Продукція > PMD

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMDT670UPE,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDT670UPE,115 - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 550 mA, 550 mA, 0.67 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 550mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 550mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.67ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 500mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-666
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.67ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 500mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.17 грн
27+30.64 грн
100+19.75 грн
500+12.91 грн
1000+10.45 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT670UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+35.27 грн
15+20.68 грн
100+13.13 грн
500+9.24 грн
1000+8.24 грн
2000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDT670UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 330mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 550mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 87pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 400mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.14nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-666
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DDLMF-1L-ComAudio Cables / Video Cables / RCA Cables CA DVI-D PNL MNT DUAL LNK 1'
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6144.29 грн
10+5514.08 грн
50+4771.17 грн
100+4593.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DDLMF-1L-comDescription: CA DVI-D PNL MNT DUAL LNK 1'
Packaging: Bag
Color: Gray
Length: 1.00' (304.80mm)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Usage: Digital Visual Interface
1st Connector Mounting Type: Panel Mount
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Mating Hardware
1st Connector Type: DVI-D Dual Link, Male
2nd Connector Type: DVI-D Dual Link, Female
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DDLMF-10L-comDescription: CA DVI-D PNL MNT DUAL LNK 10'
Packaging: Bag
Color: Gray
Length: 10.0' (3.05m)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Usage: Digital Visual Interface
1st Connector Mounting Type: Panel Mount
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Mating Hardware
1st Connector Type: DVI-D Dual Link, Male
2nd Connector Type: DVI-D Dual Link, Female
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DDLMF-3L-comDescription: CA DVI-D PNL MNT DUAL LNK 3'
Packaging: Bag
Color: Gray
Length: 3.00' (914.40mm)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Usage: Digital Visual Interface
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Mating Hardware
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Mating Hardware
1st Connector Type: DVI-I Dual Link, Female
2nd Connector Type: DVI-D Dual Link, Male
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5210.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DDLMF-3L-ComAudio Cables / Video Cables / RCA Cables CA DVI-D PNL MNT DUAL LNK 3'
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6572.66 грн
10+5945.95 грн
25+4971.13 грн
50+4805.31 грн
100+4266.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DSLMF-1L-comDescription: CA DVI-D PNL MNT SGL LNK 1'
Packaging: Bag
Color: Gray
Length: 1.00' (304.80mm)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Usage: Digital Visual Interface
1st Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
1st Connector Type: DVI-I Dual Link, Female
2nd Connector Type: DVI-D Single Link, Male
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4152.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DSLMF-10L-comDescription: CA DVI-D PNL MNT SGL LNK 10'
Packaging: Bag
Color: Gray
Length: 10.0' (3.05m)
Shielding: Shielded
Cable Type: Round
Usage: Digital Visual Interface
1st Connector Mounting Type: Panel Mount
2nd Connector Mounting Type: Free Hanging (In-Line), Mating Hardware
1st Connector Type: DVI-D Dual Link, Male
2nd Connector Type: DVI-D Dual Link, Female
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDVI-DSLMF-10L-COMDescription: L-COM - PMDVI-DSLMF-10 - Konfektioniertes Audio-/Videokabel, DVI-D-Stecker (Dual Link), DVI-D-Stecker (Dual-Link), 10 ft
tariffCode: 85444290
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
Kabellänge - Imperial: 10ft
Mantelfarbe: Grau
euEccn: NLR
Steckverbinder A: DVI-D-Stecker (Dual Link)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kabellänge - Metrisch: 3.05m
Steckverbinder B: DVI-D-Stecker (Dual-Link)
usEccn: EAR99
Produktpalette: PMDVI-DDLMF Series
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4747.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPE147NXPDescription: NXP - PMDXB1200UPE147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1785000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4911+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 4911 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPE147NXP USA Inc.Description: NOW NEXPERIA PMDXB1200UPE SMALL
на замовлення 1785000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4418+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 4418 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1798650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4911+8.05 грн
Мінімальне замовлення: 4911 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNexperiaTrans MOSFET P-CH 30V 410A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 30V 0.41A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.2nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 410mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.2pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.73 грн
500+8.91 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNexperiaMOSFETs PMDXB1200UPE/SOT1216/DFN1010B-
на замовлення 13693 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.67 грн
20+16.10 грн
100+9.96 грн
1000+6.83 грн
5000+6.06 грн
10000+5.64 грн
50000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB1200UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB1200UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 30 V, 410 mA, 410 mA, 1.2 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 410mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 410mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.2ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 285mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.2ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 285mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.54 грн
41+20.08 грн
100+10.73 грн
500+8.91 грн
1000+6.51 грн
Мінімальне замовлення: 26 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1607 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.51 грн
100+10.85 грн
500+8.31 грн
1000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.65 грн
500+7.85 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZNexperiaMOSFET MOS DISCRETES
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.52 грн
13+25.96 грн
100+12.75 грн
1000+6.48 грн
5000+5.57 грн
10000+4.46 грн
25000+4.18 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.93A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.9nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43.6pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 930mA (Ta), 3.5A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 280mW (Ta), 6W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB290UNEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB290UNEZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 930 mA, 0.27 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 930mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: PW Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.27ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.23 грн
