Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC5662T2LPRohm SemiconductorDescription: RF TRANS NPN 11V 3.2GHZ VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 10V
Frequency - Transition: 3.2GHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11 V
Power - Max: 150 mW
Power - Max: 150mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 11V
Noise Figure (dB Typ @ f): 3.5dB @ 500MHz
на замовлення 25641 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
13+24.83 грн
100+15.86 грн
500+11.24 грн
1000+10.06 грн
2000+9.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663ROHM09+
на замовлення 56018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 22314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.35 грн
100+16.27 грн
500+11.57 грн
1000+10.38 грн
2000+9.37 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7611 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+14.00 грн
1048+13.53 грн
2500+13.14 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 12V 0.5A VMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 200mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 10mA, 2V
Frequency - Transition: 320MHz
Supplier Device Package: VMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.64 грн
16000+7.68 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 7750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2243+6.32 грн
2381+5.95 грн
2440+5.81 грн
2505+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 2243 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 12V 0.5A
на замовлення 2164 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+47.76 грн
11+29.06 грн
100+16.29 грн
500+12.29 грн
1000+9.94 грн
5000+8.28 грн
8000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRHOM10+ TO263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5663T2LRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 12V 0.5A 150mW 3-Pin VMT T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+14.00 грн
1048+13.53 грн
2500+13.14 грн
5000+12.33 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1NEC05+ SOP-8
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1-AZNECSOP8
на замовлення 3547 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1-AZRenesas ElectronicsBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5664-E1SOP8NEC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5667NECSOT523
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5667-T1NECSOT-423
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5669Rochester Electronics, LLCDescription: NPN SILICON TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC567TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5674-T3-ANEC
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5676-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: NPN RF TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 288000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
343+57.96 грн
Мінімальне замовлення: 343 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5676-T1-ARENESASSOT23/SOT323
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5679-01MRFUJ03+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC568NEC
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5681onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5681-CA
на замовлення 30900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5686 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 31115
Додати до обраних Обраний товар
PanasonicТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TOP-3M
fT: 3 MHz
Uceo,V: 2000 V
Ucbo,V: 2000 V
Ic,A: 20 A
h21: 10
товару немає в наявності
1+89.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC569TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 8985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
840+16.89 грн
872+16.27 грн
1000+15.74 грн
2500+14.73 грн
5000+13.28 грн
Мінімальне замовлення: 840 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 2.5A 625mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+21.07 грн
1014+13.99 грн
1087+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692/WBTOSHIBA09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5692\WBTOSHIBASOT-23
на замовлення 3100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5694SANAYOTO-126F
на замовлення 72000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5694 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 41808
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5696-SONY-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5698-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5698-SONY-CAonsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC57NECCAN
на замовлення 318 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC570TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5700WBHITACHI09+
на замовлення 3418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703ToshibaArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT NPN 50V 4A 800mW 3-Pin TSM T/R
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.48 грн
600+23.62 грн
1000+21.64 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5703(TE85L,F)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706 [TO-251] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 42550
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-251
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 A
h21: 560
Монтаж: THT
у наявності: 32 шт
  • 9 шт - склад
  • 16 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 7 шт - РАДІОМАГ-Харків
1+35.50 грн
10+31.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706 [TO-252] (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 42549
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
fT: 400 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 5 A
h21: 560
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+22.00 грн
10+19.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Verlustleistung: 15W
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
euEccn: NLR
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
Übergangsfrequenz: 400MHz
rohsPhthalatesCompliant: YES
Betriebstemperatur, max.: 150°C
usEccn: EAR99
Dauer-Kollektorstrom: 5A
на замовлення 55 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+120.00 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EON Semiconductor
на замовлення 379 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1500+57.49 грн
3000+54.72 грн
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-T1SANYO
на замовлення 1400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-TLSANYO5H12W5H2
на замовлення 5933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-G-TL-ESANYO09+ TSSOP
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-HON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-L-TL-LSANYO
