Результат пошуку "2SC33" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 102
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1128
Мінімальне замовлення: 30
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 23
Мінімальне замовлення: 14
Мінімальне замовлення: 12000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 40
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 25
Мінімальне замовлення: 100
Мінімальне замовлення: 1684
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 12000
Мінімальне замовлення: 8013
Мінімальне замовлення: 6662
Мінімальне замовлення: 8013
Мінімальне замовлення: 11539
Мінімальне замовлення: 13889
Мінімальне замовлення: 1776
Мінімальне замовлення: 2500
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1665
Мінімальне замовлення: 2219
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 1776
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 4659
Мінімальне замовлення: 300
Мінімальне замовлення: 500
Мінімальне замовлення: 4438
Мінімальне замовлення: 5342
Мінімальне замовлення: 1567
Мінімальне замовлення: 1886
Мінімальне замовлення: 1567
Мінімальне замовлення: 911
Мінімальне замовлення: 1902
Мінімальне замовлення: 2290
Мінімальне замовлення: 5323
Мінімальне замовлення: 6411
Мінімальне замовлення: 3806
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
2SC3320 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 13498 |
Fujitsu |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3PN Uceo,V: 400 V Ucbo,V: 500 V Ic,A: 15 A h21: 10 Монтаж: THT |
у наявності: 60 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC3330 Код товару: 82676 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,2 A Монтаж: THT |
у наявності: 1 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC3331 (транзистор) Код товару: 62502 |
Sanyo |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 fT: 200 MHz Uceo,V: 50 V Ucbo,V: 60 V Ic,A: 0,2 A Монтаж: THT |
у наявності: 4 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC3356 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 27278 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 7 GHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 0,1 A h21: 300 Монтаж: SMD |
у наявності: 690 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC3357 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 1873 |
NEC |
Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-89 fT: 6,5 GHz Uceo,V: 12 V Ucbo,V: 20 V Ic,A: 0,1 A h21: 300 |
у наявності: 78 шт
|
|
|||||||||||||||
2SC3303-Y(T6L1,NQ) | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: PW-MOLD Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF | Toshiba | Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3 |
на замовлення 147 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 15376 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF(B | Toshiba | 2SC3325-Y,LF(B |
на замовлення 2379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3325-Y,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3325-Y,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 14772 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SOT346 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-A(TE85L,F) | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SOT346 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 2811 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-A(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-A,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3326-A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 73336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-A,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 198000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3326-B,LF | Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-236 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 199611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz |
на замовлення 17685 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 20V Collector current: 0.3A Power dissipation: 0.15W Case: SC59 Current gain: 200...1200 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 30MHz кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 17685 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 300mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: TO-236MOD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 11639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326-B,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 3016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326A(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3326A(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3330T-AC | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3330T-AC - 2SC3330T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 145116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3330T-AC | onsemi |
Description: BIP NPN 0.2A 50V Packaging: Bulk Package / Case: 3-SSIP Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: 3-SPA Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 300 mW |
на замовлення 145116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3330U | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3330U - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 67110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3331T-AA | onsemi |
Description: BIP NPN 0.2A 50V Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW |
на замовлення 713100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3331T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3331T-AA - 2SC3331T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 713100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332S | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 24642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3332S - 2SC3332S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 24642 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332S-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3332S-AA - 2SC3332S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 146194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332S-AA | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 146194 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332T | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332T | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332T-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3332T-AA - 2SC3332T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3332T-AA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3332T-AA | onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: 3-NP Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 700 mW |
на замовлення 2847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3332T-AA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
2SC3356 | EVVO |
Description: RF TRANS NPN 12V 7GHZ SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3356 | HT Jinyu Semiconductor | NPN Transistor |
на замовлення 2826000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3356 R25 | SLKOR |
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3356R | HOTTECH |
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3361-5-TB-E | onsemi |
Description: BIP NPNP 0.15A 50V Packaging: Bulk Part Status: Active |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3361-5-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3361-5-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3361-6-TB-E | Sanyo |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 110965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3361-6-TB-E | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3361-6-TB-E - EACH tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 110965 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3361-6-TB-E-ON | onsemi |
