Продукція > FDD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDD3682ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 32A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 95W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2091 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.48 грн
500+35.63 грн
1000+31.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.62 грн
25+42.93 грн
100+40.74 грн
250+37.11 грн
500+35.04 грн
1000+34.46 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 9195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+69.61 грн
2500+62.56 грн
5000+58.35 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 5.5/32A TO252AA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 95W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 32A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085onsemi / FairchildMOSFET N-Channel PwrTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682-F085ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 5.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682..ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3682.. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 32 A, 0.036 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100
Dauer-Drainstrom Id: 32
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 95
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.036
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (27-Jun-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3682_F085Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.30 грн
10+112.46 грн
100+89.49 грн
500+71.06 грн
1000+60.30 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemi / FairchildMOSFET 100V NCh PowerTrench
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3690 - MOSFET'S - SINGLE
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690fairchildto-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 22A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1514 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 5.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690onsemiMOSFETs 100V NCh PowerTrench
на замовлення 2110 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 22A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3690-NL
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON Semiconductor / FairchildMOSFET 20V N-Ch PowerTrench
на замовлення 3513 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Bulk
на замовлення 880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+43.42 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706onsemiDescription: MOSFET N-CH 20V 14.7A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.7A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 16.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1882 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3706ON-SemiconductorN-Channel 20V 14.7A (Ta), 50A (Tc) 3.8W (Ta), 44W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-) FDD3706 ON Semiconductor TFDD3706
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD3860 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 717 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 22656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+64.08 грн
100+44.87 грн
500+34.04 грн
1000+31.40 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860FairchildN-Channel 100V 6.2A (Ta) 3.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252AA) FDD3860 ON Semiconductor TFDD3860
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel Power Trench
на замовлення 38285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 100V 6.2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 6.2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1740 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 5.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+31.72 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3860-GonsemiDescription: 100V N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.57 грн
5000+52.49 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.36 грн
5000+32.69 грн
7500+32.20 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiMOSFETs PT5 100/20V NCH
на замовлення 20949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.0335 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0335ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+63.00 грн
500+49.66 грн
1000+37.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 685 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
213+66.57 грн
259+54.69 грн
277+51.11 грн
500+43.37 грн
Мінімальне замовлення: 213 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
202+70.09 грн
204+69.38 грн
249+57.02 грн
253+53.97 грн
500+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1285 pF @ 75 V
на замовлення 9870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+66.19 грн
100+46.91 грн
500+37.26 грн
1000+36.99 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.04 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.98 грн
50+72.26 грн
100+53.24 грн
500+42.57 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15A
Код товару: 101241
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15Aonsemi / FairchildMOSFETs PT5 100/20V NCH
на замовлення 28633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+48.02 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.01 грн
11+70.09 грн
25+69.38 грн
100+54.98 грн
250+49.97 грн
500+40.23 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemi / FairchildMOSFETs NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET
на замовлення 5211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+85.98 грн
10+76.64 грн
25+75.88 грн
100+62.82 грн
250+57.58 грн
500+49.33 грн
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.71 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3828 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.90 грн
10+76.08 грн
100+55.97 грн
500+42.87 грн
1000+40.56 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZ
Код товару: 104572
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemiMOSFETs NCh150V,26A,42m ohms PowerTrench MOSFET
на замовлення 4005 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.77 грн
500+51.40 грн
1000+44.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+76.64 грн
187+75.88 грн
218+65.14 грн
250+62.19 грн
500+51.39 грн
1000+45.81 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZonsemiDescription: MOSFET N-CH 150V 26A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1760 pF @ 75 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+41.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 150V 26A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+62.51 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD390N15ALZONSEMIDescription: ONSEMI - FDD390N15ALZ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 26 A, 0.042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 26A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 63W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 4999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.25 грн
50+102.42 грн
100+69.82 грн
500+51.55 грн
1000+44.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40fairchild07+ to-252/d-pak
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TFonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+19.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 400V 2A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemi / FairchildMOSFETs 400V N-CH MOSFET
на замовлення 5687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMON-SemiconductorN-Channel 400V 2A (Tc) 30W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N40TM ON Semiconductor TFDD3n40tm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N40TMonsemiDescription: MOSFET N-CH 400V 2A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
на замовлення 4148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+43.70 грн
100+29.39 грн
500+21.65 грн
1000+19.62 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemi / FairchildMOSFET UNIFET2 500V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMFairchildN-Channel 500V 2.5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount D-Pak FDD3N50NZTM ON Semiconductor TFDD3n50nztm
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+60.35 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD3N50NZTMonsemiDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 1.25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141
Код товару: 133759
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
168+84.23 грн
252+56.21 грн
500+43.86 грн
Мінімальне замовлення: 168 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141UMWTransistor P-Channel MOSFET; 40V; 20V; 18mOhm; 58A; 69W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: FDD4141 Onsemi; FDD4141 UMW TFDD4141 UMW
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
на замовлення 5925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+59.55 грн
100+39.57 грн
500+29.07 грн
1000+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.68 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+47.39 грн
500+34.49 грн
1000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemi / FairchildMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 6030 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 167000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
731+48.38 грн
1000+44.63 грн
10000+39.78 грн
100000+32.14 грн
Мінімальне замовлення: 731 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141On SemiconductorMOSFET P-CH 40V 10.8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.19 грн
5000+23.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.82 грн
10+84.39 грн
100+56.31 грн
500+42.38 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0123 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0123ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 2333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+112.99 грн
50+71.37 грн
100+47.39 грн
500+34.49 грн
1000+28.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141onsemiMOSFETs -40V P-Channel PowerTrench
на замовлення 6822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141UMWMOSFET 40V 50A TO-252 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085onsemi / FairchildMOSFET Trans MOS P-Ch 40V 10.8A 3-Pin 2+Tab
на замовлення 21496 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.99 грн
500+72.89 грн
1000+67.22 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085onsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A DPAK
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-252AA
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 10.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 109000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
437+80.99 грн
500+72.89 грн
1000+67.22 грн
10000+57.79 грн
100000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 437 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4141-F085 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0101 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 50
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 69
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: Power Trench
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0101
Betriebstemperatur, max.: 175
Schwellenspannung Vgs: 1.8
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+100.79 грн
10+91.04 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085PonsemiDescription: MOSFET P-CH 40V 10.8A/50A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta), 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.3mOhm @ 12.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.4W (Ta), 69W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2775 pF @ 20 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-F085Ponsemionsemi P-Channel PowerTrench MOSFET, -40V, -50A, 12.3mO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4141-NLFAIRCHIL09+ TSSOP
на замовлення 825 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH Si 40V 6.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+86.48 грн
11+71.10 грн
25+69.71 грн
100+49.72 грн
250+44.63 грн
500+25.67 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDD4243ONSEMIDescription: ONSEMI - FDD4243 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 14 A, 0.044 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
Verlustleistung: 42W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.044ohm
на замовлення 18982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.92 грн
50+57.39 грн
100+36.58 грн
500+28.83 грн
1000+24.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20 22 23  [ Наступна Сторінка >> ]