Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1325) > Сторінка 9 з 23
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRF3703PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V |
на замовлення 7812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3708 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF3709PBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V |
на замовлення 426 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF3709SPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF3709ZPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF3710HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710PBF | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3710S | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF3710STRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF3710STRRPBF-IR | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF3710Z IRF3710ZPBF | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710ZPBF IRF3710Z TIRF3710z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3711STRL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3805 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF3805 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF40DM229 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MF Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V |
на замовлення 4396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF4104S | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF430 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 6351 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF431 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
на замовлення 1201 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF432 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF433 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF441 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
![]() |
IRF443 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A Power Dissipation (Max): 75W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF448 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF4905L | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905LPBF TIRF4905L кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF5210 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210HR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5210STRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1236 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540Z | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 33 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF60B217 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF60DM206 | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric ME Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V |
на замовлення 51208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
IRF6215SHR | International Rectifier | Hexfet Power Mosfet |
на замовлення 9438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6216 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF6216PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF6217TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217PBF IRF6217TRPBF IRF6217 Infineon TIRF6217 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
![]() |
IRF6218PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF630NS | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF630S | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF634 | International Rectifier |
![]() ![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
![]() кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF640NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF640NSTRRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF6603TR1 | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF6608 | International Rectifier |
![]() |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
IRF6613TR1 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6613TR1 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
![]() |
IRF6613TRPBF | International Rectifier |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
на замовлення 22143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IRF6617TR1 | International Rectifier |
![]() |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
IRF3703PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
Description: IRF3703 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 76A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 7V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 209 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8250 pF @ 25 V
на замовлення 7812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
176+ | 119.64 грн |
IRF3708 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 30V 62A 87W 0,012Ω IRF3708 TIRF3708
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
15+ | 43.34 грн |
IRF3709PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Description: IRF3709 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
на замовлення 426 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
426+ | 52.47 грн |
IRF3709SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET SMPS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
Description: HEXFET SMPS POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2672 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3709ZPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 87A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 87A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.3mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2130 pF @ 15 V
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
100+ | 39.19 грн |
IRF3710HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3710PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710PBF; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 23mOhm; 57A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF3710PBF; SP001551058; IRF3710 TIRF3710
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 42.40 грн |
IRF3710S |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3710STRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3710STRRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 57A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3130 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF3710Z IRF3710ZPBF |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710ZPBF IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 18mOhm; 59A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF3710ZPBF IRF3710Z TIRF3710z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 37.50 грн |
IRF3711STRL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 8,5mOhm; 110A; 120W; -55°C ~ 150°C; IRF3711S TIRF3711s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 55.02 грн |
IRF3805 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 128.13 грн |
IRF3805 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 55V 75A 300W 0,0033? IRF3805 TIRF3805
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
5+ | 128.13 грн |
IRF40DM229 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 40V 159A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MF
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 159A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.85mOhm @ 97A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 161 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5317 pF @ 25 V
на замовлення 4396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
205+ | 102.85 грн |
IRF4104S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 140W 0,0055Ω IRF4104S TIRF4104s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 55.78 грн |
IRF430 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: 500V, N-CHANNEL REPETITIVE AVALA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 6351 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
210+ | 100.75 грн |
IRF431 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 450V 4.5A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
198+ | 106.35 грн |
IRF432 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: HEXFET POWER MOSFETS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
188+ | 111.95 грн |
IRF441 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 450V 8A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF443 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Description: MOSFET N-CH 450V 4A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A
Power Dissipation (Max): 75W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF448 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Description: MOSFET N-CH 500V 7.9A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.9A
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF4905L |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905LPBF TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH Si 55V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-262 IRF4905LPBF TIRF4905L
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 124.18 грн |
IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210PBF; IRF5210; IRF5210PBF TIRF5210
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210PBF; IRF5210; IRF5210PBF TIRF5210
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 56.15 грн |
IRF5210 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210PBF; IRF5210; IRF5210PBF TIRF5210
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 60mOhm; 40A; 200W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRF5210PBF; IRF5210; IRF5210PBF TIRF5210
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF5210HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5210STRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET P-CH Si 100V 40A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1236 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 35.42 грн |
IRF530NS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NSPBF; IRF530NSPBF-GURT; IRF530NSTRLPBF; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 49.93 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 55.78 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 53.71 грн |
IRF540NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 53.71 грн |
IRF540NS IRF540NSTRL IRF540NST |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NSPBF; IRF540NSTRLPBF; IRF540NSTRRPBF; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 26.19 грн |
IRF540Z |
![]() |
на замовлення 33 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
50+ | 35.61 грн |
IRF60B217 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
396+ | 55.79 грн |
IRF60DM206 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
Description: IRF60 - 12V-300V N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric ME
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 150µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric ME
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6530 pF @ 25 V
на замовлення 51208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
217+ | 101.30 грн |
IRF6215SHR |
Виробник: International Rectifier
Hexfet Power Mosfet
Hexfet Power Mosfet
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
7+ | 98.19 грн |
25+ | 61.93 грн |
100+ | 46.83 грн |
500+ | 35.83 грн |
1000+ | 31.90 грн |
2500+ | 29.52 грн |
5000+ | 28.49 грн |
IRF6216 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
4+ | 188.07 грн |
25+ | 169.19 грн |
100+ | 96.68 грн |
500+ | 81.57 грн |
IRF6216PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF6217TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217PBF IRF6217TRPBF IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217PBF IRF6217TRPBF IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
40+ | 13.94 грн |
IRF6218PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF630N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF630N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630NPBF IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 31.47 грн |
IRF630NS | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NSPBF IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 33.73 грн |
IRF630S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 29.77 грн |
IRF634 |
![]() ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
20+ | 29.21 грн |
IRF640NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NLPBF IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NLPBF IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
25+ | 35.61 грн |
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
10+ | 64.07 грн |
IRF640NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF640NSTRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF640NSTRRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF6603TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF6608 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 56.65 грн |
1001+ | 54.38 грн |
3001+ | 52.87 грн |
IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
IRF6613TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
286+ | 77.08 грн |
IRF6617TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 29.35 грн |
1001+ | 25.02 грн |