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EON SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(3+Tab) TP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-P-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 100V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 800 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-PMSANYO09+
на замовлення 1418 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-T-TL-E
на замовлення 42820 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 965 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+107.18 грн
10+65.21 грн
100+43.43 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+31.90 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 5A 50V
на замовлення 31881 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+111.95 грн
10+70.34 грн
100+40.59 грн
700+34.45 грн
1400+31.48 грн
2100+29.62 грн
4900+26.85 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-ESONYO08+PB
на замовлення 535 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-E - BIPOLAR TRANSISTOR
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiRF Bipolar Transistors BIP NPN 5A 50V
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.17 грн
10+90.50 грн
100+53.23 грн
700+38.18 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 19531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.46 грн
10+84.51 грн
100+57.01 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5706-TL-H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 5 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 5A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 400MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+136.11 грн
10+86.98 грн
100+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 5A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
431+82.29 грн
500+74.05 грн
Мінімальне замовлення: 431 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 100V; 5A; 0.8W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 100V
Collector current: 5A
Power dissipation: 0.8W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 400MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5706-TL-HonsemiDescription: TRANS NPN 50V 5A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 400MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 800 mW
на замовлення 18900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+42.44 грн
1400+37.59 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707SanyoTransistor NPN; Bipolar; 560; 50V; 6V; 330MHz; 8A; 15W; -55°C~150°C; set with 2SA2040; 2SC5707-TL-E; 2SC5707 smd T2SC5707 smd
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+40.63 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707SanyoTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707onsemi BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707 D-Pak (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 28048
Додати до обраних Обраний товар
SanyoТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: D-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
1+32.00 грн
10+28.80 грн
100+25.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707 I-Pak
Код товару: 193744
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
Корпус: I-Pak
fT: 330 MHz
Uceo,V: 50 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 8 A
h21: 560
Примітка: Дарлінгтон
Монтаж: THT
у наявності: 62 шт
  • 52 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Львів
1+40.00 грн
10+36.00 грн
100+32.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP
Packaging: Bag
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(3+Tab) IPAK Bag
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+79.60 грн
12+68.62 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EOn SemiconductorBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-251, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 200
Verlustleistung Pd: 15
Übergangsfrequenz ft: 330
Bauform - Transistor: TO-251
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 50
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 8
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-SHY-TL04+ TO252
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TLSANYOSOT252/2.5
на замовлення 460 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 50, Ic = 8 А, ft, МГц = 330, hFE = 200 @ 500 мA, 2 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,24 @ 175 мA, 3,5 А, Р, Вт = 1, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: TP-FA-2 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiBipolar Transistors - BJT BIP NPN 8A 50V
на замовлення 19283 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+131.28 грн
10+66.13 грн
100+41.77 грн
700+32.31 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4408 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+125.04 грн
10+76.58 грн
100+51.42 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+124.03 грн
11+79.01 грн
100+52.91 грн
500+43.15 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EOn SemiconductorTRANS NPN 50V 8A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 8A; 1W; DPAK
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 8A
Power dissipation: 1W
Case: DPAK
Current gain: 200...560
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 330MHz
на замовлення 703 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+114.55 грн
5+88.08 грн
10+77.28 грн
50+54.01 грн
100+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-E
Код товару: 211444
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EonsemiDescription: TRANS NPN 50V 8A TP-FA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 175mA, 3.5A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 330MHz
Supplier Device Package: TP-FA
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 8 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1 W
на замовлення 4200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
700+38.08 грн
1400+33.66 грн
Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EON SemiconductorTrans GP BJT NPN 50V 8A 1000mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 700 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5707-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5707-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 50 V, 8 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 15W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Dauerkollektorstrom: 8A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 330MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+52.91 грн
500+43.15 грн
1000+34.24 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC571NEC
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 108 109 110 111 112 113 114 115 116 117 118 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]