Продукція > STL

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STL10HN65M2STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10LN80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.59 Ohm typ., 6 A MDmesh K5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 VH
на замовлення 323 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+280.43 грн
10+181.08 грн
100+116.35 грн
500+103.12 грн
1000+91.27 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10LN80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 6A PWRFLAT VHV
Part Status: Active
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) VHV
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 427 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 7938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+104.25 грн
10+63.70 грн
100+42.33 грн
500+31.12 грн
1000+28.35 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±22V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+27.48 грн
6000+24.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 30 V 0.015 Ohm 9A STripFET V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N3LLH5
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT56
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 5.5A; 48W; PowerFLAT 5x6
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 5.5A
Power dissipation: 48W
Case: PowerFLAT 5x6
On-state resistance: 0.66Ω
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 8.8nC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+66.16 грн
6000+65.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 550 mOhm typ., 5.5 A MDmesh M6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+174.76 грн
10+99.35 грн
100+62.91 грн
500+54.14 грн
1000+48.63 грн
3000+45.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+65.45 грн
6000+64.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 5.5A 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 5.5A PWRFLAT HV
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 660mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 338 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 4.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6) HV
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 315 pF @ 100 V
на замовлення 1706 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.84 грн
10+93.82 грн
100+63.61 грн
500+47.55 грн
1000+43.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL10N65M2STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.85 Ohm typ., 4.5 A MDmesh M2 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.13 грн
10+100.96 грн
100+59.43 грн
500+47.31 грн
1000+43.48 грн
3000+39.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 136W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.005ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.42 грн
500+79.25 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+110.85 грн
130+109.14 грн
132+107.43 грн
134+101.94 грн
250+92.87 грн
500+87.69 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 128 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+110.85 грн
10+109.14 грн
25+107.43 грн
100+101.94 грн
250+92.87 грн
500+87.69 грн
1000+86.22 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 100V 0.005Ohm 21A STripFET VII
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+200.77 грн
10+128.20 грн
100+81.52 грн
500+75.25 грн
3000+53.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5117 pF @ 50 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+190.47 грн
10+118.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL110N10F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 107 A, 5000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 107A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
Verlustleistung: 136W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+214.59 грн
10+139.00 грн
100+102.42 грн
500+79.25 грн
1000+67.79 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N10F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 3.3 mOhm typ., 108 A STripFET F7 Power MOSFET i
на замовлення 4774 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+149.56 грн
10+92.14 грн
100+52.88 грн
500+41.94 грн
1000+37.27 грн
3000+31.49 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 108A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N4F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 108A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 108A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 54A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1150 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110N8F8STMicroelectronics N-channel 80 V, 4.5 mOhm max., 126 A STripFET F8 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 30 V, 0.0027 Ohm typ., 28 A STripFET(TM) VII DeepGATE(TM) Power MOSFETs plus monolithic Schottky in a PowerFLAT(TM) 5x6
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL110NS3LLH7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 120A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2110 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+231.23 грн
10+144.62 грн
100+100.33 грн
500+76.40 грн
1000+74.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 107A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 107A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 53A, 10V
Power Dissipation (Max): 136W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 50 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+70.22 грн
6000+65.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 107A; Idm: 428A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 107A
Pulsed drain current: 428A
Power dissipation: 136W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 72.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 100 V, 0.005 Ohm typ., 107 A STripFET F7 Power MOSFET
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+240.60 грн
10+154.64 грн
100+93.36 грн
500+79.43 грн
1000+75.25 грн
3000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL115N10F7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 107A 8-Pin Power Flat EP T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
274+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 8 mOhm typ 15 A STripFET F7 Power MOSFET in Pow
на замовлення 2944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.22 грн
10+68.67 грн
100+50.30 грн
500+45.01 грн
1000+39.85 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
179+79.09 грн
180+78.62 грн
200+74.33 грн
1000+68.72 грн
2000+65.77 грн
3000+65.67 грн
Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 119A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 119A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1780 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL117N4LF7AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 40V 119A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 30V 0.006 Ohm 11A STripFET VI Deep
на замовлення 798 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+105.67 грн
10+65.70 грн
100+37.90 грн
500+29.68 грн
1000+27.03 грн
3000+23.55 грн
6000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.58 грн
6000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.46 грн
