Продукція > SI2

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SI2304DDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.7W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
на замовлення 1247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+23.86 грн
50+17.31 грн
100+14.25 грн
500+10.73 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 3.3A; 1.1W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 3.3A
Power dissipation: 1.1W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 30V 3.3A/3.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Ta), 3.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2304DDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.1W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DDS-T1-GE3VishayTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Si2304DDS-T1-GE3-MLMOSLEADERDescription: N 30V 3.6A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.60 грн
1000+2.45 грн
3000+2.28 грн
6000+2.10 грн
15000+2.03 грн
30000+1.95 грн
75000+1.80 грн
150000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DSNexperiaNexperia
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DSNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS T/RNXP SemiconductorsMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS,215NEXPERIADescription: NEXPERIA - SI2304DS,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 500 mA, 0.117 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 500
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 830
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 830
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.117
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.117
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS,215Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 830mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-236AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS,215Nexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
Packaging: Bulk
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20372.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS,215NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS,215NexperiaMOSFET TAPE-7 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-E3
на замовлення 120 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1Vishay / SiliconixMOSFET 30V 2.5A 1.25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1 SOT23-A4VISHAY
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1 SOT23-A4VISHAY
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1-E3VishayVishay OBSOLETE - USE Si2304BDS-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1-E3VISHAY09+
на замовлення 6018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1/A4
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T1SOT23-A4
на замовлення 1140 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-T3VishayVishay OBSOLETE - USE Si2304BDS-T1-E3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS-TI
на замовлення 2884 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS/A4VISHAY
на замовлення 8800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS/DG
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS/R4VISHAY
на замовлення 5594 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS/S500,215NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DST1
на замовлення 2772 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304DS\A4VISHAYSOT-23
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304S-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.08W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 155 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2304S-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs N-CHANNEL MOSFET,SOT-23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305HOTTECHTransistor P-MOSFET; SMD; SOT23; 3.2A; 30V SI2305 SOT23-3 HOTTECH TSI2305 HOT
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
300+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305GOODWORKDescription: 20V 4.1A 33m@4.5V SOT-23
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305GOODWORKMOSFET P-CH 20V 4.1A SOT-23 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305(A5SHB)
на замовлення 14726 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305*A5SHB
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-CNCHIPNOBOTransistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 63mOhm; 5,4A; 1,20W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2305B-TP; SI2305-CN CHIPNOBO TSI2305 CNB
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+2.32 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-MLMOSLEADERDescription: 20V 4.2A 1.38W P Channel SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+5.09 грн
1000+4.46 грн
3000+3.43 грн
6000+3.13 грн
9000+3.05 грн
15000+2.92 грн
30000+2.70 грн
75000+2.54 грн
150000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF; SI2305-TP TSI2305-tp
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
на замовлення 10864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
17+18.25 грн
100+11.55 грн
500+8.09 грн
1000+7.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 8V; 8V; 90mOhm; 4.1A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305-TP-HF; SI2305-TP TSI2305-tp
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 8V 4.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 8V 4.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 350mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.72 грн
6000+5.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TP-HFMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -8Vds 8Vgs 1.4W -4.1A -0.8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305-TP-HFMCC (Micro Commercial Components)Description: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2A, 1.8V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305.
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305AUMWDescription: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
на замовлення 2079 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.19 грн
50+14.60 грн
100+11.99 грн
500+8.99 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305AUMWDescription: 20V 4.2A 65MR@4.5V,4.2A 1.38W 50
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 500mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305AGOODWORKDescription: 20V 4.1A 33m@4.5V42m@2.5V SOT-
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305A5
на замовлення 465200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-E3VISHAY08+
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305ADS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.4A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.1A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 800mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305AS-T1-E3
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-13PMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-13PMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-Ch -20Vds 10Vgs FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-13PMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Mounting: SMD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 7084 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.29 грн
17+17.87 грн
100+11.28 грн
500+7.89 грн
1000+7.02 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TP
Код товару: 210411
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові P-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs -20V, -4.2A,PChannel Mosfet
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial Components Corp.Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 10V; 80mOhm; 4,2A; 1,4W; -55°C~150°C; SI2305B-TP-HF; SI2305B-13P; SI2305B-TP TSI2305b-tp MCC
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 558000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTSCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -20V; -4.2A; 1.4W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -4.2A
Power dissipation: 1.4W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 15nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 4 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
6000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2305B-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.039 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
на замовлення 2975 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305B-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 231000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - SI2305BHE3-TP - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.06 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 900mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.4W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMicro Commercial ComponentsTrans MOSFET P-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)MOSFETs P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BHE3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 2.7A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.98 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1010 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 634 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.15 грн
100+12.14 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305BS-T1-E3
на замовлення 970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.53 грн
50+17.84 грн
100+14.69 грн
500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -8V; -4.7A; Idm: -20A; 1.7W; SOT23
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -8V
Drain current: -4.7A
Pulsed drain current: -20A
Power dissipation: 1.7W
Case: SOT23
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs SOT23 P-CH 8V 4.41A
на замовлення 21652 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixP-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET SOT-23-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3Vishay SiliconixDescription: P-CHANNEL 8-V (D-S) MOSFET
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta), 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-BE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-BE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 4.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.80 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 246 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs -8V Vds 8V Vgs SOT-23
на замовлення 25541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixMOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3 Транзистори
на замовлення 6195 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
93+8.42 грн
Мінімальне замовлення: 93 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VISHAYDescription: VISHAY - SI2305CDS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 8V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 1.7W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
на замовлення 101341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.07 грн
6000+11.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 8 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 4 V
на замовлення 185556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.16 грн
13+24.53 грн
50+17.84 грн
100+14.69 грн
500+11.08 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3KUUMosfet P-ch 8V 5.8A SOT23-3 / Trans Mosfet P-ch 8V 4.4A 3-PIN SOT-23 T/r KSI2305CDS-T1-GE3 SOT23 KUU TSI2305cds KUU
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SI2305CDS-T1-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 8V 5.8A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.