Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1343) > Сторінка 8 з 23
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IR4426S | International Rectifier |
Low Side Inverting MOSFET and IGBT Driver; Io+/Io- 1,5A/1,5A; tON/OFF 85/65ns; 6V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR4426S; IR4426S UIIR4426sкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IR4426SPPBF | International Rectifier |
Description: DUAL LOW SIDE DRIVERPackaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA) Voltage - Supply: 6V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 523 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR4427PBF | International Rectifier |
Description: IR4427 - GATE DRIVERPackaging: Bulk Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 6V ~ 20V Input Type: Non-Inverting Supplier Device Package: 8-PDIP Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Low-Side Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 757 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IR7304STRPBF-IR | International Rectifier | Description: 700V HALF-BRIDGE DRIVER |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRAM136-1060A | International Rectifier |
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 10A, HYBRIDPackaging: Bulk Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Voltage - Isolation: 2000Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRAM136-1061A2-IR | International Rectifier |
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 15APackaging: Bulk Package / Case: 23-SIP, 19 Leads, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Inverter Voltage - Isolation: 2000Vrms Part Status: Active Current: 12 A Voltage: 600 V |
на замовлення 536 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRAM136-3063B2 | International Rectifier |
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 30APackaging: Bulk Package / Case: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Voltage - Isolation: 2000Vrms Part Status: Active Current: 30 A Voltage: 600 V |
на замовлення 14166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRAM236-1067A | International Rectifier |
Description: IRAM236 - IMOTION INTEGRATED POWPackaging: Bulk Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRAM236-1067A2 | International Rectifier | Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRAM256-1067A | International Rectifier |
Description: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRIDPackaging: Tube Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: IGBT Configuration: 3 Phase Voltage - Isolation: 2000Vrms Current: 10 A Voltage: 600 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRAM336-025SB | International Rectifier |
Description: MOSFET IPM 500V 2A 19-SSIP LEADSPackaging: Bulk Package / Case: 19-SSIP Formed Leads Mounting Type: Through Hole Type: MOSFET Configuration: 3 Phase Inverter Part Status: Active Current: 2 A Voltage: 500 V |
на замовлення 3419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRAM535-1065AS | International Rectifier |
Description: IRAM535 - INTELLIGENT POWER MODUPackaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF1010E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 320 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1010ESTR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1010N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1010NS | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010nsкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1010ZPBF | International Rectifier |
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V |
на замовлення 350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1018E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1018E | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1018ES-GURT | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1104 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF120CECC | International Rectifier |
Description: MOSFET 100V 9.2A Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF122 | International Rectifier |
Description: 8.0A, 100V, 0.36 OHM, N-CHANNEL,Packaging: Bulk |
на замовлення 731 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF123 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V |
на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1310N | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1310NSHR | International Rectifier | Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab) |
на замовлення 8701 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1312 | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312 кількість в упаковці: 44 шт |
на замовлення 44 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1324 | International Rectifier |
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1324S | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1404PBF-EL | International Rectifier |
Description: MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1404STR | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1404Z | International Rectifier |
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 170 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1404ZS | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF1405 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1405ZSTRLPBF | International Rectifier |
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V |
на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF1407 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF1407LPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF1407PBF | International Rectifier |
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V |
на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF141 | International Rectifier |
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF142 | International Rectifier |
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF143 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
на замовлення 203 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF200B211 | International Rectifier |
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V Power Dissipation (Max): 80W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V |
на замовлення 6346 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF220 | International Rectifier |
Description: IRFN-CHANNHERMETMHEXFET Packaging: Bulk |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF221 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF224 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
IRF225 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A Power Dissipation (Max): 40W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IRF234 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A Power Dissipation (Max): 74W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
на замовлення 789 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF241 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF242 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF243 | International Rectifier |
