Продукція > irf
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFB7430 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430 | International Rectifier | 409A 40V 375W N-MOSFET IRFB7430 TO220AB TIRFB7430 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 498 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 300 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 200 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 409A; 375W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 409A Power dissipation: 375W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.3mΩ Mounting: THT Gate charge: 300nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Trade name: StrongIRFET | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V | на замовлення 863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3696 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | International Rectifier | MOSFET N CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4374 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 2108 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.3mOhm 195A HEXFET 375W 300nC | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 409A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7430PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7430PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1300 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V Verlustleistung: 375W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1300µohm | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434GPBF | International Rectifier HiRel Products | Power Mosfet | на замовлення 738 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 1 216 nC Qg, TO-220AB | на замовлення 918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 294W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 324 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10820 pF @ 25 V | на замовлення 882 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 26510 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF Код товару: 171783
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: TO-220AB Напруга сток-витік Uds, В: 40 В Струм стоку Idd, А: 195 А Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 1,25 мОм Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 10820/216 Монтаж: THT | у наявності: 17 шт
очікується: 50 шт
на замовлення: 3 шт
|
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4756 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 1.6mOhm 195A HEXFET 294W 216nC | на замовлення 36 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7434PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 1600 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 294W SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1600µohm | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7434PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 317A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 21050 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437 | International Rectifier | 250A 40V 230W N-MOSFET IRFB7437 TO220AB TIRFB7437 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 58 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437GPBF | Infineon / IR | MOSFET MOSFET, 40V, 195A, 2 150 nC Qg, TO-220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 40V 195A TO-220AB Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7437PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 195 A, 2000 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 195A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 230W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2000µohm | на замовлення 354 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 7100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 150µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 225 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7330 pF @ 25 V | на замовлення 2876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 2.0mOhm 195A HEXFET 230W 150nC | на замовлення 1515 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 40, Id = 195 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 7330 @ 25, Qg, нКл = 225 @ 10, Rds = 2 @ 100 А, 10 В мОм, Ugs(th) = 3,9 @ 150 мкА В, Р, Вт = 230, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220AB Очікується: 18 Од кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 250A; 230W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 230W Gate charge: 150nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 250A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 2mΩ Trade name: StrongIRFET | на замовлення 311 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF Код товару: 202363
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7437PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 507000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | на замовлення 4450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 208A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440GPBF | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFB7440GPBF - IRFB7440 - N-CHANNEL POWER MOSFET tariffCode: 85412900 euEccn: NLR hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 394 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 208W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 824 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 208A; 208W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 208W Gate charge: 90nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 208A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube On-state resistance: 2.5mΩ Trade name: StrongIRFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF Код товару: 150169
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRFB7440PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 120 A, 2500 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V Verlustleistung: 208W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2500µohm | на замовлення 737 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 120A 2.5 mOhm HEXFET 90nC 143W | на замовлення 616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB | на замовлення 34927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 38032 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon | MOSFET N CH 40V 120A TO220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 816 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 40V 172A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7440PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 135 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4730 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7446 | Infineon Technologies | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7446 | International Rectifier | 123A 40V 99W N-MOSFET IRFB7446 TO220AB TIRFB7446 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446GPBF | International Rectifier | Description: IRFB7446 - POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V | на замовлення 1157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFET, 40V, 118A, 3 62 nC Qg, TO-220AB | на замовлення 996 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7446GPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N CH 40V 120A TO220AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | MOSFETs 40V 118A 3.3 mOhm HEXFET 62nC 99W | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 40V 120A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 99W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 93 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3183 pF @ 25 V | на замовлення 1151 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1778 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 725 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 559 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 15118 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 40V 123A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 123A; 99W; TO220AB Mounting: THT Power dissipation: 99W Gate charge: 62nC Polarisation: unipolar Technology: HEXFET® Drain current: 123A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: tube Case: TO220AB On-state resistance: 3.3mΩ Trade name: StrongIRFET | на замовлення 378 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| IRFB7446PBF Код товару: 164381
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. |

