Продукція > NTB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXG
Код товару: 219030
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGOn SemiconductorN-Channel 80 V 457A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount 8-HPSOF Транзистори
на замовлення 12 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS0D8N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 457 A, 790 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 457A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 325W
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 790µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER 80V SINGLE N-CHANN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 457A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.79mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 325W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.6V @ 720µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 174 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12920 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGonsemiMOSFETs T10S 80V SG NCH MOSFET TOLL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS0D8N08XTXGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 80V 457A 9-Pin(8+Tab) HPSOF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HON Semiconductor
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 351 A, 0.00105 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 351
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 311
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 9
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00105
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HON SemiconductorSingle N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+574.38 грн
10+375.75 грн
50+299.87 грн
100+258.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 351A; Idm: 900A; 311W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 311W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 351A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.05mΩ
Pulsed drain current: 900A
Gate charge: 166nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08HonsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 41A/351A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 351A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.2W (Ta), 311W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 650µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 166 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11200 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGonsemiMOSFETs T10 80V SG TOLL
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: Y
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
на замовлення 1953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+447.80 грн
10+288.82 грн
50+227.86 грн
100+195.42 грн
500+180.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D1N08XTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D1N08XTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 299 A, 0.0011 ohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 299A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.6V
Verlustleistung: 197W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 298A; Idm: 4487A; 2.9W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 2.9W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 298A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 80V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.53mΩ
Pulsed drain current: 4487A
Gate charge: 111nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N08MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 298 A, 1300 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 298A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 250W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiMOSFETs PTNG 80V IN TOLL
на замовлення 5956 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N08MConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 32A/298A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 298A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.53mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 710µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 111 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8170 pF @ 40 V
на замовлення 1385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+677.24 грн
10+446.45 грн
50+358.55 грн
100+313.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
на замовлення 513 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+650.34 грн
10+428.09 грн
50+343.55 грн
100+298.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 2627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Ta), 312A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 322W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 799µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 131 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10100 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D5N10MCTXG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 312 A, 1500 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 312A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 322W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1500µohm
на замовлення 3886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONN
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D5N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 312A; Idm: 2055A; 161W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 161W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 312A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.5mΩ
Pulsed drain current: 2055A
Gate charge: 131nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 167W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00129ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
на замовлення 5930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+375.01 грн
10+303.22 грн
100+245.29 грн
500+204.62 грн
1000+175.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS1D7N08H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 203 A, 1290 µohm, TO-LL, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 203A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
Verlustleistung: 167W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-LL
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1290µohm
на замовлення 797 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 203A; Idm: 1173A; 83W; H-PSOF8L
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 203A
Pulsed drain current: 1173A
Power dissipation: 83W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.7mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 121nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiDescription: MOSFET - POWER, SINGLE, N-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7675 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 121 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 479µA
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.7mOhm @ 80A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 203A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerSFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+182.56 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N08HonsemiMOSFETs T8-80V IN TOLL FOR INDUSTRIAL MARKET
на замовлення 3281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 272A; Idm: 2137A; 147W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 272A
Pulsed drain current: 2137A
Power dissipation: 147W
Case: H-PSOF8L
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
на замовлення 1776 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+597.33 грн
10+390.99 грн
100+286.98 грн
500+264.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiMOSFETs PTNG 100V STD TOLL
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS1D7N10MCTXGonsemiDescription: MOSFET, POWER, SINGLE N-CHANNEL,
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 272A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 295W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 698µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiMOSFETs PTNG 150V IN CEBU TOLL FOR INDUSTRIAL
на замовлення 3376 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 3100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 316W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONN
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBLS4D0N15MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 187 A, 3100 µohm, H-PSOF, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 187A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 316W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: H-PSOF
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 95 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MConsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 19A/187A 8HPSOF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 187A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 316W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 584µA
Supplier Device Package: 8-HPSOF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7490 pF @ 75 V
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+537.20 грн
