Результат пошуку "f830" : > 60
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 90
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 50
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 356
Мінімальне замовлення: 237
Мінімальне замовлення: 263
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 513
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 8
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 800
Мінімальне замовлення: 4000
Мінімальне замовлення: 45
Мінімальне замовлення: 4000
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IRF830PBF Код товару: 163342 |
Siliconix |
Транзистори > Польові N-канальні Uds,V: 500 V Idd,A: 5 А Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 610/53 Монтаж: THT |
у наявності: 24 шт
очікується:
100 шт
|
|
|||||||||||||||
DE1-W4F-830-G3 DRAGEYE | Osram Digital Lighting System | 4052899474741 |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
FCF8-30-01-L-03.00-S | Samtec Inc. |
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY Packaging: Bag Connector Type: Plug to Plug Gender: Male to Male Color: Blue Length: 0.250' (76.20mm, 3.000") Shielding: Shielded Number of Positions: 30 Cable Type: Flat, Twin Axial Usage: Internal Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCF8-30-01-L-06.00-S | Samtec Inc. |
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY Packaging: Bag Connector Type: Plug to Plug Gender: Male to Male Color: Blue Length: 6.00" (152.4mm) Shielding: Shielded Number of Positions: 30 Cable Type: Flat, Twin Axial Usage: Internal Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCF8-30-01-L-20.00-S | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCF8-30-01-L-20.00-S | Samtec Inc. |
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY Packaging: Bag Connector Type: Plug to Plug Gender: Male to Male Color: Blue Length: 1.67' (508.00mm) Shielding: Shielded Number of Positions: 30 Cable Type: Flat, Twin Axial Usage: Internal Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCF8-30-01-L-30.00-S | Samtec Inc. |
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY Packaging: Bag Connector Type: Plug to Plug Gender: Male to Male Color: Blue Length: 2.50' (762.00mm) Shielding: Shielded Number of Positions: 30 Cable Type: Flat, Twin Axial Usage: Internal Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
FCF8-30-01-L-30.00-S | Samtec | Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
ILCX20-FF5F8-30.000MHZ | ABRACON |
Category: Unclassified Description: Resonator: ceramic |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830 | JSMicro Semiconductor |
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 50 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830 | Siliconix |
N-MOSFET 4.5A 500V 75W 1.5Ω IRF830 TIRF830 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 291 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF8301MTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DirectFET™ Isometric MT Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 192A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V |
на замовлення 311 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF8304MTRPBF | Infineon Technologies |
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V |
на замовлення 4408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF8306MTRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V FET Feature: Schottky Diode (Body) Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V |
на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF8308MTRPBF | International Rectifier |
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV Packaging: Bulk Package / Case: DirectFET™ Isometric MX Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V |
на замовлення 10644 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830; 4,5A; 500V; 1,5R; 74W; N-канальный; корпус: ТО220; VISHAY |
на замовлення 18 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IRF830ALPBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: I2PAK; TO262 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ALPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 619 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 3.2A Pulsed drain current: 20A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.4Ω Mounting: THT Gate charge: 24nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 619 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 5458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF | Vishay Semiconductors | MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830A |
на замовлення 1280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 963 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830APBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CH MOSFET |
на замовлення 4944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ASPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 779 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ASPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 9354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ASTRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V |
на замовлення 8800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830ASTRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830B | Fairchild Semiconductor |
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V |
на замовлення 9803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830BPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS |
на замовлення 797 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830BPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
на замовлення 2693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830BPBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 2747 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830BPBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 104W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V |
на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF | Vishay | MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB |
на замовлення 38 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 2.9A Power dissipation: 74W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.5Ω Mounting: THT Gate charge: 38nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1938 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 6502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 1379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF-BE3 | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 3267 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830PBF-BE3 | Vishay / Siliconix | MOSFET 500V N-CH HEXFET |
на замовлення 5688 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830SPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA |
на замовлення 1059 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830SPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 1078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 1310 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830STRLPBF | Vishay Semiconductors | MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp |
на замовлення 1141 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IRF830STRLPBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V |
на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E | CREE LED | LED Uni-Color White 3000K 2-Pin T/R |
на замовлення 52000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E | CreeLED, Inc. |
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 1113 (2835 Metric) Color: White, Warm Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V Current - Test: 150mA Viewing Angle: 120° Current - Max: 240mA Supplier Device Package: SMD Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) CCT (K): 3000K CRI (Color Rendering Index): 90 Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ) Part Status: Obsolete |
на замовлення 4928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E | CreeLED, Inc. |
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 1113 (2835 Metric) Color: White, Warm Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm) Mounting Type: Surface Mount Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V Current - Test: 150mA Viewing Angle: 120° Current - Max: 240mA Supplier Device Package: SMD Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm) CCT (K): 3000K CRI (Color Rendering Index): 90 Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ) Part Status: Obsolete |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MC56F83000-EVK | NXP USA Inc. |
Description: MC56F83XXX EVK Packaging: Bulk Mounting Type: Fixed Type: DSP Contents: Board(s) Core Processor: 56800EX Board Type: Evaluation Platform Utilized IC / Part: MC56F83789 Part Status: Active |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
MC56F83000-EVK | NXP Semiconductors | Development Boards & Kits - Other Processors MC56F83000-EVK |
на замовлення 11 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
PIC16F83-04/P | Microchip Technology | 8-bit Microcontrollers - MCU .875KB 36 RAM 13 I/O |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-L-06-3 | Samtec Inc. |
Description: CONN SOCKET HS HD ARRAY Features: Board Guide Packaging: Strip Connector Type: High Density Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 180 Pitch: 0.031" (0.80mm) Height Above Board: 0.180" (4.57mm) Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm) Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm Number of Rows: 6 |
на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-L-06-3 | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket |
на замовлення 166 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-04-3 | Samtec Inc. |
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 4X30POS Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Connector Type: High Density Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 120 Pitch: 0.031" (0.80mm) Height Above Board: 0.180" (4.57mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm Number of Rows: 4 |
на замовлення 392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-04-3 | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket |
на замовлення 101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-06-3 | Samtec Inc. |
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 6X30POS Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Connector Type: High Density Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 180 Pitch: 0.031" (0.80mm) Height Above Board: 0.180" (4.57mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm Part Status: Active Number of Rows: 6 |
на замовлення 740 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-08-3 | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-08-3 | Samtec Inc. |
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 8X30POS Packaging: Cut Tape (CT) Features: Board Guide Connector Type: High Density Array, Female Contact Finish: Gold Mounting Type: Surface Mount Number of Positions: 240 Pitch: 0.031" (0.80mm) Height Above Board: 0.180" (4.57mm) Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm) Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm Part Status: Active Number of Rows: 8 |
на замовлення 297 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
SEAF8-30-05.0-S-10-3 | Samtec | Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket |
на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
IRF830PBF Код товару: 163342 |
Виробник: Siliconix
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
Транзистори > Польові N-канальні
Uds,V: 500 V
Idd,A: 5 А
Rds(on), Ohm: 1,4 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 610/53
Монтаж: THT
у наявності: 24 шт
очікується:
100 шт
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 26 грн |
10+ | 23.4 грн |
100+ | 20.9 грн |
DE1-W4F-830-G3 DRAGEYE |
Виробник: Osram Digital Lighting System
4052899474741
4052899474741
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)FCF8-30-01-L-03.00-S |
Виробник: Samtec Inc.
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 0.250' (76.20mm, 3.000")
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 0.250' (76.20mm, 3.000")
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2282.08 грн |
10+ | 1924.38 грн |
25+ | 1841.23 грн |
50+ | 1672.18 грн |
FCF8-30-01-L-06.00-S |
Виробник: Samtec Inc.
