Продукція > STG

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STGB40V60FSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB40V60F - IGBT, 80 A, 1.8 V, 283 W, 600 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 283W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 80A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench V Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 957 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+207.16 грн
10+173.21 грн
25+171.51 грн
100+136.29 грн
250+124.93 грн
500+110.48 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.69 грн
2000+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 80A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+115.69 грн
2000+111.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB40V60FSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 40A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 52ns/208ns
Switching Energy: 456µJ (on), 411µJ (off)
Test Condition: 400V, 40A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 226 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 80 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 283 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 8A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 133 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A
Supplier Device Package: D2PAK
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/86ns
Switching Energy: 40µJ (on), 136µJ (off)
Test Condition: 400V, 4A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 15.2 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 16 A
Power - Max: 68 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB4M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 86A TO-263
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/115ns
Switching Energy: 910µJ (on), 580µJ (off)
Test Condition: 400V, 50A, 4.7Ohm, 15V
Gate Charge: 151 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 86 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 150 A
Power - Max: 272 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.55V
Verlustleistung Pd: 272W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 86A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 86A 272W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D2PAK packa
на замовлення 5140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB50H65FB2 - IGBT, 86 A, 1.55 V, 272 W, 650 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.55V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 86A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HB2
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB50H65FB2STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 650V; 53A; 272W; D2PAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 53A
Power dissipation: 272W
Case: D2PAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 150A
Mounting: SMD
Gate charge: 151nC
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 10A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DFSTMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB5H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 10A TO-263
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 134.5 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/140ns
Switching Energy: 56µJ (on), 78.5µJ (off)
Test Condition: 400V, 5A, 47Ohm, 15V
Gate Charge: 43 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 20 A
Power - Max: 88 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1977 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.92 грн
10+73.44 грн
100+49.29 грн
500+36.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 650V 12A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2STMicroelectronicsIGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 6 A low loss
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6M65DF2STMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 650V 12A D2PAK
Current - Collector Pulsed (Icm): 24 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector (Ic) (Max): 12 A
Part Status: Active
Gate Charge: 21.2 nC
Test Condition: 400V, 6A, 22Ohm, 15V
Switching Energy: 36µJ (on), 200µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/90ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 6A
Reverse Recovery Time (trr): 140 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 88 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HD-1STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: I2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 62.5W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+63.10 грн
100+41.86 грн
500+30.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.97 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4STMIGBT N-CH 600V 15A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4
Код товару: 216505
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs PowerMESH TM IGBT
на замовлення 7925 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB6NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 12ns/76ns
Switching Energy: 20µJ (on), 68µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 13.6 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 21 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB70NB60HD
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DFSTMicroelectronicsIGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DFSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 14A 88W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.38 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7H60DFSTMicroelectronicsDescription: IGBT TRENCH FS 600V 14A TO-263
Power - Max: 88 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 28 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Active
Gate Charge: 46 nC
Test Condition: 400V, 7A, 47Ohm, 15V
Switching Energy: 99µJ (on), 100µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/160ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.95V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 136 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB40LZT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 430V 14A 100W D2PAK
Power - Max: 100 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Gate Charge: 22 nC
Test Condition: 300V, 46Ohm, 5V
Td (on/off) @ 25°C: 900ns/4.4µs
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 5V, 14A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 42 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/75ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 100 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60HDT4STM07+ TO-263
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsIGBT Transistors N-Ch 600 Volt 7 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NB60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 80W D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 15ns/50ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 7A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 80 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 56 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 32.7 nC
Test Condition: 480V, 7A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 140µJ (off)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDSTMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HD-1STMicroelectronicsIGBTs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsIGBTs N-Ch 600 Volt 14 Amp
на замовлення 1293 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGB7NC60HDT4 - IGBT, 25 A, 2.5 V, 80 W, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Switching Energy: 95µJ (on), 115µJ (off)
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.36 грн
10+127.79 грн
100+88.14 грн
500+66.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 25A 80W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HDT4-ASTMicroelectronicsIGBTs IGBTs, 600V, IGBT & Power Bipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB7NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 25A 80W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 37 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 18.5ns/72ns
Test Condition: 390V, 7A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 35 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 50 A
Power - Max: 80 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.13 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4
Код товару: 189599
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 100V 0.033 Ohm 25A Pwr MOSFET
на замовлення 1860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23.5 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 655 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+166.17 грн
10+103.03 грн
100+70.38 грн
500+52.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+78.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 15A 65W 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGB8NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 15A 65W D2PAK
Power - Max: 65 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 15 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 3A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGBL6NC60D
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGBL6NC60DIT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 23 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Supplier Device Package: D2PAK
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Switching Energy: 32µJ (on), 24µJ (off)
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 12 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Power - Max: 56 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGBL6NC60DT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 14A 56W D2PAK
Power - Max: 56 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 14 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 12 nC
Test Condition: 390V, 3A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 46.5µJ (on), 23.5µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 6.7ns/46ns
Supplier Device Package: D2PAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 3A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGCF02
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsIGBTs Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
на замовлення 857 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 62.5W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
79+180.48 грн
82+173.60 грн
100+167.71 грн
250+156.81 грн
500+141.25 грн
1000+132.29 грн
Мінімальне замовлення: 79 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 10A DPAK
Power - Max: 62.5 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Part Status: Active
Gate Charge: 23 nC
Test Condition: 400V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 45µJ (on), 105µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 9.5ns/87ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.75V @ 15V, 5A
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 1975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.71 грн
10+110.65 грн
100+75.37 грн
500+56.56 грн
1000+52.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10HF60KDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STGD10HF60KD - IGBT, AEC-Q101, 18 A, 2.5 V, 62.5 W, 600 V, TO-252 (DPAK), 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.5V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 62.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 18A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 600V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10N40LZ
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 62W D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19.2 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4
Код товару: 35249
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4STMIGBT 600V 20A 60W DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Active
Gate Charge: 19.2 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 31.8µJ (on), 95µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 14.2ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60HT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 10A 600V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsIGBTs N Ch 600V 10A
на замовлення 378 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 3532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.55 грн
10+97.29 грн
100+65.99 грн
500+49.37 грн
1000+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsCategory: SMD IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; 600V; 10A; 62W; DPAK
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 600V
Collector current: 10A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 30A
Mounting: SMD
Gate charge: 19nC
Kind of package: reel; tape
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
на замовлення 1754 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+130.96 грн
10+84.70 грн
25+70.45 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4
Код товару: 198296
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STIGBT 600V 20A 62W   STGD10NC60KDT4 STMicroelectronics TSTGD10nc60kdt4
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+68.21 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 19 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Power - Max: 62 W
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+45.32 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 62W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 20A 60W DPAK
Power - Max: 60 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Part Status: Obsolete
Gate Charge: 19 nC
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 55µJ (on), 85µJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 17ns/72ns
Supplier Device Package: DPAK
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 5A
Input Type: Standard
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60KT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 20A 60W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+79.66 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsTrans IGBT Chip N-CH 600V 18A 60000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+91.00 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STGD10NC60SDT4STMicroelectronicsDescription: IGBT 600V 18A 60W DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 22 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.65V @ 15V, 5A
Supplier Device Package: DPAK
Td (on/off) @ 25°C: 19ns/160ns
Switching Energy: 60µJ (on), 340µJ (off)
Test Condition: 390V, 5A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 18 nC
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 18 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 25 A
Power - Max: 60 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]