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF245 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Power Dissipation (Max): 125W Supplier Device Package: TO-204AE Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
|
IRF250 | INTERNATIONAL RECTIFIER |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 30A Case: TO3 Power: 150W |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF250P225 | International Rectifier |
N-MOSFET 250V 69A IRF250P225 TIRF250P225кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| IRF253 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AEPackaging: Bulk Package / Case: TO-204AA Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Power Dissipation (Max): 150W Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRF2804 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF2804SPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRF2805 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 35 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
IRF2805PBF | International Rectifier |
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V |
на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IRF2807 | International Rectifier |
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IR4426S |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Low Side Inverting MOSFET and IGBT Driver; Io+/Io- 1,5A/1,5A; tON/OFF 85/65ns; 6V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR4426S; IR4426S UIIR4426s
кількість в упаковці: 10 шт
Low Side Inverting MOSFET and IGBT Driver; Io+/Io- 1,5A/1,5A; tON/OFF 85/65ns; 6V~20V; -40°C ~ 125°C; Equivalent: IR4426S; IR4426S UIIR4426s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 74.46 грн |
| IR4426SPPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: DUAL LOW SIDE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TA)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-SOIC
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 523 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 105.79 грн |
| IR4427PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IR4427 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
Description: IR4427 - GATE DRIVER
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Voltage - Supply: 6V ~ 20V
Input Type: Non-Inverting
Supplier Device Package: 8-PDIP
Rise / Fall Time (Typ): 15ns, 10ns
Channel Type: Independent
Driven Configuration: Low-Side
Number of Drivers: 2
Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel)
Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.7V
Current - Peak Output (Source, Sink): 2.3A, 3.3A
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 757 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 171+ | 123.43 грн |
| IR7304STRPBF-IR |
Виробник: International Rectifier
Description: 700V HALF-BRIDGE DRIVER
Description: 700V HALF-BRIDGE DRIVER
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRAM136-1060A |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 10A, HYBRID
Packaging: Bulk
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 10A, HYBRID
Packaging: Bulk
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 1075.60 грн |
| IRAM136-1061A2-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 15A
Packaging: Bulk
Package / Case: 23-SIP, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 600 V
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 15A
Packaging: Bulk
Package / Case: 23-SIP, 19 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase Inverter
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 12 A
Voltage: 600 V
на замовлення 536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 22+ | 1043.24 грн |
| IRAM136-3063B2 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 30A
Packaging: Bulk
Package / Case: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
Description: AC MOTOR CONTROLLER, 30A
Packaging: Bulk
Package / Case: 22-PowerSIP Module, 18 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Part Status: Active
Current: 30 A
Voltage: 600 V
на замовлення 14166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2385.44 грн |
| IRAM236-1067A |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRAM236 - IMOTION INTEGRATED POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
Description: IRAM236 - IMOTION INTEGRATED POW
Packaging: Bulk
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRAM236-1067A2 |
Виробник: International Rectifier
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A
Description: IC MOD PWR HYBRID 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRAM256-1067A |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRID
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
Description: AC MOTOR CONTROLLER, HYBRID
Packaging: Tube
Package / Case: 29-PowerSSIP Module, 21 Leads, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: IGBT
Configuration: 3 Phase
Voltage - Isolation: 2000Vrms
Current: 10 A
Voltage: 600 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRAM336-025SB |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET IPM 500V 2A 19-SSIP LEADS
Packaging: Bulk
Package / Case: 19-SSIP Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Part Status: Active
Current: 2 A
Voltage: 500 V
Description: MOSFET IPM 500V 2A 19-SSIP LEADS
Packaging: Bulk
Package / Case: 19-SSIP Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Type: MOSFET
Configuration: 3 Phase Inverter
Part Status: Active
Current: 2 A
Voltage: 500 V
на замовлення 3419 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 61+ | 345.14 грн |
| IRAM535-1065AS |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRAM535 - INTELLIGENT POWER MODU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Description: IRAM535 - INTELLIGENT POWER MODU
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1010E |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010E TIRF1010
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 320 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 36.93 грн |
| IRF1010ESTR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ES, IRF1010ESTRL IRF1010ES smd TIRF1010es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 66.60 грн |
| IRF1010N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010N TIRF1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 40.27 грн |
| IRF1010NS | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180W; -55°C ~ 175°C; IRF1010NS TIRF1010ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 86.25 грн |
| IRF1010ZPBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
Description: IRF1010 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 218+ | 97.33 грн |
| IRF1018E |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 28.29 грн |
| IRF1018E |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 8,4mOhm; 79A; 110W; -55°C~175°C; Replacement: IRF1018E; IRF1018E; IRF1018E TIRF1018e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 27.51 грн |
| IRF1018ES-GURT |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω IRF1018ES TIRF1018es
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 113.16 грн |
| IRF1104 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω IRF1104 TIRF1104
