Продукція > AOD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AOD7N65 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 4.3A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 4.3A Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.56Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.6nC Kind of channel: enhancement Power dissipation: 178W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD7N65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V | на замовлення 4907 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 372 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD7S60 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD7S65 Код товару: 184626
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V | на замовлення 2492 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 650V 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD7S65 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 650V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 434 pF @ 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD8B65MQ1 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 650V; 8A; 36W; TO252 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 8A Power dissipation: 36W Case: TO252 Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 24A Mounting: SMD Gate charge: 22nC Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 250V 8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD8N25 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 5A; 78W; TO252 Case: TO252 Mounting: SMD Power dissipation: 78W Gate charge: 6nC Polarisation: unipolar Drain current: 5A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.56Ω | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD8N25 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N CH 250V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 560mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 306 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD950A70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO252 | на замовлення 2326 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD950A70 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 700V 5A TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9N40 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 5A; 125W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 5A Power dissipation: 125W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.8Ω Mounting: SMD Gate charge: 19.5nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD9N40 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N CH 400V 8A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 4A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9N50 | ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.7A; 178W; TO252 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 5.7A Power dissipation: 178W Case: TO252 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 860mΩ Mounting: SMD Gate charge: 13.1nC Kind of channel: enhancement | на замовлення 1443 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | на замовлення 4410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| AOD9N50 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 500V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 860mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 178W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9T40P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9T40P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| AOD9T40P | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | Description: MOSFET N-CH 400V 6.6A | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

