Продукція > FCP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FCPF125N65S3ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 24A; Idm: 60A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Gate charge: 44nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF125N65S3ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZFairchildN-MOSFET 800V 4A 1.3Ω 24W FCPF1300N80Z Fairchild TFCPF1300N80Z
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+72.24 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80Zonsemi / FairchildMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.90 грн
10+151.11 грн
100+120.31 грн
500+95.53 грн
1000+81.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZonsemiMOSFETs N-Channel SuperFET II MOSFET
на замовлення 807 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDonsemiDescription: MOSFET N-CH 800V 4A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDonsemiDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 24W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 400µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 100 V
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+77.43 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 800V 1.3OHM E TO220F
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF1300N80ZYDON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 800V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
на замовлення 403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
378+37.50 грн
Мінімальне замовлення: 378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF13N60CFairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF13N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 258mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1765 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF13N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 13A
на замовлення 73 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65Fonsemi / FairchildMOSFETs SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF150N65FL1onsemi / FairchildMOSFET SuperFET2 150 mOhm 650V FRFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 165 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 1626 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154onsemiDescription: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154onsemiDescription: SF3 650V 165MOHM E TO220F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+369.96 грн
10+236.78 грн
50+185.50 грн
100+158.61 грн
500+141.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3L1-F154onsemiMOSFETs SF3 650V 165MOHM E TO220F
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0LFairchild SemiconductorDescription: FCPF165N65S3R0L - POWER MOSFET,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 410µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
на замовлення 11630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
157+131.22 грн
Мінімальне замовлення: 157 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0LON SemiconductorMOSFET SUPERFET3 650V TO220F PKG
на замовлення 804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 19A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.9mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF165N65S3R0LONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF165N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 19A, TO-220FP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60onsemiMOSFETs 600V N-CH SuperFET
на замовлення 335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60
Код товару: 216637
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 37.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.47 грн
10+234.21 грн
50+184.11 грн
100+157.66 грн
500+131.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SJ-MOSFET; unipolar; 600V; 10.1A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SJ-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 10.1A
Power dissipation: 37.9W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.26Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 70nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60NTonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 35.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2170 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60NTonsemiMOSFETs SupreMOS 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF16N60NTON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 366 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+216.87 грн
Мінімальне замовлення: 164 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60onsemiMOSFETs SuperFET2, 190mohm
на замовлення 1279 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+171.32 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; Idm: 60.6A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.2A
Pulsed drain current: 60.6A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.199Ω
Mounting: THT
Gate charge: 57nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+170.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
на замовлення 530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+326.85 грн
10+209.00 грн
50+163.56 грн
100+139.78 грн
500+115.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60
Код товару: 73379
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 600V, 20.2A, 199mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60-F152ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 190MOHM F TO220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 199mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60EonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+377.01 грн
10+241.91 грн
50+190.02 грн
100+162.65 грн
500+135.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60EONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N60E - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20.6 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 39W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60EONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.6A; Idm: 61.8A; 39W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 20.6A
Pulsed drain current: 61.8A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60EonsemiMOSFETs 600V N-CHAN MOSFET
на замовлення 1934 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E-F152onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E-F152ON Semiconductor / FairchildMOSFET 650V, 190mOhm SuperFET II MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E-F154onsemiMOSFETs SF2 600V 190MOHM E TO220F
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3175 pF @ 25 V
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+350.37 грн
10+224.62 грн
50+176.29 грн
100+150.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60E_F152Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V TO-220-3
на замовлення 11000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N60_F152FAIRCHILDTrans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
197+180.33 грн
500+162.65 грн
Мінімальне замовлення: 197 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SF2 650V 190MOHM F TO220F
на замовлення 1309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1-F154onsemiMOSFETs SF2 650V 190MOHM F TO220F
на замовлення 803 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1-F154onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3055 pF @ 100 V
на замовлення 1723 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+409.15 грн
50+207.69 грн
100+189.74 грн
500+148.57 грн
1000+143.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65FL1-F154ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 20.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Full-Pak Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3L1onsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 14A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1225 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3L1ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N65S3L1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 14 A, 0.19 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 327340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3L1ON SemiconductorN-Channel SuperFET MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3L1ON Semiconductor / FairchildMOSFET SuperFET3 650V 190 mOhm, TO220F PKG
на замовлення 854 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.57 грн
19+41.58 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3R0LonsemiMOSFETs SUPERFET3 650V 17A 190 mOhm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3R0LON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3R0LonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.7mA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF190N65S3R0LONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF190N65S3R0L - MOSFET, N-CH, 650V, 17A, TO-220FP
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 58079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+508.60 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+319.41 грн
500+302.91 грн
1000+285.23 грн
10000+259.13 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60onsemiMOSFETs 600V N-Channel SuperFET
на замовлення 844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+319.41 грн
500+302.91 грн
1000+285.23 грн
10000+259.13 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+445.99 грн
10+289.84 грн
50+229.86 грн
100+197.63 грн
500+169.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ONSEMIDescription: ONSEMI - FCPF20N60 - MOSFET, N, TO-220F
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60On SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO-220-3 Full Pack Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+319.41 грн
500+302.91 грн
1000+285.23 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+319.41 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60
Код товару: 60737
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ONSEMICategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12.5A; Idm: 60A; 39W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12.5A
Pulsed drain current: 60A
Power dissipation: 39W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.19Ω
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+384.75 грн
3+332.94 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 505 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
505+442.13 грн
Мінімальне замовлення: 505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+319.41 грн
500+302.91 грн
1000+285.23 грн
Мінімальне замовлення: 111 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60CFairchild
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60FSonsemiDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 98 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3080 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60SON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220F
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.65 грн
500+116.68 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60SFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-220F
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60STFairchild SemiconductorDescription: 20A, 600V, 0.19OHM, N CHANNEL ,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FCPF20N60TOn SemiconductorMOSFET N-CH 600V 20A TO-220F Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.