Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1392) > Сторінка 10 з 24
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF5305 | International Rectifier |
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1616 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530N | International Rectifier |
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 119 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF530NS | International Rectifier |
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 45 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 705 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540N | International Rectifier |
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NL | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540NSTRL | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF540Z | International Rectifier |
N-MOSFET 36A 100V 92W IRF540Z TIRF540z кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 135 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF60B217 | International Rectifier |
Description: TRENCH 40<-<100V Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V |
на замовлення 3490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6215SHR | International Rectifier | Hexfet Power Mosfet |
на замовлення 9438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6216 | International Rectifier | Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6216PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6217TR | International Rectifier |
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6218PBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF630N | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 280 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF630NS | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF630S | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF634 | International Rectifier |
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640N | International Rectifier |
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF640NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF640NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF640NSTRRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6603TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6608 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6613TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6613TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
IRF6616TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0 Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V |
на замовлення 4878 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6617TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6617TR1 | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6620TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V |
на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6637TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V |
на замовлення 26574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6645TR | International Rectifier |
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6655TRPBF | International Rectifier | Description: 100V 19A DIRECTFET-MV |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6668TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V |
на замовлення 59676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6711STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6713STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V |
на замовлення 2745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6714MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V |
на замовлення 61435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6721STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6722MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6725MTRPBF | International Rectifier |
Description: DIRECTFET POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF6726MTRPBFTR | International Rectifier |
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6795MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V |
на замовлення 36656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6802SDTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA Part Status: Active |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6810STRPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM, Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET S1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6811STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V |
на замовлення 35276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6892STRPBF | International Rectifier |
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V |
на замовлення 3790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF6894MTRPBF | International Rectifier |
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7101 | International Rectifier |
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7103QHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IRF7201TR | International Rectifier |
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 103 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7201TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF7220 | International Rectifier |
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
IRF5305 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 31A 55V 110W 0.06Ω IRF5305 TIRF5305
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 32.07 грн |
IRF530N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 17A 100V 79W 0.11? IRF530 TIRF530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 119 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 22.86 грн |
IRF530NS |
Виробник: International Rectifier
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 90mOhm; 17A; 70W; -55°C ~ 175°C; IRF530NS; IRF530NS-GURT; IRF530NSTRL; IRF530NS TIRF530 ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 49.3 грн |
IRF540N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 705 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 28.15 грн |
IRF540N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 33A 100V 130W 0.044Ω IRF540N TIRF540n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 28.15 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.62 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 48.62 грн |
IRF540NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 33A 100V 130W 0,044Ω IRF540NL TIRF540nl
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.22 грн |
IRF540NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 27.12 грн |
IRF540NSTRL |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF540NS; IRF540NSTRL; IRF540NSTRR; SP001564346; SP001563324; SP001571284; IRF540NS TIRF540ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 27.12 грн |
IRF540Z |
на замовлення 135 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 45.38 грн |
IRF60B217 |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
Description: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 50µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-1
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2230 pF @ 25 V
на замовлення 3490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
426+ | 45.37 грн |
IRF6215SHR |
Виробник: International Rectifier
Hexfet Power Mosfet
Hexfet Power Mosfet
на замовлення 9438 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 93.69 грн |
25+ | 59.1 грн |
100+ | 44.68 грн |
500+ | 34.19 грн |
1000+ | 30.44 грн |
2500+ | 28.17 грн |
5000+ | 27.18 грн |
IRF6216 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 179.46 грн |
25+ | 161.44 грн |
100+ | 92.25 грн |
500+ | 77.84 грн |
IRF6216PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 2.2A 8SO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 1.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF6217TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET P-CH 150V 0.7A 8-Pin SOIC IRF6217 IRF6217TR IRF6217 Infineon TIRF6217
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 13.48 грн |
IRF6218PBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 150V 27A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
товар відсутній
IRF630N |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
Trans MOSFET N-CH Si 200V 9.3A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товар відсутній
IRF630N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 280 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 30.36 грн |
IRF630NS |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 30.54 грн |
IRF630S |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 29.34 грн |
IRF634 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
20+ | 28.66 грн |
IRF640N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 18A 200V 150W 0.15Ω IRF640N TIRF640n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 32.24 грн |
IRF640NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товар відсутній
IRF640NL |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 32.24 грн |
IRF640NS |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF640NS |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 64.65 грн |
IRF640NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
товар відсутній
IRF640NSTRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товар відсутній
IRF640NSTRRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товар відсутній
IRF6603TR1 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товар відсутній
IRF6608 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товар відсутній
IRF6613TR1 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 54.05 грн |
1001+ | 51.89 грн |
3001+ | 50.45 грн |
IRF6613TR1 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)IRF6616TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
на замовлення 4878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
241+ | 82.05 грн |
IRF6617TR1 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 31.28 грн |
IRF6617TR1 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1000+ | 28.01 грн |
1001+ | 23.87 грн |
IRF6620TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
439+ | 44.18 грн |
IRF6637TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
332+ | 58.48 грн |
IRF6645TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 106.44 грн |
IRF6668TRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
Description: IRF6668 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1320 pF @ 25 V
на замовлення 59676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
318+ | 61.08 грн |
IRF6711STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
341+ | 57.18 грн |
IRF6713STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 22A/95A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 95A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 22A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2880 pF @ 13 V
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
277+ | 70.24 грн |
IRF6714MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
на замовлення 61435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
299+ | 65.63 грн |
IRF6721STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
630+ | 31.19 грн |
IRF6722MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
332+ | 58.48 грн |
IRF6725MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: DIRECTFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Description: DIRECTFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
товар відсутній
IRF6726MTRPBFTR |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
251+ | 78.77 грн |
IRF6795MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
на замовлення 36656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
267+ | 73.24 грн |
IRF6802SDTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
341+ | 57.77 грн |
IRF6810STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
378+ | 51.33 грн |
IRF6811STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 35276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
430+ | 45.48 грн |
IRF6892STRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
392+ | 50.03 грн |
IRF6894MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
товар відсутній
IRF7101 |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 3.5A 20V 2W 0.1Ω IRF7101 smd TIRF7101
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
10+ | 53.22 грн |
IRF7103QHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
товар відсутній
IRF7201TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 7.3A 30V 2,5W 50&mohm; IRF7201 smd TIRF7201
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 17.91 грн |
IRF7201TRPBF |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 253.52 грн |
IRF7220 |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 27.98 грн |