Продукція > ZXM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
ZXMN4A06GTADiodes Inc./ZetexMOSFET N-CH 40V 5A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedMOSFETs 40V N-Chnl UMOS
на замовлення 28711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.9W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+50.88 грн
500+44.00 грн
1000+37.62 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+33.27 грн
2000+28.95 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
364+38.93 грн
Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+34.27 грн
2000+33.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 40 V
на замовлення 3441 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.19 грн
10+59.10 грн
100+39.11 грн
500+28.66 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06GTA - Leistungs-MOSFET, Niederspannung, n-Kanal, 40 V, 7 A, 0.05 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 3.9W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 5004 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+159.32 грн
10+102.42 грн
100+63.73 грн
500+49.36 грн
1000+42.36 грн
5000+39.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KDIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN4A06K - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 7.2 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 9.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 1922 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+178.01 грн
10+117.86 грн
100+82.91 грн
500+61.89 грн
1000+52.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KZETEX07+ DPAK
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
на замовлення 1796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+152.06 грн
10+93.67 грн
100+63.46 грн
500+47.44 грн
1000+43.54 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedMOSFETs 40V 10.9A N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 2863 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 40V 7.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCZETEXMOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK
на замовлення 6 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
3+134.64 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN4A06KTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.15W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN53BM832TA
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN60A11D
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN61P02FZETEX
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN62P03E6TA
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 729000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.54 грн
11+28.46 грн
100+18.26 грн
500+13.02 грн
1000+11.70 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.14 грн
23+36.66 грн
100+23.00 грн
500+16.61 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2523000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2523000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.57 грн
6000+13.32 грн
9000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 41V~60V SOT23 T&R 3K
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 625mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.00 грн
500+16.61 грн
1000+10.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.17 грн
6000+14.09 грн
9000+13.60 грн
15000+9.14 грн
21000+8.37 грн
30000+7.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 117000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.34 грн
6000+14.20 грн
9000+13.86 грн
15000+12.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 91297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
9000+12.47 грн
15000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 162000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.98 грн
9000+12.47 грн
15000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INCORPORATEDCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 1.1A; Idm: 6.9A; 800mW; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 1.1A
Pulsed drain current: 6.9A
Power dissipation: 0.8W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.65nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
9+50.58 грн
14+31.78 грн
50+21.22 грн
100+18.11 грн
500+13.33 грн
1000+11.99 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 13504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+53.30 грн
10+31.70 грн
100+20.39 грн
500+14.56 грн
1000+13.09 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.36 грн
500+16.45 грн
1500+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
727+19.48 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 727 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+13.13 грн
9000+12.62 грн
15000+11.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
411+19.48 грн
1000+17.03 грн
Мінімальне замовлення: 411 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes Inc./ZetexSOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.42 грн
6000+10.95 грн
9000+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07FTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.4 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 806mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 470405 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+61.86 грн
50+36.33 грн
100+25.36 грн
500+16.45 грн
1500+13.73 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA 7N6DIODES/ZETEXTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 350mOhm; 1,4A; 806mW; -55°C ~ 150°C; ZXMN6A07FTA TZXMN6a07f
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+10.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA/7N6ZETEX09+
на замовлення 75018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTA\7N6ZETEXSOT-23
на замовлення 75100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07FTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07Z
Код товару: 121258
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+34.30 грн
200+25.66 грн
500+19.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.53 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 9425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.38 грн
10+34.12 грн
100+23.84 грн
500+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.12 грн
2000+20.61 грн
3000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+22.12 грн
2000+20.61 грн
3000+20.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.68 грн
500+18.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 166 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-89-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 1.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+17.15 грн
2000+14.60 грн
3000+14.10 грн
5000+13.03 грн
7000+12.54 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A07ZTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.9 A, 0.25 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.51 грн
18+47.31 грн
50+40.64 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
461+30.68 грн
Мінімальне замовлення: 461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
на замовлення 8853 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A07ZTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 1.9A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+21.57 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.17 грн
14+62.51 грн
100+43.24 грн
500+32.08 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6Diodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6ZETEX06+;
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6DIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3 A, 0.08 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.24 грн
500+32.08 грн
1000+27.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+39.02 грн
500+26.27 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Ch Enh FET 20Vgs 80mOhm
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A Automotive 6-Pin SOT-26
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08E6QTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.5 A, 0.067 ohm, SOT-26, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.067ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2953 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.66 грн
14+58.69 грн
100+39.02 грн
500+26.27 грн
1000+22.92 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6QTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.92 грн
10+55.02 грн
100+36.41 грн
500+26.66 грн
1000+24.24 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA
на замовлення 316 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA
Код товару: 124448
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 1277 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+85.44 грн
10+51.40 грн
100+33.93 грн
500+24.77 грн
1000+22.50 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TADiodes IncorporatedMOSFETs 60V N-Chnl UMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 2.8A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TA 6A8DIODES/ZETEXN-MOSFET 60V 2.8A ZXMN6A08E6TA DIODES TZXMN6a08e6
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+20.46 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TAO
на замовлення 2924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TAPBF
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08E6TCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-26
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GZETEX07+ SOT223
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
13+63.81 грн
100+44.14 грн
500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
на замовлення 1003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.51 грн
100+38.12 грн
500+27.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GQTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.14 грн
500+33.14 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+27.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTCDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.82 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTCDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 41V 60V
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GQTCDiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A Automotive AEC-Q101 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 6931 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.14 грн
10+54.50 грн
100+35.96 грн
500+26.26 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.41 грн
2000+26.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADIODES INC.Description: DIODES INC. - ZXMN6A08GTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 5.3 A, 0.08 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.80 грн
16+50.88 грн
100+33.33 грн
500+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedMOSFETs 60V 3.8A N-Channel MOSFET
на замовлення 7714 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes IncorporatedDescription: MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 459 pF @ 40 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+26.40 грн
2000+23.26 грн
3000+22.16 грн
5000+19.64 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMN6A08GTADiodes ZetexTrans MOSFET N-CH 60V 3.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 21  [ Наступна Сторінка >> ]