Продукція > IRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6117 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4410ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 97A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB448PBF | Infineon Technologies | IRFB448PBF^INFINEON | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 100V 62A TO-220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 128 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 100V 10.7mOhm 62A HEXFET 140W 50nC | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 37A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 87 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3180 pF @ 50 V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 128 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 140W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0135ohm | на замовлення 873 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 62A; 140W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 62A Power dissipation: 140W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: THT Gate charge: 58nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 18 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF | IRFB4510PBF Транзисторы | на замовлення 108 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4510PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 5403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF Код товару: 58620
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 62 A Rds(on), Ohm: 10,7 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3180/58 Монтаж: THT | у наявності: 121 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB4510PBF.. | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4510PBF.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 62 A, 0.0107 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 62 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 140 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0107 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 2 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4610 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4610 Код товару: 99480
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 100 V Idd,A: 73 A Rds(on), Ohm: 11 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 3550/90 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 73A 14mOhm 90nC Qg | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 73A; 190W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 73A Power dissipation: 190W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 90nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 830 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 73A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 44A, 10V Power Dissipation (Max): 190W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3550 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 73A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4610PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4610PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 73 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 73A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 190W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 578419 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615PBF Код товару: 99481
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 150 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 32 mOhm Ciss, pF/Qg, nC: 1750/26 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 34A 41mOhm 26nC Qg | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 35A TO220AB Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 21A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Active | на замовлення 3079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4615PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 35 A, 0.039 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4615PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 35A; 144W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 35A Power dissipation: 144W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 39mΩ Mounting: THT Gate charge: 26nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Vishay / Siliconix | MOSFETs Discrete Semiconductor Products - MOSFET N-CH 200V 25A TO-220AB - MOSFETs - Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 205189 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4620PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 25 A, 0.0725 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 144W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0725ohm | на замовлення 1052 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 610 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 200V 25A 72.5mOhm 25nC Qg | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF Код товару: 52030
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Uds,V: 200 V Idd,A: 25 A Rds(on), Ohm: 0,60 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2646 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 25A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4620PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 144W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: PG-TO220-3-904 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4620PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs TRENCH >=100V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 75A 100V 3.8W 0.014Ω IRFB4710 TIRFB4710 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4710 | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Last Time Buy Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6160 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 75A 14mOhm 110nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF Код товару: 35455
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Uds,V: 100 V Idd,A: 75 A Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 6160/110 Монтаж: THT | у наявності: 76 шт
|
| ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 75 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 6160 @ 25, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 14 мОм @ 45 A, 10 В, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8 Вт, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB4710PBF - IRFB4710 - 100V SINGLE N-CHANNEL HEXFET tariffCode: 85423990 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | International Rectifier HiRel Products | Trans MOSFET N-CH 100V 75A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4710PBF | International Rectifier | TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4710PBF?94-2355? | IR | TO-220AB | на замовлення 24472 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB52N15 | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRFB52N15D | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB52N15D | International Rectifier | N-MOSFET 60A 150V 320W 0.032Ω IRFB52N15D TIRFB52n15d кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 61 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15D Код товару: 40428
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4678 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6545 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1760 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB52N15DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 60 A, 0.032 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 320W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 9268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | International Rectifier | TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1142 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF Код товару: 59925
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 6551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 60A; 320W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 60A Power dissipation: 320W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 32mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® | на замовлення 190 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 51A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 36A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V | на замовлення 9341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 60A 32mOhm 60nC | на замовлення 1824 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 12175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB52N15DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 51A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB5615 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF Код товару: 118300
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB5615PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 150V 35A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |

