Продукція > RJK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK6002DPH-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET , 600V 2A , LDPAK-S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6002DPH-E0#T2 | Renesas | Description: RJK6002DPH - N CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-251 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 165 pF @ 25 V | на замовлення 3467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6006DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 5A MP3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77.6W (Tc) Supplier Device Package: MP-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6006DPD-00#J2 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6006DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Ta) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6006DPP-A0#T2 | Renesas Electronics | MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS TO220FP MOS AP5H POWER | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6006DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6006DPP-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET, 600V, TO-220FP, Pb Free | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6009DPP-00#T2 | Renesas Electronics America Inc | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 99 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6011DJE-00#Z0 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6011DJE-00#Z0 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 100MA TO92MOD Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92MOD Power Dissipation (Max): 900mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52Ohm @ 50mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6011DP3-A0#J2 | Renesas | Description: RJK6011DP3-A0#J2 - SILICON NCH S Packaging: Bulk Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6012 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6012DPE | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6012DPE-00#J3 | Renesas Electronics | MOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-263 / D2PAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6012DPE-00#J3 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 10A 4LDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LDPAK Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-83 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6012DPE-00-J3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6012DPP | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6012DPP-00#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 1385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6012DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.37Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 29.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 765 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6012DPP-A0#T2 | Renesas Electronics | MOSFETs Nch Power MOSFET 600V 10A 920mohm TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6012DPP-E0#T2 | Renesas | TO-220FPNCH, кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6012DPP-E0#T2 | Renesas | Description: RJK6012DPP - N CHANNEL MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 920mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V | на замовлення 3960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6012DPP-K0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6013 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6013DPE | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-83 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LDPAK Power Dissipation (Max): 100W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics | MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6013DPE-00-J3 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6013DPE-WS#J3 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-83 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LDPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6013DPP | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6013DPP-00#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 36564 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6013DPP-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6013DPP-E0#T2 | Renesas | Description: RJK6013DPP-E0#T2 - SILICON N CHA Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V | на замовлення 1877 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6014DPK | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6014DPK-00#T0 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6014DPK-00#T0 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 16A TO3P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6014DPP | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6014DPP-00#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 420 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: RJK6014DPP-A0#T2 Packaging: Tray Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FPA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6014DPP-A0#T2 | Renesas Electronics | MOSFETs Nch Power MOSFET 600V 16A 575mohm TO-220F | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6014DPP-E0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 575mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V | на замовлення 5052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6014DPP-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET Power TRS, 600V/16A, TO-220FN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6015DPK | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6015DPK-00#T0 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6015DPK-00#T0 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3P Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3P Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6015DPM-00#T1 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 21A TO3PFM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Supplier Device Package: TO-3PFM Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6015DPM-00#T1 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6018DPK | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6018DPK-00#T0 | Renesas | Trans MOSFET N-CH 600V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 9 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6018DPK-00#T0 | Renesas Electronics | MOSFET PWR MOS TRS TO3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6018DPK-00#T0 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6018DPM-00#T1 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PFM Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4100 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3PFM Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 235mOhm @ 15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6018DPM-00#T1 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6020DPK | на замовлення 8200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6020DPK-00#T0 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 32A TO3P | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6020DPK-00#T0 | Renesas Electronics | MOSFET PMOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6022DJE-00#Z0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 0.2A TO92 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DP3-A0#J2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Supplier Device Package: MP-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6024DPD-00#J2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET, 600V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA MP3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 27.2W (Tc) Supplier Device Package: MP-3A Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 0.4A LDPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6024DPH-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET Power MOSFET , 600V, IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6025DPD-00#J2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 1A MP3A Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 29.7W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: MP-3A Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37.5 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6025DPD-00#J2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET, 600V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6025DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 0.8A LDPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6026DPE | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6026DPE-00#J3 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET, 600V, LDPAK(S)-(1), Pb Free | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6026DPE-00#J3 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 5A 4LDPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active Supplier Device Package: LDPAK Power Dissipation (Max): 62.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-83 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6026DPP | на замовлення 15 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| RJK6026DPP-00#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 25529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6026DPP-90#T2F | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 38500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6026DPP-B1#T2F | Renesas Electronics Corporation | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6026DPP-E0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 5A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 2.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28.5W (Tc) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V | на замовлення 40100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6029DJA-00#Z0 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6032DPD-00#J2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6032DPD-00#J2 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 3A MP3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 285 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: MP-3A Power Dissipation (Max): 40.3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3Ohm @ 1.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6032DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America Inc | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO251 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6032DPH-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2750 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6034DPH-E0#T2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V TO252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6034DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6035DPP-A0#T2 | Renesas Electronics | MOSFETs POWER TRS1 HV-MOS/IGBT | на замовлення 1017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6035DPP-A0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 1.2A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| RJK6035DPP-E0#T2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6035DPP-E0#T2 | Renesas | TO-220FPNCH, кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6035DPP-E0#T2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET, 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK6036DP3-A0#J2 | Renesas Electronics | MOSFET MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S1DPD-00#J2 | Renesas | TO252/VDSS 600V, ID(DC)8A, кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S1DPP-E0#T2 | Renesas | TO-220FPNCH, кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S2DPP-E0#T2 | Renesas | TO-220FPNCH, кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPD-00#J2 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A MP-3A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPE-00#J3 | Renesas | 4-LDPAK/MOSFET N-CH 600V 12A RJK60S3 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LDPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| RJK60S3DPP-E0#T2 | Renesas Electronics Corporation | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FP Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 440mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 27.7W (Tc) Supplier Device Package: TO-220FP Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 720 pF @ 25 V | на замовлення 129813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