42+19.67 грн
100+10.65 грн
500+7.85 грн
1000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE,147NXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMDXB550UNE - SMALL SIG
Packaging: Bulk
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3378+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3378 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE,147NXPDescription: NXP - PMDXB550UNE,147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 720000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4302+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 4302 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE,147-NEXNexperia USA Inc.Description: 0.59A, 30V, 2-ELEMENT, N CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE/S500147NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3842+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 3842 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE/S500147NXPDescription: NXP - PMDXB550UNE/S500147 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4266+9.35 грн
Мінімальне замовлення: 4266 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNE/S500ZNXPDescription: NXP - PMDXB550UNE/S500Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZNexperiaMOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
на замовлення 342109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+29.34 грн
14+23.56 грн
100+11.29 грн
500+10.10 грн
1000+7.94 грн
2500+7.18 грн
5000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.05nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 670mOhm @ 590mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30.3pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 590mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 285mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3364 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.19 грн
50+18.99 грн
100+15.63 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB550UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 590A Automotive 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB590UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+18.21 грн
55+14.79 грн
100+11.46 грн
500+8.45 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB590UPEZNexperiaMOSFETs 20 V, dual P-channel Trench MOSFET
на замовлення 8578 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.73 грн
18+18.51 грн
100+7.87 грн
500+7.59 грн
1000+5.92 грн
2500+5.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB590UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB590UPEZ - Dual-MOSFET, Zweifach p-Kanal, 20 V, 570 mA
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 570mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.59ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: TrenchMOS Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4860 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.45 грн
1000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNENexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEL,147Nexperia USA Inc.Description: 0.6A, 20V, 2-ELEMENT, N CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEL/S500ZNXP SemiconductorsDescription: PMDXB600UNEL - N Channel MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.99 грн
1000+5.65 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNexperiaMOSFETs SOT1216 2NCH 20V .6A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB600UNELZ - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.69 грн
46+17.72 грн
105+7.76 грн
500+6.99 грн
1000+5.65 грн
5000+4.65 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2294+2.63 грн
3000+2.34 грн
6000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 2294 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 400mA; Idm: 2.5A
Type of transistor: N-MOSFET x2
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.4A
Pulsed drain current: 2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 0.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.37 грн
10000+4.41 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 6951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4616+3.06 грн
5173+2.73 грн
6000+2.39 грн
Мінімальне замовлення: 4616 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaMOSFETs SOT1216 2NCH 20V .6A
на замовлення 33193 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+24.47 грн
20+16.27 грн
100+5.85 грн
500+5.50 грн
1000+2.79 грн
2500+2.65 грн
5000+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+5.20 грн
10000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.13 грн
25000+3.91 грн
35000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB600UNEZNexperiaTrans MOSFET N-CH 20V 0.6A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20000+4.16 грн
25000+3.95 грн
35000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPENXP SemiconductorsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPENXP SemiconductorsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPENXP SemiconductorsDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEL/S500,ZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPEL/S500,Z - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEL/S500ZNexperia USA Inc.Description: PMDXB950UPEL - 20 V, DUAL P-CHAN
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW (Ta), 4.025W (Tc)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3579+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3579 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNexperiaMOSFETs PMDXB950UPEL/SOT1216/DFN1010B-
на замовлення 17598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+21.13 грн
22+14.74 грн
100+7.87 грн
1000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+9.59 грн
1000+6.97 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.34 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.54 грн
10000+6.65 грн
15000+6.33 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPELZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 18975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.99 грн
41+19.91 грн
100+12.68 грн
500+9.59 грн
1000+6.97 грн
5000+5.07 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 24893 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.12 грн
15+21.43 грн
100+13.64 грн
500+9.63 грн
1000+8.61 грн
2000+7.75 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 144970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4826+8.21 грн
Мінімальне замовлення: 4826 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 11740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.33 грн
13+24.91 грн
50+18.05 грн
100+14.84 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 265mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 265mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.05 грн
500+9.13 грн
1000+7.39 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNexperia USA Inc.Description: MOSFET 2P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 43pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNexperiaMOSFETs PMDXB950UPE/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 6428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.50 грн
16+20.03 грн
100+9.75 грн
1000+6.06 грн
5000+5.16 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMDXB950UPEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMDXB950UPEZ - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 500 mA, 500 mA, 1.02 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 500mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1.02ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 265mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 265mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.50 грн
37+22.52 грн
100+11.05 грн
500+9.13 грн
1000+7.39 грн
5000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11