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 6.00" (152.4mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 6.00" (152.4mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2821.06 грн |
10+ | 2378.8 грн |
FCF8-30-01-L-20.00-S |
Виробник: Samtec
Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly
Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4412.35 грн |
FCF8-30-01-L-20.00-S |
Виробник: Samtec Inc.
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 1.67' (508.00mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 1.67' (508.00mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4902.46 грн |
FCF8-30-01-L-30.00-S |
Виробник: Samtec Inc.
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 2.50' (762.00mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
Description: FCF8 CABLE ASSEMBLY
Packaging: Bag
Connector Type: Plug to Plug
Gender: Male to Male
Color: Blue
Length: 2.50' (762.00mm)
Shielding: Shielded
Number of Positions: 30
Cable Type: Flat, Twin Axial
Usage: Internal
Fastening Type: Latch Lock, Push-Pull
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 6553.1 грн |
FCF8-30-01-L-30.00-S |
Виробник: Samtec
Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly
Ribbon Cables / IDC Cables 0.80 mm High-Speed Cost-Effective Micro Coax Cable Assembly
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 5898.85 грн |
ILCX20-FF5F8-30.000MHZ |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
90+ | 29.51 грн |
850+ | 24.36 грн |
IRF830 |
Виробник: JSMicro Semiconductor
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 550V; 30V; 2,6Ohm; 4A; 33W; -55°C ~ 150°C; IRF830 JSMICRO TIRF830 JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 19.57 грн |
IRF830 |
на замовлення 291 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
50+ | 28.75 грн |
IRF8301MTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 34A DIRECTFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DirectFET™ Isometric MT
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 192A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 150µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MT
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 77 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6140 pF @ 15 V
на замовлення 311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 180.62 грн |
10+ | 144.59 грн |
100+ | 115.12 грн |
IRF8304MTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
Description: IRF8304 - 12V-300V N-CHANNEL POW
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DirectFET™ Isometric MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 15 V
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
356+ | 56.37 грн |
IRF8306MTRPBF |
Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DIRECTFET
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 23A, 10V
FET Feature: Schottky Diode (Body)
Power Dissipation (Max): 2.1W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4110 pF @ 15 V
на замовлення 9600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
237+ | 85.23 грн |
IRF8308MTRPBF |
Виробник: International Rectifier
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
Description: TRENCH MOSFET - DIRECTFET MV
Packaging: Bulk
Package / Case: DirectFET™ Isometric MX
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Ta), 150A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 27A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 100µA
Supplier Device Package: DIRECTFET™ MX
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4404 pF @ 15 V
на замовлення 10644 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
263+ | 76.5 грн |
IRF830; 4,5A; 500V; 1,5R; 74W; N-канальный; корпус: ТО220; VISHAY |
на замовлення 18 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 37.05 грн |
IRF830ALPBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5A; Idm: 20A; 74W; I2PAK,TO262
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: I2PAK; TO262
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 77.3 грн |
10+ | 64.88 грн |
16+ | 52.45 грн |
42+ | 49.69 грн |
IRF830ALPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
MOSFET N-Chan 500V 5.0 Amp
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 168.52 грн |
10+ | 135.63 грн |
100+ | 93.42 грн |
250+ | 86.14 грн |
500+ | 78.18 грн |
1000+ | 66.26 грн |
2000+ | 63.48 грн |
