Продукція > DMP
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMP2110UQ-7 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 2.8A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3291000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3K | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-13 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-7 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V P-CH MOSFET | на замовлення 1847 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 4768 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 740mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 740mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 431955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | Diodes Zetex | Dual P-Channel Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 429000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UVTQ-7 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.8 A, 1.8 A tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.15ohm Verlustleistung, p-Kanal: 740mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 740mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 5254 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 20V 1.8A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 P-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 740mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.8A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443pF @ 6V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 2.8A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 429000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-13 | Diodes Zetex | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R 3K | на замовлення 7351 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 13409 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2110UW-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2 A, 0.063 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV euEccn: NLR Verlustleistung: 490mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 2A SOT323 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 6 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-323 Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Power Dissipation (Max): 490mW Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2110UW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 2A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2120U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V | на замовлення 7780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 T&R 1 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R DMP2120U-13; DMP2120U-7 TDMP2120U-7 Diodes кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 849000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2120U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V | на замовлення 74008 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes | Транзистор: P-MOSFET, польовий, -20В, -3А, Idm: -20А, 0,8Вт, SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 Код товару: 180460
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V Vgs (Max): ±8V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 487 pF @ 20 V | на замовлення 14482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -3A; Idm: -20A; 0.8W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -3A Pulsed drain current: -20A Power dissipation: 0.8W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±8V On-state resistance: 62mΩ Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2120U-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3.8 A, 0.062 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 800mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.8A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 312000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2120U-7-ML | MOSLEADER | Description: P 20V 3.8A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2123L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 708000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2123L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 101717 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 390000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 101500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 1.4W | на замовлення 10072 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-13 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; Idm: -15A; 1.4W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A Pulsed drain current: -15A Power dissipation: 1.4W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Kind of package: 13 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 7.3nC Application: automotive industry | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -20V Enh FET 12Vgss -15A 1.4W | на замовлення 6704 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 13791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 96000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2123LQ-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Rds On (Max) @ Id, Vgs: 72mOhm @ 3.5A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2123LQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 309000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP2130L | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel 1.4W | на замовлення 1275 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2130L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 9480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMP2130L-7 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 3 A, 0.051 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.4W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.051ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130L-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.4A; 1.4W; SOT23 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT23 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.4A On-state resistance: 0.125Ω Power dissipation: 1.4W Gate-source voltage: ±10V Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 997 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130LDM | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.7A; 1.25W; SOT26 Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: SOT26 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.7A On-state resistance: 0.13Ω Power dissipation: 1.25W Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 20V 3.4A SOT-26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 4.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.3 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 443 pF @ 16 V | на замовлення 134840 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 20V 3.4A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP2130LDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Channel | на замовлення 2735 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| DMP213DUFA-7B | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -125mA; Idm: -0.5A; 360mW Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Type of transistor: P-MOSFET Case: X2-DFN0806-3 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -25V Pulsed drain current: -0.5A Drain current: -125mA Gate charge: 0.35nC On-state resistance: 13Ω Power dissipation: 0.36W Gate-source voltage: ±8V Kind of package: 7 inch reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP213DUFA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 25V 145MA 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 200mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.2 pF @ 10 V | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| DMP213DUFA-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs 25V P-Ch Enh FET 360pD -25Vdss -8Vgss | на замовлення 9940 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

