077 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB3207Z | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFB3207ZGPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFB3256PBF | International Rectifier |
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V |
на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB3806 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4020 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 92 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4110 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 105 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4127 | International Rectifier |
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4228 | International Rectifier |
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| irfb4310 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4332 | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4410 | International Rectifier |
N-MOSFET 88A 100V IRFB4410 TIRFB4410кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB4410Z | International Rectifier |
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 39 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFB4410ZGPBF | International Rectifier |
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB4710 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB52N15D | International Rectifier |
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 61 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB5620 | International Rectifier |
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7430 | International Rectifier |
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 508 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7437 | International Rectifier |
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7446 | International Rectifier |
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFB7446GPBF | International Rectifier |
Description: IRFB7446 - POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB7530 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7534 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7537 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 84 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB9N65A | International Rectifier |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFBC20 | International Rectifier |
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFD9120 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFF1210 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFF131 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF233 | International Rectifier |
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF311 | International Rectifier |
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5APackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF313 | International Rectifier |
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF332 | International Rectifier |
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF333 | International Rectifier |
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9211 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9213 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9221 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFF9231 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AFPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFF9233 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH3702TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH4210DTRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFH5255TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRFAE32 |
![]() |
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 433.28 грн |
| IRFAF20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 263.71 грн |
| IRFAF40 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 934 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 474.29 грн |
| IRFAF42 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 466.94 грн |
| IRFAF50 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85Ohm @ 6.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 549.05 грн |
| IRFAF52 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 43+ | 551.39 грн |
| IRFAG20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A
Power Dissipation (Max): 50W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
на замовлення 1122 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 84+ | 266.67 грн |
| IRFAUIRF3805S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF3805S - 55V-60V N-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFAUIRF4905 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: AUIRF4905 - 20V-150V P-CHANNEL A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFAUIRF540Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26.5mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1770 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 145+ | 138.71 грн |
| IRFB260N |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 40mOhm; 56A; 380W; -55°C ~ 175°C; IRFB260N Infineon TIRFB260n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 214.60 грн |
| IRFB3077 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 158.39 грн |
| IRFB3207Z |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 4,1mOhm; 170A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRFB3207Z TIRFB3207z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.30 грн |
| IRFB3207ZGPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6920 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFB3256PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
Description: IRFB3256 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 48 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 202+ | 98.90 грн |
| IRFB3806 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 60V 43A 71W 0.0158Ω IRFB3806; Replacement for IRFZ48 IRFB3806 TIRFB3806
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 59.27 грн |
| IRFB4020 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 100mOhm; 18A; 100W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4020; IRFB4020XKMA1; IRFB4020 TIRFB4020
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 92 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 84.10 грн |
| IRFB4110 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 4,5mOhm; 180A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB4110; IRFB4110 TIRFB4110
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 105 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 69.62 грн |
| IRFB4127 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 76A 200V 375W 0.017Ω IRFB4127 TIRFB4127
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 185.22 грн |
| IRFB4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 65A 200V 330W 0.0197Ω IRFB4227; IRFB4227XKMA1; IRFB4227; IRFB4227 TIRFB4227
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.23 грн |
| IRFB4228 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET 83A 180V 330W 0.012Ω IRFB4228 TIRFB4228
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 170.32 грн |
| irfb4310 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 24 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 152.86 грн |
| IRFB4332 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 95 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 138.17 грн |
| IRFB4410 |
![]() |
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 80.05 грн |
| IRFB4410Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 94.53 грн |
| IRFB4410Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 94.53 грн |
| IRFB4410Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 97A 100V 230W 0.0072Ω IRFB4410Z TIRFB4410z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 39 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 94.53 грн |
| IRFB4410ZGPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
Description: IRFB4410 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 97A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 58A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4820 pF @ 50 V
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 396.30 грн |
| IRFB4710 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 127.74 грн |
| IRFB52N15D |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 61 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 128.16 грн |
| IRFB5620 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 25A 200V 144W 0.0725Ω IRFB5620 TIRFB5620
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 291.67 грн |
| IRFB7430 |
Виробник: International Rectifier
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
кількість в упаковці: 10 шт
409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 508 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 112.41 грн |
| IRFB7437 |
Виробник: International Rectifier
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.86 грн |
| IRFB7446 |
Виробник: International Rectifier
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 77.07 грн |
| IRFB7446GPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 258+ | 76.26 грн |
| IRFB7530 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 126.46 грн |
| IRFB7534 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.30 грн |
| IRFB7537 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 84 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 106.66 грн |
| IRFB9N65A |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 59.27 грн |
| IRFBC20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 25.55 грн |
| IRFD9120 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 50.88 грн |
| IRFF1210 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF131 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF233 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF311 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF313 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF332 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF333 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9133 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9213 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9221 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 194+ | 153.40 грн |
| IRFF9231 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 320.59 грн |
| IRFF9233 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 185+ | 115.03 грн |
| IRFH3702TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.99 грн |
| IRFH4210DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 118.39 грн |
| IRFH4257DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 251+ | 82.17 грн |
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 247+ | 81.39 грн |
| IRFH5255TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 417+ | 48.43 грн |
| IRFH7085TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.09 грн |









