Продукція > 2SC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
2SC5846001CAPANASONIC09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584600LPANASONICSOT-723
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584600LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3-F1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SSSMini3-F1
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5846G0LPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A SSSMINI3
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SSSMini3-F2
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC584800APanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 50V 0.1A ML3-N2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: ML3-N2
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC585TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5850LCTL-ERenesas Electronics CorporationDescription: SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSTR NPN
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 2mA, 12V
Supplier Device Package: 3-CMPAK
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1803+12.36 грн
Мінімальне замовлення: 1803 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5858 (транзистор біполярний NPN)
Код товару: 40798
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-3P
fT: 2 MHz
Uceo,V: 750 V
Ucbo,V: 1700 V
Ic,A: 22 A
h21: 60
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+66.00 грн
10+60.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2sc5859 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36914
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5859(FA)ToshibaBipolar Transistors - BJT HIGH-3PLH-5GEN,DISCON(07-04)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC586TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPANASONIC09+
на замовлення 2818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC58630QLPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS NPN 300V 0.07A MINI3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Supplier Device Package: Mini3-G1
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865ROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865 TL QROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 1A TSMT3
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 250MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5865TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 1A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866ROHM
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 29468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
766+18.51 грн
795+17.85 грн
1000+17.27 грн
2500+16.16 грн
5000+14.55 грн
10000+13.63 грн
25000+13.32 грн
Мінімальне замовлення: 766 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 45579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
458+31.00 грн
644+22.02 грн
1000+21.07 грн
3000+18.95 грн
6000+12.40 грн
25000+11.18 грн
40000+10.53 грн
Мінімальне замовлення: 458 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQROHMDescription: ROHM - 2SC5866TLQ - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 1 A, 500 mW, TSMT, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 500mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TSMT
Dauerkollektorstrom: 1A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 4235 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+54.04 грн
24+34.87 грн
100+23.84 грн
500+16.83 грн
1000+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 3988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+42.04 грн
11+30.41 грн
100+17.67 грн
250+17.60 грн
500+13.67 грн
1000+10.98 грн
3000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
591+24.02 грн
612+23.16 грн
1000+22.41 грн
2500+20.97 грн
Мінімальне замовлення: 591 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.64 грн
100+18.46 грн
500+13.19 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.96 грн
6000+8.77 грн
9000+8.35 грн
15000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 2A 500mW 3-Pin TSMT T/R
на замовлення 31747 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
546+25.99 грн
715+19.84 грн
1000+17.86 грн
3000+11.94 грн
6000+10.80 грн
12000+9.07 грн
24000+8.26 грн
Мінімальне замовлення: 546 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A TSMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-96
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: TSMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 21924 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
11+28.64 грн
100+18.46 грн
500+13.19 грн
1000+11.85 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5866TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 2A
на замовлення 3345 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.42 грн
12+28.18 грн
100+18.22 грн
500+13.88 грн
1000+11.11 грн
3000+9.46 грн
6000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 63 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868 FRATL RROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868/QROHMSOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6761 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.96 грн
15+20.79 грн
100+12.45 грн
500+10.82 грн
1000+7.36 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.61 грн
6000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLQROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 1983 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.96 грн
14+23.82 грн
100+10.56 грн
1000+7.94 грн
3000+6.83 грн
9000+6.35 грн
24000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5868TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A TSMT3
Power - Max: 500 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TSMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-96
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876ROHM09+
на замовлення 9018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.06 грн
47+17.15 грн
100+10.23 грн
500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876FRAT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876FRAT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Verlustleistung: 200
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106ROHM SemiconductorArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 120
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHM09+
на замовлення 3018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.20 грн
459+30.95 грн
503+28.23 грн
589+23.24 грн
1000+17.51 грн
2000+15.70 грн
