Продукція > STB

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STB20NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: I2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60A-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60DSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60DSTMicroelectronicsMOSFET N Ch 600V 0.26 Ohm 20A
на замовлення 986 шт:
термін постачання 1001-1010 дні (днів)
1+457.47 грн
10+386.63 грн
100+280.28 грн
500+247.14 грн
1000+222.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60DSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+223.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 10A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 20 Amp
на замовлення 241 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+409.14 грн
10+264.37 грн
100+171.89 грн
500+143.59 грн
1000+130.47 грн
2000+125.64 грн
5000+124.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+134.48 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB20NM60T4STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB20PF75ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21-BLANK-2TE ConnectivitySnap-On Marker
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+42.34 грн
1500+37.04 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21-BLANK-8TE ConnectivitySTB21-BLANK-8
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
417+34.02 грн
Мінімальне замовлення: 417 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB210NF02ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB210NF02-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+208.28 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+136.58 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5
Код товару: 190960
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH Si 650V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+207.61 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 650V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 100 V
на замовлення 4484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+361.13 грн
10+231.84 грн
100+166.13 грн
500+151.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N65M5STMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET N-CH 650V
на замовлення 413 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+408.34 грн
10+268.34 грн
100+167.75 грн
500+151.88 грн
1000+142.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+478.26 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 900V 0.25 Ohm 18.5A MDmesh K5
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+559.75 грн
10+373.92 грн
100+237.48 грн
500+230.57 грн
1000+217.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+341.41 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+209.71 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMMOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+315.76 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 900V 18.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 299mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1645 pF @ 100 V
на замовлення 1276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+533.55 грн
10+348.28 грн
100+254.58 грн
500+231.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB21N90K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 900V 18.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+316.78 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NK50
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NK50ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 119 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NK50ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NK50ZSTMicroelectronicsMOSFET N-ch 500 Volt 17Amp Zener SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NK50Z
на замовлення 38000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50N
Код товару: 54430
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs 500V 0.15Ohm 18A N-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50NSTMN-кан. MOSFET 500V, 140 Вт, D2Pak Транзистори
на замовлення 6 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+99.33 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50N-1STMicroelectronicsMOSFET N-CHANNEL MFT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50N-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 18A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50N-1STMN-кан. MOSFET 500V, 140 Вт, I2Pak (TO-262AA) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM50NT4STMicroelectronicsMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60
на замовлення 230 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 600 V 0.19 Ohm 17 A 2nd Gen MDmesh
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60N-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60N-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NDSTMMOSFET N-CH 600V 17A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60ND
Код товару: 91670
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NDSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600V, 17A FDMesh II
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB21NM60NT4STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB22N60DM6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 200 mOhm typ., 15 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22N60DM6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB22N60M6STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 196 mOhm typ., 15 A MDmesh M6 Power MOSFET in a D2PAK package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22N60M6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 15A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.75V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NE03LST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NE10LT
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NE10LT4ST03+
на замовлення 44 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM50ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM50-1ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60ST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60-1STTO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V 0.190 ohm 16A Mdmesh
на замовлення 1019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+396.26 грн
10+295.33 грн
100+227.12 грн
500+214.01 грн
1000+193.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.91 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NM60N
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NS25ZST07+ TO-263/D2-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NS25ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 22A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB22NS25ZT4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 22 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB230NH03L
на замовлення 199 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STB230NH03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB230NH03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 80A D2PAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 40A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
на замовлення 898 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358.03 грн
10+246.95 грн
100+183.65 грн
500+153.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+260.95 грн
500+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.03 грн
10+277.86 грн
100+173.97 грн
500+158.78 грн
1000+149.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMN-channel 800 V, 0.23 Ohm typ., 16 A MDmesh K5 Power MOSFET in D2PAK package Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 16A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB23N80K5 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 16 A, 0.23 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K5
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.23ohm
на замовлення 548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+505.79 грн
10+355.99 грн
100+260.95 грн
500+207.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 16A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+164.70 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50NSTMicroelectronicsMOSFETs MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
на замовлення 471 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+418.00 грн
10+275.48 грн
100+171.89 грн
500+156.71 грн
1000+147.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50N
Код товару: 59758
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: D2PAK (TO-263)
Напруга сток-витік Uds, V: 500 V
Струм стоку Idd, A: 17 A
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 500V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1330 pF @ 50 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+403.07 грн
10+259.14 грн
100+185.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM50NSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STB23NM50N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 17 A, 0.162 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 125W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.162ohm
на замовлення 1594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+334.24 грн
10+260.14 грн
100+186.85 грн
500+169.02 грн
1000+127.02 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STB23NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2050 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±25V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30 32  [ Наступна Сторінка >> ]