Продукція > INTERNATIONAL RECTIFIER > Всі товари виробника INTERNATIONAL RECTIFIER (1343) > Сторінка 13 з 23
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB7437 | International Rectifier |
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7446 | International Rectifier |
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFB7446GPBF | International Rectifier |
Description: IRFB7446 - POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V |
на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFB7530 | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530 кількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7534 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534 кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 110 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB7537 | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 87 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFB9N65A | International Rectifier |
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFBC20 | International Rectifier |
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFBE30PBF | INTERNATIONAL RECTIFIER |
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free |
на замовлення 5 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||
| IRFD9120 | International Rectifier |
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFF1210 | International Rectifier |
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFF131 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF233 | International Rectifier |
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF311 | International Rectifier |
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5APackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF313 | International Rectifier |
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POWPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A Power Dissipation (Max): 15W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF332 | International Rectifier |
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF333 | International Rectifier |
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9133 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWEPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9211 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9213 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFF9221 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF |
на замовлення 194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFF9231 | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AFPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 3214 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFF9233 | International Rectifier |
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A Power Dissipation (Max): 25W Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V |
на замовлення 289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH3702TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH4210DTRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V |
на замовлення 937 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH4257DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 25W, 28W Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4) |
на замовлення 1834 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH5250DTRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V |
на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFH5255TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
|
IRFH5255TRPBF | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRFH7085TR | International Rectifier |
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH7194TRPBF | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
|
IRFH7914TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL POPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V |
на замовлення 3375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFH7921TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V |
на замовлення 10501 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH7932TR | International Rectifier |
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFH7934TRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFNPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V |
на замовлення 2785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFH7936TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFH7936 - N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V |
на замовлення 4530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
|
IRFH8316TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerTDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V |
на замовлення 2260 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFH8321TR | International Rectifier |
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFHE4250DTRPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFNPackaging: Bulk Package / Case: 32-PowerVFQFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 156W (Tc) Drain to Source Voltage (Vdss): 25V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6) Part Status: Active |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFHM8337TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRFHM8342TRPBF-IR | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DLPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||
|
IRFHS8242TRPBF | International Rectifier |
Description: IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V |
на замовлення 177700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFI1010N | International Rectifier |
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFI1010NPBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 58W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRFI1310N | International Rectifier |
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310nкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI3205 | International Rectifier |
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI3306GPBF | International Rectifier |
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNELPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V |
на замовлення 494 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4020H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117pкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4024H-117P | International Rectifier |
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117pкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 36 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4227 | International Rectifier |
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227 кількість в упаковці: 38 шт |
на замовлення 38 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFI4228PBF-IR | International Rectifier |
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFETPackaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V |
на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||
| IRFI4229 | International Rectifier |
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229 кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI4321 | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI520N | International Rectifier |
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520Nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 270 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
|
IRFI520NPBF | International Rectifier |
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||
| IRFI530N | International Rectifier |
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530nкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 189 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFI540N | International Rectifier |
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRFB7437 |
Виробник: International Rectifier
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 58 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 80.16 грн |
| IRFB7446 |
Виробник: International Rectifier
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 71.12 грн |
| IRFB7446GPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
Description: IRFB7446 - POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 99W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V
на замовлення 1157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 310+ | 67.51 грн |
| IRFB7530 |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube IRFB7530 IRFB7530 TIRFB7530
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 116.70 грн |
| IRFB7534 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 60V 195A 2.4mΩ 294W IRFB7534 Infineon TIRFB7534
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 110 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 68.56 грн |
| IRFB7537 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 173A 3.3mΩ 230W IRFB7537 International Rectifier TIRFB7537
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 87 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 98.43 грн |
| IRFB9N65A |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 8,5A 650V 167W 0.93Ω IRFB9N65A TIRFB9n65a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
| IRFBC20 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 2.2A 600V 50W 4.4Ω IRFBC20 TIRFBC20
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 23.57 грн |
| IRFBE30PBF |
![]() |
Виробник: INTERNATIONAL RECTIFIER
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
N-Channel MOSFET, 800V, 3 Ohm 4.1A, TO220, Pb-Free
на замовлення 5 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 48.60 грн |
| IRFD9120 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 100V; 20V; 600mOhm; 1A; 1,3W; -55°C ~ 175°C; IRFD9120 TIRFD9120
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 46.96 грн |
| IRFF1210 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
Description: N-CHANNEL HERMETIC MOS HEXFET
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF131 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 80V 8A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF233 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: 4.5A, 150V, 0.6OHM, N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF311 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: TRANS MOSFET N-CH 350V 5.5A
