Продукція > NTB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06ConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 54A/470A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54A (Ta), 470A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 314W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 661µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13730 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06ConsemiMOSFETs NFET TOLL 60V 0.75MO
на замовлення 795 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D7N06CONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D7N06C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 470 A, 560 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 470A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 314W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 560µohm
на замовлення 1298 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 457, Ciss, пФ @ Uds, В = 12920 @ 40, Qg, нКл = 174 @ 10, Rds = 790 мкОм, Ugs(th) = 3,6, Р, Вт = 325, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: H-PSOF8L-8 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 2000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG
Код товару: 219030
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
на замовлення 33673 шт:
термін постачання 210-219 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGOn SemiconductorN-Channel 80 V 457A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 457A; Idm: 1629A; 325W
Mounting: SMD
Case: H-PSOF8L
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 1629A
Power dissipation: 325W
Gate charge: 262nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 457A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.79mΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+577.04 грн
10+377.67 грн
100+276.87 грн
500+254.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 351A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 166nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 4371 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 298A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.53mΩ
Pulsed drain current: 4487A
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+666.35 грн
10+439.30 грн
100+328.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V IN TOLL
на замовлення 7970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+271.36 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONN
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
на замовлення 7373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+653.15 грн
10+430.25 грн
100+319.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 3281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 203A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Pulsed drain current: 1173A
Gate charge: 121nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+179.20 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
на замовлення 802 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+368.12 грн
10+297.65 грн
100+240.78 грн
500+200.86 грн
1000+171.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+586.36 грн
10+383.81 грн
100+281.71 грн
500+260.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 272A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Pulsed drain current: 2137A
Gate charge: 115nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 3100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+539.76 грн
10+351.80 грн
100+256.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 316W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 90.4nC
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 4.4mΩ
Drain current: 187A
Pulsed drain current: 2255A
Drain-source voltage: 150V
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 3100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM11R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM11R1U01110TAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 1Gbit/s Code A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM12R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x2 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM13R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x3 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM14R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x4 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM15R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x5 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM16R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x6 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM17R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x7 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBMS-FSNXPNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools NewTec NXP BMS Kit
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBMS-FSNXPNXP USA Inc.Description: EVAL BD FS4503C MC33772B S32K144
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor, Car
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FS4503C, MC33772B, S32K144
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+72184.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBNApex Tool GroupDescription: TIP SOLDER CHISEL DIM .094"
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M12Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M12X1.5, BRASS
Features: M12 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+91.64 грн
10+76.73 грн
30+73.47 грн
50+67.42 грн
100+64.36 грн
250+58.23 грн
500+53.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M16Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M16X1.5, BRASS
Features: M16 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.08 грн
10+81.89 грн
30+78.38 грн
50+71.91 грн
100+68.65 грн
250+62.12 грн
500+56.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M20Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.76 грн
10+69.33 грн
30+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M20-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M25Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M25X1.5, BRASS
Features: M25 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+141.35 грн
10+123.55 грн
30+117.04 грн
50+107.27 грн
100+102.16 грн
250+89.93 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M32Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
Features: M32 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.07 грн
12+224.92 грн
102+198.21 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M32-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M40Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M40X1.5, BRASS
Features: M40 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.00 грн
12+197.69 грн
30+187.22 грн
54+171.63 грн
102+163.45 грн
252+143.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M50Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M50X1.5, BRASS
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: M50 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+657.81 грн
12+570.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M63Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M63X1.5, BRASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P07Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
15+20.87 грн
30+18.90 грн
50+16.96 грн
100+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P07-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P09Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG09, BRASS-NI
Packaging: Bulk
Features: PG9 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.60 грн
10+37.99 грн
30+35.15 грн
50+31.81 грн
100+30.28 грн
250+28.39 грн
500+26.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P16Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG16, BRASS-NI
Features: PG16 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.11 грн
10+55.79 грн
30+49.16 грн
50+43.50 грн
100+40.22 грн
250+36.33 грн
500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P21Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG21, BRASS-NI
Features: PG21 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 387 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.55 грн
10+67.08 грн
30+62.05 грн
50+56.16 грн
100+53.48 грн
250+50.13 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P29Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG29, BRASS-NI
Features: PG29 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.99 грн
12+62.01 грн
30+59.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P36Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG36, BRASS-NI
Features: PG36 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.24 грн
12+120.41 грн
30+114.05 грн
54+104.55 грн
102+99.58 грн
252+87.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P42Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG42, BRASS-NI
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: PG42 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+327.74 грн
12+286.81 грн
28+271.64 грн
52+248.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P48Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG48, BRASS-NI
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: PG48 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+427.15 грн
12+373.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBR25-045LVYAGEO NTC,5mm, 20ohm 3A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBR25-045MVYAGEO NTC,5mm, 20ohm 3A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+521.12 грн
10+358.98 грн
100+263.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiMOSFETs NMOS 60V 2.7 MOHM
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MConsemiMOSFETs MOSFET - Single N-Channel 100 V, 9.0 mohm, 60 A
на замовлення 6419 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-F135L10P3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-F153L10-P3-A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-R153H09-P3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV25P06T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV30N20T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06LT4GonsemiMOSFETs NFET 60V 45A 28MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11  [ Наступна Сторінка >> ]