Продукція > SiH

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
SIHF840STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF840STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 527 pF @ 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VishayTrans MOSFET N-CH 500V 8.7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50D-E3VISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 5.5A; Idm: 18A; 33W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 5.5A
Pulsed drain current: 18A
Power dissipation: 33W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 30nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50L-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 8A TO220
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 873 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 0 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-220 Full Pack
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF8N50L-E3Vishay / SiliconixMOSFETs 500V Vds 30V Vgs TO-220 FULLPAK
на замовлення 888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9510S-E3Vishay SiliconixSiHF9510S-E3 IRF9510SPBF Trans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9510STL-E3Vishay SiliconixSiHF9510STL-E3 IRF9510STRLPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9520S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 4.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.99 грн
10+73.20 грн
50+54.81 грн
100+45.86 грн
500+36.09 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9520S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 6.8A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530-E3Vishay SiliconixSiHF9530-E3 IRF9530PBF TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHSVishay SiliconixSiHF9530S-E3 : IRF9530S RoHS IRF9530SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -8.2A; Idm: -48A; 88W
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -48A
Power dissipation: 88W
Gate charge: 38nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -8.2A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -100V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
On-state resistance: 0.3Ω
на замовлення 863 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
8+59.12 грн
10+45.95 грн
25+40.54 грн
100+36.49 грн
500+34.55 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9530S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 12A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
192+73.46 грн
214+66.10 грн
500+62.55 грн
Мінімальне замовлення: 192 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530STL-E3Vishay SiliconixSiHF9530STL-E3 IRF9530STRLPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9530STR-E3Vishay SiliconixSiHF9530STR-E3 IRF9530STRRPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540-E3Vishay SiliconixSiHF9540-E3 IRF9540PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V TO-220AB
Packaging: Tube
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540PBFVishay / SiliconixMOSFETs -100V Vds +/-20V Vgs Rds(on) 0.20 @-10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9540S-E3Vishay SiliconixSiHF9540S-E3 -100 В -19 А (TO-263) D2PAK=TO-263 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
4+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 100V 19A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 61 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 11A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs 100V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 100V 19A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+74.39 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 100V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9540STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -13A; Idm: -72A; 150W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 150W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9610S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.83 грн
10+70.92 грн
50+53.06 грн
100+44.37 грн
500+34.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 3.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9620S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHF9620STL-E3Vishay SiliconixSiHF9620STL-E3 IRF9620STRLPBF D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 1199 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+164.98 грн
10+101.94 грн
50+77.25 грн
100+65.01 грн
500+51.89 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -4A; Idm: -26A; 74W
On-state resistance: 0.8Ω
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -26A
Power dissipation: 74W
Polarisation: unipolar
Drain current: -4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: reel; tape
Case: D2PAK; TO263
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 6.5A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 74W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 3.9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.14 грн
10+84.53 грн
50+63.63 грн
100+53.38 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9630STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640L-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs -200V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3VishayTrans MOSFET P-CH 200V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 6.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9640STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14L-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14S-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z14STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24S-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -7.7A; Idm: -44A; 60W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -7.7A
Pulsed drain current: -44A
Power dissipation: 60W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 1039 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.20 грн
10+72.67 грн
50+54.40 грн
100+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 11A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 11A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z24STRR-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 19 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+37.22 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 P-CH 60V 18A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3VishayTrans MOSFET P-CH Si 60V 18A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3VISHAYCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -13A; Idm: -72A; 88W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -13A
Pulsed drain current: -72A
Power dissipation: 88W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 34nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+157.88 грн
10+97.38 грн
100+66.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHF9Z34STRR-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET P-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 11A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 170W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1423 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB11N50A-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB17N50LVishay SiliconixSiHFB17N50L IRFB17N50L Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB18N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB18N50K-E3 IRFB18N50KPBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB20N50KVishay SiliconixSiHFB20N50K IRFB20N50K MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT SIHP18N50C-E3
на замовлення 860 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixSiHFB20N50K-E3 IRFB20N50KPBF MOSFET N-канал 500V 20A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFB20N50K-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 280W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2870 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFB9N65A-E3Vishay SiliconixSiHFB9N65A-E3 IRFB9N65APBF Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC20-E3Vishay SiliconixSiHFBC20-E3 IRFBC20PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC20S-E3Vishay SiliconixSiHFBC20S-E3 IRFBC20SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30-E3Vishay SiliconixSiHFBC30-E3 IRFBC30PBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30A-E3Vishay SiliconixSiHFBC30A-E3 IRFBC30APBF TO-220AB Транзистори
на замовлення 18 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
15+52.82 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC30AL-GE3Vishay SemiconductorsMOSFETs MOSFET N-CHANNEL 600V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30AS-E3Vishay SiliconixSiHFBC30AS-E3 IRFBC30ASPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC30S-E3Vishay SiliconixSiHFBC30S-E3 IRFBC30SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40-E3Vishay SiliconixSiHFBC40-E3 600 В 6.2 А (TO-220) TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40A-E3Vishay SiliconixSiHFBC40A-E3 IRFBC40APBF TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC40AS-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 600V 6.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC40AS-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 600V 6.2A N-CH MOSFET
на замовлення 640 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBC40AS-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1036 pF @ 25 V
на замовлення 125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.88 грн
10+106.80 грн
100+73.04 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SiHFBC40S-E3Vishay SiliconixSiHFBC40S-E3 IRFBC40SPBF D2PAK=TO-263 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE20-E3VishayMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30L-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+120.35 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3VishayTrans MOSFET N-CH 800V 4.1A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.46 грн
10+117.75 грн
100+80.67 грн
500+60.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+63.04 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBE30STRL-GE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO263 800V 4.1A N-CH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
на замовлення 923 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.61 грн
10+119.57 грн
100+81.97 грн
500+61.83 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
SIHFBF30S-GE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 900V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 2.2A, 100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 18 21 24 27 30  [ Наступна Сторінка >> ]