Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1343) > Сторінка 16 з 23
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IRFU1018EPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V |
на замовлення 763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFU120N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 4249 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU120N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU13N20D | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU220N | International Rectifier |
N-MOSFET 5A 200V 43W IRFU220N TIRFU220nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU3607 | International Rectifier |
N-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU3910 | International Rectifier |
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU4105Z | International Rectifier |
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105zкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFU4105ZPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V |
на замовлення 1243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFU4510 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU4615 | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFU5410PBF | International Rectifier |
Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V Power Dissipation (Max): 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V |
на замовлення 281224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFU5505 | International Rectifier |
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFU5505; IRFU5505 TIRFU5505кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU6215 | International Rectifier |
P-MOSFET 13A 150V 110W P-MOSFET 13A 150V 110W IRFU6215 TIRFU6215кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU7440 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU7440 INFINEON TIRFU7440 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFU7440PBF | International Rectifier |
Description: IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V |
на замовлення 108371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFU7746PBF | International Rectifier |
Description: TRENCH 40<-<100VPackaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU9024N | International Rectifier |
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFU9024N | International Rectifier |
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ24N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||
| IRFZ24N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ24N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 26 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ24NPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB |
на замовлення 8 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ34N | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44E | International Rectifier |
N-MOSFET 48A 60V 110W IRFZ44E TIRFZ44eкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 4123 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44N | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFZ44NSTRRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V |
на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFZ44V | International Rectifier |
N-MOSFET 57A 60V 92W IRFZ44V TIRFZ44v кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44Z | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ44Z | International Rectifier |
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44zкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFZ44ZLPBF | International Rectifier |
Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V |
на замовлення 1635 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFZ46N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ46ZSPBF | International Rectifier |
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRFZ46ZSTRLPBF | International Rectifier |
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 82W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V |
на замовлення 60552 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRFZ48N | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 3.8W 0.14Ω IRFZ48N TIRFZ48n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 290 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRFZ48NS IRFZ48NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; IRFZ48NS TIRFZ48ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRG4BC10SD-SPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 14A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off) Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V Gate Charge: 15 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A Power - Max: 38 W |
на замовлення 2050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC15UD-SPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 14A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 28 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off) Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V Gate Charge: 23 nC Current - Collector (Ic) (Max): 14 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A Power - Max: 49 W |
на замовлення 3174 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRG4BC20FD | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FD TIRG4bc20fdкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC20KDPBF-IR | International Rectifier |
Description: IGBT, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRG4BC20KD-S | International Rectifier |
16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode IRG4BC20KD-S TIRG4bc20kd-sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC20KDSTRLP-IR | International Rectifier |
Description: IGBT 16A, 600V, N CHANNELPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off) Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 34 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 16 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A Power - Max: 60 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
| IRG4BC20S | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20S TIRG4bc20sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC20SD-SPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 19A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off) Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 19 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRG4BC20UDSTRRP | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 13A D2PAKPackaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 37 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off) Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V Gate Charge: 27 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 13 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A Power - Max: 60 W |
на замовлення 4570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRG4BC30FD1PBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 31A TO-220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 46 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 57 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRG4BC30FD-S | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C; IRG4BC30FD-S TIRG4bc30fd-sкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC30F-SPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 31A D2PAKPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off) Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 51 nC Current - Collector (Ic) (Max): 31 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 10050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRG4BC30K | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30K TIRG4bc30kкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRG4BC30K-SPBF | International Rectifier |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRG4BC30K-STRLP | International Rectifier |
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 6400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
| IRG4BC30KD | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KD IRG4BC30KD TIRG4bc30kd кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 27 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||
|
IRG4BC30KDSTRLP-IR | International Rectifier |
