Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFB3006
Код товару: 99477
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 195 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 2,1 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 8970/200
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+93.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nCAB
на замовлення 604 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3006GPBF - IRFB3006 12V-300V N-CHANNEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1096 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+198.74 грн
500+188.16 грн
1000+177.58 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006GPBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
206+171.70 грн
500+163.46 грн
1000+154.06 грн
Мінімальне замовлення: 206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+119.47 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm
на замовлення 209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+268.20 грн
10+168.83 грн
50+130.32 грн
100+110.68 грн
500+90.30 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 375W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 270A
Power dissipation: 375W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 200nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+182.00 грн
10+165.07 грн
20+164.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineonMOSFET N-CH 60V 195A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 102758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
212+166.99 грн
500+150.53 грн
1000+138.77 грн
10000+119.07 грн
100000+92.44 грн
Мінімальне замовлення: 212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 270A 2.5mOhm 200nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+364.30 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 399 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+364.30 грн
10+237.92 грн
50+183.67 грн
100+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3006PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 0.0025 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0025ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3006PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 170A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 300 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8970 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077International RectifierTranzystor N-Channel MOSFET; 75V; 20V; 3,3mOhm; 210A; 370W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3077; IRFB3077XKMA1; IRFB3077 TO220AB TIRFB3077
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+157.74 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077GPBF транзистор
Код товару: 72192
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+340.20 грн
10+216.83 грн
50+169.12 грн
100+144.28 грн
500+119.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+416.84 грн
61+234.79 грн
100+211.77 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 28700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+192.86 грн
500+183.46 грн
1000+172.87 грн
10000+156.49 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 3300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 210A 3.3mOhm 160nC Qg
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+417.15 грн
10+234.96 грн
100+211.93 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInternational RectifierTO-200AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBF
Код товару: 104275
1 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 75 В
Струм стоку Idd, А: 120 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 3,3 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 9400/160
Монтаж: THT
УКТЗЕД: 8541290010
у наявності: 37 шт
  • 16 шт - склад
  • 18 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+85.00 грн
10+78.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+192.86 грн
500+183.46 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; 370W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 3.3mΩ
Power dissipation: 370W
Gate charge: 160nC
Technology: HEXFET®
Gate-source voltage: ±20V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesMOSFETs IR FET >60-400V
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+192.86 грн
500+183.46 грн
Мінімальне замовлення: 183 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+423.94 грн
10+212.48 грн
100+176.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1INFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 210A; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 210A
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 24 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+156.80 грн
10+127.82 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: TRENCH 40<-<100V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO220-3-904
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 220 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 75V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+419.35 грн
68+210.18 грн
100+174.92 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3077PBFXKMA1INFINEONDescription: INFINEON - IRFB3077PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 210 A, 0.0033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 370W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 31A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 31A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 107 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2370 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBF
Код товару: 127026
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
1+51.00 грн
10+46.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB31N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 31 A, 0.082 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 31
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: -
Verlustleistung Pd: 200
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.082
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 5.5
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 200V 31A 82mOhm 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB31N20DPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 200V 31A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+102.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206Infineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 50 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206InfineonTranzystor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3mOhm; 210A; 300W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFB3206; IRFB 3206 ; IRFB3206 TO220 TIRFB3206
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+61.48 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 193 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+229.73 грн
10+142.21 грн
100+110.05 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB3206GPBF - IRFB320 120A, 60V, N-CHANEL POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsCompliant: YES
productTraceability: No
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 1761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+112.76 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
1000+130.54 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 266 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBF
Код товару: 52938
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206GPBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.82 грн
2000+95.94 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+196.24 грн
75+188.76 грн
100+182.36 грн
250+170.51 грн
500+153.59 грн
1000+143.84 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+239.74 грн
10+142.49 грн
100+78.46 грн
500+74.91 грн
1000+68.66 грн
2000+65.25 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFJSMSEMIMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBF
Код товару: 34412
4 Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Напруга сток-витік Uds, В: 60 В
Струм стоку Idd, А: 210 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,0024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 6540/120
Монтаж: THT
у наявності: 406 шт
  • 285 шт - склад
  • 121 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+95.00 грн
10+88.00 грн
100+82.50 грн
1000+74.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6540 pF @ 50 V
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+221.53 грн
10+138.35 грн
50+106.04 грн
100+89.73 грн
500+72.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 15633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+237.81 грн
100+141.34 грн
182+77.82 грн
500+74.30 грн
1000+68.11 грн
2000+64.73 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 150A; 300W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 239 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+180.50 грн
10+120.20 грн
30+94.81 грн
50+84.65 грн
100+73.65 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3206PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 210 A, 3000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 210A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3000µohm
на замовлення 1074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 37200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+103.15 грн
2000+97.20 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 120A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon Technologies IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesDescription: IR FET UP TO 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3206PBFXKMA1Infineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 210A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.36 грн
10+173.66 грн
100+153.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBF
Код товару: 180333
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 305 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+272.79 грн
83+171.42 грн
100+151.25 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 120A; 330W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 120A
Power dissipation: 330W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 180nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 132 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+151.53 грн
10+139.67 грн
20+133.75 грн
50+126.98 грн
100+121.05 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFB3207PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 180 A, 4500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 180A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 330W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4500µohm
на замовлення 182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+322.96 грн
10+181.88 грн
100+157.13 грн
500+133.03 грн
1000+86.84 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 75V 180A 4.5mOhm 180nC
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+145.82 грн
500+137.59 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineonTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Транзистори
на замовлення 10 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 75A, 10V
Power Dissipation (Max): 330W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 260 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7600 pF @ 50 V
на замовлення 272 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.91 грн
10+174.24 грн
50+134.73 грн
100+114.49 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFB3207PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 75V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 1929 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.34 грн
79+180.42 грн
100+155.86 грн
500+131.95 грн
1000+86.13 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 98 99 100 101 102 103 104 105 106 107 108 110 132 154 176 198 220 225  [ Наступна Сторінка >> ]