Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
AOD5N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 3.1A; 104W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 3.1A
Power dissipation: 104W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 11.5nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 190 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+99.11 грн
11+38.14 грн
25+30.76 грн
100+28.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50
Код товару: 145010
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50MAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5N50_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V
на замовлення 85 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.04 грн
10+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD5T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 3.9A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 273 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 52W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.45Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO252
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
на замовлення 2471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.28 грн
10+81.56 грн
100+54.79 грн
500+40.65 грн
1000+37.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 608 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 3486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.48 грн
10+85.59 грн
100+57.61 грн
500+42.84 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD600A70RAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.48 грн
10+85.59 грн
100+57.61 грн
500+42.84 грн
1000+39.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AOTO-252
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AALPHA&OMEGATransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 110mOhm/180mOhm; 12A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C; AOD603A TAOD603a
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+32.72 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 60V 3.5A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A, 3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AimportTransistor N/P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 85mOhm/150mOhm; 13A/13A; 27W/42,5W; -55°C ~ 175°C; AOD603A TO252/4 TAOD603a c
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.22 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603AAlpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 60V 3.5A/3A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD603LAO07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD604Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-6, DPak (5 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-5
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD604LAOSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606
Код товару: 29164
Додати до обраних Обраний товар
A&OТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak-5 (TO-252-5)
Напруга сток-витік Uds, V: 40 V
Струм стоку Idd, A: 8 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,033 Ohm
Монтаж: SMD
у наявності: 4 шт
  • 2 шт - склад
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+62.50 грн
10+57.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.6W, 1.7W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 404pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 8A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD606LAO07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2.1W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607AAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 8A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 19W (Tc), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 395pF @ 15V, 730pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 8A, 10V, 27mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7nC @ 4.5V, 12nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607LAOSOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607_001Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Supplier Device Package: TO-252-4L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD607_DELTAAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 30V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 25W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250pF @ 15V, 1100pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 12A, 10V, 37mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.5nC @ 4.5V, 11.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 8.3/16.2nC
Kind of channel: enhancement
Semiconductor structure: common drain
на замовлення 511 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+55.36 грн
17+25.54 грн
25+20.40 грн
100+18.99 грн
500+17.83 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 109881 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.06 грн
10+62.38 грн
100+41.42 грн
500+30.43 грн
1000+27.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
805+17.59 грн
1224+11.56 грн
1237+11.44 грн
1389+9.82 грн
1586+7.96 грн
Мінімальне замовлення: 805 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609ALPHA&OMEGATransistor N/P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 46mOhm/66mOhm; 12A; 27W/30W; -55°C ~ 175°C; AOD609 TAOD609
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 46 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+18.91 грн
Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel, Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+27.42 грн
5000+24.46 грн
7500+23.48 грн
12500+20.99 грн
17500+20.37 грн
25000+20.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A 5-Pin(4+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.49 грн
43+17.59 грн
100+11.15 грн
250+10.21 грн
500+8.73 грн
1000+7.65 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609
Код товару: 207715
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609AOSTrans MOSFET N/P-CH 40V 12A DPAK Транзистори
на замовлення 30 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
9+38.84 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 20V, 890pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 40/-40V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 40/-40V
Drain current: 12/-12A
Power dissipation: 14/15W
Case: TO252-4
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30/45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 10/15.5nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD609GAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N/P-CH 40V 12A TO252-4L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPAK (4 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta), 27W (Tc), 2W (Ta), 30W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545pF @ 20V, 890pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 12A, 10V, 45mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13nC @ 10V, 21nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-4L
Part Status: Active
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD661Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET 2 N-CH 30V 12A TO252-4L
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
на замовлення 16258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+72.84 грн
10+43.95 грн
100+28.72 грн
500+20.80 грн
1000+18.82 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 25A/60A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.1mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1480 pF @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+18.44 грн
5000+16.34 грн
7500+15.62 грн
12500+13.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66406Alpha & Omega SemiconductorN-Channel MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66919ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 220A; 62W
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TO252
Gate charge: 47nC
On-state resistance: 6.5mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 62W
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 220A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66919Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3420 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 156W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 70A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+40.94 грн
5000+36.78 грн
7500+35.43 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; AlphaSGT™; unipolar; 100V; 70A; Idm: 180A
Technology: AlphaSGT™
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: TO252
Gate charge: 35nC
On-state resistance: 8.2mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 35.5W
Drain current: 70A
Drain-source voltage: 100V
Pulsed drain current: 180A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66920Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 19.5A/70A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19.5A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.2mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 50 V
на замовлення 10293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.91 грн
10+88.72 грн
100+60.00 грн
500+44.75 грн
1000+41.03 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 16.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 7751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.31 грн
10+77.31 грн
100+51.87 грн
500+38.45 грн
1000+35.16 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 36.5A; 29W; TO252
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Case: TO252
Gate charge: 12.5nC
On-state resistance: 11mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 29W
Drain current: 36.5A
Drain-source voltage: 100V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.5A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.2W (Ta), 73W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.6V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 50 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+34.96 грн
5000+31.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD66923AOSMOSFET N-CH 100V 16.5A/58A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B60M1ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 6A; 28W; TO252; Eoff: 0.09mJ; Eon: 0.12mJ
Case: TO252
Type of transistor: IGBT
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Turn-on time: 20ns
Turn-off time: 158ns
Turn-off switching energy: 0.09mJ
Turn-on switching energy: 0.12mJ
Power dissipation: 28W
Collector-emitter saturation voltage: 1.7V
Collector current: 6A
Pulsed collector current: 18A
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector-emitter voltage: 600V
на замовлення 1604 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+22.32 грн
22+19.73 грн
25+18.82 грн
250+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B60M1AOSТранзистор: IGBT; 600В; 6А; 28Вт; TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6B65MQ1EAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 8A
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 81 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 6A
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Td (on/off) @ 25°C: 9ns/91ns
Switching Energy: 110µJ (on), 80µJ (off)
Test Condition: 400V, 6A, 50Ohm, 15V
Gate Charge: 13.5 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 96 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50AOSMOSFET N-CH 500V 5.3A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 5.3A 3-Pin(2+Tab) DPAK
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD6N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD780A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: N
Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 780mOhm @ 1.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.5 nC @ 10 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7B65M3Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: IGBT 650V 7A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N60ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 4.5A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 4.5A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.3Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 24nC
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4.3A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.56Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 19.6nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.73 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65AOSMOSFET N-CH 650V 7A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.56Ohm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180 pF @ 25 V
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.31 грн
10+77.08 грн
100+51.75 грн
500+38.36 грн
1000+35.08 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7N65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+42.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4907 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+176.68 грн
10+109.54 грн
100+74.75 грн
500+56.17 грн
1000+51.68 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S60Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S60Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.40 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S65
Код товару: 184626
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S65Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 89W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+174.35 грн
10+107.75 грн
100+73.59 грн
500+55.34 грн
1000+50.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S65Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD7S65ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 5A; 89W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 5A
Power dissipation: 89W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.64Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 9.2nC
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD8N25Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 250V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD8N25Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.75 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD8N25Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+13.75 грн
5000+13.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD950A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO252
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD950A70Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO252
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 400V 8A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N40Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N CH 400V 8A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+108.49 грн
10+66.19 грн
100+44.25 грн
500+32.70 грн
1000+29.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N50ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.7A
Power dissipation: 178W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 860mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 13.1nC
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1463 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
12+39.29 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N50Alpha & Omega SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9N50Alpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 178W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AOD9T40PAlpha & Omega Semiconductor Inc.Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9