Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs PLANAR FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+184.63 грн
500+165.82 грн
1000+152.88 грн
10000+131.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesDescription: PLANAR 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 34A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4220 pF @ 25 V
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.50 грн
50+101.89 грн
100+91.83 грн
500+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+127.61 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB260NPBFAKMA1Infineon TechnologiesHEXFET Power MOSFET
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+184.63 грн
500+165.82 грн
1000+152.88 грн
10000+131.54 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004
Код товару: 99476
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 40 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,4 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9200/160
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+77.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBF
Код товару: 177418
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 40V 195A 1.7 mOhm 160nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInternational RectifierMOSFET N-кан. 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+246.96 грн
500+234.02 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 340A; 380W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 340A
Power dissipation: 380W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.40 грн
10+183.26 грн
50+170.70 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+391.56 грн
10+276.12 грн
100+229.27 грн
500+212.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+447.28 грн
10+300.36 грн
100+244.63 грн
500+225.89 грн
1000+193.23 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75mOhm @ 195A, 10V
Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3004PBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1750 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 195A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 380W
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1750µohm
на замовлення 496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+391.56 грн
52+276.12 грн
100+229.27 грн
500+212.47 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+447.28 грн
47+300.36 грн
100+244.63 грн
500+225.89 грн
1000+193.23 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 40V 195A 1.7mOhm 160nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3004PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006
Код товару: 99477
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8970/200
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3006GPBF - IRFB3006 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+198.74 грн
500+188.16 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+163.46 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+286.77 грн
61+233.54 грн
100+157.94 грн
500+122.68 грн
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
127+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 127 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineonMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+112.88 грн
Мінімальне замовлення: 131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+285.85 грн
10+232.80 грн
100+157.44 грн
500+122.29 грн
1000+113.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 2628 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+265.90 грн
10+167.26 грн
100+116.86 грн
500+89.47 грн
1000+82.99 грн
2000+77.53 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+165.82 грн
500+156.41 грн
1000+148.18 грн
10000+133.81 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+157.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077GPBF транзистор
Код товару: 72192
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+385.26 грн
53+267.99 грн
100+195.29 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 886 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 2237 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+337.07 грн
10+214.86 грн
100+152.34 грн
500+117.92 грн
1000+109.88 грн
2000+103.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInternational RectifierTO-200AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+385.26 грн
10+267.99 грн
100+195.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Power dissipation: 370W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 160nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+256.83 грн
10+174.89 грн
50+158.15 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF
Код товару: 104275
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 44 шт
  • 18 шт - склад
  • 23 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Харків
очікується: 4 шт
  • 4 шт - очікується
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
1000+169.34 грн
10000+153.09 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 911 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+203.46 грн
10+151.27 грн
100+137.14 грн
500+126.02 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 58 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+155.00 грн
10+126.35 грн
50+112.97 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+204.11 грн
93+151.76 грн
103+137.57 грн
500+126.43 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+189.34 грн
500+178.75 грн
Мінімальне замовлення: 187 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBF
Код товару: 127026
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+51.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+227.09 грн
10+140.58 грн
100+108.78 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF
Код товару: 52938
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+111.73 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+218.98 грн
10+137.06 грн
100+94.74 грн
500+71.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+113.55 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.24 грн
75+188.76 грн
100+182.36 грн
250+170.51 грн
500+153.59 грн
1000+143.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]