Продукція > FDB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDB86366-F085ON Semiconductor
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86366-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6280 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.98 грн
10+171.71 грн
100+120.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86563-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 333
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0016
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085onsemi / FairchildMOSFETs 60V, 110A, 1.6mO, D2PAK
N-Channel PowerTrench
на замовлення 3194 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.08 грн
10+165.05 грн
100+129.59 грн
500+106.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085ON Semiconductor
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085onsemiDescription: N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET, 60
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 163 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 333W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86563-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Verlustleistung: 176
Transistormontage: Oberflächenmontage
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
Qualifikation: AEC-Q101
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86566-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 110 A, 0.0022 ohm, TO-263 (D2PAK)
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 110
Qualifikation: AEC-Q101
Verlustleistung Pd: 176
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2
Verlustleistung: 176
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PowerTrench
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0022
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0022
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085onsemi / FairchildMOSFET 60V N-channel LL PowerTrench MOSFET
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 420-429 дні (днів)
2+231.66 грн
10+205.92 грн
25+169.30 грн
100+144.22 грн
500+118.44 грн
800+97.54 грн
2400+88.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86566-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB86569-F085 - MOSFET'S - SINGLE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
Dauer-Drainstrom Id: 80
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 94
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0044
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB86569-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 60V SG N-channel PowerTrench MOSFET
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CH Logic Level PowerTrench MOSFET
на замовлення 3608 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta), 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832UMWDescription: MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.96 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 34A TO263AB
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11400 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 265 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8832_F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 34A D2PAK
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PwrTrch MOSFET
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+330.49 грн
10+291.17 грн
25+279.38 грн
50+266.77 грн
100+206.68 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 80A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860-F085Fairchild SemiconductorDescription: FDB8860 - N-CHANNEL LOGIC LEVEL
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12585 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 214 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 254W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+127.18 грн
Мінімальне замовлення: 174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860-F085onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Ch PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 31A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860_SB82193onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860_SB82194onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860_SN00039onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8860_SN00040onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 2877 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 17712 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 23321 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8870 - MOSFET, N-CH, 30V, 35A, 175DEG C, 160W
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+77.55 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1352 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+165.82 грн
10+135.41 грн
100+94.06 грн
250+87.09 грн
500+78.73 грн
800+66.75 грн
2400+61.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2077 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
1000+107.20 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
на замовлення 55520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
270+83.29 грн
Мінімальне замовлення: 270 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+119.04 грн
500+113.51 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V 160A 3.9Mohm N-CH POWERTRENCH
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 23A/160A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5200 pF @ 15 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
307+73.53 грн
Мінімальне замовлення: 307 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8870PB
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8874ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8874 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0047 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 110
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
Verlustleistung: 110
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0047
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0047
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8874onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 21A/121A TO263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8874fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8874onsemi / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8876Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 71A TO263AB
на замовлення 7486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 628 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8876fairchild07+ to-263/d2-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8876ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8876 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7486 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
696+56.90 грн
Мінімальне замовлення: 696 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8878Rochester Electronics, LLCDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
на замовлення 4846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 658 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8878fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8880Fairchild SemiconductorDescription: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
на замовлення 1356 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
516+45.46 грн
Мінімальне замовлення: 516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8880ON Semiconductor / FairchildMOSFET NCH PWR TRNCH MOSFET 30V 54A 11.6 OHMS
на замовлення 2033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8880-NLFAIRCHILDTO-263 0710+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8880-ONonsemiDescription: 11A, 30V, 0.0145OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.6mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1240 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896fairchildto-263/d2-pak
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-Channel PowerTrench
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.28 грн
10+105.37 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ONSEMIDescription: ONSEMI - FDB8896 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 93 A, 0.0049 ohm, TO-263AB, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 93
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 80
Bauform - Transistor: TO-263AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0049
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 2.5
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 93A TO-263AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 30V N-CHAN PwrTrench
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896-F085Fairchild SemiconductorDescription: 19A, 30V, 0.0068OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 93A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 35A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2525 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB8896_NLFAIRCHIL09+ SOT23
на замовлення 812 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL, MOSFET
на замовлення 8787 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 141 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.34 грн
10+223.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403-F085ON Semiconductor
на замовлення 1555 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403-F085ON Semiconductor / FairchildMOSFET 40V 110A 1.2mOhm N PowerTrench MOSFET
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A TO263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403L-F085Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+174.84 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403L-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 110A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 333W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 245 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDB9403L-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+100.99 грн
10+99.41 грн
25+97.83 грн
100+92.80 грн
250+84.52 грн
500+79.79 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19  [ Наступна Сторінка >> ]