Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC5659T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 25V 50MA
на замовлення 8428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC566TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661ROHMSOT723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
на замовлення 28350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.09 грн
10+33.96 грн
100+21.94 грн
500+15.72 грн
1000+14.14 грн
2000+12.82 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.08 грн
1116+12.65 грн
2500+12.28 грн
5000+11.52 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 20V 50MA
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5661T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 18 V, 20 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 56
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 20
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: VMT
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 18
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 1.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 20V 1.5GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 20mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 10mA, 10V
Frequency - Transition: 1.5GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Noise Figure (dB Typ @ f): 4.5dB @ 200MHz
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+11.91 грн
16000+10.63 грн
24000+10.20 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5661T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 20V 0.05A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 4799 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1080+13.08 грн
1116+12.65 грн
2500+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 1080 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662 T2LPROHM
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LNRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 0.05A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
Supplier Device Package: VMT3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
на замовлення 25517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
12+25.83 грн
100+16.47 грн
500+11.67 грн
1000+10.45 грн
2000+9.42 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
684+20.64 грн
710+19.90 грн
1000+19.25 грн
2500+18.02 грн
5000+16.23 грн
Мінімальне замовлення: 684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 11V 50MA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.66 грн
16000+7.69 грн
24000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 11V 0.05A 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1819+7.76 грн
1883+7.50 грн
1904+7.41 грн
2000+7.01 грн
8000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 1819 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5662T2LPROHMDescription: ROHM - 2SC5662T2LP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 11 V, 10 mA, 150 mW, VMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: VMT
Dauerkollektorstrom: 10mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 11V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3.2GHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2052 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663ROHM09+
на замовлення 56018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 22314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.01 грн
12+25.53 грн
100+16.39 грн
500+11.65 грн
1000+10.45 грн
2000+9.44 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.93 грн
1048+13.47 грн
2500+13.08 грн
5000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2243+6.29 грн
2381+5.93 грн
2440+5.79 грн
2505+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 2243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.70 грн
16000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRHOM10+ TO263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.93 грн
1048+13.47 грн
2500+13.08 грн
5000+12.27 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1NEC05+ SOP-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1-AZNECSOP8
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1SOP8NEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5667NECSOT523
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5667-T1NECSOT-423
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5669Rochester Electronics, LLCDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC567TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5674-T3-ANEC
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5676-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+58.37 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5676-T1-ARENESASSOT23/SOT323
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5679-01MRFUJ03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC568NEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5681onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5681-CA
на замовлення 30900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5686 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 31115
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TOP-3M
Гранична частота fT: 3 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 2000 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 2000 В
Струм колектора Ic, А: 20 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 10
товару немає в наявності
1+89.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC569TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 8985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.81 грн
872+16.20 грн
1000+15.67 грн
2500+14.67 грн
5000+13.22 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+20.98 грн
1014+13.92 грн
1087+12.98 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692/WBTOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692\WBTOSHIBASOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5694SANAYOTO-126F
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5694 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 41808
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5696-SONY-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5698-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5698-SONY-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC57NECCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC570TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5700WBHITACHI09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.26 грн
600+23.52 грн
1000+21.54 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703(TE85L,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706 [TO-251] (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 42550
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
Гранична частота fT: 400 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 560
Монтаж: THT
у наявності: 23 шт
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.50 грн
10+31.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706 [TO-252] (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 42549
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
Гранична частота fT: 400 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 5 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 560
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.24 грн
3000+54.47 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-T1SANYO
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-TLSANYO5H12W5H2
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-TL-ESANYO09+ TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-L-TL-LSANYO
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-PMSANYO09+
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-T-TL-E
на замовлення 42820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.93 грн
10+65.67 грн
100+43.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-ESONYO08+PB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 26431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+32.12 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+42.74 грн
1400+37.85 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1070 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+81.92 грн
500+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 19531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+138.43 грн
10+85.10 грн
100+57.41 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707SanyoTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707SanyoTransistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+39.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707onsemi BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707 D-Pak (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 28048
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
Гранична частота fT: 330 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: SMD
у наявності: 10 шт
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Київ
на замовлення: 25 шт
  • 25 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707 I-Pak
Код товару: 193744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
Гранична частота fT: 330 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 50 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 8 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 60 шт
  • 52 шт - склад
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
на замовлення: 3 шт
  • 3 шт - термін постачання 7-21 дні (днів)
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.24 грн
12+68.31 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]