Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1343) > Сторінка 10 з 23
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRF630N | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630nкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 230 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF630NS | International Rectifier |
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF630S | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF634 | International Rectifier |
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF640NHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF640NL | International Rectifier |
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nlкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF640NS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF640NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640nsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF640NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF640NSTRLHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF640NSTRRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF6603TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF6608 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF6613TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF6613TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R |
на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
|
IRF6613TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V |
на замовлення 22140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6616TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V |
на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6617TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6617TR1 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6620TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V |
на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6637TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V |
на замовлення 26574 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6644TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V |
на замовлення 592756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IRF6645TR | International Rectifier |
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IRF6662TRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V |
на замовлення 8018 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6711STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6714MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V |
на замовлення 56738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6716MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V |
на замовлення 86468 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6721STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6722MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MP Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V |
на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6724MTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V |
на замовлення 1524 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6726MTRPBFTR | International Rectifier |
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6775MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V |
на замовлення 4187 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6795MTRPBF | International Rectifier |
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V |
на замовлення 36656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6802SDTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFETPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SA Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA Part Status: Active |
на замовлення 5145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6810STRPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric S1 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA Supplier Device Package: DIRECTFET S1 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V |
на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6811STRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFTPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ Part Status: Active Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V |
на замовлення 35276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6892STRPBF | International Rectifier |
Description: 25V 999A DIRECTFET-LVPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V |
на замовлення 3790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IRF6894MTRPBF | International Rectifier |
Description: 25V 999A DIRECTFET-LVPackaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| IRF7103QHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7103TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7201TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7220 | International Rectifier |
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7240TR | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 760 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7241TR | International Rectifier |
P-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7304 | International Rectifier |
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7309HR | International Rectifier | Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7311HR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 3135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7313TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7317TR | International Rectifier |
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7317TR | International Rectifier | Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317 |
на замовлення 700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7324 | International Rectifier |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 26mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7324 smd TIRF7324кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7328 | International Rectifier | Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TR; IRF7328; IRF7328-GURT; IRF7328TRXTMA1; IRF7328 TIRF7328 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| IRF7329TR | International Rectifier |
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7329TR | International Rectifier |
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7341TR | International Rectifier |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 323 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7343TR | International Rectifier |
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7380TR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7380TR | International Rectifier |
N-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
| IRF7380TRHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| IRF630N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W IRF630N IRF630N TO220 TIRF630n
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 230 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 32.81 грн |
| IRF630NS | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 9.3A 200V 82W 0.3Ω Replacement: IRF630NS IRF630NS smd TIRF630ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 35.17 грн |
| IRF630S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 400mOhm; 9A; 74W; -55°C ~ 150°C; IRF630S TIRF630s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 28.09 грн |
| IRF634 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8.1A 250V 74W 0.45Ω IRF634 TIRF634
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 28.29 грн |
| IRF640NHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(3+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NL |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 200V 18A 150mΩ 150W IRF640NL IR TIRF640nl
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 37.13 грн |
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 200V; 20V; 150mOhm; 18A; 150W; -55°C ~ 175°C; IRF640NS smd TIRF640ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 60.90 грн |
| IRF640NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-Pin(2+Tab)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRLHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF640NSTRRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6603TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 27A 7-Pin Direct-FET MT T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6608 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13A 7-Pin Direct-FET ST T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 66.31 грн |
| 1001+ | 63.66 грн |
| 3001+ | 61.89 грн |
| IRF6613TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 40V 23A 7-Pin Direct-FET MT T/R
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF6613TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
Description: IRF6613 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5950 pF @ 15 V
на замовлення 22140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 235+ | 89.09 грн |
| IRF6616TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
Description: IRF6616 - MOSFET, 40V, 106A, 5.0
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 106A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.25V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3765 pF @ 20 V
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 164+ | 129.07 грн |
| IRF6617TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 34.36 грн |
| 1001+ | 29.29 грн |
| IRF6617TR1 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 33.25 грн |
| IRF6620TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
Description: IRF6620 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.45V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4130 pF @ 10 V
на замовлення 526 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 360+ | 58.14 грн |