Description: 600V, 28A, IGBT WITH ULTRAFAST SPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRG4BC30KDSTRRP-IR | International Rectifier |
Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IGPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Reverse Recovery Time (trr): 42 ns Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: D2PAK Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 67 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
IRG4BC30KPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 28A TO-220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off) Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 100 nC Current - Collector (Ic) (Max): 28 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 7894 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
IRG4BC30SPBF | International Rectifier |
Description: IGBT 600V 34A TO-220ABPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A Supplier Device Package: TO-220AB Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off) Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V Gate Charge: 75 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 34 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A Power - Max: 100 W |
на замовлення 1115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| IRG4BC30S-S | International Rectifier |
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30S-S TIRG4bc30s-sкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRFU1018EPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 56A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 47A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2290 pF @ 50 V
на замовлення 763 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 373+ | 56.42 грн |
| IRFU120N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH Si 100V 9.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 4249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 131.73 грн |
| 1571+ | 117.59 грн |
| IRFU120N |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
Tranzystor N-MOSFET; 100V; 20V; 210mOhm; 9,4A; 48W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFU120N; IRFU120N TIRFU120n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 25.54 грн |
| IRFU13N20D |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 200V 13A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU13N20D TIRFU13n20d
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 43.02 грн |
| IRFU220N |
![]() |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 30.06 грн |
| IRFU3607 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 56A 75V 140W IRFU3607 TIRFU3607
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 32.22 грн |
| IRFU3910 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 16A 100V 79W IRFU3910 TIRFU3910
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 28.88 грн |
| IRFU4105Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 30A 55V 48W IRFU4105Z TIRFU4105z
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 31.43 грн |
| IRFU4105ZPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24.5mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 717+ | 32.83 грн |
| IRFU4510 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU4510 TIRFU4510
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 58.15 грн |
| IRFU4615 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 33A 150V 144W IRFU4615 TIRFU4615
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 45.97 грн |
| IRFU5305 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W IRFU5305 TIRFU5305
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 41.06 грн |
| IRFU5410PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
Description: IRFU5410 - 20V-250V P-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 205mOhm @ 7.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
на замовлення 281224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 532+ | 43.54 грн |
| IRFU5505 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFU5505; IRFU5505 TIRFU5505
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-MOSFET; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55°C ~ 150°C; Replacement: IRFU5505; IRFU5505 TIRFU5505
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 28.29 грн |
| IRFU6215 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 13A 150V 110W P-MOSFET 13A 150V 110W IRFU6215 TIRFU6215
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET 13A 150V 110W P-MOSFET 13A 150V 110W IRFU6215 TIRFU6215
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 31.83 грн |
| IRFU7440 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU7440 INFINEON TIRFU7440
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube IRFU7440 INFINEON TIRFU7440
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 48.33 грн |
| IRFU7440PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
Description: IRFU7440 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 134 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4610 pF @ 25 V
на замовлення 108371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 336+ | 63.15 грн |
| IRFU7746PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.2mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3107 pF @ 25 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 398+ | 53.85 грн |
| IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.23 грн |
| IRFU9024N | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
P-MOSFET -55V -11A 38W HEXFET IRFU9024N TIRFU9024n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.23 грн |
| IRFZ24N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFZ24N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.09 грн |
| IRFZ24N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 17A 55V 45W 0.07Ω Supersedes: IRFZ24 IRFZ24N TIRFZ24
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 26 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.09 грн |
| IRFZ24NPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 25.31 грн |
| IRFZ34N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 26A 55V 56W 0.04Ω IRFZ34 TIRFZ34n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.59 грн |
| IRFZ44E | ![]() |
![]() |
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.87 грн |
| IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 4123 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 21.61 грн |
| IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 21.61 грн |
| IRFZ44N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 21.61 грн |
| IRFZ44NSTRRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 258+ | 81.81 грн |
| IRFZ44V |
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.06 грн |
| IRFZ44Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 31.24 грн |
| IRFZ44Z |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 13,9mOhm; 51A; 80W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44Z; IRFZ44Z TIRFZ44z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
| IRFZ44ZLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
Description: IRFZ44 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.9mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1420 pF @ 25 V
на замовлення 1635 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 194+ | 109.32 грн |
| IRFZ46N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 55V; 20V; 16,5mOhm; 53A; 107W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFZ46N; IRFZ 46 N ; IRFZ46N; IRFZ46N TIRFZ46
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.20 грн |
| IRFZ46ZSPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 287+ | 73.35 грн |
| IRFZ46ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
Description: IRFZ46 - 12V-300V N-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.6mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 82W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1460 pF @ 25 V
на замовлення 60552 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 242+ | 87.46 грн |
| IRFZ48N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 3.8W 0.14Ω IRFZ48N TIRFZ48n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET HEXFET 64A 55V 3.8W 0.14Ω IRFZ48N TIRFZ48n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 290 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 34.78 грн |