10+350.07 грн
50+278.58 грн
100+239.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBLS4D0N15MCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 187A; Idm: 2255A; 316W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 316W
Case: H-PSOF8L
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.4mΩ
Pulsed drain current: 2255A
Gate charge: 90.4nC
Drain current: 187A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 150V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM11R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM11R1U01110TAmphenol Commercial ProductsModular Connectors / Ethernet Connectors NETBridge 1x1 RA DIP 1Gbit/s Code A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM12R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x2 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM13R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x3 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM14R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x4 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM15R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x5 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM16R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x6 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBM17R0U01110TAmphenol Commercial ProductsAutomotive Connectors NETBridge 1x7 RA DIP 100Mbit/s Code A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBMS-FSNXPNXP USA Inc.Description: EVAL BD FS4503C MC33772B S32K144
Packaging: Bulk
Function: Battery Monitor, Car
Type: Power Management
Utilized IC / Part: FS4503C, MC33772B, S32K144
Supplied Contents: Board(s)
Embedded: Yes, MCU, 32-Bit
Part Status: Active
Contents: Board(s)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+74071.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBMS-FSNXPNXP SemiconductorsPower Management IC Development Tools NewTec NXP BMS Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBNApex Tool GroupDescription: TIP SOLDER CHISEL DIM .094"
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M12Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M12X1.5, BRASS
Features: M12 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+93.36 грн
10+78.17 грн
30+74.84 грн
50+68.68 грн
100+65.56 грн
250+59.32 грн
500+54.07 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M16Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M16X1.5, BRASS
Features: M16 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.90 грн
10+83.42 грн
30+79.84 грн
50+73.26 грн
100+69.94 грн
250+63.28 грн
500+57.67 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M20Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.40 грн
10+70.62 грн
30+67.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M20-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M20X1.5, BRASS
Features: M20 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M25Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M25X1.5, BRASS
Features: M25 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 683 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+143.99 грн
10+125.86 грн
30+119.23 грн
50+109.28 грн
100+104.07 грн
250+91.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M32Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
Features: M32 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+261.87 грн
12+229.13 грн
102+201.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M32-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M32X1.5, BRASS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M40Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M40X1.5, BRASS
Features: M40 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+230.23 грн
12+201.38 грн
30+190.72 грн
54+174.84 грн
102+166.51 грн
252+146.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M50Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M50X1.5, BRASS
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: M50 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+670.11 грн
12+580.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-M63Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, M63X1.5, BRASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P07Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
10+38.55 грн
30+35.68 грн
50+32.29 грн
100+30.74 грн
250+28.82 грн
500+26.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P07-EMVFraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG07, BRASS-NI
Features: PG7 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P09Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG09, BRASS-NI
Packaging: Bulk
Features: PG9 Thread
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
Part Status: Active
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+47.47 грн
10+38.70 грн
30+35.81 грн
50+32.40 грн
100+30.85 грн
250+28.92 грн
500+27.08 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P16Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG16, BRASS-NI
Features: PG16 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.53 грн
10+56.83 грн
30+50.08 грн
50+44.31 грн
100+40.98 грн
250+37.01 грн
500+33.76 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P21Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG21, BRASS-NI
Features: PG21 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+87.82 грн
10+71.84 грн
30+66.49 грн
50+60.17 грн
100+57.31 грн
250+53.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P29Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG29, BRASS-NI
Features: PG29 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 357 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+81.49 грн
12+63.17 грн
30+60.31 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P36Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG36, BRASS-NI
Features: PG36 Thread
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Material: Brass, Nickel Plated
Accessory Type: Locknut
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.83 грн
12+122.66 грн
30+116.18 грн
54+106.51 грн
102+101.44 грн
252+89.29 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P42Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG42, BRASS-NI
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: PG42 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.87 грн
12+292.17 грн
28+276.72 грн
52+253.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBN-P48Fraenkische USA, LPDescription: FIPLOCK, LOCKNUT, PG48, BRASS-NI
Accessory Type: Locknut
Material: Brass, Nickel Plated
For Use With/Related Products: Fiplock ONE® Series
Features: PG48 Thread
Packaging: Bulk
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+435.14 грн
12+380.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBR25-045LVYAGEO NTC,5mm, 20ohm 3A +/-15% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBR25-045MVYAGEO NTC,5mm, 20ohm 3A +/-20% box
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiMOSFETs NMOS 60V 2.7 MOHM
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+530.87 грн
10+365.69 грн
100+268.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS2D7N06M7onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 110A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.7mOhm @ 80A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6655 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MConsemiMOSFETs PTNG 100V 9.0MOHM D2PAK-3L
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBS9D0N10MCONSEMIDescription: ONSEMI - NTBS9D0N10MC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 60 A, 7800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7800µohm
на замовлення 961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-F135L10P3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-F153L10-P3-A
на замовлення 309 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBT-R153H09-P3
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV25P06T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 27.5A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV30N20T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 200V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Supplier Device Package: D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06LT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06LT4GonsemiMOSFETs NFET 60V 45A 28MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
на замовлення 61003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
329+66.24 грн
Мінімальне замовлення: 329 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 22.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV45N06T4GONSEMIDescription: ONSEMI - NTBV45N06T4G - NTBV45N06T4G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 61003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV5605T4GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 60V 18.5A D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV5605T4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 18.5A 14MO
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTBV75N06T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 37.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4510 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10