| IRF6637TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/59A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 250µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 15 V
на замовлення 26574 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 67.17 грн |
| IRF6644TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
Description: IRF6644 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2210 pF @ 25 V
на замовлення 592756 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 195+ | 108.62 грн |
| IRF6645TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 100V 5.7A 35mΩ 2.2W IRF6645TR Infineon TIRF6645
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 113.16 грн |
| IRF6662TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Description: IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.3A (Ta), 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 8.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 173+ | 122.72 грн |
| IRF6711STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/84A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1810 pF @ 13 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 281+ | 80.60 грн |
| IRF6714MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 29A/166A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 166A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3890 pF @ 13 V
на замовлення 56738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 103.68 грн |
| IRF6716MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
Description: IRF6716 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 39A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5150 pF @ 13 V
на замовлення 86468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 216+ | 97.37 грн |
| IRF6721STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 14A/60A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.2W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 25µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1430 pF @ 15 V
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 517+ | 43.69 грн |
| IRF6722MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 13A/56A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MP
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 1142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 332+ | 67.17 грн |
| IRF6724MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 27A/150A DIRECT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 205+ | 110.73 грн |
| IRF6726MTRPBFTR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
Description: IRF6726 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 122.51 грн |
| IRF6775MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
Description: IRF6775 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MZ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 5.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MZ
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1411 pF @ 25 V
на замовлення 4187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 257+ | 81.96 грн |
| IRF6795MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
Description: IRF6795 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4280 pF @ 13 V
на замовлення 36656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 267+ | 84.13 грн |
| IRF6802SDTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 16A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SA
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.7W (Ta), 21W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 57A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 16A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SA
Part Status: Active
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 66.28 грн |
| IRF6810STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
Description: PFET, 16A I(D), 25V, 0.0052OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S1
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 25µA
Supplier Device Package: DIRECTFET S1
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1038 pF @ 13 V
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 258+ | 81.21 грн |
| IRF6811STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 19A/74A DIRECTFT
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric SQ
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 74A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric SQ
Part Status: Active
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1590 pF @ 13 V
на замовлення 35276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 430+ | 52.73 грн |
| IRF6892STRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric S3C
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 50µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ S3C
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2510 pF @ 13 V
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 392+ | 58.00 грн |
| IRF6894MTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
Description: 25V 999A DIRECTFET-LV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 33A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4160 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103QHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
Trans MOSFET N-CH Si 50V 3A Automotive 8-Pin SOIC
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7103TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 50V; 20V; 200mOhm; 3A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7103TR; IRF7103; IRF7103TR; IRF7103-GURT; IRF7103 SMD; IRF7103TR TIRF7103
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 16.25 грн |
| IRF7201TRPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 253.52 грн |
| IRF7220 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET -11A -14V 0.012Ω IRF7220TR ; IRF7220 phased out ; Replacement: IRF7420, IRF7425 IRF7220 TIRF7220
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.72 грн |
| IRF7240TR | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 25mOhm; 10,5A; 2,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7240; IRF7240TR; SP001554144; SP001564738; IRF7240 TIRF7240
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 760 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.85 грн |
| IRF7241TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 6.2A 40V 2.5W 0.041Ω IRF7241 smd TIRF7241
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 73 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.04 грн |
| IRF7304 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 59.53 грн |
| IRF7304 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 4.3A 20V 2,0W 0.09Ω IRF7304 TIRF7304
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 72.50 грн |
| IRF7309HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
Trans MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF7311HR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH Si 20V 6.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 3135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 21+ | 34.66 грн |
| 36+ | 19.80 грн |
| 100+ | 13.88 грн |
| 500+ | 12.87 грн |
| 1000+ | 11.45 грн |
| 2500+ | 10.61 грн |
| IRF7313TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 30V; 20V; 46mOhm; 6,5A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7313; IRF7313TR; IRF7313 smd TIRF7313
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.70 грн |
| IRF7317TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 29.47 грн |
| IRF7317TR |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 46mOhm/98mOhm; 6,6A/5,3A; 2W; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Replacement: IRF7317; IRF7317TR; IRF7317-GURT; IRF7317 SMD; IRF7317TR; IRF7317TR TIRF7317
на замовлення 700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7324 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 26mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7324 smd TIRF7324
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 26mOhm; 9A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7324 smd TIRF7324
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 62.87 грн |
| IRF7328 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TR; IRF7328; IRF7328-GURT; IRF7328TRXTMA1; IRF7328 TIRF7328
Tranzystor 2xP-Channel MOSFET; 30V; 20V; 32mOhm; 8A; 2W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRF7328TR; IRF7328; IRF7328-GURT; IRF7328TRXTMA1; IRF7328 TIRF7328
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRF7329TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 15 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.26 грн |
| IRF7329TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
2xP-MOSFET HEXFET 9.2A 12V 2W 0.17? IRF7329 TIRF7329
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 41.26 грн |
| IRF7341TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm; 4,7A; 2W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRF7341; IRF7341TR; SP001554204; SP001577408; IRF7341 TIRF7341
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 323 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.04 грн |
| IRF7343TR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor 2xN/P-Channel MOSFET; 55V; 20V; 65mOhm/170mOhm; 4,7A/3,4A; 2W; -55°C ~ 150°C; IRF7343 smd TIRF7343
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.90 грн |
| IRF7380TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 98.14 грн |
| 4001+ | 87.53 грн |
| IRF7380TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 3.6A 80V 2W 0.073Ω IRF7380 smd TIRF7380
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 40.27 грн |
| IRF7380TRHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
Trans MOSFET N-CH 80V 3.6A 8-Pin SOIC T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.