IRF830APBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 619 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 49.06 грн |
9+ | 39.34 грн |
10+ | 34.72 грн |
27+ | 30.37 грн |
73+ | 28.71 грн |
250+ | 27.61 грн |
IRF830APBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.2A; Idm: 20A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.2A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 619 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 58.87 грн |
6+ | 49.02 грн |
10+ | 41.66 грн |
27+ | 36.44 грн |
73+ | 34.45 грн |
250+ | 33.13 грн |
IRF830APBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 5458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.06 грн |
50+ | 78.42 грн |
100+ | 64.51 грн |
500+ | 51.23 грн |
1000+ | 43.47 грн |
2000+ | 41.3 грн |
5000+ | 39.09 грн |
IRF830APBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830A
MOSFET RECOMMENDED ALT IRF830A
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.68 грн |
10+ | 86.1 грн |
100+ | 61.55 грн |
500+ | 52.08 грн |
1000+ | 50.69 грн |
IRF830APBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 963 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.06 грн |
50+ | 78.42 грн |
100+ | 64.51 грн |
500+ | 51.23 грн |
IRF830APBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CH MOSFET
MOSFET 500V N-CH MOSFET
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 106.68 грн |
10+ | 84.58 грн |
100+ | 59.83 грн |
500+ | 52.08 грн |
1000+ | 52.01 грн |
2000+ | 50.69 грн |
IRF830ASPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 779 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 138.37 грн |
10+ | 99.06 грн |
100+ | 74.21 грн |
250+ | 72.22 грн |
500+ | 60.29 грн |
1000+ | 56.19 грн |
10000+ | 55.79 грн |
IRF830ASPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 404 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 141.91 грн |
50+ | 109.86 грн |
100+ | 90.4 грн |
IRF830ASTRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 9354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.38 грн |
10+ | 122.99 грн |
100+ | 97.87 грн |
IRF830ASTRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 86 грн |
1600+ | 70.27 грн |
2400+ | 66.76 грн |
5600+ | 60.29 грн |
IRF830ASTRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 143.78 грн |
10+ | 123.44 грн |
100+ | 86.8 грн |
250+ | 83.49 грн |
500+ | 74.21 грн |
800+ | 59.96 грн |
2400+ | 58.37 грн |
IRF830B |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 9803 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
513+ | 39.59 грн |
IRF830BPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
MOSFET 500V 1.5ohm@10V 5.3A N-Ch D-SRS
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 54.65 грн |
10+ | 43.05 грн |
100+ | 29.62 грн |
500+ | 28.49 грн |
IRF830BPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 2693 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 50.89 грн |
50+ | 39.27 грн |
100+ | 31.12 грн |
500+ | 24.76 грн |
1000+ | 24.49 грн |
IRF830BPBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 2747 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 77.3 грн |
10+ | 55.09 грн |
100+ | 36.71 грн |
500+ | 33.53 грн |
1000+ | 27.43 грн |
5000+ | 26.11 грн |
10000+ | 25.84 грн |
IRF830BPBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 325 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 72.39 грн |
IRF830PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
8+ | 52.77 грн |
9+ | 40.93 грн |
10+ | 36.1 грн |
25+ | 32.6 грн |
50+ | 32.44 грн |
68+ | 30.82 грн |
250+ | 30.3 грн |
IRF830PBF |
Виробник: Vishay
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
MOSFET N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
на замовлення 38 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 82.95 грн |
IRF830PBF |
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; 74W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Power dissipation: 74W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 38nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1938 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 63.33 грн |
6+ | 51 грн |
10+ | 43.32 грн |
25+ | 39.12 грн |
50+ | 38.93 грн |
68+ | 36.99 грн |
250+ | 36.36 грн |
IRF830PBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 6502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.78 грн |
