Продукція > FDD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD3580Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 80V 7.7A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 7.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 40 V
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
314+69.47 грн
Мінімальне замовлення: 314 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+154.98 грн
115+123.31 грн
172+82.24 грн
Мінімальне замовлення: 92 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
на замовлення 1222 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.93 грн
10+110.12 грн
50+83.75 грн
100+70.61 грн
500+56.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 34A; Idm: 100A; 83W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 34A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 32mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11197 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670
Код товару: 221616
Додати до обраних Обраний товар
VbsemiТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 40 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 30 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2600/35
Монтаж: SMD
у наявності: 30 шт
  • 30 шт - склад
1+55.00 грн
10+49.50 грн
100+44.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1403 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.71 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 7.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2490 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670
Код товару: 66963
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 34 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 32 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 2490/57
Монтаж: SMD
у наявності: 1 шт
  • 1 шт - РАДІОМАГ-Київ
1+55.00 грн
10+49.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670On SemiconductorFDD3670 MOSFET N-CH 100V 34A TO252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670onsemi / FairchildMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 11326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3670 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 34 A, 0.032 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 83W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
на замовлення 1154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3670ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 34A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+151.25 грн
10+124.72 грн
25+123.47 грн
100+94.66 грн
250+86.74 грн
500+73.19 грн
1000+59.22 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 3825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+184.20 грн
10+114.12 грн
50+86.91 грн
100+73.33 грн
500+58.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemiMOSFETs 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+78.55 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3672 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 135mW
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.5/44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Ta), 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 44A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+49.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 44A; 135W; DPAK
Mounting: SMD
Case: DPAK
Power dissipation: 135W
Gate charge: 36nC
Polarisation: unipolar
Technology: UltraFET®
Drain current: 44A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 68mΩ
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+159.86 грн
5+114.06 грн
10+98.96 грн
25+83.03 грн
50+72.12 грн
100+69.61 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672
Код товару: 92624
Додати до обраних Обраний товар
FairchildТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D-Pak (TO-252)
Напруга сток-витік Uds, В: 100 В
Струм стоку Idd, А: 44 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 28 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1710/24
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+55.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 6.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
205+69.09 грн
Мінімальне замовлення: 205 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085onsemi / FairchildMOSFET 100V NChannel UniFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 44A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3672-F085 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 44 A, 0.024 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 44
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 144
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.024
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 44A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 21A, 6V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1635 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672-NLFAIRCHIL09+ DFN10
на замовлення 821 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3672_Qonsemi / FairchildMOSFET 100V 44a .28 Ohms/VGS=1V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2167 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 6.1A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1735 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3680ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3680 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.046 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 25
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+46.76 грн
5000+46.52 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.62 грн
25+42.93 грн
100+40.74 грн
250+37.11 грн
500+35.04 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
10+36.98 грн
100+32.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+43.62 грн
330+42.93 грн
335+42.25 грн
341+40.08 грн
500+36.50 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+30.04 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
на замовлення 17007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.61 грн
2500+62.56 грн
5000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 95
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682_F085Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
на замовлення 2624 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+212.41 грн
10+132.54 грн
50+101.53 грн
100+85.90 грн
500+69.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3690 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690-NL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON-SemiconductorN-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD3706 ON Semiconductor TFDD3706
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860FairchildN-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+64.08 грн
100+44.87 грн
500+34.04 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860-GonsemiDescription: 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiMOSFETs PT5 100/20V NCH
на замовлення 20101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+130.89 грн
250+63.45 грн
500+62.12 грн
1000+58.84 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+84.73 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 14.3nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 488 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+116.51 грн
5+84.54 грн
10+74.98 грн
50+58.45 грн
100+53.51 грн
250+47.72 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.03 грн
10+77.02 грн
25+76.24 грн
100+58.83 грн
250+53.92 грн
500+49.48 грн
1000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+37.42 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15A
Код товару: 101241
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+50.94 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 883 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1022 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
184+77.02 грн
186+76.24 грн
232+61.01 грн
250+58.24 грн
500+51.54 грн
1000+47.19 грн
Мінімальне замовлення: 184 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.27 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+145.79 грн
10+89.52 грн
50+67.57 грн
100+56.77 грн
500+45.11 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 26A; Idm: 104A; 63W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 104A
Power dissipation: 63W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 42mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17.6nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ
Код товару: 104572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+56.59 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
Verlustleistung: 63W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+88.07 грн
172+82.55 грн
195+72.69 грн
250+60.06 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.