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 88.41 грн |
| IRF122 |
![]() |
на замовлення 731 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 341+ | 66.34 грн |
| IRF123 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 738 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 442+ | 51.99 грн |
| IRF1310N | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 100V; 20V; 36mOhm; 42A; 160W; -55°C ~ 175°C; IRF1310 TIRF1310
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 48.92 грн |
| IRF1310NSHR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
Trans MOSFET N-CH Si 100V 42A 3-Pin(2+Tab)
на замовлення 8701 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 130.85 грн |
| 25+ | 83.11 грн |
| 100+ | 61.89 грн |
| 500+ | 47.74 грн |
| 1000+ | 42.63 грн |
| 2500+ | 39.41 грн |
| 5000+ | 37.81 грн |
| IRF1312 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
N-MOSFET HEXFET 80V 95A 3.8W 0,010Ω IRF1312 TIRF1312
кількість в упаковці: 44 шт
на замовлення 44 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 44+ | 60.32 грн |
| IRF1324 |
Виробник: International Rectifier
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
Tranzystor N-Channel MOSFET; 24V; 20V; 1,5mOhm; 353A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRF1324; Discontinued IRF1324; LTB:31.03.2025; replacement: IPP011N03LF2SAKSA1; IRF1324 TIRF1324
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 88.21 грн |
| IRF1324S |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 24V 195A 300W 0,00165Ω IRF1324S TIRF1324s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 117.68 грн |
| IRF1404S IRF1404STR IRF1404SPB |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 62.67 грн |
| IRF1404STR |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRF1404S; IRF1404STRL; IRF1404STRR; IRF1404S TIRF1404s
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 62.67 грн |
| IRF1404Z |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET HEXFET 40V 75A 200W 0,0037Ω IRF1404Z TIRF1404z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 66.99 грн |
| IRF1404ZS |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH Si 40V 180A 3-Pin(2+Tab) D2PAK IRF1404ZS Infineon TIRF1404zs
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 123.58 грн |
| IRF1405 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 5,3mOhm; 169A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1405 TIRF1405
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.46 грн |
| IRF1405ZSTRLPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
Description: PFET, 75A I(D), 55V, 0.0049OHM,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 180 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4780 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 158+ | 134.00 грн |
| IRF1407 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 7,8mOhm; 130A; 330W; -55°C ~ 175°C; IRF1407 TIRF1407
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 58.75 грн |
| IRF1407LPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 75V 100A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF1407PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
Description: IRF1407 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.8mOhm @ 78A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 25 V
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 103.68 грн |
| IRF141 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: 28A, 80V, 0.077OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF142 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Description: 25A, 100V, 0.1OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF143 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 60V 24A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 203+ | 124.85 грн |
| IRF200B211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
Description: IRF200B - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 7.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.9V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 6346 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 384+ | 53.90 грн |
| IRF221 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF224 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF225 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A
Power Dissipation (Max): 40W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 288 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 139+ | 157.26 грн |
| IRF234 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.4A
Power Dissipation (Max): 74W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
на замовлення 789 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 297+ | 76.91 грн |
| IRF241 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 18A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 181+ | 125.17 грн |
| IRF242 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Description: MOSFET N-CH 200V 16A TO3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF243 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 16A, 150V, 0.22OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF245 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Description: MOSFET N-CH 250V 13A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AE
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Power Dissipation (Max): 125W
Supplier Device Package: TO-204AE
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF250 |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Case: TO3
Power: 150W
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 30A; 150W; TO3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 30A
Case: TO3
Power: 150W
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF250P225 |
![]() |
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 319.26 грн |
| IRF253 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 25A TO204AE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Power Dissipation (Max): 150W
Supplier Device Package: TO-3
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2804 | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 2,3mOhm; 270A; 300W; -55°C ~ 175°C; IRF2804 TIRF2804
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 109.83 грн |
| IRF2804SPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRF2805 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 55V; 20V; 4,7Ohm; 175A; 330W; -55°C ~ 175°C; Substitute: IRF2805L; IRF2805; IRF2805 TIRF2805
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 35 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.32 грн |
| IRF2805PBF | ![]() |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
Description: IRF2805 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 104A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 230 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5110 pF @ 25 V
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 179+ | 118.49 грн |
| IRF2807 | ![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230W; -55°C ~ 175°C; IRF2807 TIRF2807
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 44.99 грн |


