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.35A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF313 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Description: 1.15A, 350V, 5OHM, N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.15A
Power Dissipation (Max): 15W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF332 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 400V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF333 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
Description: 3A, 350V, 1.5OHM, N-CHANNEL POWE
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9133 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9211 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
Description: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9213 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFF9221 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
Description: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 194+ | 160.85 грн |
| IRFF9231 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 336.15 грн |
| IRFF9233 |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Description: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 185+ | 120.61 грн |
| IRFH3702TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.68 грн |
| IRFH4210DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4812 pF @ 13 V
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 170+ | 124.13 грн |
| IRFH4257DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
Description: MOSFET 2N-CH 25V 25A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W, 28W
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1321pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 25A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA
Supplier Device Package: Dual PQFN (5x4)
на замовлення 1834 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 251+ | 86.16 грн |
| IRFH5250DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
Description: IRFH5250 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6115 pF @ 13 V
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 247+ | 85.34 грн |
| IRFH5255TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 15A/51A PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 988 pF @ 13 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 417+ | 50.78 грн |
| IRFH5255TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 15A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFH7085TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 60V 100A 3.2mΩ IRFH708TR International Rectifier TIRFH7085
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 68.37 грн |
| IRFH7194TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.4mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 733 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFH7914TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
Description: IRFH7914 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 35A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 15 V
на замовлення 3375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1126+ | 21.11 грн |
| IRFH7921TRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
Description: IRFH7921 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Ta), 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6) Single Die
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1210 pF @ 15 V
на замовлення 10501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 682+ | 31.59 грн |
| IRFH7932TR |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 30V 24A 3.1W 3.3mΩ IRFH7932TR International Rectifier TIRFH7932
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 28.49 грн |
| IRFH7934TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 24A/76A 8PQFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 15 V
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 382+ | 56.72 грн |
| IRFH7936TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
Description: IRFH7936 - N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2360 pF @ 15 V
на замовлення 4530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 567+ | 37.38 грн |
| IRFH8316TRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
Description: IRFH8316 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 50µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 59 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3610 pF @ 10 V
на замовлення 2260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 710+ | 30.15 грн |
| IRFH8321TR |
Виробник: International Rectifier
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin QFN EP IRFH8321TR IRFH8321 IRFH8321 TIRFH8321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.00 грн |
| IRFHE4250DTRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
Description: MOSFET 2N-CH 25V 86A/303A 32QFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 32-PowerVFQFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 156W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc), 303A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735pF @ 13V, 4765pF @ 13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.75mOhm @ 27A, 10V, 0.9mOhm @ 27A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 4.5V, 53nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 35µA, 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: 32-PQFN (6x6)
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 156+ | 145.53 грн |
| IRFHM8337TRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
Description: MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN DL
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFHM8342TRPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 30V 10A/28A 8PQFN DL
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 28A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.6W (Ta), 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN-Dual (3.3x3.3), Power33
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 560 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFHS8242TRPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
Description: IRFHS8242 - HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 653 pF @ 10 V
на замовлення 177700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1385+ | 15.31 грн |
| IRFI1010N |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 55V 49A IRFI1010N Infineon TIRFI1010n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 52.06 грн |
| IRFI1010NPBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Description: HEXFET POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 58W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| IRFI1310N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 24A 100V 56W 0.036Ω IRFI1310N TIRFI1310n
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 80 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 42.04 грн |
| IRFI3205 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
кількість в упаковці: 10 шт
N-MOSFET 64A 55V 63W 0.008Ω IRFI3205 TIRFI3205
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 108.06 грн |
| IRFI3306GPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
Description: IRFI3306G - 60V SINGLE N-CHANNEL
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA
Supplier Device Package: PG-TO220 Full Pack
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4685 pF @ 50 V
на замовлення 494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 151+ | 139.19 грн |
| IRFI4020H-117P |
![]() |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
кількість в упаковці: 5 шт
2xN-MOSFET 9.1A 200V 21W 0.1Ω IRFI4020H-117PXKMA1 IRFI4020H-117P TO220/5Qiso TIRFI4020h-117p
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 81.92 грн |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 91.55 грн |
| IRFI4024H-117P |
![]() |
Виробник: International Rectifier
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
2xN-MOSFET 11A 55V 14W 0.06Ω IRFI4024H-117P TO220/5Qiso TIRFI4024h-117p
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 18 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 91.55 грн |
| IRFI4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 36 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 75.83 грн |
| IRFI4227 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 38 шт
N-MOSFET 26A 200V 46W 0.025Ω IRFI4227 TO220/5Qiso TIRFI4227
кількість в упаковці: 38 шт
на замовлення 38 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 38+ | 75.83 грн |
| IRFI4228PBF-IR |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
Description: HEXFET N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB Full-Pak
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 228+ | 92.60 грн |
| IRFI4229 |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 19A 250V 46W 0.046Ω IRFI4229 TIRFI4229
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 133.40 грн |
| IRFI4321 |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 150V; 30V; 16mOhm; 34A; 46W; -55°C ~ 150°C; IRFI4321 Infineon TIRFI4321
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 170.73 грн |
| IRFI520N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 7.6A 100V 30W 0.2Ω IRFI520N TIRFI520N
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 270 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 27.11 грн |
| IRFI520NPBF |
![]() |
Виробник: International Rectifier
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
Description: MOSFET N-CH 100V 7.6A TO220FP
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| IRFI530N |
![]() |
Виробник: International Rectifier
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 12A 100V 41W 0.011Ω IRFI530N TIRFI530n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 189 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 24.17 грн |
| IRFI540N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 32 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 56.38 грн |
| IRFI540N |
Виробник: International Rectifier
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor N-MOSFET; 100V; 20V; 52mOhm; 20A; 54W; -55°C ~ 175°C; Replacement: IRFI540N; IRFI540G; IRFI540N; IRFI540; IRFI540 ISO INFINEON; IRFI540N TIRF540 iso
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 56.38 грн |