3000+14.98 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3361 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.26 грн
10+30.66 грн
100+19.77 грн
500+14.13 грн
1000+12.70 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
11+28.98 грн
100+17.60 грн
500+13.32 грн
1000+10.70 грн
3000+9.18 грн
9000+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 60V 0.5A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 136888 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
427+33.20 грн
459+30.95 грн
503+28.23 грн
589+23.24 грн
1000+17.51 грн
2000+15.70 грн
6000+14.69 грн
12000+13.88 грн
24000+12.96 грн
Мінімальне замовлення: 427 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A
на замовлення 3025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.58 грн
11+30.49 грн
100+17.40 грн
500+13.25 грн
1000+11.74 грн
3000+10.56 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3
Frequency - Transition: 300MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.93 грн
11+29.09 грн
100+18.76 грн
500+13.40 грн
1000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876T106RROHMDescription: ROHM - 2SC5876T106R - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), High-Speed, NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323
Transistormontage: Oberflächenmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 180
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V 0.5A 0.2W SOT-323
на замовлення 4823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.02 грн
12+27.23 грн
100+15.19 грн
500+11.53 грн
1000+10.29 грн
3000+8.77 грн
6000+8.01 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm Semiconductor2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 1560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
653+21.74 грн
715+19.84 грн
834+17.01 грн
1000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 653 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.76 грн
6000+8.58 грн
9000+8.17 грн
15000+7.23 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm Semiconductor2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 912 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.85 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3HZGT106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+21.99 грн
49+16.59 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm Semiconductor2SC5876U3HZGT106Q
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
895+15.85 грн
928+15.28 грн
1000+14.78 грн
2500+13.83 грн
Мінімальне замовлення: 895 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3HZGT106QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 16603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.71 грн
12+25.28 грн
100+16.21 грн
500+11.52 грн
1000+10.33 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.06 грн
14+22.66 грн
100+14.46 грн
500+10.22 грн
1000+9.13 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 120hFE
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 200mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 500mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4580 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.24 грн
500+9.65 грн
1000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 0.5A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 50mA, 2V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.58 грн
6000+7.52 грн
9000+7.15 грн
15000+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 60V VCEO 0.5A SOT-323
на замовлення 9585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.26 грн
13+25.09 грн
100+10.63 грн
1000+9.18 грн
3000+7.25 грн
9000+6.28 грн
24000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106ROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.77 грн
33+25.13 грн
100+17.15 грн
500+11.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
на замовлення 1484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1313+10.80 грн
Мінімальне замовлення: 1313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+28.99 грн
49+16.59 грн
100+11.44 грн
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QRohm Semiconductor2SC5876U3T106Q
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1091+12.99 грн
1128+12.57 грн
Мінімальне замовлення: 1091 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106QROHMDescription: ROHM - 2SC5876U3T106Q - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.44 грн
500+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106RROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5876U3T106RRohm Semiconductor0
на замовлення 2150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1680+8.44 грн
1786+7.94 грн
1828+7.76 грн
2000+7.28 грн
Мінімальне замовлення: 1680 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587ANECCAN
на замовлення 913 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587AM
на замовлення 3550 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587AN
на замовлення 3540 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587M
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC587N
на замовлення 3625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC588TOSHIBA
на замовлення 5600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5880
на замовлення 121100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5880TV2QRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A ATV
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5880TV2RRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 60V 2A ATV
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 3-SIP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Supplier Device Package: ATV
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 100mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5881
на замовлення 1838 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5885ISC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5885 (транзистор біполярный NPN)
Код товару: 36636
Додати до обраних Обраний товар
MatsТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: TO-220H
Uceo,V: 1500 V
Ucbo,V: 1500 V
Ic,A: 6 A
h21: 10
Примітка: R+D
товару немає в наявності
1+51.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886On SemiconductorТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886(TE16L1Ј¬NQ)TOS06PB
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886-T6L1S
на замовлення 13283 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SC5886A
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 13 26 39 52 65 78 91 104 111 112 113 114 115 116 117 118 119 120 121 130 134  [ Наступна Сторінка >> ]