| IRFZ48NS IRFZ48NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; IRFZ48NS TIRFZ48ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 14mOhm; 64A; 130W; -55°C ~ 175°C; IRFZ48NS TIRFZ48ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.20 грн |
| IRG4BC10SD-SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 76ns/815ns
Switching Energy: 310µJ (on), 3.28mJ (off)
Test Condition: 480V, 8A, 100Ohm, 15V
Gate Charge: 15 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 38 W
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 182+ | 115.51 грн |
| IRG4BC15UD-SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A
Power - Max: 49 W
Description: IGBT 600V 14A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 28 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 7.8A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/160ns
Switching Energy: 240µJ (on), 260µJ (off)
Test Condition: 480V, 7.8A, 75Ohm, 15V
Gate Charge: 23 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 42 A
Power - Max: 49 W
на замовлення 3174 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 163+ | 128.89 грн |
| IRG4BC20FD |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FD TIRG4bc20fd
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 16A; 64A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20FD TIRG4bc20fd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 174.27 грн |
| IRG4BC20KDPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IGBT, 16A I(C), 600V V(BR)CES, N
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC20KD-S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode IRG4BC20KD-S TIRG4bc20kd-s
кількість в упаковці: 10 шт
16A; 600V; 60W; IGBT w/ Diode IRG4BC20KD-S TIRG4bc20kd-s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 68.56 грн |
| IRG4BC20KDSTRLP-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 16A, 600V, N CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns
Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 60 W
Description: IGBT 16A, 600V, N CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 9A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 54ns/180ns
Switching Energy: 340µJ (on), 300µJ (off)
Test Condition: 480V, 9A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 34 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 32 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC20S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20S TIRG4bc20s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 19A; 38A; 60W; 3,0V~6,0V; 40nC; -55°C~150°C; IRG4BC20S TIRG4bc20s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 76.82 грн |
| IRG4BC20SD-SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns
Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 19 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A
Power - Max: 60 W
Description: IGBT 600V 19A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 10A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 62ns/690ns
Switching Energy: 320µJ (on), 2.58mJ (off)
Test Condition: 480V, 10A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 19 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 38 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 179+ | 118.49 грн |
| IRG4BC20UDSTRRP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns
Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
Description: IGBT 600V 13A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 6.5A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 39ns/93ns
Switching Energy: 160µJ (on), 130µJ (off)
Test Condition: 480V, 6.5A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 27 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 13 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 52 A
Power - Max: 60 W
на замовлення 4570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 167+ | 126.95 грн |
| IRG4BC30FD1PBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 31A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns
Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 31A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 46 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/250ns
Switching Energy: 370µJ (on), 1.42mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 57 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 124 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 138+ | 151.92 грн |
| IRG4BC30FD-S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C; IRG4BC30FD-S TIRG4bc30fd-s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 31A; 120A; 100W; 3,0V~6,0V; 77nC; -55°C~150°C; IRG4BC30FD-S TIRG4bc30fd-s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 124.76 грн |
| IRG4BC30F-SPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 31A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 31A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 17A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 21ns/200ns
Switching Energy: 230µJ (on), 1.18mJ (off)
Test Condition: 480V, 17A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 51 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 31 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 10050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 154+ | 136.51 грн |
| IRG4BC30K |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30K TIRG4bc30k
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30K TIRG4bc30k
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 58.75 грн |
| IRG4BC30K-SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 378.39 грн |
| IRG4BC30K-STRLP |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans IGBT Chip N-CH 600V 28A 100000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 800+ | 108.74 грн |
| 801+ | 100.79 грн |
| 3201+ | 97.25 грн |
| IRG4BC30KD |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KD IRG4BC30KD TIRG4bc30kd
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 28A; 58A; 100W; 3,0V~6,0V; 100nC; -55°C~150°C; IRG4BC30KD IRG4BC30KD TIRG4bc30kd
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 27 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 184.68 грн |
| IRG4BC30KDSTRLP-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 600V, 28A, IGBT WITH ULTRAFAST S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
Description: 600V, 28A, IGBT WITH ULTRAFAST S
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC30KDSTRRP-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
Description: SHORT CIRCUIT RATED ULTRAFAST IG
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 42 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 60ns/160ns
Switching Energy: 600µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 67 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRG4BC30KPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 28A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 16A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/130ns
Switching Energy: 360µJ (on), 510µJ (off)
Test Condition: 480V, 16A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 100 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 7894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 175+ | 119.71 грн |
| IRG4BC30SPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
Description: IGBT 600V 34A TO-220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 18A
Supplier Device Package: TO-220AB
Td (on/off) @ 25°C: 22ns/540ns
Switching Energy: 260µJ (on), 3.45mJ (off)
Test Condition: 480V, 18A, 23Ohm, 15V
Gate Charge: 75 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 34 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 68 A
Power - Max: 100 W
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 188+ | 112.01 грн |
| IRG4BC30S-S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30S-S TIRG4bc30s-s
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor IGBT ; 600V; 20V; 34A; 68A; 100W; 3,0V~6,0V; 75nC; -55°C~150°C; IRG4BC30S-S TIRG4bc30s-s
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 105.11 грн |