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: 3-CP Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3380ASTR-E | Renesas |
Description: 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE Packaging: Bulk Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: UPAK Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3382S | onsemi |
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: 3-NP Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 400 mW |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3382S | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3382S - 2SC3382S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 4999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3383S-AA | onsemi |
Description: BIP NPN 0.2A 50V Packaging: Bulk |
на замовлення 103804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3383S-AA | ONSEMI |
Description: ONSEMI - 2SC3383S-AA - 2SC3383S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 103804 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
2SC3392-5-TB-E | onsemi |
Description: BIP NPN 0.5A 50V Packaging: Bulk |
на замовлення 210634 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
2SC3320 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 13498 |
Виробник: Fujitsu
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 15 A
h21: 10
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3PN
Uceo,V: 400 V
Ucbo,V: 500 V
Ic,A: 15 A
h21: 10
Монтаж: THT
у наявності: 60 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 75 грн |
10+ | 68 грн |
2SC3330 Код товару: 82676 |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 1 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5 грн |
2SC3331 (транзистор) Код товару: 62502 |
Виробник: Sanyo
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-92
fT: 200 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 60 V
Ic,A: 0,2 A
Монтаж: THT
у наявності: 4 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 7 грн |
2SC3356 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 27278 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
Монтаж: SMD
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
fT: 7 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
Монтаж: SMD
у наявності: 690 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 4.5 грн |
10+ | 4 грн |
100+ | 3.6 грн |
2SC3357 (транзистор біполярний NPN) Код товару: 1873 |
Виробник: NEC
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 6,5 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-89
fT: 6,5 GHz
Uceo,V: 12 V
Ucbo,V: 20 V
Ic,A: 0,1 A
h21: 300
у наявності: 78 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 13 грн |
10+ | 11.6 грн |
2SC3303-Y(T6L1,NQ) |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
Description: TRANS NPN 80V 5A PW-MOLD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 1V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: PW-MOLD
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 88.6 грн |
10+ | 69.51 грн |
100+ | 54.07 грн |
500+ | 43.01 грн |
2SC3325-Y,LF |
Виробник: Toshiba
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
Транзистор NPN; Uceo, В = 50; Ic = 500 мА; ft, МГц = 300; hFE = 120 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °C = до 150; Тип монт. = smd; SOT-23-3
на замовлення 147 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
102+ | 6.18 грн |
109+ | 5.76 грн |
117+ | 5.35 грн |
2SC3325-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 15376 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 21.61 грн |
20+ | 14.01 грн |
100+ | 6.83 грн |
500+ | 5.35 грн |
1000+ | 3.72 грн |
2SC3325-Y,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS NPN 50V 0.5A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.56 грн |
6000+ | 3.18 грн |
9000+ | 2.64 грн |
2SC3325-Y,LF(B |
Виробник: Toshiba
2SC3325-Y,LF(B
2SC3325-Y,LF(B
на замовлення 2379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1128+ | 10.35 грн |
1167+ | 10.01 грн |
2SC3325-Y,LF(T |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 50V 0.5A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3325-Y,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
30+ | 25.55 грн |
43+ | 17.7 грн |
110+ | 6.83 грн |
500+ | 4.73 грн |
1000+ | 2.88 грн |
5000+ | 2.43 грн |
2SC3325-Y,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC3325-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 500 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 14772 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 17.7 грн |
110+ | 6.83 грн |
500+ | 4.73 грн |
1000+ | 2.88 грн |
5000+ | 2.43 грн |
2SC3326-A(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
23+ | 16.96 грн |
39+ | 8.95 грн |
100+ | 7.98 грн |
117+ | 6.87 грн |
322+ | 6.52 грн |
2SC3326-A(TE85L,F) |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT346
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2811 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 20.35 грн |
25+ | 11.15 грн |
100+ | 9.57 грн |
117+ | 8.24 грн |
322+ | 7.82 грн |
2SC3326-A(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12000+ | 5.37 грн |
2SC3326-A,LF |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3326-A,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 73336 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.93 грн |
16+ | 17.55 грн |
100+ | 8.85 грн |
500+ | 6.78 грн |
1000+ | 5.03 грн |
2SC3326-A,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.68 грн |
6000+ | 4.31 грн |
9000+ | 3.73 грн |
30000+ | 3.43 грн |
2SC3326-B(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 11.31 грн |
2SC3326-B,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 198000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 4.68 грн |
6000+ | 4.31 грн |
9000+ | 3.73 грн |
30000+ | 3.43 грн |
75000+ | 2.84 грн |
150000+ | 2.8 грн |
2SC3326-B,LF |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3326-B,LF |
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS NPN 20V 0.3A TO236
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 4mA, 2V
Frequency - Transition: 30MHz
Supplier Device Package: TO-236
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 199611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 25.93 грн |
16+ | 17.55 грн |
100+ | 8.85 грн |
500+ | 6.78 грн |
1000+ | 5.03 грн |
2SC3326-B,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
на замовлення 17685 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
40+ | 9.86 грн |
60+ | 5.9 грн |
100+ | 5.2 грн |
175+ | 4.58 грн |
485+ | 4.3 грн |
2SC3326-B,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 5 шт
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 20V; 0.3A; 0.15W; SC59
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 20V
Collector current: 0.3A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC59
Current gain: 200...1200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 30MHz
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 17685 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 11.83 грн |
40+ | 7.35 грн |
100+ | 6.24 грн |
175+ | 5.49 грн |
485+ | 5.16 грн |
2SC3326-B,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
25+ | 31.08 грн |
35+ | 21.51 грн |
100+ | 7.99 грн |
500+ | 5.79 грн |
1000+ | 3.84 грн |
5000+ | 3.46 грн |
2SC3326-B,LF(T |
