Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 46A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | на замовлення 770 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBF Код товару: 118259
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 46A 46mOhm 72nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 336 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 46A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4229PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 46 A, 0.046 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 46A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 330W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4229PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4560 pF @ 25 V | на замовлення 852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4229PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4229PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4233PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 230V 56A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 56A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 28A, 10V Power Dissipation (Max): 370W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 230 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5510 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4233PBF | Infineon Technologies | MOSFETs PDP SWITCH 230V 1 N-CH HEXFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20D | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 150 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 200V 44A TO220AB FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3430 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-220AB Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 330W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 26A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 220, Id = 44 A, Ptot, Вт = 330, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 3430 @ 25, Qg, нКл = 140 @ 10 В, Rds = 55 мОм @ 26 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 5,5 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | Infineon / IR | MOSFET 200V SINGLE N-CH 55m Ohms 91nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB42N20DPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 42.6 A, 0.055 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 42.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.055 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 5.5 SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 200V 44A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB42N20DPBF | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310 Код товару: 126728
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | у наявності: 1 шт
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| irfb4310 | International Rectifier | N-MOSFET HEXFET 140A 100V 330W 0.007Ω IRFB4310 TIRFB4310 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 24 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 140A 7mOhm 170nC | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 130 A, Ptot, Вт = 300, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 7670 @ 50, Qg, нКл = 250 @ 10 В, Rds = 7 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7670 pF @ 50 V | на замовлення 22919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4310PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 130 A, 0.0056 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 130 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 300 Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0056 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 81 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 81 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | International Rectifier | TO-220, Trans MOSFET N-CH, Vds=100V, Id=140A, Rds(on)=5.6mOm, -55...+175 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 140A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 7mΩ Mounting: THT Gate charge: 170nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 51 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF Код товару: 172846
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 100V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310Z Код товару: 128127
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||
| IRFB4310Z | Infineon Technologies | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310Z | UMW | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V | на замовлення 959 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZGPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF Код товару: 145200
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 100V 127A 6mOhm 120nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 120 А, Ptot, Вт = 250, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 6860 @ 50, Qg, нКл = 170 @ 10 В, Rds = 6 мОм @ 75 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 150 мкА,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; 250W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Power dissipation: 250W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6mΩ Mounting: THT Gate charge: 0.12µC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4310ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 6000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 100V 127A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | на замовлення 5246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4310ZPBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4310ZPBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 127 A, 0.006 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 127A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 250W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.006ohm | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: TRENCH >=100V Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 75A, 10V Power Dissipation (Max): 250W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.037mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6860 pF @ 50 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4310ZPBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs IR FET >60-400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4310ZPBFXKMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 127A; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 127A Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321 | Infineon | N-MOSFET HEXFET 83A 150V 330W 0.015? IRFB4321; IRFB4321 TIRFB4321 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 188 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321 Код товару: 99479
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220 Напруга сток-витік Uds, В: 150 В Струм стоку Idd, А: 85 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 12 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4460/71 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4321 | IR | 10+ T0-220 | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC | на замовлення 63 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 83A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 330W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4321PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 83 A, 0.015 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 83A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 330W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.015ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF Код товару: 165134
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| IRFB4321PBF | International Rectifier | TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 83A; 330W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 83A Power dissipation: 330W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 15mΩ Mounting: THT Gate charge: 71nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 111 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 150V 83A 15mOhm 71nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | International Rectifier | N-MOSFET; полевой; 150В 83А 330Вт TO220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 150V 85A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4460 pF @ 50 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 546 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4321PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 150V 85A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4639 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332 | International Rectifier | N-MOSFET 60A 250V 390W 0.033Ω IRFB4332 TIRFB4332 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 95 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 60A; 390W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 60A Power dissipation: 390W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 33mΩ Mounting: THT Gate charge: 99nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | на замовлення 106 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 35A, 10V Power Dissipation (Max): 390W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5860 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 421 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | International Rectifier | IRFB4332PBF MOSFET N-CH 250V 60A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4332PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 390W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBF Код товару: 52140
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 250 В Струм стоку Idd, А: 42 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 29 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 5860/99 Монтаж: THT | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| IRFB4332PbF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 250V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 554 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB4332PBFXKMA1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 60 A, 0.033 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V Verlustleistung: 390W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4332PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | TRENCH >=100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4332PBFXKMA1 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | IRFB4332PBFXKMA1 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| IRFB4332PBFXKMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 250V 60A TO220AB Packaging: Tube | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