50+ | 78.89 грн |
100+ | 62.52 грн |
500+ | 49.73 грн |
1000+ | 40.51 грн |
2000+ | 38.13 грн |
5000+ | 35.72 грн |
IRF830PBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 1379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 95.85 грн |
10+ | 77.72 грн |
100+ | 52.41 грн |
500+ | 44.39 грн |
1000+ | 36.11 грн |
2000+ | 33.99 грн |
5000+ | 32.33 грн |
IRF830PBF-BE3 |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 3267 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 101.78 грн |
50+ | 78.89 грн |
100+ | 62.52 грн |
500+ | 49.73 грн |
1000+ | 40.51 грн |
2000+ | 38.13 грн |
IRF830PBF-BE3 |
Виробник: Vishay / Siliconix
MOSFET 500V N-CH HEXFET
MOSFET 500V N-CH HEXFET
на замовлення 5688 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 105.13 грн |
10+ | 79.24 грн |
100+ | 58.9 грн |
500+ | 50.55 грн |
1000+ | 41.15 грн |
2000+ | 38.76 грн |
5000+ | 38.69 грн |
IRF830SPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
MOSFET 500V N-CH HEXFET D2-PA
на замовлення 1059 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 136.82 грн |
10+ | 116.58 грн |
100+ | 80.83 грн |
250+ | 76.86 грн |
500+ | 64.73 грн |
1000+ | 59.23 грн |
5000+ | 57.84 грн |
IRF830SPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1078 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 144.78 грн |
50+ | 112.35 грн |
100+ | 92.44 грн |
500+ | 73.4 грн |
1000+ | 62.28 грн |
IRF830STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 1310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 153.38 грн |
10+ | 122.99 грн |
100+ | 97.87 грн |
IRF830STRLPBF |
Виробник: Vishay Semiconductors
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
MOSFET N-Chan 500V 4.5 Amp
на замовлення 1141 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 145.33 грн |
10+ | 119.63 грн |
100+ | 82.82 грн |
250+ | 76.2 грн |
500+ | 68.91 грн |
800+ | 67.58 грн |
IRF830STRLPBF |
Виробник: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 4.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 610 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
800+ | 86 грн |
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E |
Виробник: CREE LED
LED Uni-Color White 3000K 2-Pin T/R
LED Uni-Color White 3000K 2-Pin T/R
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 0.7 грн |
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E |
Виробник: CreeLED, Inc.
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1113 (2835 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V
Current - Test: 150mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 240mA
Supplier Device Package: SMD
Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
CCT (K): 3000K
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ)
Part Status: Obsolete
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 1113 (2835 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V
Current - Test: 150mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 240mA
Supplier Device Package: SMD
Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
CCT (K): 3000K
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ)
Part Status: Obsolete
на замовлення 4928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
45+ | 6.45 грн |
100+ | 2.76 грн |
112+ | 2.48 грн |
500+ | 1.92 грн |
1000+ | 1.72 грн |
JE2835AWT-00-0000-000A0UF830E |
Виробник: CreeLED, Inc.
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1113 (2835 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V
Current - Test: 150mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 240mA
Supplier Device Package: SMD
Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
CCT (K): 3000K
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ)
Part Status: Obsolete
Description: LED J WARM WHT 3000K SMD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 1113 (2835 Metric)
Color: White, Warm
Size / Dimension: 0.138" L x 0.110" W (3.50mm x 2.80mm)
Mounting Type: Surface Mount
Voltage - Forward (Vf) (Typ): 3V
Current - Test: 150mA
Viewing Angle: 120°
Current - Max: 240mA
Supplier Device Package: SMD
Lumens/Watt @ Current - Test: 131 lm/W
Height - Seated (Max): 0.035" (0.90mm)
CCT (K): 3000K
CRI (Color Rendering Index): 90
Flux @ 25°C, Current - Test: 59lm (Typ)
Part Status: Obsolete
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4000+ | 1.57 грн |
MC56F83000-EVK |
Виробник: NXP USA Inc.
Description: MC56F83XXX EVK
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: DSP
Contents: Board(s)
Core Processor: 56800EX
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: MC56F83789
Part Status: Active
Description: MC56F83XXX EVK
Packaging: Bulk
Mounting Type: Fixed
Type: DSP
Contents: Board(s)
Core Processor: 56800EX
Board Type: Evaluation Platform
Utilized IC / Part: MC56F83789
Part Status: Active
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3557.87 грн |
MC56F83000-EVK |
Виробник: NXP Semiconductors
Development Boards & Kits - Other Processors MC56F83000-EVK
Development Boards & Kits - Other Processors MC56F83000-EVK
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 3964.77 грн |
PIC16F83-04/P |
Виробник: Microchip Technology
8-bit Microcontrollers - MCU .875KB 36 RAM 13 I/O
8-bit Microcontrollers - MCU .875KB 36 RAM 13 I/O
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 417.43 грн |
SEAF8-30-05.0-L-06-3 |
Виробник: Samtec Inc.
Description: CONN SOCKET HS HD ARRAY
Features: Board Guide
Packaging: Strip
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 180
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Number of Rows: 6
Description: CONN SOCKET HS HD ARRAY
Features: Board Guide
Packaging: Strip
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 180
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 10.0µin (0.25µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Number of Rows: 6
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1229.92 грн |
10+ | 1121.21 грн |
25+ | 1079.21 грн |
SEAF8-30-05.0-L-06-3 |
Виробник: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1317.98 грн |
10+ | 1229.82 грн |
25+ | 1028.99 грн |
50+ | 1003.81 грн |
100+ | 818.95 грн |
250+ | 758.65 грн |
SEAF8-30-05.0-S-04-3 |
Виробник: Samtec Inc.
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 4X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 120
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Number of Rows: 4
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 4X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 120
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Number of Rows: 4
на замовлення 392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1138.17 грн |
10+ | 1037.21 грн |
25+ | 998.43 грн |
50+ | 913.93 грн |
100+ | 745.94 грн |
250+ | 689.54 грн |
SEAF8-30-05.0-S-04-3 |
Виробник: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
на замовлення 101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1219.04 грн |
10+ | 1137.62 грн |
25+ | 952.13 грн |
50+ | 928.94 грн |
100+ | 757.99 грн |
250+ | 700.35 грн |
575+ | 602.95 грн |
SEAF8-30-05.0-S-06-3 |
Виробник: Samtec Inc.
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 6X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 180
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Part Status: Active
Number of Rows: 6
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 6X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 180
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Part Status: Active
Number of Rows: 6
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1353.91 грн |
10+ | 1234.26 грн |
25+ | 1187.76 грн |
50+ | 1087.37 грн |
100+ | 887.25 грн |
SEAF8-30-05.0-S-08-3 |
Виробник: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1849.81 грн |
10+ | 1725.86 грн |
25+ | 1444.43 грн |
50+ | 1409.31 грн |
100+ | 1149.58 грн |
250+ | 1064.77 грн |
SEAF8-30-05.0-S-08-3 |
Виробник: Samtec Inc.
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 8X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 240
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Part Status: Active
Number of Rows: 8
Description: CONN HD ARRAY RCPT 0.8MM 8X30POS
Packaging: Cut Tape (CT)
Features: Board Guide
Connector Type: High Density Array, Female
Contact Finish: Gold
Mounting Type: Surface Mount
Number of Positions: 240
Pitch: 0.031" (0.80mm)
Height Above Board: 0.180" (4.57mm)
Contact Finish Thickness: 30.0µin (0.76µm)
Mated Stacking Heights: 7mm, 10mm
Part Status: Active
Number of Rows: 8
на замовлення 297 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1726.61 грн |
10+ | 1573.56 грн |
25+ | 1514.74 грн |
50+ | 1386.97 грн |
100+ | 1131.66 грн |
SEAF8-30-05.0-S-10-3 |
Виробник: Samtec
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
Board to Board & Mezzanine Connectors 0.80 mm SEARAY High-Speed High-Density Open-Pin-Field Array Socket
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2101.04 грн |
10+ | 1961.3 грн |
25+ | 1641.87 грн |
50+ | 1601.46 грн |
100+ | 1306.61 грн |
250+ | 1209.21 грн |
Обрати Сторінку:
1
2
[ Наступна Сторінка >> ]