500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 11A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+36.30 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL11N3LLH6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 6000 µohm, PowerFLAT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: PowerFLAT
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET H6 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.37 грн
50+82.10 грн
100+54.46 грн
500+38.27 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 11A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1690 pF @ 24 V
на замовлення 3876 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+100.33 грн
10+61.14 грн
100+40.56 грн
500+29.77 грн
1000+27.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N4LLF5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 11A POWERFLAT
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1570 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.9 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: PowerFlat™ (3.3x3.3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.9W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.7mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.63 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N60M2-EPSTMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M2STMicroelectronicsMOSFET PTD HIGH VOLTAGE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M2STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V POWERFLAT 5X5 H
Packaging: Tape & Reel (TR)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TA)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+159.27 грн
111+127.51 грн
113+126.23 грн
134+102.06 грн
250+93.40 грн
500+77.71 грн
1000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 89 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 710V; 8.5A; Idm: 34A; 70W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 710V
Drain current: 8.5A
Power dissipation: 70W
Case: PowerFLAT 5x5
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 17nC
Pulsed drain current: 34A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+159.27 грн
10+127.51 грн
25+126.23 грн
100+102.06 грн
250+93.40 грн
500+77.71 грн
1000+77.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+119.75 грн
120+118.81 грн
143+99.00 грн
500+81.92 грн
1000+75.68 грн
Мінімальне замовлення: 119 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 650 V, 0.475 Ohm typ., 8.5 A MDmesh M5 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x5
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 650V 8.5A 12-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 4.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFLAT™ (5x5)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 644 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N6F7STMicroelectronicsMOSFET N-channel 60 V, 10 mOhm typ., 11 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL11N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 11A POWERFLAT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL11NH3L
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL11NH3LL
на замовлення 110 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120FlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL120Fluke ElectronicsDescription: SHIELDED TEST LEAD SET OF 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-IIIFlukeSTL120-III
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+23412.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-IIIFlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD SET, 12.5MHZ,1.2M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-III набір щупів
Код товару: 203698
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-IVFlukeTest Leads SHIELDED TEST LEAD SET 600V CAT IV
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-IVFluke ElectronicsDescription: STL120-IV, SHIELDED TEST LEAD SE
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STL120-IVFlukeSTL120-IV
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24514.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+92.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+93.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 5187 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.66 грн
10+106.35 грн
100+72.89 грн
500+54.96 грн
1000+54.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STL120N10F8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 125 A, 4600 µohm, PowerFLAT 5x6, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerFLAT 5x6
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: STripFET F8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+199.96 грн
10+129.24 грн
100+88.60 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel Enhancement Mode Standard Level 100V, 4.6mohm max, 125A STripFET F8
на замовлення 4080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.46 грн
10+123.39 грн
100+73.85 грн
500+58.94 грн
1000+54.97 грн
3000+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 125A 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+89.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsDescription: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE STAND
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 125A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 60A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+49.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N10F8STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 125A; Idm: 500A; 150W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 125A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 150W
Case: PowerFLAT 5x6
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 56nC
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+150.12 грн
10+113.22 грн
15+103.99 грн
75+100.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N2VH5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 20V 120A POWERFLAT
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 14A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4660 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 2.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.83 грн
36+21.11 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N2VH5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 20V 120A 8-Pin Power Flat T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
на замовлення 4262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+89.55 грн
10+88.19 грн
25+86.82 грн
100+82.41 грн
250+75.10 грн
500+70.93 грн
1000+69.76 грн
3000+68.59 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2698 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+126.98 грн
10+87.93 грн
100+70.87 грн
500+56.55 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsMOSFETs Automotive-grade N-channel 40 V, 2.9 mOhm typ., 55 A STripFET F6 Power MOSFET in
на замовлення 9428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+196.71 грн
10+113.78 грн
100+69.53 грн
500+56.71 грн
1000+53.37 грн
3000+53.16 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 40V 55A Automotive AEC-Q101 8-Pin Power Flat EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STL120N4F6AGSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 55A POWERFLAT
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: PowerFlat™ (5x6)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6mOhm @ 13A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]