Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SC5826ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5826ROHM
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5826TV2ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5826TV2QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A ATV
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5826TV2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 3A ATV
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC583TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5831ON SemiconductorTrans Darlington NPN 55V 2A 1500mW 3-Pin TO-126ML
на замовлення 75972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+42.05 грн
25+37.16 грн
100+33.21 грн
500+30.48 грн
1000+18.82 грн
2500+15.48 грн
5000+13.55 грн
10000+10.89 грн
25000+10.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5831onsemiDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Power - Max: 1.5 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 55 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: TO-126ML
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN - Darlington
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1432+18.17 грн
Мінімальне замовлення: 1432 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5832-TL-EON SemiconductorDarlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
на замовлення 72800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
10000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5832-TL-EonsemiDescription: DRIVER APPLICATIONS
Packaging: Bulk
на замовлення 50400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
740+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 740 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5832-TL-EON SemiconductorDarlington NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
701+50.33 грн
1000+46.42 грн
10000+41.39 грн
Мінімальне замовлення: 701 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5832-TL-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SC5832-TL-E - 2SC5832 - DRIVER APPLICATIONS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5845Panasonic
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584500LPANPSONIC09+
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584500LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584500LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A MINI3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: Mini3-G1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5846001CAPANASONIC09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584600LPANASONICSOT-723
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5846G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSSMini3-F2
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584800APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC585TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5850LCTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5858 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 40798
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
Гранична частота fT: 2 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 750 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 1700 В
Струм колектора Ic, А: 22 А
Коефіцієнт передачі струму h21: 60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+66.00 грн
10+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2sc5859 (біполярний транзистор NPN)
Код товару: 36914
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5859(FA)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH-3PLH-5GEN,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC586TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPANASONIC09+
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865ROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865 TL QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866ROHM
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
11+28.84 грн
100+18.59 грн
500+13.28 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.43 грн
795+17.77 грн
1000+17.19 грн
2500+16.08 грн
5000+14.49 грн
10000+13.57 грн
25000+13.27 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+30.86 грн
644+21.92 грн
1000+20.98 грн
3000+18.87 грн
6000+12.35 грн
25000+11.13 грн
40000+10.48 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQROHMDescription: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
591+23.92 грн
612+23.06 грн
1000+22.31 грн
2500+20.87 грн
Мінімальне замовлення: 591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 31747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+25.87 грн
715+19.76 грн
1000+17.78 грн
3000+11.88 грн
6000+10.75 грн
12000+9.03 грн
24000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.49 грн
11+28.84 грн
100+18.59 грн
500+13.28 грн
1000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.03 грн
6000+8.83 грн
9000+8.41 грн
15000+7.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868 FRATL RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868/QROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+28.15 грн
15+20.94 грн
100+12.54 грн
500+10.90 грн
1000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.64 грн
6000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876ROHM09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 200
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106ROHM SemiconductorArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.05 грн
459+30.81 грн
503+28.10 грн
589+23.13 грн
1000+17.43 грн
2000+15.63 грн
3000+14.92 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.62 грн
10+30.88 грн
100+19.91 грн
500+14.23 грн
1000+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+49.27 грн
11+29.30 грн
100+18.90 грн
500+13.50 грн
1000+12.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 136888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.05 грн
459+30.81 грн
503+28.10 грн
589+23.13 грн
1000+17.43 грн
2000+15.63 грн
6000+14.62 грн
12000+13.81 грн
24000+12.90 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10538 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.92 грн
11+27.94 грн
100+17.88 грн
500+12.71 грн
1000+11.40 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+35.73 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 4223 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.76 грн
6000+9.47 грн
9000+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1013+13.93 грн
1048+13.47 грн
2500+13.08 грн
Мінімальне замовлення: 1013 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorMedium Power Transistor for Automotive
на замовлення 425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+58.80 грн
22+35.73 грн
100+22.68 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323
на замовлення 9585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.32 грн
14+22.82 грн
100+14.57 грн
500+10.29 грн
1000+9.20 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.64 грн
6000+7.58 грн
9000+7.20 грн
15000+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+12.94 грн
1128+12.51 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+10.75 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]