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TOSHIBA - 2SC3326-B,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 20 V, 300 mA, 200 mW, TO-236MOD, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 300mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 20V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 30MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 11639 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 7.99 грн |
500+ | 5.79 грн |
1000+ | 3.84 грн |
5000+ | 3.46 грн |
2SC3326-B,LF(T |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 3016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1684+ | 6.93 грн |
1690+ | 6.91 грн |
2075+ | 5.63 грн |
2219+ | 5.07 грн |
3000+ | 4.66 грн |
2SC3326A(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 10.46 грн |
2SC3326A(TE85L,F) |
Виробник: Toshiba
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
Trans GP BJT NPN 20V 0.3A 150mW Automotive AEC-Q101 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12000+ | 9.73 грн |
2SC3330T-AC |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3330T-AC - 2SC3330T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3330T-AC - 2SC3330T-AC, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 145116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8013+ | 3.36 грн |
2SC3330T-AC |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-SSIP
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: 3-SPA
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 145116 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6662+ | 3.33 грн |
2SC3330U |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3330U - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3330U - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 67110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8013+ | 3.44 грн |
2SC3331T-AA |
Виробник: onsemi
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
Description: BIP NPN 0.2A 50V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11539+ | 2 грн |
2SC3331T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3331T-AA - 2SC3331T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3331T-AA - 2SC3331T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 713100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13889+ | 2.09 грн |
2SC3332S |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1776+ | 11.31 грн |
2SC3332S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332S - 2SC3332S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3332S - 2SC3332S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2500+ | 15.61 грн |
2SC3332S-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332S-AA - 2SC3332S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3332S-AA - 2SC3332S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 16.66 грн |
2SC3332S-AA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 146194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1665+ | 11.97 грн |
2SC3332T |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2219+ | 9.31 грн |
2SC3332T |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3332T - 2SC3332T, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 12.48 грн |
2SC3332T-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3332T-AA - 2SC3332T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3332T-AA - 2SC3332T-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3332T-AA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3332T-AA |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
Description: TRANS NPN 160V 0.7A 3NP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 25mA, 250mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 120MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 700 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 700 mW
на замовлення 2847 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1776+ | 11.31 грн |
2SC3332T-AA |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
Trans GP BJT NPN 160V 0.7A 700mW 3-Pin NP T/R
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)2SC3356 |
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.48 грн |
134+ | 2.08 грн |
148+ | 1.89 грн |
169+ | 1.55 грн |
250+ | 1.36 грн |
500+ | 1.2 грн |
1000+ | 0.93 грн |
2SC3356 |
Виробник: HT Jinyu Semiconductor
NPN Transistor
NPN Transistor
на замовлення 2826000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4659+ | 2.51 грн |
2SC3356 R25 |
Виробник: SLKOR
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor NPN; 260; 200mW; 12V; 0.1A; 7GHz; -65°C ~ 150°C; 2SC3356 R25 SLKOR T2SC3356-r25 SLK
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
300+ | 1.9 грн |
2SC3356R |
Виробник: HOTTECH
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
кількість в упаковці: 500 шт
NPN Transistor; 160; 200mW; 12V; 100mA; 7GHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: 2SC3356-T1B-A RENESAS; 2SC3356G-B-AE2-R UTC; 2SC3356G-A-AE2-R UTC; L2SC3356LT1G LRC; 2SC3356K R25 SHIKUES; 2SC3356-R25 JSMSEMI; 2SC3356-R25 KEXIN; 2SC3356 R25 SILKOR; 2SC3356-T1B-A
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 1.71 грн |
2SC3361-5-TB-E |
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4438+ | 4.66 грн |
2SC3361-5-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3361-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3361-5-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5342+ | 4.86 грн |
2SC3361-6-TB-E |
Виробник: Sanyo
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 110965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 12.64 грн |
2SC3361-6-TB-E |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3361-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3361-6-TB-E - EACH
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 110965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1886+ | 17.7 грн |
2SC3361-6-TB-E-ON |
Виробник: onsemi
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Description: NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: 3-CP
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1567+ | 12.64 грн |
2SC3380ASTR-E |
Виробник: Renesas
Description: 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
Description: 2SC3380ASTR - SILICON NPN TRIPLE
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 20V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: UPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
911+ | 21.95 грн |
2SC3382S |
Виробник: onsemi
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
Description: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 1mA, 6V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: 3-NP
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 400 mW
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1902+ | 10.64 грн |
2SC3382S |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3382S - 2SC3382S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3382S - 2SC3382S, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2290+ | 10.76 грн |
2SC3383S-AA |
на замовлення 103804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5323+ | 3.99 грн |
2SC3383S-AA |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - 2SC3383S-AA - 2SC3383S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - 2SC3383S-AA - 2SC3383S-AA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 103804 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6411+ | 4.11 грн |
2SC3392-5-TB-E |
на замовлення 210634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3806+ | 5.32 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]